CN113161855B - 一种低电压高调制速度的高能量电光调q激光器 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种低电压高调制速度的高能量电光调Q激光器,按激光传输路径依次包括激光前腔镜、激光起偏检偏器、低电压高调制速度电光调制器和激光后腔镜,还包括用于产生激光增益的激光增益模块。本发明的激光射入低电压高调制速度电光调制器后,经过第一反射装置和第二反射装置来回反射多次经过电光晶体,电光调制器可以对经过电光晶体的激光产生多次的电光调制作用,从而获得了非常低的电光调制器调制电压,电压的大幅降低使得,在保证大光斑直径,大激光脉冲能量的前提下,10Mhz以及更高的调制速度可以实现,甚至实现百兆赫兹的调Q脉冲。同时激光增益模块的使用,可以获得很强的激光增益,输出高能量激光。
Description
技术领域
本发明涉及激光器领域,特别涉及一种低电压高调制速度的高能量电光调Q 激光器。
背景技术
传统上使用到高能调Q激光器中的的电光调制器一般采用电光晶体作为调 制晶体,例如,LiNO3,KD*P,BBO,KTP等,其具有可承受功率高,开关比高等 特点。但是此类晶体本身都有一些性能缺陷,限制了其在高调制速度高能量脉 冲激光器中的应用,例如LiNO3晶体,其具有较高的电光系数,工作电压较低, 但是其振铃效应严重,限制了其在高调制频率段的应用,另外其损伤阈值也偏 低,这样也限制了其在高能量段的应用。KD*P其损伤阈值较高,但电光系数偏 低,调Q工作时需要很高的驱动电压,而且其晶体容易潮解,限制了其在高调 制速度,高能量调Q激光器中的应用。BBO晶体具有非常优异的激光损伤阈值, 振铃效应小,非常适合应用于高调制速度高能量调Q激光器,但由于其较小的 电光系数,其工作的1/4波电压仍然很高,这样限制了其获得更高的调制速度。 另外,对于高能量的激光器,想要提高能量值,就需要设法提高内部各器件的 损伤阈值,除了选择较高损伤阈值的材料外,还可以增大激光光斑直径以降低 单位面积的能量密度,但是光斑的增大意味着电光晶体的通光尺寸也需要增大, 这样会导致1/4波电压大幅增加。因此需同时具备高调制速度、高能量高损伤 阈值的调Q激光很难获得。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的缺陷和不足,提供一种能够同时高效获 得低电压、高调制速度及高能量的电光调Q激光器。
本发明的技术方案是这样实现的:
一种低电压高调制速度的高能量电光调Q激光器,按激光传输路径依次包 括激光前腔镜(1)、激光起偏检偏器(2)、低电压高调制速度电光调制器(3) 和激光后腔镜(4);低电压高调制速度电光调制器(3)依包括平行设置的第 一反射装置(31)和第二反射装置(33),第一反射装置(31)和第二反射装置 (33)之间设置有电光晶体(32),电光晶体(32)的电极连接有电光调制器驱 动源(5),第一反射装置(31)和第二反射装置(33)用于将射入的激光垂直 入射到电光晶体,并保持平行地来回多次反射经过电光晶体(32)后再平行地 反射出去;还包括设置在低电压高调制速度电光调制器(3)内部的激光增益模 块,激光增益模块用于对多次经过电光晶体的激光进行多次增益。
进一步,所述第一反射装置(31)和所述第二反射装置(33)相对的面上 均设置有若干呈V型槽,V型槽的角度为90度,V型槽的内表面镀有反射膜, 所述第一反射装置(31)和所述第二反射装置(33)上下错开半个V型槽距离。 或者所述第一反射装置(31)和所述第二反射装置(33)相对的面上均设置有 若干呈V型排列连接的反射镜(311),反射镜之间的夹角为90度,所述第一反 射装置(31)和所述第二反射装置(33)上下错开半个V型连接反射镜(311) 高度的距离。
进一步,所述电光晶体(32)的上、下表面镀金属膜,所述电光晶体(32) 连接有正、负电极,所述电光晶体(32)的正、负电极分别与所述电光调制器 驱动源(5)电性连接,并由电光调制器驱动源(5)进行驱动控制。
进一步,所述电光晶体(32)为BBO晶体或KTP晶体。
进一步,所述激光增益模块(6)包括激光增益介质(61),激光增益介质 (61)的侧面设置有用于对经过激光增益介质(61)的激光进行泵浦增益的泵 浦源(62)。
进一步,所述激光增益介质(61)为片状,有利于散热以及激光多次通过 获得更大的激光增益。
进一步,所述激光增益介质(61)为Nd:YVO4晶体或Nd:YAG晶体或者 Nd:YLF晶体。
进一步,所述激光增益模块(6)设置在所述第一反射装置(31)和所述电 光晶体之间(32),或者所述激光增益模块(6)设置在所述电光晶体(32)和 所述第二反射装置(33)之间。
本发明的有益效果:本发明的激光射入低电压高调制速度电光调制器后, 经过第一反射装置和第二反射装置来回反射多次经过电光晶体,电光调制器可 以对经过电光晶体的激光进行多次的调制,从而获得了非常低的电光调制器调 制电压,电压的大幅降低使得10Mhz以及更高的调制速度可以实现,甚至实现 百兆赫兹的调Q脉冲;增加激光增益模块后,特别激光增益模块中采用片状的 激光增益介质,可以获得很好的散热,并可以使得激光在第一反射装置和第二 反射装置之间来回反射多次通过激光增益介质,有利于更好的获得大的高能量 激光,最终获得兼具低电压、高调制速度和高能量的激光。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施 例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述 中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付 出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为实施例1的结构示意图;
图2为实施例1中第一反射装置的结构示意图;
图3为实施例2的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清 楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是 全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造 性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
参照图1-2,一种低电压高调制速度的高能量电光调Q激光器,按激光传输 路径依次包括激光前腔镜1、激光起偏检偏器2、低电压高调制速度电光调制器 3和激光后腔镜4;低电压高调制速度电光调制器3依包括平行设置的第一反 射装置31和第二反射装置33,第一反射装置31和第二反射装置33之间设置有 电光晶体32,电光晶体32的电极连接有电光调制器驱动源5,第一反射装置31 和第二反射装置33用于将射入的激光垂直入射到电光晶体,并保持平行地来回 多次反射经过电光晶体32后再平行地反射出去;还包括设置在低电压高调制速 度电光调制器3内部的激光增益模块,激光增益模块用于对多次经过电光晶体的激光进行多次增益。
其中,所述第一反射装置31和所述第二反射装置33相对的面上均设置有 若干呈V型槽311,V型槽311的角度为90度,V型槽的内表面镀有反射膜312, 所述第一反射装置31和所述第二反射装置33上下错开半个V型槽312距离。 如图2,一个V型槽的距离为L,半个V型槽的距离就是0.5L。
其中,所述电光晶体32的上、下表面镀金属膜,所述电光晶体32连接有 正、负电极,所述电光晶体32的正、负电极分别与所述电光调制器驱动源5电 性连接,并由电光调制器驱动源5进行驱动控制。其中,所述电光晶体32为BBO 晶体或KTP晶体。
其中,所述激光增益模块6包括激光增益介质61,激光增益介质61的侧面 设置有用于对经过激光增益介质61的激光进行泵浦增益的泵浦源62。优选的, 所述激光增益介质61为片状,有利于散热以及激光多次通过获得更大的激光增 益。
其中,所述激光增益介质61为Nd:YVO4晶体、Nd:YAG晶体或者Nd: YLF晶体。
其中,所述激光增益模块6设置在所述第一反射装置31和所述电光晶体之 间32。
一般的激光器由于选择低振铃效应,高损伤阈值的BBO晶体,由于其较低 的电光系数,需要非常高的电压,高电压限制了其高调制速度的获得。本发明 的结构,并没有通过缩小激光光斑直径的方法来降低电光调制器的工作电压, 保证了高的激光损伤阈值,我们通过特殊设计的V型槽直角反射阵列,获得了 非常低的电光调制器调制电压,电压的大幅降低使得10Mhz以及更高的调制速 度可以实现,甚至实现百兆赫兹的调Q脉冲,同时薄片型激光增益介质的使用, 使得激光可以多次通过激光增益介质,获得大的泵浦能量的有效吸收,以及良 好的散热,非常有利于获得大的高能量激光。
本发明的效果具体数据分析如下:
传统的电光调制器,激光通常只通过电光调制器一次,半波电压很高,电 光晶体以20*15*2mm的BBO电光晶体为例,半波电压的计算公式如下,其中 λ为激光波长1064nm,nx为电光晶体折射率nx=1.655,r22为电光系数, r22=2.7pm/V;d为BBO晶体厚度,d=2mm;l为BBO晶体长度l=20mm;
计算可得传统的结构,此电光调制器的半波电压为4350V,如此高的电压 要实现高速的电光调制是非常困难的,尤其是10Mhz,100Mhz甚至更高。
本发明提出的结构,激光以7次通过BBO晶体来算,半波电压可以下降到 621V,依照此原则,增加BBO晶体的宽度,以及V型槽直角反射镜阵列的宽 度,可以继续增加通过BBO晶体次数,进一步降低半波电压。半波电压的大幅 降低使得10Mhz以及更高的调制速度可以实现。
本发明的激光射入低电压高调制速度电光调制器后,经过第一反射装置和 第二反射装置来回反射多次经过电光晶体,电光调制器可以对经过电光晶体的 激光进行多次的调制,从而获得了非常低的电光调制器调制电压,电压的大幅 降低使得10Mhz以及更高的调制速度可以实现,甚至实现百兆赫兹的调Q脉冲; 增加激光增益模块后,特别激光增益模块中采用片状的激光增益介质,可以获 得很好的散热,并可以使得激光在第一反射装置和第二反射装置之间来回反射 多次通过激光增益介质,有利于更好的获得大的高能量激光,最终获得兼具低 电压、高调制速度和高能量的激光。
实施例2
参照图3,本实施例与实施例1的不同点在于:所述第一反射装置31和所 述第二反射装置33相对的面上均设置有若干呈V型排列连接的反射镜313,反 射镜之间的夹角为90度,所述第一反射装置31和所述第二反射装置33上下错 开半个V型连接反射镜313高度的距离。
所述激光增益模块6设置在所述电光晶体32和所述第二反射装置33之间。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发 明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发 明的保护范围之内。
Claims (8)
1.按激光传输路径依次包括激光前腔镜(1)、激光起偏检偏器(2)、低电压高调制速一种低电压高调制速度的高能量电光调Q激光器,其特征在于:
度电光调制器(3)和激光后腔镜(4);
低电压高调制速度电光调制器(3)依包括平行设置的第一反射装置(31)和第二反射装置(33),第一反射装置(31)和第二反射装置(33)之间设置有电光晶体(32),电光晶体(32)的电极连接有电光调制器驱动源(5),第一反射装置(31)和第二反射装置(33)用于将射入的激光垂直入射到电光晶体,并保持平行地来回多次反射经过电光晶体(32)后再平行地反射出去;
还包括设置在低电压高调制速度电光调制器(3)内部的激光增益模块,激光增益模块用于对多次经过电光晶体的激光进行多次增益;
所述第一反射装置(31)和所述第二反射装置(33)相对的面上均设置有若干呈V型槽,V型槽的角度为90度,V型槽的内表面镀有反射膜,所述第一反射装置(31)和所述第二反射装置(33)上下错开半个V型槽距离。
2.如权利要求1所述的一种低电压高调制速度的高能量电光调Q激光器,其特征在于:所述第一反射装置(31)和所述第二反射装置(33)相对的面上均设置有若干呈V型排列连接的反射镜(311),反射镜之间的夹角为90度,所述第一反射装置(31)和所述第二反射装置(33)上下错开半个V型连接反射镜(311)高度的距离。
3.如权利要求1所述的一种低电压高调制速度的高能量电光调Q激光器,其特征在于:所述电光晶体(32)的上、下表面镀金属膜,所述电光晶体(32)连接有正、负电极,所述电光晶体(32)的正、负电极分别与所述电光调制器驱动源(5)电性连接,并由电光调制器驱动源(5)进行驱动控制。
4.如权利要求3所述的一种低电压高调制速度的高能量电光调Q激光器,其特征在于:所述电光晶体(32)为BBO晶体或KTP晶体。
5.如权利要求1所述的一种低电压高调制速度的高能量电光调Q激光器,其特征在于:所述激光增益模块(6)包括激光增益介质(61),激光增益介质(61)的侧面设置有用于对经过激光增益介质(61)的激光进行泵浦增益的泵浦源(62)。
6.如权利要求5所述的一种低电压高调制速度的高能量电光调Q激光器,其特征在于:所述激光增益介质(61)为片状,有利于散热以及激光多次通过获得更大的激光增益。
7.如权利要求6所述的一种低电压高调制速度的高能量电光调Q激光器,其特征在于:所述激光增益介质(61)为Nd:YVO4晶体或Nd:YAG晶体或者Nd:YLF晶体。
8.如权利要求1所述的一种低电压高调制速度的高能量电光调Q激光器,其特征在于:所述激光增益模块(6)设置在所述第一反射装置(31)和所述电光晶体(32)之间,或者所述激光增益模块(6)设置在所述电光晶体(32)和所述第二反射装置(33)之间。
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