CN113140526A - 一种半导体sgt器件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体领域，提供一种半导体SGT器件，包括衬底层，衬底层的前后两侧竖直设置有侧护层，左隔断层的右端与中间隔断层的左端位置之间设置有第一栅级材料层，中间隔断层的右端与右隔断层的左端位置之间设置有第二栅级材料层，第一栅级材料层和第二栅级材料层的上端连接有入电电极、出电电极、导电电极，导电电极的两端分别与入电电极的右端和出电电极的左端连接。本发明设计新颖，结构简单，使用方便，限位卡合条可以卡在内卡块与外卡块之间，此时限位卡合条被束缚住，将限位卡合条从内向外的拉取出来的时候，就可以将整个端护层从侧护层上取出，导电电极起到了连通的效果，延长了由入电电极和出电电极之间的距离，使得导电路径变长。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体为一种半导体SGT器件。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。
半导体SGT器件在进行导电的时候，相比起传统的半导体介质有更为广泛的使用环境，但是，目前的SGT器件在进行导电的时候，由于体积有限，在进行电路传导的时候，通路较短，同时，电荷的平衡的效果较为差，需要通过结构进行调节。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体SGT器件，解决了当前的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种半导体SGT器件，包括衬底层，所述衬底层的前后两侧竖直设置有侧护层，所述衬底层的左右两侧竖直设置有端护层，所述侧护层的表面开设有插槽，所述端护层通过插槽卡合安装在侧护层上，所述端护层的两端之间连接有限位卡合条，所述限位卡合条的内表面抵触在侧护层的外表面，所述衬底层的上端设置有左隔断层、中间隔断层、右隔断层，所述中间隔断层设置在左隔断层的右侧与右隔断层的左侧位置之间，所述左隔断层的右端与中间隔断层的左端位置之间设置有第一栅级材料层，所述中间隔断层的右端与右隔断层的左端位置之间设置有第二栅级材料层，所述第一栅级材料层和第二栅级材料层的上端连接有入电电极、出电电极、导电电极，所述导电电极的两端分别与入电电极的右端和出电电极的左端连接，侧护层和端护层起到了较好的围护效果，对内部结构进行保护。
优选的，所述侧护层的表面设置有外卡块和内卡块，所述外卡块的内端与内卡块的外端间距与限位卡合条的宽度相等，内卡块和外卡块将限位卡合条进行限位。
优选的，所述第一栅级材料层的内部竖直设置有第一导电介质层、第二导电介质层、第三导电介质层，所述第二栅级材料层的内部竖直设置有第四导电介质层、第五导电介质层、第六导电介质层，第一导电介质层、第二导电介质层、第三导电介质层，第四导电介质层、第五导电介质层、第六导电介质层都起到了传导电荷的效果。
优选的，所述第一导电介质层和第四导电介质层的上端与入电电极的下端连接，所述第二导电介质层和第五导电介质层的上端与导电电极的下端连接，所述第三导电介质层和第六导电介质层的上端与出电电极的下端连接，入电电极传入电荷，出电电极可以导出。
优选的，所述第一导电介质层、第二导电介质层、第三导电介质层、第四导电介质层、第五导电介质层、第六导电介质层的下端与第一栅级材料层和第二栅级材料层的上端位置处设置有缓冲层，缓冲层起到了平衡电荷作用。
优选的，所述限位卡合条的数量是六个，多个限位卡合条同时卡合。
优选的，所述插槽与端护层的宽度相等，使得卡合效果好。
(三)有益效果
本发明提供了一种半导体SGT器件。具备以下有益效果：
1、将限位卡合条滑过外卡块之后，使得限位卡合条可以卡在内卡块与外卡块之间，此时限位卡合条被束缚住，不会发生相对的滑动，起到了限位效果，且限位的方式简单，将限位卡合条从内向外的拉取出来的时候，就可以将整个端护层从侧护层上取出，取出的方式较为简单，便于对内层结构进行后期的检测。
2、导电电极起到了连通的效果，延长了由入电电极和出电电极之间的距离，使得导电路径变长。
3、缓冲层起到了电荷平衡的作用，可以降低SGT器件的单位面积的导通电阻。
附图说明
图1为一种半导体SGT器件的结构示意图；
图2为一种半导体SGT器件中端护层的结构示意图；
图3为一种半导体SGT器件中侧护层的结构示意图；
图4为一种半导体SGT器件中导电电极的结构示意图；
图5为一种半导体SGT器件中缓冲层的结构示意图。
其中：1、衬底层；2、侧护层；3、插槽；4、端护层；5、限位卡合条；6、外卡块；7、内卡块；8、左隔断层；9、中间隔断层；10、右隔断层；11、第一栅级材料层；12、第二栅级材料层；13、导电电极；14、入电电极；15、出电电极；16、第一导电介质层；17、第二导电介质层；18、第三导电介质层；19、第四导电介质层；20、第五导电介质层；21、第六导电介质层；22、缓冲层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
请参阅图1-5，本发明实施例提供一种半导体SGT器件，包括衬底层1，衬底层1的前后两侧竖直设置有侧护层2，衬底层1的左右两侧竖直设置有端护层4，侧护层2的表面开设有插槽3，端护层4通过插槽3卡合安装在侧护层2上，衬底层1的上端设置有左隔断层8、中间隔断层9、右隔断层10，中间隔断层9设置在左隔断层8的右侧与右隔断层10的左侧位置之间，左隔断层8的右端与中间隔断层9的左端位置之间设置有第一栅级材料层11，中间隔断层9的右端与右隔断层10的左端位置之间设置有第二栅级材料层12，将侧护层2卡在衬底层1的前后两侧，然后再将左隔断层8、中间隔断层9、右隔断层10置入在侧护层2的内部，使其处于衬底层1的上端，再将第一栅级材料层11和第二栅级材料层12置入到侧护层2的内部，使得第一栅级材料层11的两端分别与左隔断层8和中间隔断层9连接，使得第二栅级材料层12的两端分别与中间隔断层9和右隔断层10连接。
参阅图2，端护层4的两端之间连接有限位卡合条5，限位卡合条5的内表面抵触在侧护层2的外表面，限位卡合条5的数量是六个，将端护层4插入到侧护层2表面的插槽3内部，使得限位卡合条5可以卡在侧护层2的外面。
参阅图3，侧护层2的表面设置有外卡块6和内卡块7，外卡块6的内端与内卡块7的外端间距与限位卡合条5的宽度相等，插槽3与端护层4的宽度相等，将限位卡合条5滑过外卡块6之后，使得限位卡合条5可以卡在内卡块7与外卡块6之间，此时限位卡合条5被束缚住，不会发生相对的滑动，起到了限位效果，且限位的方式简单，将限位卡合条5从内向外的拉取出来的时候，就可以将整个端护层4从侧护层2上取出，取出的方式较为简单。参阅图4，第一栅级材料层11和第二栅级材料层12的上端连接有入电电极14、出电电极15、导电电极13，导电电极13的两端分别与入电电极14的右端和出电电极15的左端连接，导电电极13起到了连通的效果，延长了由入电电极14和出电电极15之间的距离，使得导电路径变长。
参阅图5，第一栅级材料层11的内部竖直设置有第一导电介质层16、第二导电介质层17、第三导电介质层18，第二栅级材料层12的内部竖直设置有第四导电介质层19、第五导电介质层20、第六导电介质层21，第一导电介质层16和第四导电介质层19的上端与入电电极14的下端连接，第二导电介质层17和第五导电介质层20的上端与导电电极13的下端连接，第三导电介质层18和第六导电介质层21的上端与出电电极15的下端连接，第一导电介质层16、第二导电介质层17、第三导电介质层18、第四导电介质层19、第五导电介质层20、第六导电介质层21的下端与第一栅级材料层11和第二栅级材料层12的上端位置处设置有缓冲层22，当入电电极14开始导电之后，位于入电电极14下端的第一导电介质层16和第四导电介质层19进行连通，当电能传导到导电电极13的时候，导电电极13的电能与下端的第二导电介质层17和第五导电介质层20进行连通，当电能传导到出电电极15的时候，出电电极15的电能与第三导电介质层18和第六导电介质层21进行连通，最终从出电电极15流通出去，同时，缓冲层22起到了电荷平衡的作用，可以降低SGT器件的单位面积的导通电阻。
工作原理：将侧护层2卡在衬底层1的前后两侧，然后再将左隔断层8、中间隔断层9、右隔断层10置入在侧护层2的内部，使其处于衬底层1的上端，再将第一栅级材料层11和第二栅级材料层12置入到侧护层2的内部，使得第一栅级材料层11的两端分别与左隔断层8和中间隔断层9连接，使得第二栅级材料层12的两端分别与中间隔断层9和右隔断层10连接，将端护层4插入到侧护层2表面的插槽3内部，使得限位卡合条5可以卡在侧护层2的外面，将限位卡合条5滑过外卡块6之后，使得限位卡合条5可以卡在内卡块7与外卡块6之间，此时限位卡合条5被束缚住，不会发生相对的滑动，起到了限位效果，且限位的方式简单，将限位卡合条5从内向外的拉取出来的时候，就可以将整个端护层4从侧护层2上取出，取出的方式较为简单，导电电极13起到了连通的效果，延长了由入电电极14和出电电极15之间的距离，使得导电路径变长，当入电电极14开始导电之后，位于入电电极14下端的第一导电介质层16和第四导电介质层19进行连通，当电能传导到导电电极13的时候，导电电极13的电能与下端的第二导电介质层17和第五导电介质层20进行连通，当电能传导到出电电极15的时候，出电电极15的电能与第三导电介质层18和第六导电介质层21进行连通，最终从出电电极15流通出去，同时，缓冲层22起到了电荷平衡的作用，可以降低SGT器件的单位面积的导通电阻。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (7)
1.一种半导体SGT器件，包括衬底层(1)，所述衬底层(1)的前后两侧竖直设置有侧护层(2)，其特征在于：所述衬底层(1)的左右两侧竖直设置有端护层(4)，所述侧护层(2)的表面开设有插槽(3)，所述端护层(4)通过插槽(3)卡合安装在侧护层(2)上，所述端护层(4)的两端之间连接有限位卡合条(5)，所述限位卡合条(5)的内表面抵触在侧护层(2)的外表面，所述衬底层(1)的上端设置有左隔断层(8)、中间隔断层(9)、右隔断层(10)，所述中间隔断层(9)设置在左隔断层(8)的右侧与右隔断层(10)的左侧位置之间，所述左隔断层(8)的右端与中间隔断层(9)的左端位置之间设置有第一栅级材料层(11)，所述中间隔断层(9)的右端与右隔断层(10)的左端位置之间设置有第二栅级材料层(12)，所述第一栅级材料层(11)和第二栅级材料层(12)的上端连接有入电电极(14)、出电电极(15)、导电电极(13)，所述导电电极(13)的两端分别与入电电极(14)的右端和出电电极(15)的左端连接。
2.根据权利要求1所述的一种半导体SGT器件，其特征在于：所述侧护层(2)的表面设置有外卡块(6)和内卡块(7)，所述外卡块(6)的内端与内卡块(7)的外端间距与限位卡合条(5)的宽度相等。
3.根据权利要求1所述的一种半导体SGT器件，其特征在于：所述第一栅级材料层(11)的内部竖直设置有第一导电介质层(16)、第二导电介质层(17)、第三导电介质层(18)，所述第二栅级材料层(12)的内部竖直设置有第四导电介质层(19)、第五导电介质层(20)、第六导电介质层(21)。
4.根据权利要求3所述的一种半导体SGT器件，其特征在于：所述第一导电介质层(16)和第四导电介质层(19)的上端与入电电极(14)的下端连接，所述第二导电介质层(17)和第五导电介质层(20)的上端与导电电极(13)的下端连接，所述第三导电介质层(18)和第六导电介质层(21)的上端与出电电极(15)的下端连接。
5.根据权利要求3所述的一种半导体SGT器件，其特征在于：所述第一导电介质层(16)、第二导电介质层(17)、第三导电介质层(18)、第四导电介质层(19)、第五导电介质层(20)、第六导电介质层(21)的下端与第一栅级材料层(11)和第二栅级材料层(12)的上端位置处设置有缓冲层(22)。
6.根据权利要求1所述的一种半导体SGT器件，其特征在于：所述限位卡合条(5)的数量是六个。
7.根据权利要求1所述的一种半导体SGT器件，其特征在于：所述插槽(3)与端护层(4)的宽度相等。
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