CN113131336A - 一种半导体激光器波长锁定方法 - Google Patents

一种半导体激光器波长锁定方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113131336A
CN113131336A CN202110384025.6A CN202110384025A CN113131336A CN 113131336 A CN113131336 A CN 113131336A CN 202110384025 A CN202110384025 A CN 202110384025A CN 113131336 A CN113131336 A CN 113131336A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor laser
wavelength
current
temperature
wavelength locking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110384025.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113131336B (zh
Inventor
虞天成
裘利平
王俊
俞浩
潘华东
廖新胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Everbright Photonics Co Ltd
Suzhou Everbright Semiconductor Laser Innovation Research Institute Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Everbright Photonics Co Ltd
Suzhou Everbright Semiconductor Laser Innovation Research Institute Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Everbright Photonics Co Ltd, Suzhou Everbright Semiconductor Laser Innovation Research Institute Co Ltd filed Critical Suzhou Everbright Photonics Co Ltd
Priority to CN202110384025.6A priority Critical patent/CN113131336B/zh
Publication of CN113131336A publication Critical patent/CN113131336A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113131336B publication Critical patent/CN113131336B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

一种半导体激光器波长锁定方法，包括：在半导体激光器在工作电流以及散热板在工作温度下测试半导体激光器的第一中心波长，若第一中心波长在体光栅的波长锁定范围内时，调节半导体激光器中的电流至第一电流，第一电流小于半导体激光器的工作电流，并保持散热板处于工作温度的条件下，测试半导体激光器的第二中心波长；之后调节半导体激光器底部的散热板至测试温度，使得半导体激光器发出具有第三中心波长的激光，第三中心波长与所述波长锁定范围的一个边界之间的差值小于等于第一阈值；之后调节体光栅的角度至从体光栅出射的光的光谱图中旁瓣消失。在波长锁定调节工艺中避免发生腔面灾变损伤且波长锁定状态的稳定性提高、波长锁定调节难度降低。

Description

一种半导体激光器波长锁定方法
技术领域
本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种半导体激光器波长锁定方法。
背景技术
光纤激光器和固体激光器通常因为其吸收峰较窄，会对其泵源也就是半导体激光器提出严苛的指标要求。因此需要使用波长锁定技术保证半导体激光器压窄输出光谱宽度、实现波长锁定。目前主要采用体光栅或面光栅外腔锁定技术，实现波长锁定效果。然而波长锁定调节精度高，锁定难度大，运输和使用过程中导致的模块碰撞、形变，都有可能导致激光器的失锁。且在目前的波长锁定调节工艺中，通常需要在较高工作电流下调节光栅，这极容易导致腔面灾变损伤(COD)。
因此，需要解决现有技术中波长锁定状态的稳定性较差，波长锁定调节难度大且在波长锁定调节工艺中容易发生腔面灾变损伤的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中波长锁定状态的稳定性较差、波长锁定调节难度大且在波长锁定调节工艺中容易发生腔面灾变损伤的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种半导体激光器波长锁定方法，包括：第一步骤：提供半导体激光器和体光栅，半导体激光器底部设置有散热板；第二步骤：在半导体激光器在工作电流以及散热板在工作温度下，测试半导体激光器的第一中心波长，若第一中心波长在体光栅的波长锁定范围内时，则进行第三步骤；第三步骤：调节半导体激光器中的电流至第一电流，第一电流小于半导体激光器的工作电流，并保持散热板处于工作温度的条件下，测试半导体激光器的第二中心波长；第四步骤：在半导体激光器中的电流为第一电流的条件下，调节半导体激光器底部的散热板的温度至测试温度，使得半导体激光器发出具有第三中心波长的激光，第三中心波长与所述波长锁定范围的一个边界之间的差值小于等于第一阈值；第五步骤：在半导体激光器中的电流为第一电流且散热板的温度为测试温度的条件下，调节体光栅的角度直至从体光栅出射的光的光谱图中旁瓣消失。
可选的，所述第一阈值为0纳米～0.5纳米。
可选的，第三中心波长位于所述波长锁定范围的一个边界。
可选的，所述体光栅的波长锁定范围为(λ0－K)～(λ0+K)；λ0为体光栅锁定的中心波长；第三中心波长为λ0－K；当第三中心波长为λ0－K时，所述测试温度与所述工作温度的关系为：
Figure BDA0003014128350000021
Ttesr为测试温度，T0为工作温度，λ2为第二中心波长，A为半导体激光器发出激光的中心波长的变化与散热板温度变化的比值。
可选的，所述体光栅的波长锁定范围为(λ0－K)～(λ0+K)；λ0为体光栅锁定的中心波长；第三中心波长为λ0+K；当第三中心波长为λ0+K时，所述测试温度与所述工作温度的关系为：
Figure BDA0003014128350000031
Ttesr为测试温度，T0为工作温度，λ2为第二中心波长，A为半导体激光器发出激光的中心波长的变化与散热板温度变化的比值。
可选的，所述半导体激光器具有阈值电流，所述第一电流为所述阈值电流的3倍～4倍。
可选的，还包括：第六步骤：进行第五步骤之后，将散热板的温度调节至工作温度，将半导体激光器的电流调节至工作电流。
可选的，还包括：第七步骤：进行第六步骤之后，测试波长锁定效果，若第六步骤之后从体光栅出射的光的光谱图中出现旁瓣，则重复第三步骤至第六步骤，直至第六步骤之后从体光栅出射的光的光谱图中旁瓣消失。
可选的，所述体光栅具有峰值衍射效率；所述半导体激光器的前腔面适于出射激光；根据所述前腔面的反射率和所述峰值衍射效率获取K的取值。
本发明技术方案，具有如下优点：
本发明技术方案提供的半导体激光器波长锁定方法，在半导体激光器在工作电流以及散热板在工作温度下，测试半导体激光器的第一中心波长，若第一中心波长在体光栅的波长锁定范围内时，则进行后续的调节步骤，也就是说，当半导体激光器和所述体光栅相互匹配时，才会进行后续的调节步骤。之后，调节半导体激光器中的电流至第一电流，第一电流小于半导体激光器的工作电流，并保持散热板处于工作温度的条件下，测试半导体激光器的第二中心波长；当调节半导体激光器中的电流至第一电流时且保持散热板处于工作温度的条件下，第二中心波长会超出体光栅的波长锁定范围。之后在半导体激光器中的电流为第一电流的条件下，调节半导体激光器底部的散热板的温度至测试温度，使得半导体激光器发出具有第三中心波长的激光，第三中心波长与所述波长锁定范围的一个边界之间的差值小于等于第一阈值，第三中心波长位于所述波长锁定范围的边界的附近，该步骤中利用了温度波长漂移特征实现半导体激光器接近波长锁定状态。之后，在在半导体激光器中的电流为第一电流且散热板的温度为测试温度的条件下，调节体光栅的角度直至从体光栅出射的光的光谱图中旁瓣消失，也就是调节体光栅的角度直至达到最佳锁定效果。而在达到最佳锁定效果的过程中，由于在较小的第一电流下使得半导体激光器接近锁定状态且调节好体光栅的角度，因此，避免了在波长锁定调节过程中发生腔面灾变损伤的问题。且该方法能达到最佳的波长锁定效果，即使半导体激光器在运输和使用过程中发生模块碰撞、形变，也不会发生失锁的问题，因此波长锁定状态的稳定性得到提高。其次，上述方法操作的难度降低，容易进行波长锁定调节。
进一步，进行第五步骤之后，将散热板的温度调节至工作温度，将半导体激光器的电流调节至工作电流。由于半导体激光器自由运转的中心波长会随着温度与电流的变化而变化，因此在将散热板的温度调节至工作温度，将半导体激光器的电流调节至工作电流之后，也能保证较好的波长锁定状态。
进一步，第六步骤之后，测试波长锁定效果，若第六步骤之后从体光栅出射的光的光谱图中出现旁瓣，则重复第三步骤至第六步骤，直至第六步骤之后从体光栅出射的光的光谱图中旁瓣消失，这样使得半导体激光器实际工作过程中也能保证最佳的锁定效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例的半导体激光器波长锁定过程的流程图；
图2是本发明一实施例实现波长锁定的结构示意图。
具体实施方式
在此基础上，本发明实施例提供一种半导体激光器波长锁定方法，参考图1，包括：
S01：第一步骤：提供半导体激光器和体光栅，半导体激光器底部设置有散热板；
S02：第二步骤：在半导体激光器在工作电流以及散热板在工作温度下，测试半导体激光器的第一中心波长，若第一中心波长在体光栅的波长锁定范围内时，则进行第三步骤；
S03：第三步骤：调节半导体激光器中的电流至第一电流，第一电流小于半导体激光器的工作电流，并保持散热板处于工作温度的条件下，测试半导体激光器的第二中心波长；
S04：第四步骤：在半导体激光器中的电流为第一电流的条件下，调节半导体激光器底部的散热板的温度至测试温度，使得半导体激光器发出具有第三中心波长的激光，第三中心波长与所述波长锁定范围的一个边界之间的差值小于等于第一阈值；
S05：第五步骤：在半导体激光器中的电流为第一电流且散热板的温度为测试温度的条件下，调节体光栅的角度直至从体光栅出射的光的光谱图中旁瓣消失。
参考图2，半导体激光器10出射的光经过透镜20准直后入射至体光栅30，体光栅30会将符合其衍射波长的部分激光反馈回半导体激光器10内，并且反馈回半导体激光器10的光将在模式竞争中获胜，最终实现波长锁定。半导体激光器10底部具有散热板40。在图2中实线A表示从半导体激光器10出射的光，虚线B表示从体光栅30反馈的光。
本实施例中，所述半导体激光器10为半导体激光器芯片，所述散热板40为热沉。所述散热板40的底部具有底壳50，底壳50的底部设置有控温台60。
所述第一阈值为0纳米～0.5纳米，如0纳米、0.1纳米、0.2纳米、0.3纳米、0.4纳米或0.5纳米。
优选的，所述第一阈值为0纳米。第三中心波长位于所述波长锁定范围的一个边界。
本实施例中，所述体光栅30的波长锁定范围为(λ0－K)～(λ0+K)；λ0为体光栅30锁定的中心波长。
本实施例中，所述体光栅30具有峰值衍射效率。所述半导体激光器10的前腔面适于出射激光。根据所述前腔面的反射率和所述峰值衍射效率获取K的取值。通常，在波长锁定调节之前，就能获知体光栅30的峰值衍射效率以及前腔面的反射率，而根据体光栅30的峰值衍射效率以及前腔面的反射率就能计算出K的取值，因此在波长锁定调节之前，能获知体光栅30的波长锁定范围为(λ0－K)～(λ0+K)。具体的，前腔面的反射率小于等于2％。
所述半导体激光器10还具有后腔面，所述后腔面和前腔面相对设置，所述后腔面的反射率大于95％，前腔面的反射率小于等于2％。
在一个实施例中，当体光栅30的峰值衍射效率为10％，前腔面的反射率为1％时，K为3纳米。
若第一中心波长在体光栅30的波长锁定范围内时，则进行后续的调节步骤，也就是说，当半导体激光器10和所述体光栅30相互匹配时，才会进行后续的调节步骤。
所述第一电流小于所述工作电流。所述半导体激光器具有阈值电流，所述第一电流为所述阈值电流的3倍～4倍，如3倍、3.5倍、4倍。第一电流采用该范围有效降低腔面灾变损伤发生概率。
在半导体激光器10中的电流为第一电流的条件下，调节半导体激光器10底部的散热板40的温度至测试温度，使得半导体激光器10发出具有第三中心波长的激光，第三中心波长与所述波长锁定范围的一个边界之间的差值小于等于第一阈值，第三中心波长位于所述波长锁定范围的边界的附近，该步骤中利用了温度波长漂移特征实现半导体激光器10接近波长锁定状态。之后，在在半导体激光器10中的电流为第一电流且散热板40的温度为测试温度的条件下，调节体光栅30的角度直至从体光栅30出射的光的光谱图中旁瓣消失，也就是调节体光栅30的角度直至达到最佳锁定效果。而在达到最佳锁定效果的过程中，由于在较小的第一电流下使得半导体激光器10接近锁定状态且调节好体光栅30的角度，因此，避免了在波长锁定调节过程中发生腔面灾变损伤的问题。且该方法能达到最佳的波长锁定效果，即使半导体激光器10在运输和使用过程中发生模块碰撞、形变，也不会发生失锁的问题，因此波长锁定状态的稳定性得到提高。其次，上述方法操作的难度降低，容易进行波长锁定调节。
本实施例中，采用该方法进行波长锁定后能够实现全电流、宽温度范围的波长锁定。
在一个实施例中，第三中心波长为λ0－K，当第三中心波长为λ0－K时，所述测试温度与所述工作温度的关系为：
Figure BDA0003014128350000081
Ttesr为测试温度，T0为工作温度，λ2为第二中心波长，A为半导体激光器10发出激光的中心波长的变化与散热板40温度变化的比值。
在另一个实施例中，第三中心波长为λ0+K，当第三中心波长为λ0+K时，所述测试温度与所述工作温度的关系为：
Figure BDA0003014128350000091
Ttesr为测试温度，T0为工作温度，λ2为第二中心波长，A为半导体激光器10发出激光的中心波长的变化与散热板40温度变化的比值。
需要说明的是，A的取值能在波长锁定调节之前就通过测试方法获取到，具体的，在半导体激光器10中通入一定的测试电流，在测试电流固定的条件下，调节散热板40的温度，相应的测试出半导体激光器10发出激光的中心波长，从而获取到一定的测试电流下的半导体激光器10发出激光的中心波长的变化与散热板40温度变化的比值；调节测试电流，在不同的测试电流下测试出半导体激光器10发出激光的中心波长的变化与散热板40温度变化的比值。
在一个实施例中，散热板40的温度每升一度，半导体激光器10出射光的波长向长波方向漂移0.3纳米～0.5纳米，如0.4纳米；半导体激光器10中的电流每升高1A，半导体激光器10出射光的波长向长波方向漂移0.6纳米～0.7纳米，如0.65纳米。
本实施例中，半导体激光器波长锁定方法还包括：
S06：第六步骤：进行第五步骤之后，将散热板40的温度调节至工作温度，将半导体激光器10的电流调节至工作电流；
S07：第七步骤：进行第六步骤之后，测试波长锁定效果，若第六步骤之后从体光栅30出射的光的光谱图中出现旁瓣，则重复第三步骤至第六步骤，直至第六步骤之后从体光栅30出射的光的光谱图中旁瓣消失。
本实施例中，进行第五步骤之后，将散热板40的温度调节至工作温度，将半导体激光器10的电流调节至工作电流。由于半导体激光器自由运转的中心波长会随着温度与电流的变化而变化，因此在将散热板40的温度调节至工作温度，将半导体激光器10的电流调节至工作电流之后，也能保证较好的波长锁定状态。
本实施例中，第六步骤之后，测试波长锁定效果，若第六步骤之后从体光栅30出射的光的光谱图中出现旁瓣，则重复第三步骤至第六步骤，直至第六步骤之后从体光栅30出射的光的光谱图中旁瓣消失，这样使得半导体激光器10实际工作过程中也能保证最佳的锁定效果。
需要说明的是，本实施例中，采用光谱仪测试体光栅30出射的光的光谱图中的旁瓣是否消失。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (9)

1.一种半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，包括：
第一步骤：提供半导体激光器和体光栅，半导体激光器底部设置有散热板；
第二步骤：在半导体激光器在工作电流以及散热板在工作温度下，测试半导体激光器的第一中心波长，若第一中心波长在体光栅的波长锁定范围内时，则进行第三步骤；
第三步骤：调节半导体激光器中的电流至第一电流，第一电流小于半导体激光器的工作电流，并保持散热板处于工作温度的条件下，测试半导体激光器的第二中心波长；
第四步骤：在半导体激光器中的电流为第一电流的条件下，调节半导体激光器底部的散热板的温度至测试温度，使得半导体激光器发出具有第三中心波长的激光，第三中心波长与所述波长锁定范围的一个边界之间的差值小于等于第一阈值；
第五步骤：在半导体激光器中的电流为第一电流且散热板的温度为测试温度的条件下，调节体光栅的角度直至从体光栅出射的光的光谱图中旁瓣消失。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，所述第一阈值为0纳米～0.5纳米。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，第三中心波长位于所述波长锁定范围的一个边界。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，所述体光栅的波长锁定范围为(λ0-K)～(λ0+K)；λ0为体光栅锁定的中心波长；第三中心波长为λ0-K；
当第三中心波长为λ0-K时，所述测试温度与所述工作温度的关系为：
Figure FDA0003014128340000021
Ttesr为测试温度，T0为工作温度，λ2为第二中心波长，A为半导体激光器发出激光的中心波长的变化与散热板温度变化的比值。
5.根据权利要求3所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，所述体光栅的波长锁定范围为(λ0-K)～(λ0+K)；λ0为体光栅锁定的中心波长；第三中心波长为λ0+K；
当第三中心波长为λ0+K时，所述测试温度与所述工作温度的关系为：
Figure FDA0003014128340000022
Ttesr为测试温度，T0为工作温度，λ2为第二中心波长，A为半导体激光器发出激光的中心波长的变化与散热板温度变化的比值。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，所述半导体激光器具有阈值电流，所述第一电流为所述阈值电流的3倍～4倍。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，还包括：第六步骤：进行第五步骤之后，将散热板的温度调节至工作温度，将半导体激光器的电流调节至工作电流。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，还包括：第七步骤：进行第六步骤之后，测试波长锁定效果，若第六步骤之后从体光栅出射的光的光谱图中出现旁瓣，则重复第三步骤至第六步骤，直至第六步骤之后从体光栅出射的光的光谱图中旁瓣消失。
9.根据权利要求4或5所述的半导体激光器波长锁定方法，其特征在于，所述体光栅具有峰值衍射效率；所述半导体激光器的前腔面适于出射激光；根据所述前腔面的反射率和所述峰值衍射效率获取K的取值。
CN202110384025.6A 2021-04-09 2021-04-09 一种半导体激光器波长锁定方法 Active CN113131336B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110384025.6A CN113131336B (zh) 2021-04-09 2021-04-09 一种半导体激光器波长锁定方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110384025.6A CN113131336B (zh) 2021-04-09 2021-04-09 一种半导体激光器波长锁定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113131336A true CN113131336A (zh) 2021-07-16
CN113131336B CN113131336B (zh) 2022-04-15

Family

ID=76775750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110384025.6A Active CN113131336B (zh) 2021-04-09 2021-04-09 一种半导体激光器波长锁定方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113131336B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1346527A (zh) * 1999-02-11 2002-04-24 Sdl股份有限公司 光纤光栅稳定的半导体泵激源
US20040131102A1 (en) * 2002-12-20 2004-07-08 Jette Stephanie Marie-Julie External-cavity lasers
CN102593714A (zh) * 2012-02-28 2012-07-18 武汉光迅科技股份有限公司 单泵多波长激射的半导体拉曼泵浦激光器及泵浦合波装置
CN104242051A (zh) * 2014-09-18 2014-12-24 武汉光迅科技股份有限公司 一种外腔可调谐激光器以及其腔模锁定方法
CN104779518A (zh) * 2015-03-14 2015-07-15 浙江大学 侧面多端对称泵浦碱金属蒸气激光mopa系统
CN105892067A (zh) * 2016-05-10 2016-08-24 芜湖安瑞激光科技有限公司 一种多波长激光合束系统

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1346527A (zh) * 1999-02-11 2002-04-24 Sdl股份有限公司 光纤光栅稳定的半导体泵激源
US20040131102A1 (en) * 2002-12-20 2004-07-08 Jette Stephanie Marie-Julie External-cavity lasers
CN102593714A (zh) * 2012-02-28 2012-07-18 武汉光迅科技股份有限公司 单泵多波长激射的半导体拉曼泵浦激光器及泵浦合波装置
CN104242051A (zh) * 2014-09-18 2014-12-24 武汉光迅科技股份有限公司 一种外腔可调谐激光器以及其腔模锁定方法
CN104779518A (zh) * 2015-03-14 2015-07-15 浙江大学 侧面多端对称泵浦碱金属蒸气激光mopa系统
CN105892067A (zh) * 2016-05-10 2016-08-24 芜湖安瑞激光科技有限公司 一种多波长激光合束系统

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
皮浩洋等: "高功率半导体激光器线阵列的波长锁定技术", 《红外与激光工程》 *
胡双双等: "基于双光纤布拉格光栅的抽运激光器波长锁定器", 《中国激光》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN113131336B (zh) 2022-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7394842B2 (en) Volume bragg lasers based on high efficiency diffractive elements in photo-thermo-refractive glass
CN109873295B (zh) 一种片上集成级联放大半导体激光器
US7609743B2 (en) Volume Bragg lasers based on high efficiency diffractive elements in photo-thermo-refractive glass
US20070160102A1 (en) Vertically emitting, optically pumped semiconductor laser comprising an external resonator
Major Jr et al. High power, high efficiency antiguide laser arrays
Shashkin et al. Light characteristics of narrow-stripe high-power semiconductor lasers (1060 nm) based on asymmetric AlGaAs/GaAs heterostructures with a broad waveguide
CN113131336B (zh) 一种半导体激光器波长锁定方法
CN115882335A (zh) 具有小发散角的vcsel激光器、芯片及用于lidar系统的光源
EP3070794A1 (en) A method and device for generating short optical pulses
Lee et al. Wide-range tunable semiconductor lasers using asymmetric dual quantum wells
Liu et al. Injection locking of individual broad-area lasers in an integrated high-power diode array
Zink et al. Monolithic master oscillator tilted tapered power amplifier emitting 9.5 W at 1060 nm
US7627010B2 (en) Semiconductor laser having Fabry-Perot resonator
US8331411B2 (en) Edge-emitting semiconductor laser
US20230231362A1 (en) Semiconductor laser with a horizontal laser element and a vertical laser element, lidar system and production method
US20070008996A1 (en) Laser wavelength stabilization for pumping purposes using adjusted Fabry-Perot filter
US11757259B2 (en) Edge-emitting semiconductor laser and method for producing an edge-emitting semiconductor laser
CN106981819B (zh) 一种可调激光器及其控制方法
CN115461946A (zh) 半导体激光器和具有半导体激光器的激光雷达系统以及激光器系统
US20220407282A1 (en) Semiconductor laser element, semiconductor laser array and processing apparatus
Taneya et al. Stable quasi 0 phase mode operation in a laser array diode nearly aligned with a phase shifter
Dittmar et al. 9-W output power from an 808-nm tapered diode laser in pulse mode operation with nearly diffraction-limited beam quality
Rajala et al. Multi-type quantum well semiconductor membrane external-cavity surface-emitting lasers (MECSELs) for widely tunable continuous wave operation
Klehr et al. High power broad area 808 nm DFB lasers for pumping solid state lasers
US20220344910A1 (en) Multi-wavelength laser diode

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant