CN113130552A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开一种显示装置，其在基板下方设置有摄像机的结构中，可确保透射率并且确保使用相同驱动器IC的多个驱动区域由于在面板内部的结构差异而具有不同的分辨率。所述显示装置包括：基板，所述基板被划分为第一区域和第二区域；在所述第一区域中的第一阵列单元，所述第一阵列单元包括具有第一发光部的至少一个子像素；以及在所述第二区域中的第二阵列单元，所述第二阵列单元包括多个子像素，所述多个子像素的每一个包括第二发光部，所述第二发光部的面积小于所述第一发光部的面积，其中在所述第一阵列单元中的至少一个子像素的第一有源层的面积大于在所述第二阵列单元的多个子像素中的每一个子像素的第二有源层的面积。

Description

显示装置
本申请要求享有2019年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2019-0180179的权益，通过引用将该专利申请并入本文，如同在本文中被完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种显示装置，更具体地，涉及这样一种显示装置，其在基板下方设置有摄像机的结构中，可确保透射率并且由于在面板内部的结构差异而使用相同的驱动器IC驱动具有不同分辨率的区域。
背景技术
随着社会近来进入信息时代，用于在视觉上显示电信息信号的显示器领域得到快速发展；并且，为了满足这种发展，具有诸如外形薄、重量轻和功耗低之类的卓越性能的各种平板显示装置得到开发，并且快速取代了传统的阴极射线管(CRT)。
作为这种平板显示装置的例子，有液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场致发光显示(FED)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置等。
发明内容
因此，本发明旨在提出一种基本上避免了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或多个问题的显示装置。
本发明的一个目的是提供一种显示装置，其在基板下方设置有摄像机的结构中，可确保透射率并且由于在面板内部的结构差异而使用相同的驱动器IC驱动具有不同分辨率的区域。
就是说，在基板下方设置有摄像机的结构中，通过调整包括具有不同分辨率的多个区域的基板上的每个区域所需的有源层和发光部，由于面板内部的多个区域之间的结构差异而使电流密度分散，从而防止过电流流入到有限区域，由此能够改进显示装置的寿命并且实现显示装置的操作稳定性。
本发明的附加优点、目的和特征的一部分将在下面的描述中阐述，一部分对于所属领域普通技术人员来说在查阅以下内容后将变得显而易见，或者可从本发明的实践而习得。本发明的目的和其他优点可通过书面描述和权利要求书以及附图中具体指出的结构实现及获得。
为了实现这些目的和其他优点且根据本发明的意图，如在此具体化和广义描述的，提供了一种显示装置，包括：基板，所述基板被划分为第一区域和第二区域；在所述第一区域中的第一阵列单元，所述第一阵列单元包括具有第一发光部的至少一个子像素；以及在所述第二区域中的第二阵列单元，所述第二阵列单元包括多个子像素，所述多个子像素的每一个包括第二发光部，所述第二发光部的面积小于所述第一发光部的面积，其中在所述第一阵列单元中的至少一个子像素的第一有源层的面积大于在所述第二阵列单元的多个子像素中的每一个子像素的第二有源层的面积。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步的理解，附图被并入并构成本申请的一部分；附图示出本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示出根据本发明第一实施方式的显示装置的平面图；
图2A和2B是分别示出图1的区域A和区域B的放大平面图；
图3示出在区域A和区域B中的各自子像素的电路图；
图4是图2A的区域A的剖面图；
图5是显示包括具有相同尺寸的发光部的图1所示的区域A和区域B的寿命的图表；
图6是显示如图2A和2B所示的在包括具有不同尺寸的发光部时，区域A和区域B的寿命的图表；
图7是显示图5的结构中的区域A和区域B的灰度级数据表达的曲线图；
图8是示出根据本发明第二实施方式的显示装置的平面图；
图9A和图9B是分别示出根据本发明第二实施方式的显示装置的区域A和区域B的每一个中的驱动薄膜晶体管的半导体层与阳极之间的关系的平面图；
图10是沿图9A的线I-I’截取的剖面图；
图11是沿图9B的线II-II’截取的剖面图；
图12A和12B是显示在根据本发明的显示装置的区域A和区域B中的驱动薄膜晶体管的Vgs-Ids特性的曲线图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的示例性实施方式进行描述，其中的一些例子在附图中示出。在实施方式和附图的下文描述中，贯穿整个说明书用相同的附图标记指代相同或相似的元件。在本发明实施方式的下文描述中，如果对本文涉及的已知功能和构造的详细描述可能使本发明的主题反而不清楚时，将省略此详细描述。此外，考虑到易于准备说明书而选择了本发明实施方式的下文描述中使用的元件名称，因而元件名称可能与实际产品的部件名称不同。
附图中为了描述本发明的实施方式而给出的元件的形状、尺寸、比例、角度和数量仅是示例性的，因而本发明不限于图示的细节。在实施方式的下文描述中，术语“包含”、“包括”和“具有”应被解释为表明说明书中所述的一个或多个特性、数量、步骤、操作、元件或部件或其组合的存在，但是并不排除其他特性、数量、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在，或者并不排除添加其他特性、数量、步骤、操作、元件、部件或其组合的可能性，除非使用了术语“仅”。
在解释本发明各实施方式中包括的要素时，应解释为：要素包含误差范围，除非另有说明。
在实施方式的下文描述中，将理解：在表达位置关系时，例如当一元件被描述为在另一元件“上”、“上方”、“下方”或“旁边”时，这两个元件可直接接触，或者一个或多个其他元件可插置在这两个元件之间，除非使用了术语“正好”或“直接”。
在实施方式的下文描述中，将理解：在表达时间关系时，例如当采用诸如“在…之后”、“随后”、“接下来”和“在…之前”之类的表达事件顺序的术语时，术语涵盖事件之间的连续关系以及事件之间的不连续关系，除非使用了术语“正好”或“直接”。
在实施方式的下文描述中，将理解：在采用术语“第一”、“第二”等来描述各要素时，这些术语仅用来区分相同或相似的要素。因此，在不脱离本发明的技术范围的条件下，下文描述的第一要素可被称为第二要素。
本发明各实施方式的相应特征可彼此部分地或整体地结合或组合，并且可按照各种技术方式互锁或驱动，各实施方式可彼此独立地实施，或者通过其间的连接一起实施。
图1是示出根据本发明第一实施方式的显示装置的平面图；图2A和2B是分别示出图1的区域A和区域B的放大平面图；图3示出在区域A和区域B中的各自子像素的电路图；图4是图2A的区域A的剖面图。
如图1所示，根据本发明的显示装置1000包括：基板100，被划分为第一区域A和第二区域B；设置在第一区域A中的第一阵列单元A1，包括具有设置在其中的第一发光部的至少一个子像素SP1；以及设置在第二区域B中的第二阵列单元B1，包括多个子像素SP2，每个子像素SP2具有第二发光部，第二发光部的面积小于第一发光部的面积，并且第一阵列单元A1中的子像素SP1的第一有源层102a的面积可大于第二阵列单元B1中的子像素SP2的第二有源层102b的面积。
本发明的显示装置1000的特点在于：当基板1000包括具有不同分辨率的阵列单元A1和B1时，如图2A和2B所示，使用相同的驱动器IC来驱动阵列单元A1和B1。
具有不同分辨率的第一阵列单元A1和第二阵列单元B1的第一有源层102a和第二有源层102b的每一个可包括在第一阵列单元A1和第二阵列单元B1的子像素SP1和SP2的第一驱动薄膜晶体管DT1和第二驱动薄膜晶体管DT2的相应一个中。
第一驱动薄膜晶体管DT1和第二驱动薄膜晶体管DT2可导电连接或电连接至相同的集成电路(驱动器IC)900。由此，本发明的显示装置1000可在不添加单独驱动器IC的条件下驱动不同形式的驱动薄膜晶体管DT1和DT2。
第一驱动薄膜晶体管DT1通过与第二驱动薄膜晶体管DT2相同的数据电压以高于第二驱动薄膜晶体管DT2的电流来驱动，这种第一驱动薄膜晶体管DT1通过增加第一有源层102a的面积来实现。
如果设置在具有不同分辨率的多个区域中的第一驱动薄膜晶体管和第二驱动薄膜晶体管具有相同的尺寸，那么为了驱动位于相对较低分辨率的区域中的具有较大面积的发光部，过电流会流入第一阵列单元的第一驱动薄膜晶体管的较小有源区域中，由此急剧缩短第一驱动薄膜晶体管的寿命。在鉴于上述问题而作出的本发明中，不仅被施加高电流的第一阵列单元A1的发光部R_EM、G_EM和B_EM增大，而且连接至发光部R_EM、G_EM和B_EM的驱动薄膜晶体管的有源层也增大，以便防止这种问题。
也就是说，在根据本发明的显示装置1000中，位于低分辨率区域中的第一驱动薄膜晶体管DT1的有源层102a的尺寸和连接至第一驱动薄膜晶体管DT1的阳极的尺寸都增大，高电流分散到增大的区域中，由此可解决由于流入有限区域中的高电流而导致的寿命减小的问题。
在此，第一阵列单元A1中的第一有源层102a可具有第一宽度W1和第一长度L1，第二阵列单元B1中的第二有源层102b可具有小于第一宽度W1的第二宽度W2或者大于第一长度L1的第二长度L2。
可选地，第一有源层102a可具有第一宽度W1和第一长度L1，第二有源层102b可具有小于第一宽度W1的第二宽度W2以及大于第一长度L1的第二长度L2。通常，随着有源层的宽度增大并且随着有源层的沟道长度减小，电流接收能力可增大，因而在本发明中，在这种情形下，在具有较低分辨率的区域A中的第一有源层102a的宽度增大，并且第一有源层102a的长度减小。如果情况需要，可应用第一有源层102a的宽度增大和长度减小中的仅一项。
当第一驱动薄膜晶体管DT1的第一有源层102a的面积改变时，连接至第一驱动薄膜晶体管DT1的开关薄膜晶体管的有源层的面积也可相应地改变。
第一阵列单元A1的子像素SP1可包括第一驱动薄膜晶体管DT1和连接至第一驱动薄膜晶体管DT1的第一发光元件OLED1，第二阵列单元B1的每个子像素SP2可包括第二驱动薄膜晶体管DT2和连接至第二驱动薄膜晶体管DT2的第二发光元件OLED2，第一发光元件OLED1和第二发光元件OLED2的每一个可包括阳极120、发光层(135a、135b或135c)以及阴极140，第一发光元件OLED1的阳极120的面积(参见图9A的1200a)可大于第二发光元件OLED2的阳极120的面积(参见图9B的1200b)。原因在于：向阳极120提供与通过有源层102a的增大的面积实现的增大的电流能力对应的电流量。
第一有源层102a可与第一发光元件OLED1的阳极120交叠，第二有源层102b可与第二发光元件OLED2的阳极120交叠。
显示装置1000可进一步包括：第一公共层CML1和第二公共层CML2的至少之一，其中第一公共层CML1形成在阳极120与发光层(135a、135b和135c)之间，第二公共层CML2形成在阴极140与发光层(135a、135b和135c)之间，并且第一公共层CML1和第二公共层CML2可遍及第一阵列单元A1和第二阵列单元A2的子像素SP1和SP2而连续地形成。
基板100例如可以是单个聚合物膜或玻璃基板，或者如图4所示，基板100可包括第一聚合物层3110、无机层间绝缘膜3120和第二聚合物层3130，第一阵列单元A1和第二阵列单元A2可设置在第二聚合物层3130上。在第二聚合物层3130上可设置TFT阵列2000。
第一聚合物层3110可以是有色膜或透明膜，第二聚合物层3130可以是透明膜。
可从基板100的部分3000a的下表面去除比基板100的整个厚度小的第一厚度。尽管图4示出了第一聚合物层3110被去除的例子，但是本发明不限于此，可去除第一聚合物层3110的厚度的一部分，或者可去除第一聚合物层3110和无机层间绝缘膜3120。如果情况需要，可去除第二聚合物层3130的厚度的一部分。摄像机700可插入到被去除了第一厚度的基板100的部分3000a中。
尽管图中的例子显示出摄像机700插入到基板100的部分3000a中，但是可不去除基板100的任何部分，摄像机700可直接安装在基板100的下方。
可在基板100的除了其对应于摄像机700的部分之外的下表面上进一步设置保护构件800。保护构件800可由具有比基板100大的支撑力的材料形成，并且可由包括例如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯醚邻苯二甲酸酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚醚磺酸酯、聚酰亚胺、聚丙烯酸酯和其他适当聚合物的至少之一的薄膜形成。
此外，如图2A所示，具有较低分辨率的第一区域A可用作与设置在其下方的摄像机700对应的结构，或者需要经由其下表面进行光透射的区域，比如透射部。因此，摄像机700可对应于第一区域A中的基板100的下表面，如图1所示；或者，当没有摄像机700时，第一区域A可用作透射部。
第一区域A和第二区域B都位于其中布置有子像素SP1和SP2的基板100的有源区域中，并且在本发明的显示装置中，第一区域A和第二区域B具有不同的分辨率，因而在第一区域A和第二区域B中的发光部具有不同的尺寸，如图2A和2B所示。此外，在第一区域A和第二区域B中的相应子像素SP1和SP2具有不同的尺寸，并且在需要透射的第一区域A中的线Sk之间的距离和线Dj之间的距离相对较长，而在不需要透射的第二区域B中的线Sn、Sn+1…之间的距离和线Dm、Dm+1…之间的距离相对较短，从而实现显示装置1000期望实现的分辨率。
如图1所示，将描述摄像机700所在的区域作为第一区域A的一个例子。
根据本发明一个实施方式的显示装置1000可包括：基板100，基板100被划分为摄像机区域(对应于图1中的摄像机700的区域A)以及非摄像机区域(除了对应于摄像机的区域A之外的区域B)并且包括第一表面(图4的基板100的下表面)和第二表面；摄像机700，(在图4中)位于基板100的对应于摄像机区域的部分的第一表面的下方；台阶部(即部分3000a)，通过从基板100的对应于摄像机区域(区域A)的部分的第一表面去除基板100的第一厚度而形成；第一阵列单元A1，设置在基板100的对应于摄像机区域的部分的第二表面上并且包括至少一个子像素SP1；第二阵列单元B1，设置在基板100的对应于非摄像机区域的第二表面上，并且包括多个子像素SP2；以及配置成覆盖第一阵列单元A1和第二阵列单元B1的光学膜。
根据本发明的显示装置1000具有位于其中形成有子像素的基板100的有源区域的下方的摄像机700，尤其是，与摄像机700设置在有源区域外部的边缘区域中的结构相比，根据本发明的显示装置1000可以改进有效平面区域，并且减小边缘区域，因为摄像机700未设置在边缘区域中，由此能够实现窄边框。
在此，有源区域是指基板100的与光学膜交叠的区域。光学膜可包括：偏振板250，用于防止外部光的反射；以及透明膜250a，用于增大摄像机700的可视性。此外，可设置用于保护光学膜的透明光学膜。透明光学膜可以是具有均匀刚性的玻璃或透明光学膜。
基板100的位于有源区域外部的边缘称为非有源区域，在非有源区域中可设置焊盘部(未示出)、位于焊盘部中的焊盘电极、以及从有源区域延伸至焊盘电极的连接线。
此外，在根据本发明的显示装置1000中，子像素也布置在摄像机700所在的区域中，因而摄像机700所在的区域可在摄像机700关闭时显示图像。
在根据本发明的显示装置1000中，由于包括薄膜晶体管和发光元件的阵列单元也设置在摄像机700上，基板100以及位于基板100上的元件的构造被改变，从而当显示装置的位于摄像机700上的区域发光时，位于阵列单元下方的摄像机700对于裸眼不可见。
尤其是，在根据本发明第一实施方式的显示装置1000中，可在非摄像机区域中以第一分辨率布置子像素，如图2B所示；并且可在摄像机区域中以低于第一分辨率的第二分辨率布置子像素，如图2A所示。
在本发明中，如图2A所示，在第一区域A，即对应于摄像机700的摄像机区域中的发光部R_EM、G_EM和B_EM的布置密度低于在第二区域B、即非摄像机区域中的发光部R_EM、G_EM和B_EM的布置密度。这种结构基于发光部之间的尺寸差异来实现。
在根据本发明的显示装置1000中，在第一区域A，即对应于摄像机700的摄像机区域中的发光部R_EM、G_EM和B_EM以低于在第二区域B、即非摄像机区域中的发光部R_EM、G_EM和B_EM的分辨率来驱动。
通过这种结构，在摄像机区域中的相应元件的吸光度增大。由此，当外部光提供至摄像机区域，即第一区域A时，发光部R_EM、G_EM和B_EM，线Sk和Dj，以及所连接的薄膜晶体管吸收光，因而防止了摄像机区域中的可视性降低并且增大了透射率，由此防止了当摄像机700关闭时，摄像机700的元件与其他区域视觉上可分辨。
如图1所示，根据本发明的显示装置1000包括设置在相应子像素中的发光部R_EM、G_EM和B_EM，以及用于驱动相应子像素的扫描线Sn、Sn+1、Sn+2…和数据线Dm、Dm+1、Dm+2…。尽管图2A和2B示出了扫描线Sn、Sn+1、Sn+2…和数据线Dm、Dm+1、Dm+2…布置为不与发光部R_EM、G_EM和B_EM交叠的例子，但是当显示装置1000是顶发光型显示装置、因而发光元件的阳极包括反射电极时，扫描线Sn、Sn+1、Sn+2…和数据线Dm、Dm+1、Dm+2…可设置为与发光部R_EM、G_EM和B_EM交叠。每个子像素SP包括一条或多条扫描线Sn、Sn+1、Sn+2…和一条或多条数据线Dm、Dm+1、Dm+2…，并且至少一个薄膜晶体管(未示出)形成在扫描线Sn、Sn+1、Sn+2…和数据线Dm、Dm+1、Dm+2…的交叉处。薄膜晶体管连接至发光元件，其确定发光部的开/关状态。
在根据本发明的显示装置1000中，如图2A所示，摄像机区域的分辨率是如图2B所示的非摄像机区域的分辨率的1/4，摄像机区域的每个发光部的面积是非摄像机区域的每个发光部的面积的4倍。在这种情形下，与相同面积的非摄像机区域相比，摄像机区域具有在水平方向上布置的一半数量的扫描线和在垂直方向上布置的一半数量的数据线。在此，在摄像机区域A中的扫描线之间的距离和数据线之间的距离是在非摄像机区域B中的扫描线之间的距离和数据线之间的距离的两倍，因而可以理解：位于摄像机区域A中的第一阵列单元A1的发光部的面积是位于非摄像机区域B中的第二阵列单元B1的发光部的面积的4倍。
也就是说，在根据本发明的显示装置1000中，摄像机区域A包括子像素以便显示图像，但是为了防止当摄像机700关闭时位于摄像机区域A中的摄像机700在外部光下可见，在摄像机区域A中的阵列单元A1的发光部的布置密度被设置为低于在非摄像机区域B中的阵列单元B1的发光部的布置密度。在此，在摄像机区域中的扫描线之间的距离和数据线之间的距离大于在非摄像机区域中的扫描线之间的距离和数据线之间的距离，并且在具有较低分辨率的摄像机区域中的每个发光部的面积大于在具有较高分辨率的非摄像机区域中的每个发光部的面积。
如图2A和2B所示，在摄像机区域A中的第一阵列单元A1的用于将相应子像素彼此划分的扫描线Sk…之间的距离和数据线Dj…之间的距离可大于在非摄像机区域B中的第二阵列单元B1的用于将相应子像素彼此划分的扫描线Sn、Sn+1、Sn+2…之间的距离和数据线Dm、Dm+1、Dm+2…之间的距离。
如图2A所示，当摄像机区域A中的每个发光部的面积大于非摄像机区域B中的每个发光部的面积时，摄像机区域A中的每个发光部的阳极1200a(图9A)的面积可根据摄像机区域A中的每个发光部的增大的面积而增大。
摄像机区域A和非摄像机区域B之间的上述分辨率差异仅是一个例子，摄像机区域A和非摄像机区域B的分辨率可以按照一些其他方式而不同。
如图3所示，每个子像素SP1或SP2可包括发光元件OLED1或OLED2、驱动薄膜晶体管DT1或DT2、连接至驱动薄膜晶体管DT1或DT2的栅极的开关晶体管ST1或ST2、以及存储电容器Cst。在每个子像素SP1或SP2中，驱动薄膜晶体管DT1或DT2连接至相应的发光元件OLED1或OLED2，从而调节子像素SP1或SP2中的光发射。取决于位于发光元件OLED1或OLED2中的发光层的特性，当发光层包括有机物质作为其主要组分时，发光元件OLED1和OLED2可称为有机发光元件OLED1和OLED2，显示装置1000可以是有机发光显示装置1000。在其他例子中，当发光层包括无机物质作为其主要组分时，发光元件OLED1和OLED2可称为无机发光元件OLED1和OLED2，显示装置1000可以是无机发光显示装置1000。尽管图3显示出采用有机发光元件作为发光元件OLED1和OLED2的情形下的电路图作为一个例子，但是也可采用无机发光元件作为发光元件OLED1和OLED2。
更详细地说，每个子像素SP1或SP2通过彼此交叉的扫描线Sk或Sn和数据线Dj或Dm来制备，如图3所示。在扫描线Sk或Sn和数据线Dj或Dm的交叉处设置从而连接至扫描线Sk或Sn和数据线Dj或Dm的开关晶体管ST1或ST2通过扫描线Sk或Sn的栅极信号而导通，并且通过接收来自数据线Dj或Dm的数据电压而切换。如果情形需要，可设置多个开关晶体管ST1或ST2。子像素SP1或SP2的上述电路连接可进行各种变化。
驱动薄膜晶体管DT1或DT2布置在被施加第二电源电压的第二电源电压线VDDL与发光元件OLED1或OLED2之间，驱动薄膜晶体管DT1或DT2通过驱动薄膜晶体管DT1或DT2的栅极和源极之间的电压差而调整从第二电源电压线VDDL流入发光元件OLED1或OLED2的电流。驱动薄膜晶体管DT1或DT2的栅极可连接至开关晶体管ST1或ST2的源极，驱动薄膜晶体管DT1或DT2的漏极可连接至第二电源电压线VDDL，驱动薄膜晶体管DT1或DT2的源极可连接至发光元件OLED1或OLED2的阳极。第二电源电压线VDDL可以是被提供高电压的高电压线。
发光元件OLED1或OLED2利用经由驱动薄膜晶体管DT1或DT2提供的电流而发光。发光元件OLED1或OLED2的阳极可连接至驱动薄膜晶体管DT1或DT2的源极，并且发光元件OLED1或OLED2的阴极可连接至被提供第一电源电压的第一电源电压线VSSL。第一电源电压线VSSL可以是被提供低电压的低电压线。
发光元件OLED1或OLED2可包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。在此，在发光元件OLED1或OLED2中，当电压施加至阳极和阴极时，空穴和电子经由空穴传输层和电子传输层移动至发光层，然后在发光层中重组，由此发光。发光层可以是有机发光层或无机发光层。除了发光层之外，用于传输载流子的空穴传输层和/或电子传输层可以是有机层或无机层，并且空穴传输层和电子传输层的其中之一可以是共同形成在有源区域中的有机层。
电容器Cst形成在驱动薄膜晶体管DT1或DT2的栅极和源极之间，并且存储驱动薄膜晶体管DT1或DT2的栅极电压和源极电压之间的差Vgs。
电容器Cst的一个电极可连接至驱动薄膜晶体管DT1或DT2的栅极以及开关晶体管ST1或ST2的源极，并且电容器Cst的另一个电极可连接至驱动薄膜晶体管DT1或DT2的源极以及发光元件OLED1或OLED2的阳极。
上述薄膜晶体管的每一个，即驱动薄膜晶体管DT1和DT2以及开关晶体管ST1和ST2可包括半导体层、连接至半导体层的两侧的源极和漏极、以及与半导体层交叠的栅极，其中在栅极和半导体层之间插置有栅极绝缘膜。半导体层可包括氧化物半导体层、多晶硅层或非晶硅层，或者可通过堆叠上述一个或多个层而形成。
位于相应子像素SP中的扫描线S、数据线D以及第一电源电压线VSSL和第二电源电压线VDDL所延伸连接到的焊盘电极(未示出)设置在位于图1的非有源区域的一些区域中的焊盘部中，并且焊盘电极连接至集成电路900，从而可向相应线施加电压信号。
通过从对应于摄像机700的区域去除基板100的整个厚度或者基板100的整个厚度的一部分，形成根据本发明的基板100的台阶部3000a。例如，基板100可以是比如塑料基础材料和玻璃基板的其中之一，并且在一些情形下，基板100可通过沉积多个层而形成。当基板100形成为指定厚度或更小厚度时，基板100可以是柔性的。
当通过沉积多个层形成基板100时，在一个例子中，基板100可通过将无机层间绝缘膜3120插入在多个聚合物层3110和3130之间而形成，如图4所示。
在基板100的第二表面(上表面)上，设置相应子像素SP中包括的具有多个薄膜晶体管，即驱动薄膜晶体管DT1和DT2及开关晶体管ST1和ST2的薄膜晶体管(TFT)阵列2000、以及电容器Cst。
如图4所示，在非摄像机区域中的发光元件包括阳极120、第一公共层CML1、发光层(135a、135b或135c)、第二公共层CML2以及阴极140。
第一公共层CML1可以是与空穴注入和传输相关的诸如空注入层或空穴传输层之类的层，第二公共层CML2可以是与电子注入和传输相关的诸如电子注入层或电子传输层之类的层。第一公共层CML1和第二公共层CML2的至少之一可包括多个层，发光元件OLED可包括第一公共层CML1和第二公共层CML2的至少之一。当去除第一公共层CML1和/或第二公共层CML2时，发光层135a、135b或135c或其他层可包括所去除的层的组分，由此执行其功能。
第一公共层CML1和第二公共层CML2连续地共同形成在整个相邻子像素SP1和SP2上，而没有中断。
阳极120可包括反射电极，阴极140可包括透射电极或透反射金属。例如，用作阳极120的反射电极可由铝、铝合金、银合金、镁合金、Au-Pt-Cu(APC)等形成，用作阴极140的透射电极可由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成，用作阴极140的透反射金属可以是AgMg、银合金、镁合金、Au-Pt-Cu(APC)等。如果情况需要，阳极120可包括透射电极或透反射金属，阴极可包括反射电极。
此外，在通过堆叠阳极120、第一公共层CML1、发光层(135a、135b或135c)、第二公共层CML2和阴极140而形成的发光元件上，可设置触摸传感器400。触摸传感器400可包括封装层。如果封装层设置在显示装置中，封装层被配置为覆盖发光元件的阴极140的上表面。触摸传感器400可包括触摸感测电极部，触摸感测电极部可设置在触摸传感器400中的封装层上。
此外，在触摸传感器400上可设置偏振板250和透明保护膜或透明保护玻璃600。偏振板250可仅设置在第二阵列单元的上方。
透明膜250a设置在与偏振板250相同的层中，并对应于图4的摄像机区域。在图4所示的结构中，偏振板250、包括相应电极的阳极120、以及发光层(135a、135b或135c)可省略，阴极140的透射率可增大，由此当外部光进入照相机700时增大照相机700的外部光识别能力。
摄像机700包括：用于会聚外部光的透镜单元710、用于围绕并且支撑透镜单元710的主体720、以及具有摄像机电路的摄像机基板730，摄像机电路用于分析通过透镜单元710接收的光并且位于主体720的下方。至少摄像机700的透镜单元710和主体720可插入到台阶部3000a中。由此，在摄像机700位于基板100的下方的下显示(under-display)结构中，模块可集成在垂直方向上，由此可实现显示装置的薄外形。
下文，将描述根据本发明的显示装置1000的结构的意义。
图5是显示在包括具有相同尺寸的发光部时，图1所示的具有较低分辨率的区域A和具有较高分辨率的区域B的寿命的图表。
在这种情形下，相比在区域B中的发光部所导通/关闭发光的面积，在区域A中的发光部负责导通/断开4倍的面积。在此，为了实现与区域B相同水平的效率，电流量必须增加四倍，并且相比施加至区域B中的驱动薄膜晶体管的应力，施加至区域A中的驱动薄膜晶体管的驱动应力增加4倍。随着这个过程重复，区域A的寿命相比区域B的寿命急剧缩短。
图6是显示如图2A和2B所示的在包括具有不同尺寸的发光部时，区域A和区域B的寿命的图表。
参照图6，在根据本发明的显示装置1000中，具有不同分辨率的区域A和区域B包括具有不同尺寸的发光部，当图2A所示的区域A中的发光部的面积被设置为图2B所示的区域B中的发光部的面积的4倍时，区域A的分辨率减小，并且每个发光部的尺寸增大，这样，即使增大的电流量进入驱动薄膜晶体管，电流也分散在整个发光部上，电流密度不会增大。由此，区域A中的发光部可稳定地操作，其寿命不会相比区域B中的发光部的寿命降低。
图7是显示图5的结构中的区域A和区域B的灰度级数据表达的曲线图。
图7示出了图5的结构，即低分辨率区域中的发光部的尺寸和高分辨率区域中的发光部的尺寸被设定为相同、并且这些区域中的驱动薄膜晶体管的尺寸被设定为相同的结构；相比区域B中的驱动薄膜晶体管，增大4倍的电流流入相同亮度下的区域A中的驱动薄膜晶体管，但是用于通过增大的电流量来驱动相应驱动薄膜晶体管的电流密度存在限制，指定水平或更高水平的灰度级数据表达是不可能的。区域A不能补偿在区域B的1/2分辨率下的灰度级水平G136-灰度级水平G255。
在根据本发明的显示装置1000中，如图2A至图3所示，区域A和区域B被实现为不同的分辨率，低分辨率区域(区域A)中的发光部的尺寸被设定为大于高分辨率区域(区域B)中的发光部的尺寸，并且相比与区域B中的发光部的阳极连接的驱动薄膜晶体管的有源层，与区域A中的发光部的阳极连接的驱动薄膜晶体管的有源层具有增大的宽度W1和减小的长度L1，由此能够呈现电流分散效应并且增大驱动薄膜晶体管的输出。
例如，当第二区域B的阵列单元B1中的第二驱动薄膜晶体管DT2的有源层102b的宽度与距离之比(W2/L2)是2.7/25，并且第一区域A的阵列单元A1中的第一驱动薄膜晶体管DT1的有源层102a的宽度与距离之比(W1/L1)是6.5/15时，相比第二驱动薄膜晶体管DT2输出的电流量，第一驱动薄膜晶体管DT1输出4倍的电流量。
下文，将描述与上述根据第一实施方式的显示装置1000不同的具有有源层、发光部和阳极的显示装置。
图8是示出根据本发明第二实施方式的显示装置的平面图；图9A和图9B是分别示出根据本发明第二实施方式的显示装置的区域A和区域B的每一个中的驱动薄膜晶体管的半导体层与阳极之间的关系的平面图；图10是沿图9A的线I-I’截取的剖面图；图11是沿图9B的线II-II’截取的剖面图。
在根据本发明第二实施方式的显示装置中，如图8所示，位于中央区域，即区域A中的发光部具有相对较大的面积，位于区域A的外围区域，即区域B中的发光部具有相对较小的面积。区域A和区域B的发光部的每一个的区域可通过堤部(参见图4的190)来限定。此外，在区域B中，一些子像素的发光部布置在对角线方向上。
此外，发光部在区域A中以较低分辨率设置，因而可在通过增大的距离彼此间隔开的发光部之间设置透射部T。在透射部中可不设置线，因此能够改进摄像机的识别性能。
如图9A和图10所示，区域A中的第一发光部E1可设置在第一阳极1200a内侧，第一阳极1200a可与堤部(未示出)交叠，并且第一发光部E1可由堤部的开口区域限定。
如图9B和图11所示，区域B中的第二发光部E2可设置在第二阳极1200b内侧，并且为了实现高分辨率，第二发光部E2和第二阳极1200b沿对角线方向倾斜。但是，即使在这种情形下，限定在第二阳极1200b内侧的第二发光部E2的面积是区域A中的上述第一发光部E1的面积的1/4。在此，第二阳极1200b可与堤部(未示出)交叠，并且第二发光部E2可由堤部的开口区域限定。
例如，驱动薄膜晶体管DT1或DT2可包括：形成在区域A或区域B中的缓冲层101上的第一半导体层102a或第二半导体层102b；与第一半导体层102a或第二半导体层102b部分地交叠并且依次形成的栅极绝缘膜103和栅极104；以及连接至第一半导体层102a或第二半导体层102b的两侧的源极106a和漏极106b。如上所述，在区域A和区域B中的第一半导体层102a和第二半导体层102b利用宽度与长度的不同比率(W1/L1和W2/L2)来形成。
在栅极绝缘膜103、栅极104、源极106a和漏极106b之间可进一步形成层间绝缘膜105，并且如果情况需要，可向驱动薄膜晶体管DT1和DT2应用共面结构，其中通过省略层间绝缘膜105，将栅极104、源极106a和漏极106b形成在相同层中。
第一半导体层102a和第二半导体层102b例如可由氧化物半导体、非晶硅、多晶硅或其至少两种的组合而形成。
设置平坦化膜110以覆盖驱动薄膜晶体管DT1和DT2，并且在平坦化膜110上设置取决于区域A和B的各自分辨率而具有不同尺寸的阳极1200a和1200b。
阳极1200a和1200b的每一个可连接至驱动薄膜晶体管DT1和DT2的相应一个的漏极106b。
包括发光层的有机电致发光层EL和阴极140形成在相应的阳极1200a和1200b上，由此形成发光元件OLED1和OLED2。
在这种情形下，第一驱动薄膜晶体管DT1的第一半导体层102a的尺寸和连接至位于低分辨率区域中的第一驱动薄膜晶体管DT1的阳极的尺寸增大，高电流分散到增大的区域，可防止由于向有限的区域施加高电流而导致的低分辨率区域的寿命的缩短。
图12A和12B是显示在根据本发明的显示装置的区域A和区域B中的驱动薄膜晶体管的Vgs-Ids(漏极-源极电流)特性的曲线图。
在根据本发明的显示装置中，具有不同分辨率的区域具有不同的发光面积，并且在相应区域中的驱动薄膜晶体管的有源层根据发光面积的尺寸而具有不同的面积；当低分辨率区域，即区域A(如图12A所示)中的每个驱动薄膜晶体管的有源层的面积被设定为高分辨率区域，即区域B(如图12B所示)中的每个驱动薄膜晶体管的有源层的面积的4倍时，区域A的分辨率减小，但是区域A中的每个发光部的尺寸增大，由此进入区域A中的驱动薄膜晶体管的电流量相比进入区域B中的驱动薄膜晶体管的电流量大致增加4倍。图12A的结果是对应于有源层在区域A的低分辨率区域中如图9A所示形成为矩形的情形，W/L被设定为6.5μm/15μm。此外，图12B的结果是对应于有源层在区域B的高分辨率区域中如图9B所示形成为浅的U形的情形，W/L被设定为2.7μm/25μm。通过增大在低分辨率区域A处的有源层的面积，对于与高分辨率区域B相同的灰度颜色(gray color)，会流动相对较高的电流。
也就是说，低分辨率区域A和高分辨率区域B以相同的数据电压Vgs驱动其每个驱动薄膜晶体管，而不改变用于提供驱动电压的驱动器IC。在这种情形下，通过增大低分辨率区域A中的有源层的面积，施加更高的电流是可能的。
此外，由于电流分散在整个发光部上，因此电流密度不会增加，区域A中的发光部可稳定地操作而不会导致上述的寿命降低。
根据本发明的上述显示装置增大了低分辨区域中的每个发光部的面积，由此能够在驱动低分辨率区域时保持与高分辨率区域相同的亮度。
在此，为了增大与具有较低分辨率的发光部的增大的面积对应的电流密度，驱动薄膜晶体管的有源层的尺寸增大，由此在具有尺寸增大的有源层的区域中，每个子像素的电流量可增大。
因此，可使用相同的驱动器IC来驱动具有不同分辨率的驱动薄膜晶体管，而无需添加单独的驱动器IC。
为此，根据本发明的显示装置可包括：基板，所述基板被划分为第一区域和第二区域；设置在所述第一区域中的第一阵列单元，所述第一阵列单元包括具有设置在其中的第一发光部的至少一个子像素；以及设置在所述第二区域中的第二阵列单元，所述第二阵列单元包括多个子像素，所述多个子像素的每一个包括第二发光部，所述第二发光部的面积小于所述第一发光部的面积，其中在所述第一阵列单元中的至少一个子像素的第一有源层的面积可大于在所述第二阵列单元的多个子像素中的每一个子像素的第二有源层的面积。
在所述基板的第一区域的下方可设置摄像机。
在所述第一阵列单元中的至少一个子像素的第一驱动薄膜晶体管以及在所述第二阵列单元中的多个子像素的每一个子像素的第二驱动薄膜晶体管可分别包括所述第一有源层和所述第二有源层。
所述第一驱动薄膜晶体管和所述第二驱动薄膜晶体管可导电连接至一个驱动器IC。
所述第一驱动薄膜晶体管可通过与所述第二驱动薄膜晶体管相同的数据电压以比所述第二驱动薄膜晶体管更高的电流驱动。
所述第一有源层可具有第一宽度和第一长度，所述第二有源层可具有比所述第一宽度小的第二宽度或者具有比所述第一长度大的第二长度。
所述第一有源层可具有第一宽度和第一长度，所述第二有源层可具有比所述第一宽度小的第二宽度并且具有比所述第一长度大的第二长度。
所述第一阵列单元的至少一个子像素可包括所述第一驱动薄膜晶体管以及连接至所述第一驱动薄膜晶体管的第一发光元件，所述第二阵列单元的多个子像素的每一个子像素可包括所述第二驱动薄膜晶体管以及连接至所述第二驱动薄膜晶体管的第二发光元件，所述第一发光元件和所述第二发光元件的每一个可包括阳极、发光层和阴极，所述第一发光元件的阳极的面积可大于所述第二发光元件的阳极的面积。
所述第一有源层可与所述第一发光元件的阳极交叠，所述第二有源层可与所述第二发光元件的阳极交叠。
所述显示装置还可包括设置在所述阳极和所述发光层之间的第一公共层以及设置在所述阴极和所述发光层之间的第二公共层的至少之一，其中所述第一公共层和所述第二公共层可连续地形成在所述第一阵列单元和所述第二阵列单元的子像素上。
所述显示装置还可包括光学膜，所述光学膜被配置为覆盖所述第一阵列单元和所述第二阵列单元，其中所述光学膜可包括偏振板，所述偏振板可仅设置在所述第二阵列单元的上方。
所述显示装置还可包括透明膜，所述透明膜与所述偏振板位于相同层中并且位于所述第一阵列单元的上方。
所述基板可包括第一聚合物层、无机层间绝缘膜和第二聚合物层，其中所述第一阵列单元和所述第二阵列单元可设置在所述第二聚合物层上。
所述第一聚合物层可以是有色膜或透明膜，所述第二聚合物层可以是透明膜。
从所述基板的对应于所述摄像机的部分的下表面可去除小于所述基板的整个厚度的第一厚度。
所述摄像机可插入到所述基板的对应于所述摄像机并且去除了所述第一厚度的部分中。
在所述基板的除了对应于所述摄像机的部分之外的下表面上可进一步设置保护构件。
从上文描述将很清楚，根据本发明的显示装置具有如下效果：
在低分辨率区域中的每个发光部的面积增大，因而在驱动低分辨率区域时，低分辨率区域可保持与高分辨率区域相同的亮度。
在此，为了增大与低分辨率区域中的发光部的增大的面积对应的电流密度，在低分辨率区域中的驱动薄膜晶体管的有源层的尺寸增大，因此在具有尺寸增大的有源层的区域中，每个子像素的电流量可增大。
因此，可使用相同的驱动器IC来驱动具有不同分辨率的驱动薄膜晶体管，而无需添加单独的驱动器IC。
对于所属领域的普通技术人员将很清楚的是，在不脱离本发明的精神或范围的条件下，可在本发明中进行各种改型和变化。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求书的范围及其等同范围内的对本发明的所有改型和变化。

Claims (17)

1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板被划分为第一区域和第二区域；
在所述第一区域中的第一阵列单元，所述第一阵列单元包括具有第一发光部的至少一个子像素；以及
在所述第二区域中的第二阵列单元，所述第二阵列单元包括多个子像素，所述多个子像素的每一个包括第二发光部，所述第二发光部的面积小于所述第一发光部的面积，
其中在所述第一阵列单元中的至少一个子像素的第一有源层的面积大于在所述第二阵列单元的多个子像素中的每一个子像素的第二有源层的面积。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中在所述基板的第一区域的下方设置有摄像机。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中在所述第一阵列单元中的至少一个子像素的第一驱动薄膜晶体管以及在所述第二阵列单元中的多个子像素的每一个子像素的第二驱动薄膜晶体管分别包括所述第一有源层和所述第二有源层。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一驱动薄膜晶体管和所述第二驱动薄膜晶体管电连接至一个驱动器IC。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一驱动薄膜晶体管通过与所述第二驱动薄膜晶体管相同的数据电压以比所述第二驱动薄膜晶体管更高的电流驱动。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中：
所述第一有源层具有第一宽度和第一长度，
所述第二有源层具有比所述第一宽度小的第二宽度或者具有比所述第一长度大的第二长度。
7.根据权利要求3所述的显示装置，其中：
所述第一有源层具有第一宽度和第一长度，
所述第二有源层具有比所述第一宽度小的第二宽度并且具有比所述第一长度大的第二长度。
8.根据权利要求3所述的显示装置，其中：
所述第一阵列单元的至少一个子像素包括所述第一驱动薄膜晶体管以及连接至所述第一驱动薄膜晶体管的第一发光元件，
所述第二阵列单元的多个子像素的每一个子像素包括所述第二驱动薄膜晶体管以及连接至所述第二驱动薄膜晶体管的第二发光元件，
所述第一发光元件和所述第二发光元件的每一个包括阳极、发光层和阴极，
所述第一发光元件的阳极的面积大于所述第二发光元件的阳极的面积。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中：
所述第一有源层与所述第一发光元件的阳极交叠，
所述第二有源层与所述第二发光元件的阳极交叠。
10.根据权利要求8所述的显示装置，还包括设置在所述阳极和所述发光层之间的第一公共层以及设置在所述阴极和所述发光层之间的第二公共层的至少之一，
其中所述第一公共层和所述第二公共层连续地形成在所述第一阵列单元和所述第二阵列单元的子像素上。
11.根据权利要求1所述的显示装置，还包括光学膜，所述光学膜被配置为覆盖所述第一阵列单元和所述第二阵列单元，
其中所述光学膜包括偏振板，所述偏振板仅设置在所述第二阵列单元的上方。
12.根据权利要求11所述的显示装置，还包括透明膜，所述透明膜与所述偏振板位于相同层中并且所述透明膜位于所述第一阵列单元的上方。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述基板包括第一聚合物层、无机层间绝缘膜和第二聚合物层，
其中所述第一阵列单元和所述第二阵列单元设置在所述第二聚合物层上。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述第一聚合物层是有色膜或透明膜，所述第二聚合物层是透明膜。
15.根据权利要求2所述的显示装置，其中从所述基板的对应于所述摄像机的部分的下表面去除小于所述基板的整个厚度的第一厚度。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述摄像机插入到所述基板的对应于所述摄像机并且去除了所述第一厚度的部分中。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中在所述基板的除了对应于所述摄像机的部分之外的下表面上进一步设置有保护构件。
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