CN113113777A - 基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,包括组合型相位梯度超表面和金属贴片阵列,所述金属贴片阵列位于所述组合型相位梯度超表面两侧,利用几何相位的宽带非色散特性,构造两个可宽带激发包含横磁和横电两种模式的人工表面等离激元耦合器,并使两者在相同入射条件下所激发的横磁模式相位相等、横电模式保持180度的相位差,将上述两个耦合器的超单元按行间隔排列,可以抵消横电模式并加强横磁模式的人工表面等离激元,实现宽带单一模式的人工表面等离激元激发,通过优化金属贴片阵列单元的尺寸使其支持的本征波矢与所述组合型相位梯度超表面所激发人工表面等离激元的波矢相匹配,实现人工表面等离激元的高效传输。
Description
技术领域
本发明属于人工表面等离激元技术领域,涉及一种基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器。
背景技术
表面等离激元是存在于金属和介质界面的一种特殊电磁激励模式,表现为束缚状态的倏逝波形式。由于表面等离激元所具备的高度局域、场增强、亚波长传输等奇异的电磁特性,使其被深入研究并取得了广泛的应用。但因为金属材料在微波频段表现为完美电导体,表面等离激元无法自然地存在于此频段。于是,一种出现在微波频段、存在于经过特殊结构设计的人工电磁材料界面上的人工表面等离激元被逐步研究和推广,因其具有相近于表面等离激元的性质,所以人工表面等离激元技术在天线、传感器、波导等器件中具有重要的应用价值。
近些年来,人工表面等离激元的激发和传播一直是研究的热点问题之一,这其中,相位梯度超表面已经逐步替代棱镜、光栅等传统耦合器并发展成为一种简单高效的人工表面等离激元耦合器。然而,基于相位梯度超表面的人工表面等离激元耦合器依然存在工作带宽窄的问题,这严重限制了它的实际应用,亟待解决。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,其是由两个特定的几何相位梯度超表面组合而成的人工表面等离激元耦合器,可以在8.5-11.5GHz内高效地激发和传播人工表面等离激元。
一种基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,包括组合型相位梯度超表面及位于其两侧的金属贴片阵列;
所述组合型相位梯度超表面由第一超单元和第二超单元横向间隔排列构成,所述第一超单元和第二超单元分别是由位于最右侧的“Z”型单元向左依次逆时针和顺时针旋转角度n×θ后排列而成,其中,n为“Z”型单元由右至左旋转次数,θ为“Z”型单元第一次旋转的角度;
所述“Z”型单元自上而下依次包括金属“Z”型结构、第一介质基板和第一金属背板;
所述金属贴片阵列由金属贴片阵列单元排布而成,所述金属贴片阵列单元自上而下依次包括长方形的金属贴片、第二介质基板和第二金属背板。
优选地,所述n为4,θ为36°,即第一超单元共包含5个子单元,最右侧为“Z”型单元,其余位置是向左依次逆时针旋转36°、72°、108°和144°后得到的子单元依次排布而成,第二超单元共包含5个子单元,最右侧为“Z”型单元(与第一超单元最右侧的“Z”型单元相同),其余位置是向左依次顺时针旋转36°、72°、108°和144°后得到的子单元依次排布而成。
优选地,所述“Z”型单元的周期为4.8mm。
优选地,所述金属“Z”型结构包括两个平行设置的第一结构,两个所述第一结构对角之间连接有第二结构,两个所述第一结构的另一端分别垂直设有第三结构,两个所述第三结构分别向靠近所述第二结构一侧延伸。
优选地,两个所述第一结构长度均为3.2mm,所述第二结构长度为4.6mm,两个所述第三结构的长度均为1mm,宽度均为0.2mm。
优选地,金属贴片阵列单元的周期为4.8mm。
优选地,所述金属贴片长为4.4mm,宽为3.9mm。
优选地,所述金属“Z”型结构和所述金属贴片的材质均为铜。
优选地,所述第一介质基板和所述第二介质基板均采用厚度为3mm的F4B介质基板,其相对介电常数为2.65,损耗角正切值为0.001。
优选地,所述第一金属背板和所述第二金属背板的材质均为铜。
与现有技术相比较,本发明具有以下优势:
(1)本发明主要利用单元旋转引入的几何相位的宽带非色散特性,但几何相位的效果只能在圆极化波入射时产生,即将圆极化波宽带耦合成横磁和横电两种模式的人工表面等离激元。因此,本发明通过设计和间隔排布由两个不同超单元分别构成的相位梯度超表面,两种超单元使左旋和右旋圆极化波入射时分别产生的横磁模式人工表面等离激元相位相同,而横电模式人工表面等离激元相位相反。根据它们所激发的人工表面等离激元中横磁模式的相位差和横电模式的相位差排布组合型相位梯度超表面,不仅可以实现增强横磁模式、消除横电模式的效果,也可以通过改变一个超单元来实现增强横电模式、消除横磁模式的效果,具有更大的适用范围和设计自由度。
(2)目前大多数将线极化波耦合成人工表面等离激元的工作主要目标是提高耦合效率,但其只能工作在单个的设计频点,现有资料显示,对于线极化波宽带耦合的研究仅有两个,一个工作在7-9.9GHz,一个工作在9.38-10.43GHz,且他们的研究方法与本工作的原理完全不同,本发明提供的耦合器在8.5-11.5GHz内能够高效地激发和传播人工表面等离激元,大大拓宽了其工作带宽。
(3)本发明利用几何相位的宽带非色散特性,通过两个不同超单元的组合排列实现在线极化波入射下宽带高效地激发横磁模式的人工表面等离激元,并消除对应的横电模式,保证所激发人工表面等离激元模式的纯净性,具有更高的实际应用价值。
(4)本发明通过优化金属贴片阵列单元,使其所支持的本征波矢与所述组合型相位梯度超表面激发的人工表面等离激元的波矢相匹配,实现人工表面等离激元的高效传输。
(5)本发明设计结构简单,可采用成熟的印刷电路板技术进行加工,制备方便且成本低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例及其设计方案,下面将对本实施例所需的附图作简单地介绍。下面描述中的附图仅仅是本发明的部分实施例,对于本领域普通技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器示意图。
图2为本发明实施例提供的“Z”型单元的结构示意图。
图3为本发明实施例提供的“Z”型单元和2个超单元的5个子单元在8.5-11.5GHz范围内的仿真结果,其中:(a)是“Z”型单元在左旋和右旋圆极化波入射下的同极化反射幅值,(b)是5个子单元在右旋圆极化波入射下的同极化反射相位,(c)是5个子单元在左旋圆极化波入射下的同极化反射相位。
图4为本发明实施例提供的金属贴片阵列单元的结构示意图和仿真的色散曲线图。
图5为本发明实施例提供的由第一超单元、第二超单元分别与金属贴片阵列组成的人工表面等离激元耦合器结构示意图及它们在10GHz时x极化波入射下的仿真结果,其中:(a)是包含第一超单元的人工表面等离激元耦合器结构示意图,(b)是包含第二超单元的人工表面等离激元耦合器结构示意图,(c)是包含第一超单元的人工表面等离激元耦合器电场分量Ey的分布图,(d)是包含第一超单元的人工表面等离激元耦合器电场分量Ez的分布图,(e)是包含第二超单元的人工表面等离激元耦合器电场分量Ey的分布图,(f)是包含第二超单元的人工表面等离激元耦合器电场分量Ez的分布图。
图6为本发明实施例提供的宽带人工表面等离激元耦合器在8.5-11.5GHz范围内x极化波入射下的仿真结果,其中:(a)是在8.5GHz时电场分量Ey的分布图,(b)是在8.5GHz时电场分量Ez的分布图,(c)是在10GHz时电场分量Ey的分布图,(d)是在10GHz时电场分量Ez的分布图,(e)是在11.5GHz时电场分量Ey的分布图,(f)是在11.5GHz时电场分量Ez的分布图。
图7为本发明实施例提供的样品照片。
图8为本发明实施例提供的近场测试实验装置结构图。
图9为本发明实施例提供的宽带人工表面等离激元耦合器在8.5-11.5GHz范围内x极化波入射下的实验结果,其中:(a)是在8.5GHz时电场分量Ez的分布图,(b)是在10GHz时电场分量Ez的分布图,(c)是在11.5GHz时电场分量Ez的分布图。
具体实施方式
为了使本领域技术人员更好的理解本发明的技术方案并能予以实施,下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
参照图1,为本发明实施例中提供的基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,所述耦合器包括组合型相位梯度超表面1和其两侧的相同金属贴片阵列2,所述组合型相位梯度超表面1由第一超单元11和第二超单元12按行间隔排列构成,每个超单元11、12包含5个子单元且最右侧的“Z”型单元100完全相同,第一超单元11包含5个子单元,最右侧的为“Z”型单元100,其余4个子单元依次是从右至左是由最右侧“Z”型单元(100)逆时针旋转36°、72°、108°和144°而得到的,第二超单元12包含5个子单元,最右侧的为“Z”型单元100,其余4个子单元依次是从右至左是由最右侧“Z”型单元100顺时针旋转36°、72°、108°和144°而得到的,所述金属贴片阵列2由金属贴片阵列单元200组成。
参照图2,所述结构为“Z”型单元100,周期为p=4.8mm,由金属“Z”型结构1001(材质为铜)、第一介质基板1002和第一金属背板(材质为铜)三部分组成,金属“Z”型结构1001的参数为l1=4.6mm、l2=3.2mm、l3=1mm和w=0.2mm,介质基板1002采用厚度d=3mm的F4B介质,其相对介电常数为2.65,损耗角正切值为0.001。长度为l2的两条线与水平线的夹角为16°,长度为l2的两条线与长度为l1的线夹角均为45°,即长度为l1的线与水平线的夹角为29°,需要特别说明的是,以上角度对于Z”型单元100来说是不可改变的。
参照图3(a),可以看出在8.5-11.5GHz范围内“Z”型单元100对左旋和右旋圆极化波有相等的同极化反射幅值,且幅值较高。参照图3(b)和3(c),第一超单元11从右至左的5个子单元在右旋圆极化波入射下的同极化反射相位以大约72°的相位差递增,而在左旋圆极化波入射下的同极化反射相位以大约72°的相位差递减,这符合几何相位的变化规律。同理,可得到第二超单元12的5个子单元具有与第一超单元11相反的相位变化规律。根据人工表面等离激元的激发和传播规律,由第一超单元11构成的相位梯度超表面可将左旋圆极化波耦合并沿向左的方向传播,将右旋圆极化波耦合并沿向右的方向传播,而由第二超单元12构成的相位梯度超表面则恰好相反。
参照图4,所述结构为金属贴片阵列单元200,周期为p=4.8mm,由金属贴片2001(材质为铜)、第二介质基板2002和第二金属背板2003(材质为铜)三部分组成,金属贴片2001的参数为ax=3.9mm和ay=4.4mm,介质基板2002采用厚度d=3mm的F4B介质,其相对介电常数为2.65,损耗角正切值为0.001。通过金属贴片阵列单元200的仿真色散曲线可以看出,其所支持本征的横磁和横电模式的人工表面等离激元在10.6GHz时均有277m-1的波矢值,与相位梯度超表面所激发的人工表面等离激元波矢相匹配。
参照图5(a),所述结构为由第一超单元11和金属贴片阵列2组成的人工表面等离激元耦合器。参照图5(b),所述结构为由第二超单元12和金属贴片阵列2组成的人工表面等离激元耦合器。对比图5(c)和5(e)可以看出,在x极化波入射下这两个耦合器所激发的横电模式人工表面等离激元存在大约180°的相位差。而对比图5(d)和5(f)可以看出,在x极化波入射下这两个耦合器所激发的横磁模式人工表面等离激元相位近似相等。
参照图6(a)、6(c)和6(e),可以看出在x极化波入射下,基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器在8.5-11.5GHz范围内没有激发和传播横电模式的人工表面等离激元。而参照图6(b)、6(d)和6(f),可以看出在x极化波入射下,此耦合器在8.5-11.5GHz范围内有效地激发和传播了横磁模式的人工表面等离激元。
参照图7和图8,加工制作与仿真模型完全相同的样本,并对其进行近场测试。从图9(a)-(c)可以看出,在8.5-11.5GHz的宽带范围,当x极化波照射到所述样品上时,均会被耦合成横磁模式的人工表面等离激元。
尽管已描述了本发明的优选实施例,但在本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,其特征在于,包括组合型相位梯度超表面(1)及位于其两侧的金属贴片阵列(2);
所述组合型相位梯度超表面(1)由第一超单元(11)和第二超单元(12)横向间隔排列构成,所述第一超单元(11)和第二超单元(12)分别是由位于最右侧的“Z”型单元(100)向左依次逆时针和顺时针旋转角度n×θ后排列而成,其中,n为“Z”型单元(100)由右至左旋转次数,θ为“Z”型单元(100)第一次旋转的角度;
所述“Z”型单元(100)自上而下依次包括金属“Z”型结构(1001)、第一介质基板(1002)和第一金属背板;
所述金属贴片阵列(2)由金属贴片阵列单元(200)排布而成,所述金属贴片阵列单元(200)自上而下依次包括长方形的金属贴片(2001)、第二介质基板(2002)和第二金属背板。
2.根据权利要求1所述的基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,其特征在于,所述n为4,θ为36°。
3.根据权利要求1所述的基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,其特征在于,所述“Z”型单元(100)的周期为4.8mm。
4.根据权利要求1所述的基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,其特征在于,所述金属“Z”型结构(1001)包括两个平行设置的第一结构(10011),两个所述第一结构(10011)对角之间连接有第二结构(10012),两个所述第一结构(10011)的另一端分别垂直设有第三结构(10013),两个所述第三结构(10013)分别向靠近所述第二结构(10012)一侧延伸。
5.根据权利要求4所述的基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,其特征在于,两个所述第一结构(10011)长度均为3.2mm,所述第二结构(10012)长度为4.6mm,两个所述第三结构(10013)的长度均为1mm,宽度均为0.2mm。
6.根据权利要求1所述的基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,其特征在于,金属贴片阵列单元(200)的周期为4.8mm。
7.根据权利要求1所述的基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,其特征在于,所述金属贴片(2001)长为4.4mm,宽为3.9mm。
8.根据权利要求1所述的基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,其特征在于,所述金属“Z”型结构(1001)和所述金属贴片(2001)的材质均为铜。
9.根据权利要求1所述的基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,其特征在于,所述第一介质基板(1002)和所述第二介质基板(2002)均采用厚度为3mm的F4B介质基板,其相对介电常数为2.65,损耗角正切值为0.001。
10.根据权利要求1所述的基于双几何相位梯度组合的宽带人工表面等离激元耦合器,其特征在于,所述第一金属背板和所述第二金属背板的材质均为铜。
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CN113113777B (zh) | 2023-01-17 |
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