CN113097730A - 基于电磁带隙的三模态oam天线及其设计方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于电磁带隙的三模态OAM天线及其设计方法,该方法提出一种均匀旋转阵列基础上结合高阶模式的半模谐振模式的OAM天线,高阶模式源于基片集成波导的方形谐振腔,并通过将腔体沿对角线剪裁构成其三角形半模,且在相邻阵元之间分别引入两个背靠背分布的EBG谐振单元;本发明的主要结构特征由位于介质基板上的四个等腰直角三角形贴片单元、单元两腰的金属化通孔、八个位于介质基板上表层的谐振环EBG单元组成以及金属接地基板组成;其中,周期性金属通孔贯穿三角形贴片、介质基板以及金属接地基板三者之间,形成近似理想电壁。本发明的性能特点是结构紧凑、易与平面集成且具有较高带宽和带内隔离度。

Description

基于电磁带隙的三模态OAM天线及其设计方法
技术领域
本发明属于OAM无线通信技术领域,具体涉及一种基于电磁带隙的三模态OAM天线及其设计方法。
背景技术
随着无线电技术的发展和通信领域对通信速率需求的增长,频谱资源日益稀缺。但是,设计多模态的OAM天线是提高频谱利用率潜在的有效办法。不同于通常天线设计使用的频域、空域等连续的维度,OAM所具有的模态是一个量子化的维度。在理论上,基于正交的OAM本征模可以在现有频段内设计无限的传输信道,使得可以在同一频率能够同时传输多条信息,从而提高频谱利用率。
现有的OAM天线大多是采用均匀圆形阵列构成,为满足阵元间的高隔离度,均匀圆形阵列的阵元间距需满足一定要求,这导致天线的体积不够紧凑。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于电磁带隙的三模态OAM天线及其设计方法。
实现本发明目的的技术解决方案为:一种基于电磁带隙去耦结构的三模态OAM天线,天线由四个半模SIW三角形谐振腔、四个独立同轴探针以及4N个谐振环贴片单元组成,N=2、3、4,其中四个半模SIW三角形谐振腔辐射边在外且彼此背靠背,构成紧凑型顺序旋转阵列,同时相邻半模SIW三角形谐振腔之间具有N个谐振环贴片单元;均匀排列的金属化通孔位于等腰直角三角形的两腰,形成半模SIW三角形谐振腔。
进一步的,当N=2时,两个谐振环贴片单元背靠背放置,当N=3时,其中两个相邻谐振环贴片单元背靠背放置,另一个谐振环贴片单元与中间的谐振环贴片单元面对面设置;当N=4时,每两个相邻谐振环贴片单元一组,背靠背设置。
进一步的,所述半模SIW三角形谐振腔是在方形SIW谐振腔的基础上,将腔体沿着对角线剪裁而产生的,并采用均匀旋转阵列配置方式构成OAM天线阵列。
进一步的,四个半模SIW三角形谐振腔采用电壁背靠背分布的分离式结构,相邻阵元之间的间距为波长的七分之一。
进一步的,天线采用独立同轴探针进行馈电,相邻半模SIW三角形谐振腔的馈电中心间隔90度圆心角;馈电中心到三角形两腰的距离相等。
进一步的,所述谐振环贴片单元为非封闭谐振环结构,由第一~第七微带线依次连接而成,其中第一微带线和第七微带线平行设置,第一微带线与第二微带线垂直连接,第七微带线与第六微带线垂直连接,所述第二微带线、第六微带线位于同一直线,第二微带线、第六微带线分别与第三微带线、第五微带线垂直连接,第三微带线、第五微带线与第四微带线垂直连接,所述第三微带线、第五微带线相互平行,第二微带线~第六微带线构成具有开口的矩形环结构,第一、第七微带线向矩形环内部延伸。
一种三模态OAM发射天线的设计方法,包括:
设计天线阵元,沿着方形谐振腔的短对角线剪裁后形成三角形HMSIW谐振腔单元;
根据SIW方形谐振腔模分析,确定当基板的相对介电常数固定时,方形谐振腔的边长大小,使得天线的中心频率在7.5GHz;
在均匀旋转阵列基础上结合方形谐振腔高阶模式的HMSIW三角形半模结构,形成四单元阵列OAM天线;
设计电磁带隙谐振环结构,通过调节谐振环的长度以及宽度使得隔离谐振频率在天线的工作中心频率附近。
进一步的,相邻半模SIW三角形谐振腔之间具有N个谐振环贴片单元,当N=2时,两个谐振环贴片单元背靠背放置,当N=3时,其中两个相邻谐振环贴片单元背靠背放置,另一个谐振环贴片单元与中间的谐振环贴片单元面对面设置;当N=4时,每两个相邻谐振环贴片单元一组,背靠背设置。
进一步的,四个半模SIW三角形谐振腔采用电壁背靠背分布的分离式结构,相邻阵元之间的间距为波长的七分之一;天线采用独立同轴探针进行馈电,相邻半模SIW三角形谐振腔的馈电中心间隔90度圆心角;馈电中心到三角形两腰的距离相等。
进一步的,所述谐振环贴片单元为非封闭谐振环结构,由第一~第七微带线依次连接而成,其中第一微带线和第七微带线平行设置,第一微带线与第二微带线垂直连接,第七微带线与第六微带线垂直连接,所述第二微带线、第六微带线位于同一直线,第二微带线、第六微带线分别与第三微带线、第五微带线垂直连接,第三微带线、第五微带线与第四微带线垂直连接,所述第三微带线、第五微带线相互平行,第二微带线~第六微带线构成具有开口的矩形环结构,第一、第七微带线向矩形环内部延伸。
与现有技术相比,本发明的显著优点为:本发明将SIW方形谐振腔沿对角线剪切形成半封闭的三角形HMSIW谐振腔,再结合均匀选旋转阵列形成四个谐振腔单元,通过控制各单元中各馈电点的相位差来实现对OAM模态的控制;为了实现阵元间的高隔离度,在相邻谐振单元分别引入两个背靠背分布的谐振环贴片单元,产生了带内的隔离谐振,使得天线具有高隔离度,与此同时,天线的阻抗带宽也得到提高;本发明通过使用SIW技术实现谐振腔天线小型化;使用电磁带隙去耦结构实现较高阻抗带宽和带内隔离度。
附图说明
图1是本发明基于电磁带隙去耦结构的三模态OAM天线设计方法流程图。
图2是本发明基于电磁带隙去耦结构的三模态OAM天线三维图。
图3是本发明的谐振环贴片单元和天线阵列的正视图。
图4是该OAM天线在不同工作模态下所产生相位图。
图5是给出具体实例天线有无EBG谐振环结构的S参数信息仿真图。
具体实施方式
电磁带隙(Electromagnetic Band Gap)可以视为具有周期性的结构,简称EBG。常见的有蘑菇形电磁带隙结构、介质打孔型EBG结构等。设计天线过程中可以利用电磁带隙结构来优化天线性能。具体应用如:提高天线增益、降低天线阵元的耦合、降低高次谐波、展宽工作带宽、可实现低剖面天线、提高天线的前后比等。
常规的腔天线体积比较大,而且天线的结构比较复杂且难以平面集成。随着现在电子设备的发展,人们对通信设备的小型化和传输性能的要求越来越高。而基片集成波导既保持金属波导的特点又具有平面集成的优势。基于基片集成波导技术设计的天线成本很低,结构紧凑,且易与其他电子器件集成。采用高阶模式的部分模结构作为天线单元,使得天线的尺寸也随之减小,实现紧凑型天线阵列。
本发明提出一种基于电磁带隙(Electromagnetic Band Gap)去耦结构的轨道角动量(Orbital Angular Momentum,OAM)天线生成方法,该方法是在一种均匀旋转阵列基础上结合高阶模式的半模谐振模式的OAM天线。该高阶模式源于基片集成波导的方形谐振腔,并通过将腔体沿对角线剪裁构成其三角形半模,且在相邻阵元之间分别引入两个背靠背分布的EBG谐振单元。本发明的主要结构特征由位于介质基板上的四个等腰直角三角形贴片单元、单元两腰的金属化通孔、4N个位于介质基板上表层的谐振环EBG单元组成以及金属接地基板组成,N=2、3、4。其中,周期性金属通孔贯穿三角形贴片、介质基板以及金属接地基板三者之间,形成近似理想电壁。
谐振腔单元之间采用电壁背靠背分离式结构。四个相互独立的同轴探针馈电的幅度相同,产生的OAM模态由阵元之间的相位差决定。
相邻阵元之间引入N个谐振环贴片单元,使得激励端口流向其他非激励端口的电流聚集中在谐振单元周围,以此降低端口之间的耦合,实现阵元间得高隔离度。通过引入缝隙谐振单元,天线阵元间的隔离度、天线的阻抗带宽均有所提高,而且,加入去耦结构能够有效改善天线的辐射性能。
采用EBG谐振单元作为去耦结构,利用HMSIW技术使得所设计的天线具有较高的带内隔离度和较高的阻抗带宽。所提出的天线结构具有紧凑性和平面集成的特点。
当N=2时,两个谐振环贴片单元背靠背放置,当N=3时,其中两个相邻谐振环贴片单元背靠背放置,另一个谐振环贴片单元与中间的谐振环贴片单元面对面设置;当N=4时,每两个相邻谐振环贴片单元一组,背靠背设置。
图2、图3为N=2时的三模态OAM天线示意图。
所述半模SIW三角形谐振腔是在方形SIW谐振腔的基础上,将腔体沿着对角线剪裁而产生的,并采用均匀旋转阵列配置方式构成OAM天线阵列。
周期性金属栅状通孔均匀分布在等腰直角三角形的两腰,金属通孔阵列的作用类似于电壁,限制电磁波的传播路径,使得电磁波只能从等腰直角三角形HMSIW谐振腔的底边开放壁辐射出去。
四个半模SIW三角形谐振腔采用电壁背靠背分布的分离式结构,相邻阵元之间的间距仅为波长的七分之一,其中相邻阵元之间的间距是指相邻半模SIW三角形谐振腔的两条平行边的距离;采用独立同轴探针进行馈电,相邻半模SIW三角形谐振腔的馈电中心间隔90度圆心角。馈电中心到三角形两腰的距离相等,通过外接移相器可以得到不同OAM模态,具有模态转换的灵活变通性。
相邻半模SIW三角形谐振腔之间配置了两个背靠背放置的谐振环贴片单元,该EBG单元为非封闭谐振环结构,利用谐振环在天线工作的频率范围内可以“过滤”电磁波的性能来提高阵元间的隔离。在天线阵元之间加入谐振单元可以使激励端口流向其他非激励端口的电流聚集中在谐振单元周围,以此降低端口之间的耦合。
如图3所示,所述谐振环贴片单元由第一~第七微带线依次连接而成,其中第一微带线和第七微带线平行设置,第一微带线与第二微带线垂直连接,第七微带线与第六微带线垂直连接,所述第二微带线、第六微带线位于同一直线,第二微带线、第六微带线分别与第三微带线、第五微带线垂直连接,第三微带线、第五微带线与第四微带线垂直连接,所述第三微带线、第五微带线相互平行,第二微带线~第六微带线构成具有开口的矩形环结构,第一、第七微带线向矩形环内部延伸。
本发明该提供一种三模态OAM发射天线的设计方法,如图1所示,包括:
设计天线阵元,沿着方形谐振腔的短对角线剪裁后形成三角形HMSIW谐振腔单元;
根据SIW方形谐振腔模分析,确定当基板的相对介电常数固定时,方形谐振腔的边长大小,使得天线的中心频率在7.5GHz;
在均匀旋转阵列基础上结合方形谐振腔高阶模式的HMSIW三角形半模结构,形成四单元阵列OAM天线;
设计电磁带隙谐振环结构,通过调节谐振环的长度以及宽度使得隔离谐振频率在天线的工作中心频率附近,以实现阵元间的高隔离度。
本发明在基于基片集成波导方形腔基础上剪裁出的三角形半模SIW谐振腔天线,再结合基于EBG的谐振环结构,利用均匀旋转阵列技术的实现高隔离、宽带宽的三模态OAM发射天线。
下列实施例是对本发明的进一步解释和补充,对本发明不构成任何限制。
实施例
如图2所示,给出了本发明的一种具体实施例天线结构三维图,用于实现高隔离、宽带宽的多模态OAM天线阵列。该天线阵元是基于方形SIW谐振腔的三角形半模结构,天线阵列由位于介质基板上方的四个等腰直角三角形贴片单元、位于介质基板上的八个EBG谐振环单元、中间层介质基板和下层金属接地基板组成,每个三角形贴片单元的腰两边有两排周期性金属化通孔,金属通孔嵌入三角形贴片、介质基板和金属接地基板三者之间,形成SIW方形谐振腔的三角形HMSIW谐振腔结构。馈电方式采用同轴馈电,在四个三角形HMSIW谐振腔中分别馈电,通过控制阵元间的相位差实现不同的OAM模态。
本发明的实例采用的介质基板的介电常数为2.2,介质基板厚度为3mm;金属化通孔直径为0.5mm,金属化通孔中心之间的间距为0.8mm;相邻三角形腔两条平行边的间距为6mm,三角形的边长为20.4mm;馈电电位于等腰三角形底边的高线上,馈电中心到三角形两腰的距离为7.1mm;为了预留更多位置设计天线测试架的安装孔,底层金属接地基板的厚度采用4mm。谐振环贴片单元的结构如图3所示,其中具体实例采用谐振环线宽w=0.5mm,其他线长具体数据见下:l1=2.9mm,l2=2mm,l3=1.9mm,l4=4.2mm。
本发明是将SIW方形谐振腔沿对角线剪切形成半封闭的三角形HMSIW谐振腔,再结合均匀选旋转阵列形成四个谐振腔单元,通过控制各单元中各馈电点的相位差来实现对OAM模态的控制。为了实现阵元间的高隔离度,在相邻谐振单元分别引入两个背靠背分布的谐振环贴片单元,产生了带内的隔离谐振,使得天线具有高隔离度,与此同时,天线的阻抗带宽也得到提高。图4是该OAM天线在不同工作模态下所产生相位图,图5比较了引入EBG去耦结构和未加EBG结构两种天线的S参数。由图5可知,增加EBG结构后天线阵元之间的带内隔离度由17.8dB提高到22.2dB以上,天线的相对阵元和相邻阵元间带内峰值隔离度分别达到35.6dB和32.1dB,单个天线S11低于-10dB的阻抗带宽增加了1.25%,说明引入EBG结构后,天线阵元间的隔离和天线的带宽均得到改善。本发明通过使用SIW技术实现谐振腔天线小型化;使用电磁带隙去耦结构实现较高阻抗带宽和带内隔离度。
尽管通过以上实施例对本发明进行了解释,但是本发明的范围并不局限于此,在不偏离本发明构思的条件下,以上各构建可用所述技术领域人员了解的相似或等同原件来代替。

Claims (10)

1.一种基于电磁带隙去耦结构的三模态OAM天线,其特征在于,天线由四个半模SIW三角形谐振腔、四个独立同轴探针以及4N个谐振环贴片单元组成,N=2、3、4,其中四个半模SIW三角形谐振腔辐射边在外且彼此背靠背,构成紧凑型顺序旋转阵列,同时相邻半模SIW三角形谐振腔之间具有N个谐振环贴片单元;均匀排列的金属化通孔位于等腰直角三角形的两腰,形成半模SIW三角形谐振腔。
2.根据权利要求1所述的基于EBG去耦结构的三模态OAM发射天线,其特征在于,当N=2时,两个谐振环贴片单元背靠背放置,当N=3时,其中两个相邻谐振环贴片单元背靠背放置,另一个谐振环贴片单元与中间的谐振环贴片单元面对面设置;当N=4时,每两个相邻谐振环贴片单元一组,背靠背设置。
3.根据权利要求1所述的基于EBG去耦结构的三模态OAM发射天线,其特征在于,所述半模SIW三角形谐振腔是在方形SIW谐振腔的基础上,将腔体沿着对角线剪裁而产生的,并采用均匀旋转阵列配置方式构成OAM天线阵列。
4.根据权利要求1所述的基于EBG去耦结构的三模态OAM发射天线,其特征在于,四个半模SIW三角形谐振腔采用电壁背靠背分布的分离式结构,相邻阵元之间的间距为波长的七分之一。
5.根据权利要求1所述的基于EBG去耦结构的三模态OAM发射天线,其特征在于,半模SIW三角形谐振腔采用独立同轴探针进行馈电,相邻半模SIW三角形谐振腔的馈电中心间隔90度圆心角;馈电中心到三角形两腰的距离相等。
6.根据权利要求1所述的基于EBG去耦结构的三模态OAM发射天线,其特征在于,所述谐振环贴片单元为非封闭谐振环结构,由第一~第七微带线依次连接而成,其中第一微带线和第七微带线平行设置,第一微带线与第二微带线垂直连接,第七微带线与第六微带线垂直连接,所述第二微带线、第六微带线位于同一直线,第二微带线、第六微带线分别与第三微带线、第五微带线垂直连接,第三微带线、第五微带线与第四微带线垂直连接,所述第三微带线、第五微带线相互平行,第二微带线~第六微带线构成具有开口的矩形环结构,第一、第七微带线向矩形环内部延伸。
7.一种基于权利要求1所述三模态OAM发射天线的设计方法,其特征在于,包括:
设计天线阵元,沿着方形谐振腔的短对角线剪裁后形成三角形HMSIW谐振腔单元;
根据SIW方形谐振腔模分析,确定当基板的相对介电常数固定时,方形谐振腔的边长大小,使得天线的中心频率在7.5GHz;
在均匀旋转阵列基础上结合方形谐振腔高阶模式的HMSIW三角形半模结构,形成四单元阵列OAM天线;
设计电磁带隙谐振环结构,通过调节谐振环的长度以及宽度使得隔离谐振频率在天线的工作中心频率附近。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,相邻半模SIW三角形谐振腔之间具有N个谐振环贴片单元,当N=2时,两个谐振环贴片单元背靠背放置,当N=3时,其中两个相邻谐振环贴片单元背靠背放置,另一个谐振环贴片单元与中间的谐振环贴片单元面对面设置;当N=4时,每两个相邻谐振环贴片单元一组,背靠背设置。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,四个半模SIW三角形谐振腔采用电壁背靠背分布的分离式结构,相邻阵元之间的间距为波长的七分之一;采用独立同轴探针进行馈电,相邻半模SIW三角形谐振腔的馈电中心间隔90度圆心角;馈电中心到三角形两腰的距离相等。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述谐振环贴片单元为非封闭谐振环结构,由第一~第七微带线依次连接而成,其中第一微带线和第七微带线平行设置,第一微带线与第二微带线垂直连接,第七微带线与第六微带线垂直连接,所述第二微带线、第六微带线位于同一直线,第二微带线、第六微带线分别与第三微带线、第五微带线垂直连接,第三微带线、第五微带线与第四微带线垂直连接,所述第三微带线、第五微带线相互平行,第二微带线~第六微带线构成具有开口的矩形环结构,第一、第七微带线向矩形环内部延伸。
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