CN113097374A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及显示装置,其中,显示面板包括:衬底;驱动电路层;驱动电路层设置于衬底上,包括多个驱动电路;多个LED芯片;LED芯片位于驱动电路层远离衬底的一侧;LED芯片与对应驱动电路电连接;驱动电路至少包括第一薄膜晶体管;第一薄膜晶体管的源极和漏极位于驱动电路层的第一金属层;第一薄膜晶体管的源极或漏极与对应LED芯片的第一电极电连接;显示面板的至少部分边缘设置有导热胶;衬底上还设置有一层或多层导热金属;至少一层导热金属延伸至显示面板的边缘,并与导热胶接触。本发明提供了一种显示面板及显示装置,以增强显示面板的散热功能,提高显示面板的寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,次毫米发光二极管Mini LED或微型发光二极管(MicroLight Emitting Diode,micro LED)由于其尺寸小、发光效率高以及耗能低等优点逐渐被应用于显示领域。
miniLED或microLED最大的发热源来自LED chip,现有设计中LED底部没有金属导热途径,只能通过膜层传递热量,导致整个显示面板发热,影响TFT特性以及面板可靠性。面板发热使得micro LED的发光效率降低,且温度越高micro LED的寿命越短,影响显示面板的使用寿命。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置,以增强显示面板的散热功能,提高显示面板的寿命。
第一方面,本发明实施例提供了一种有机发光显示面板,包括:衬底;
驱动电路层;所述驱动电路层设置于所述衬底上,包括多个驱动电路;
多个LED芯片;所述LED芯片位于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧;所述LED芯片与对应驱动电路电连接;所述驱动电路至少包括第一薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管的源极和漏极位于所述驱动电路层的第一金属层;所述第一薄膜晶体管的源极或漏极与对应LED芯片的第一电极电连接;
所述显示面板的至少部分边缘设置有导热胶;
所述衬底上还设置有一层或多层导热金属;至少一层所述导热金属延伸至所述显示面板的边缘,并与所述导热胶接触。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括本发明任意实施例提供的显示面板。
本发明中,显示面板的衬底上依次设置有驱动电路层和多个LED芯片,驱动电路层包括多个驱动电路,用于驱动对应LED芯片,驱动电路至少包括第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的源极和漏极位于第一金属层,并且第一薄膜晶体管的源极或漏极与对应LED芯片的第一电极连接,此外,衬底上还设置有至少一层导热金属,导热金属能够延伸至显示面板的边缘并连接导热胶,从而导热金属能够将显示面板内的热量传递至边缘进行发散,使得显示面板最大发热源LED芯片发出至显示面板膜层中的热量获取向外导出的金属导热途径,最终有效降低LED芯片的温度,改善LED芯片发光效率低的问题,并提高第一薄膜晶体管的特性,增强显示面板的可靠性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图;
图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视图;
图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图7是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图;
图8是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图10是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图11是本发明实施例提供的一种显示设备的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供了一种显示面板,包括:衬底;
驱动电路层;驱动电路层设置于衬底上,包括多个驱动电路;
多个LED芯片;LED芯片位于驱动电路层远离衬底的一侧;LED芯片与对应驱动电路电连接;驱动电路至少包括第一薄膜晶体管;第一薄膜晶体管的源极和漏极位于驱动电路层的第一金属层;第一薄膜晶体管的源极或漏极与对应LED芯片的第一电极电连接;
显示面板的至少部分边缘设置有导热胶;
衬底上还设置有一层或多层导热金属;至少一层导热金属延伸至显示面板的边缘,并与导热胶接触。
本发明实施例中,显示面板的衬底上依次设置有驱动电路层和多个LED芯片,驱动电路层包括多个驱动电路,用于驱动对应LED芯片,驱动电路至少包括第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的源极和漏极位于第一金属层,并且第一薄膜晶体管的源极或漏极与对应LED芯片的第一电极连接,此外,衬底上还设置有至少一层导热金属,导热金属能够延伸至显示面板的边缘并连接导热胶,从而导热金属能够将显示面板内的热量传递至边缘进行发散,使得显示面板最大发热源LED芯片发出至显示面板膜层中的热量获取向外导出的金属导热途径,最终有效降低LED芯片的温度,改善LED芯片发光效率低的问题,并提高第一薄膜晶体管的特性,增强显示面板的可靠性。
以上是本发明的核心思想,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图,如图1所示,显示面板包括衬底11,以及衬底11上依次设置的驱动电路层12和LED芯片13。驱动电路层12包括阵列排布的多个驱动电路(图1中未示出),LED芯片13设置有多个,并且每个LED芯片13均与对应的驱动电路电连接,使得驱动电路驱动LED芯片13发光,具体的,驱动电路至少包括第一薄膜晶体管M1,第一薄膜晶体管M1可作为驱动对应LED芯片13的驱动管,第一薄膜晶体管M1的源极S1和漏极D1位于驱动电路层12中的第一金属层121,LED芯片13的第一电极131与对应驱动电路中的第一薄膜晶体管M1的源极S1或漏极D1电连接,使得该LED芯片13能够被驱动发光,示例性的,如图1所示,LED芯片13的第一电极131与对应驱动电路中的第一薄膜晶体管M1的源极S1电连接。本实施例中衬底上还设置有一层或多层导热金属15,并且至少一层导热金属16能够延伸至显示面板的边缘,为显示面板中各膜层提供金属导热途径,从而将显示面板中的热量传递至显示面板边缘发散,LED芯片13作为发光源,同样也为整个显示面板最大的发热源,LED芯片13发出的热量会通过膜层传递至显示面板,导热金属15可进一步将该热量导出至显示面板外侧。如图1所示,本实施例中显示面板的至少部分边缘设置有导热胶14,与延伸至显示面板边缘的导热金属15接触,能够进一步增强对显示面板的散热作用,提高显示面板的散热效率。此外,本实施例中,导热金属15和导热胶14相互配合,能够实现显示面板各膜层热量迅速导出,避免显示面板温度过高影响薄膜晶体管的工作性能,并改善LED芯片因高温产生的发光效率低的问题,提高显示面板的可靠性,延长显示面板的使用寿命。
可选的,LED芯片可以为Mini-LED芯片或Micro-LED芯片。Micro-LED技术,即LED微缩化和矩阵化技术。Micro-LED采用的是比头发丝还要窄的1~10微米LED晶体,并且具有RGB三色自发光的特性,可以做到真正的像素级别控光。相比于OLED技术,在相同电力下,Micro-LED亮度更高,寿命更长。Mini-LED是采用数十微米级的LED晶体,保证了体积小的同时,具有异形切割特性,所以在生产难度较低,良率高。无论是Mini-LED芯片,还是Micro-LED芯片,均能实现高分辨率的像素显示,提高显示面板的显示效果。
图2是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图,可选的,显示面板可以包括显示区111和非显示区112;多个LED芯片13位于显示区111;非显示区112还包括地线16;地线16围绕显示区111设置,并与导热金属15电连接。
本实施例中,导热金属15可连接至地线16,如图2所示,地线16可围绕显示区111设置,则地线16在显示面板所在平面上设置区域较大,将导热金属15连接至地线16上,可借助地线16进一步增强显示面板的散热效果。除了图2中的底线设置,可选的,如图3所示,图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视图,地线16可分为多段,多段地线16围绕显示区111设置,每段地线16可均与导热金属15电连接,以将导热金属15的热量导出,对薄膜晶体管和LED芯片13进行保护。需要注意的是,地线16分别连接导热金属15和导热胶,用于将导热金属15的热量导出至导热胶进行分散,从而加快显示面板的散热。此外,导热金属15连接至地线16能够获取稳定的零电位,防止驱动电路层中的其他金属层的信号对导热金属15的电位产生影响,避免驱动LED芯片13的驱动信号发生波动,增强显示面板的显示稳定性。
图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图,可选的,驱动电路层可以包括交替设置的金属层和绝缘层;地线16远离衬底11的一侧的绝缘层设置有凹槽结构18;凹槽结构18在衬底11所在平面的垂直投影覆盖地线16;导热胶14填充凹槽结构18。
驱动电路层包括多层交替设置的金属层和绝缘层,地线16可设置于驱动电路层的一层金属层中。地线11设置在非显示区中,本实施例可将地线16远离衬底11的一侧的绝缘层清除或挖槽以形成凹槽结构18,并通过导热胶14填充凹槽结构18,增大导热胶14与地线16的接触面积,从而增强显示面板的散热效率。本实施例中,凹槽结构18在衬底11所在平面的垂直投影覆盖地线16,则可以进一步增大导热胶14与地线16的接触面积,加快显示面板的散热,提升显示面板的工作性能。
可选的,继续参考图4,至少一层导热金属15在衬底11所在平面的垂直投影可以与LED芯片13至少部分交叠。因为LED芯片13作为显示面板的主要发热源,LED芯片13发出的热量会沿膜层向衬底11的方向传导,本实施例可将导热金属15靠近LED芯片13设置,具体的,在衬底11所在平面内,至少一层导热金属15可与LED芯片13至少部分交叠,便于快速、有效地将LED芯片13发出的热量导入导热金属15,使得导热金属15将热量快速导出至显示面板的边缘,实现显示面板的迅速散热。
可选的,驱动电路层12的至少一层金属膜层可复用为导热金属15。本实施例可设置于驱动电路层12原有的金属膜层中,而不需要另外设置金属层和绝缘层,节省多道工艺制程,并有效降低显示面板的整体厚度,提高显示面板的制作效率。具体的,当设置有多层导热金属15时,可服用驱动电路层12的多层金属膜层。
继续参考图1,可选的,导热金属15可以包括:第一导热金属151和第二导热金属152;驱动电路层12包括:第二金属层122,包括第一薄膜晶体管M1的栅极G1、电容的第一极板和第一导热金属151;第三金属层123,包括电容的第二极板和第二导热金属152;第一金属层121设置于第三金属层123远离衬底11的一侧,包括公共电极121a;公共电极121a与LED芯片13的第二电极132电连接。
本实施例可设置两层导热金属15:第一导热金属151和第二导热金属152,多层散热金属可增强显示面板的散热效率,可复用驱动电路层12中的两层金属层以形成上述第一导热金属151和第二导热金属152。具体的,驱动电路层12除了用于形成第一薄膜晶体管M1的源极S1和漏极D1的第一金属层121之外,还可以包括第二金属层122和第三金属层123。在远离衬底11的方向上,依次设置有第二金属层122、第三金属层123和第一金属层121,其中,第二金属层122除了形成有第一薄膜晶体管M1的栅极G1、电容的第一极板,还形成有第一导热金属151,第三金属层123除了形成有电容的第二极板,还包括第二导热金属152,。第一导热金属151和第二导热金属152复用驱动电路层12的两层金属层,能够增强对驱动电路层12散热的同时,节省显示面板的制作工艺。需要注意的是,第一金属层121还设置有公共电极121a,公共电极121a与LED芯片13的第二电极132电连接,用于为第二电极132提供负极电位。
在本实施例一具体示例中,如图1所示,导热金属15可以包括:第一导热金属151和第二导热金属152;驱动电路层包括:缓冲层125,设置于衬底11上;有源结构层126,设置于缓冲层125远离衬底11的一侧,包括第一薄膜晶体管M1的有源层126a;栅极绝缘层127,设置于有源结构层126远离衬底11的一侧;第二金属层122,设置于栅极绝缘层127远离衬底11的一侧,包括第一薄膜晶体管M1的栅极G1、电容的第一极板和第一导热金属151;电容介质层128,设置于栅极G1层远离衬底11的一侧;第三金属层123,设置于电容介质层128远离衬底11的一侧,包括电容的第二极板和第二导热金属152;层间绝缘层129,设置于第三金属层123远离衬底11的一侧;第一金属层121设置于层间绝缘层129远离衬底11的一侧,包括公共电极121a;公共电极121a与LED芯片13的第二电极132电连接。本示例仅作为一个驱动电路层的堆叠结构的示例,限定了第一薄膜晶体管M1为顶栅结构,当然,本实施例中第一薄膜晶体管M1还可以为底栅结构,或者为双栅结构,本实施例对第一薄膜晶体管M1的具体类型不进行限定,也不对驱动电路层具体的膜层堆叠进行限定。
图5是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图,可选的,导热金属15还可以包括第三导热金属153;驱动电路层12还可以包括:有源结构层126,包括第一薄膜晶体管M1的有源层126a;第四金属层124,设置于衬底11和有源结构层126之间,包括遮光层124a和第三导热金属153;遮光层124a在衬底11所在平面上的投影覆盖有源层126a;遮光层124a与第三导热金属153绝缘设置。
本实施例中驱动电路层12还包括第四金属层124,第四金属层124可以设置于衬底11和有源结构层126之间,可设置有遮光层124a,遮光层124a在衬底11所在平面上的投影覆盖有源层126a,从而避免外界光线照射有源层126a而造成输出去驱动信号存在波动。第四金属层124还可以设置有第三导热金属153,增加一层导热金属能够进一步提高散热效率。则在上述实施例的基础上,驱动电路层12包括依次远离衬底11设置的第四金属层124、第二金属层122、第三金属层123和第一金属层121,其中,第四金属层124、第二金属层122和第三金属层123均设置有导热金属,可实现显示面板的快速散热,提高面板可靠性。
继续参考图5,可选的,在第一导热金属151、第二导热金属152和第三导热金属153中,至少两层相邻导热金属15之间电连接。示例性的,如图5所示,第一导热金属151和第三导热金属153电连接,则多层导热金属电位统一,不会对其他膜层信号存在影响,有利于保持显示面板的稳定显示。优选的,第一导热金属151、第二导热金属152和第三导热金属153中,每相邻两个导热金属之间均电连接,以进一步提高显示面板的稳定性。
在上述具体示例的基础上,本示例中的第一导热金属151可通过穿过缓冲层125和栅极绝缘层127的第一通孔K1与第三导热金属153电连接;第一金属层121还包括桥接结构121b;第一导热金属151通过穿过电容介质层128和层间绝缘层129的第二通孔K2与桥接结构121b电连接;第二导热金属152通过穿过层间绝缘层129的第三通孔K3与桥接结构121b电连接。
图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图,参考图2和图6,可选的,显示面板可以包括显示区111和非显示区112;非显示区112还包括地线16;地线16与至少一层导热金属15电连接;地线16设置于第一金属层121;或者,地线16设置于第二金属层122;或者,地线16设置于第三金属层123;或者,地线16设置于第四金属层124。
显示面板可设置多层导热金属15,并且至少一层导热金属15与地线16电连接,示例性的,如图6所示,驱动电路层15包括依次远离衬底11设置的第四金属层124、第二金属层122、第三金属层123和第一金属层121,地线16可设置于上述金属层的任一层。具体的,若设置第一导热金属151、第二导热金属152和第三导热金属153,第四金属层124可设置有地线16和第三导热金属153,地线16直接与第三导热金属153电连接;或者,第二金属层122可设置有第一导热金属151和地线16,地线16直接与第一导热金属151电连接;或者,第三金属层123可设置有第二导热金属152和地线16,地线16直接与第二导热金属152电连接。或者,当地线16设置于第一金属层121,地线16可通过通孔与其他导热金属电连接。图6仅示出了地线16位于第二金属层122的情况,本实施例包括但不限于图6示出的情况。
继续参考图3,可选的,至少一层导热金属15可以包括多条沿第一方向X延伸的条形结构15a;条形结构15a的第一端连接至靠近显示区111的第一边缘L1的地线段;条形结构15a的第二端连接至靠近显示区111的与第一边缘L1相对的第二边缘L2的地线段;多个LED芯片13形成沿第一方向X成行排布,并沿第二方向Y成列排布的阵列结构;条形结构15a在衬底11所在平面上的垂直投影覆盖对应的一行LED芯片13;第一方向X和第二方向Y相交。
本实施例中,在衬底11所在平面内,显示区111内的LED芯片13可沿第一方向X成行排列,并沿第二方向Y成列排布。本实施例中的导热金属15可以包括多个条形结构15a,条形结构15a可沿第一方向X延伸,或沿第二方向Y延伸,本实施例以沿第一方向X延伸为例进行示意,条形结构15a的端部与非显示区112的地线段连接,条形结构15a在衬底11上的投影覆盖一行LED芯片13,便于条形结构15a将该行LED芯片13产生的热及时导出至地线16。本实施例中,至少一层导热金属15形成条形结构15a,优选的,所有层导热金属15形成条形结构15a结构,有针对性的对LED芯片13散热,加快显示面板的散热效率,同时,导热金属15的条形结构15a在衬底11所在平面占地面积较小,相对于整块的导热金属15的设置,有利于节省平面空间进行驱动电路的设置,并且使进一步增大像素分辨率成为可能,并且能够降低导热金属15与其他金属层之间的电容,提高显示面板的显示稳定性。
继续参考图2,可选的,显示区111可以包括依次连接的第一边缘L1、第三边缘L3、第二边缘L2和第四边缘L4;其中,第一边缘L1和第二边缘L2沿第一方向X相对设置,第三边缘L3和第四边缘L4沿第二方向Y相对设置;显示面板还包括:绑定区17;绑定区17位于非显示区112内,并靠近显示区111的第四边缘L4设置;地线16围绕显示区111的第一边缘L1、第三边缘L3及第二边缘L2设置。
本实施例中地线16围绕显示区111设置,并且避开绑定区17的一侧,示例性的,显示区111可以包括依次连接的第一边缘L1、第三边缘L3、第二边缘L2和第四边缘L4,第一边缘L1和第二边缘L2沿第一方向X相对设置,第三边缘L3和第四边缘L4沿第二方向Y相对设置,地线16设置于显示区111的第一边缘L1、第三边缘L3及第二边缘L2,本实施例中条形结构15a沿第一方向X延伸,有利于条形结构15a的两端均能连接地线16,进一步加快显示面板的散热速度。
图7是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图,可选的,条形结构15a上可以设置有多个镂空图形155;镂空图形155在衬底11所在平面上的垂直投影与驱动电路至少部分交叠。在上述实施例的基础上,条形结构15a上可以设置有多个镂空图形155,从而进一步减小在衬底11所在平面上条形结构15a的面积,降低导热金属与其他金属膜层之间的电容。可选的,镂空图形155在衬底11所在平面上的垂直投影与驱动电路至少部分交叠,也即,降低条形结构15a与驱动电路的正对面积,从而降低导热金属与其他金属膜层之间的电容、
继续参考图1,可选的,导热胶14可以包括第一部分141;第一部分141与显示面板的边缘侧面贴合。导热胶14包括第一部分141,第一部分141设置于显示面板的边缘侧面上,并贴附在显示面板的侧壁上,既能够对显示面板起到保护作用,又能够与导热金属接触,及时导出热量。
图8是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图,可选的,导热胶14还可以包括:第二部分142和第三部分143;第二部分142、第一部分141和第三部分143依次连接;第二部分142与显示面板远离衬底11的表面贴合;第三部分143与显示面板远离LED芯片13的表面贴合。
导热胶14还可以包括设置于显示面板远离衬底11的表面的第二部分142,以及设置于显示面板远离LED芯片13的表面的第三部分143,第二部分142、第一部分141和第三部分143依次连接形成导热胶14,则导热胶14包覆显示面板的边缘设置。
图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图,可选的,显示面板还可以包括:散热板19;散热板19设置于衬底11远离LED芯片13的一侧;衬底11上形成有第四通孔K4;一层或多层导热金属15中靠近衬底11的一层导热金属15穿过第四通孔K4与散热板19连接。
衬底11远离LED芯片13的一侧还设置有散热板19,散热板19用于在显示面板的背部为显示面板散热。本实施例可在衬底11上形成第四通孔K4,并且上述一层或多层导热金属15中靠近衬底11的一层导热金属15穿过第四通孔K4与散热板19接触,则本实施例的导热金属15不仅能够在显示面板的边缘侧面将热量导出,还能够在垂直于显示面板的方向上将热量导出至散热板19,通过散热板19进一步加快导热金属15导出热量的效率,提高第一薄膜晶体管的特性,增强显示面板的可靠性。
可选的,一层或多层导热金属15中靠近衬底11的一层导热金属15的材料可以为钼或含钼的合金材料。为了防止衬底11和散热板19之间水氧入侵导致的导热金属15的腐蚀,本实施例可将导热金属15设置为钼或者为含钼的合金材料,钼或者为含钼的合金材料的耐腐蚀性能较高,防止导热金属15发生氧化反应,有效防止杂质侵入显示面板,提高显示面板的可靠性。
图10是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图,可选的,显示面板还可以还包括:密封导热层20;密封导热层20贴附衬底11远离驱动电路层的一侧设置;一层或多层导热金属15中靠近衬底11的一层导热金属15穿过第四通孔K4与密封导热层20接触;一层或多层导热金属15中靠近衬底11的一层导热金属15通过密封导热层20与散热板19连接。
为了进一步防止导热金属15被腐蚀,可在衬底11背离驱动电路层的一侧涂覆一层密封导热层20,可选的,密封导热层20可以为密封性强且导热性能良好的树脂材料。则最靠近衬底11的一层导热金属15穿过衬底11上的第四通孔K4与密封导热层20接触,密封导热层20可将导热金属15导出的热量传输至散热板19,并且密封导热层20的密闭性良好,能够有效防止密封导热层20与衬底11之间侵入水氧,有效防止穿过第四通孔K4的导热金属15被腐蚀,提高显示面板的性能。
本发明实施例还提供一种显示设备。图11是本发明实施例提供的一种显示设备的结构示意图,如图11所示,本发明实施例提供的显示设备包括本发明任意实施例所述的显示面板1。显示设备可以为如图11中所示的手机,也可以为电脑、电视机、智能穿戴设备等,本实施例对此不作特殊限定。
本发明实施例提供的显示设备包括本发明实施例提供的显示面板的全部技术特征,具备该技术特征具备的有益效果,此处不再赘述。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (19)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底;
驱动电路层;所述驱动电路层设置于所述衬底上,包括多个驱动电路;
多个LED芯片;所述LED芯片位于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧;所述LED芯片与对应驱动电路电连接;所述驱动电路至少包括第一薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管的源极和漏极位于所述驱动电路层的第一金属层;所述第一薄膜晶体管的源极或漏极与对应LED芯片的第一电极电连接;
所述显示面板的至少部分边缘设置有导热胶;
所述衬底上还设置有一层或多层导热金属;至少一层所述导热金属延伸至所述显示面板的边缘,并与所述导热胶接触。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区和非显示区;所述多个LED芯片位于所述显示区;
所述非显示区还包括地线;所述地线围绕所述显示区设置,并与所述导热金属电连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层包括交替设置的金属层和绝缘层;
所述地线远离所述衬底的一侧的绝缘层设置有凹槽结构;所述凹槽结构在所述衬底所在平面的垂直投影覆盖所述地线;
所述导热胶填充所述凹槽结构。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,至少一层所述导热金属在所述衬底所在平面的垂直投影与所述LED芯片至少部分交叠。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层的至少一层金属膜层复用为所述导热金属。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述导热金属包括:第一导热金属和第二导热金属;
所述驱动电路层包括:
第二金属层,包括所述第一薄膜晶体管的栅极、电容的第一极板和所述第一导热金属;
第三金属层,包括所述电容的第二极板和所述第二导热金属;
所述第一金属层设置于所述第三金属层远离所述衬底的一侧,包括公共电极;所述公共电极与所述LED芯片的第二电极电连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述导热金属还包括第三导热金属;
所述驱动电路层还包括:
有源结构层,包括所述第一薄膜晶体管的有源层;
第四金属层,设置于所述衬底和所述有源结构层之间,包括遮光层和所述第三导热金属;所述遮光层在所述衬底所在平面上的投影覆盖所述有源层;所述遮光层与所述第三导热金属绝缘设置。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,在所述第一导热金属、所述第二导热金属和所述第三导热金属中,至少两层相邻导热金属之间电连接。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区和非显示区;所述非显示区还包括地线;所述地线与至少一层所述导热金属电连接;
所述地线设置于所述第一金属层;或者,
所述地线设置于所述第二金属层;或者,
所述地线设置于所述第三金属层;或者,
所述地线设置于所述第四金属层。
10.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,至少一层所述导热金属包括多条沿第一方向延伸的条形结构;
所述条形结构的第一端连接至靠近所述显示区的第一边缘的地线段;所述条形结构的第二端连接至靠近所述显示区的与所述第一边缘相对的第二边缘的地线段;
多个所述LED芯片形成沿第一方向成行排布,并沿第二方向成列排布的阵列结构;所述条形结构在所述衬底所在平面上的垂直投影覆盖对应的一行LED芯片;所述第一方向和所述第二方向相交。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述显示区包括依次连接的所述第一边缘、第三边缘、第二边缘和第四边缘;其中,所述第一边缘和所述第二边缘沿第一方向相对设置,所述第三边缘和所述第四边缘沿第二方向相对设置;
所述显示面板还包括:绑定区;所述绑定区位于所述非显示区内,并靠近所述显示区的第四边缘设置;
所述地线围绕所述显示区的第一边缘、第三边缘及第二边缘设置。
12.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述条形结构上设置有多个镂空图形;
所述镂空图形在所述衬底所在平面上的垂直投影与所述驱动电路至少部分交叠。
13.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述导热胶包括第一部分;
所述第一部分与所述显示面板的边缘侧面贴合。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,所述导热胶还包括:第二部分和第三部分;所述第二部分、第一部分和第三部分依次连接;
所述第二部分与所述显示面板远离所述衬底的表面贴合;所述第三部分与所述显示面板远离所述LED芯片的表面贴合。
15.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:散热板;所述散热板设置于所述衬底远离所述LED芯片的一侧;
所述衬底上形成有第四通孔;所述一层或多层导热金属中靠近所述衬底的一层导热金属穿过所述第四通孔与所述散热板连接。
16.根据权利要求15所述的显示面板,其特征在于,所述一层或多层导热金属中靠近所述衬底的一层导热金属的材料为钼或含钼的合金材料。
17.根据权利要求15所述的显示面板,其特征在于,还包括:密封导热层;所述密封导热层贴附所述衬底远离所述驱动电路层的一侧设置;
所述一层或多层导热金属中靠近所述衬底的一层导热金属穿过所述第四通孔与所述密封导热层接触;所述一层或多层导热金属中靠近所述衬底的一层导热金属通过所述密封导热层与所述散热板连接。
18.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述LED芯片为Mini-LED芯片或Micro-LED芯片。
19.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-18中任一项所述的显示面板。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113658973A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-11-16 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN113889496A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-04 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN114023870A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-02-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制造方法、显示基板、显示装置及控制方法 |
CN115132674A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和一种显示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114613760A (zh) * | 2022-02-09 | 2022-06-10 | 业成科技(成都)有限公司 | 显示面板 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150379923A1 (en) * | 2014-06-25 | 2015-12-31 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor substrate, display panel including the same, and method of manufacturing the same |
CN205213232U (zh) * | 2015-11-18 | 2016-05-04 | 乐视致新电子科技(天津)有限公司 | 一种用于液晶显示设备的散热结构 |
CN108649136A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-10-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性oled显示面板 |
CN109859647A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-07 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110649043A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法 |
CN111123591A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-05-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN112558354A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-03-26 | 华南理工大学 | 一种背光基板以及显示面板 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109216427B (zh) * | 2018-10-25 | 2021-03-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 |
CN111769108A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-13 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
-
2021
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- 2021-09-28 US US17/487,176 patent/US12107079B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150379923A1 (en) * | 2014-06-25 | 2015-12-31 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor substrate, display panel including the same, and method of manufacturing the same |
CN205213232U (zh) * | 2015-11-18 | 2016-05-04 | 乐视致新电子科技(天津)有限公司 | 一种用于液晶显示设备的散热结构 |
CN108649136A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-10-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性oled显示面板 |
CN109859647A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-07 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
US20200312831A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-01 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Display panel and display device |
CN110649043A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法 |
CN111123591A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-05-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN112558354A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-03-26 | 华南理工大学 | 一种背光基板以及显示面板 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113658973A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-11-16 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN113889496A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-04 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN113889496B (zh) * | 2021-09-30 | 2022-10-11 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN114023870A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-02-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制造方法、显示基板、显示装置及控制方法 |
CN115132674A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和一种显示装置 |
CN115132674B (zh) * | 2022-06-30 | 2024-08-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和一种显示装置 |
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