CN113093260B - 一种用于辐射剂量测量的在体测量方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于辐射剂量测量的在体测量方法，其包括谐振腔、磁场扫描模块、磁场调制模块、信号处理和控制模块、微波桥。所述谐振腔，位于磁场调制模块和磁场扫描模块中间，谐振腔具有表面样品检测口，指甲可插入检测口进行在体测量。所述信号处理和控制模块具有信号处理、信号采集、系统控制功能。所述微波桥具有微波发生与检测功能，通过波导与谐振腔连接。本发明可实现指甲中辐射诱发信号的在体电子顺磁共振检测，解决了指甲电子顺磁共振剂量测量方法中因指甲剪切造成的机械诱发信号干扰问题，提高了剂量评估的准确性。
Description
技术领域
本发明涉及电离辐射剂量和电子顺磁共振技术领域，特别是涉及一种用于辐射剂量测量的在体测量方法及装置。
背景技术
在核事故医学应急救援中，对受照人员进行辐射剂量评估是现场伤员分类诊断、紧急救治、应急决策及合理利用有限的救治资源的重要依据。
电离辐射可在多种组织中诱发自由基生成，其中牙齿、骨、指甲、头发等组织的自由基存在时间较长，具有用于剂量重建的价值。跟牙齿、骨相比，指甲更易于测量，其剂量学特性也优于头发，并且在应对比较常见的射线探伤、测厚仪导致的手部局部照射时也具有优势。指甲的主要成分是a角蛋白，电离辐射可在其中诱发自由基生成，其生成量与辐射剂量呈线性关系并具有累加效应。自由基是一种具有不配对电子的基团，可利用电子顺磁共振(Electron Spin Resonance，EPR)方法进行特异性检测，因此可以通过指甲EPR测量实现电离辐射剂量评估。此方法具有测量速度快(数分钟)、可现场实施、辐射特异性好等优势。
目前常用指甲EPR剂量评估的方法是将指甲剪切下来后进行离体(invitro)测量，此方法获得的EPR波谱中包含本底信号(Background Signal，BKG)、辐射诱发信号(Radiation Induced Signal，RIS)和因指甲剪切造成的机械诱发信号(Machine InducedSignal，MIS)。MIS的特征与RIS类似，在一定程度上覆盖了RIS，并且目前采用的RIS和MIS分离方法都存在一定的限制，导致了剂量评估误差较大、剂量值下限较高等问题，这是影响当前指甲EPR剂量评估方法实用性的主要瓶颈。如果能够实现指甲在体测量，即不剪碎指甲而是直接进行测量，则可以避免MIS信号的生成，从根本上解决MIS对RIS干扰的问题。
本发明针对指甲在体EPR测量的需求，设计了新的指甲在体电子顺磁共振测量装置，通过具有表面检测口的谐振腔，再辅以配套的磁场调制和扫描磁场模块，满足电子顺磁共振必要的物理条件。跟牙齿相比，指甲在体测量更加简单易行。但跟指甲离体测量方法相比，该方法解决了因指甲剪切造成的机械诱发信号干扰问题，提高了剂量评估的准确度。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提出一种用于辐射剂量测量的在体测量方法及装置，本发明涉及用于辐射剂量测量的在体测量方法及装置，其包括谐振腔、磁场扫描模块、磁场调制模块、信号处理和控制模块、微波桥组成。所述谐振腔，位于磁场调制模块和磁场扫描模块中间，谐振腔具有表面样品检测口，指甲可插入检测口进行在体测量。所述信号处理和控制模块具有信号处理、信号采集、系统控制功能。所述微波桥具有微波发生与检测功能，通过波导与谐振腔连接。本发明可实现指甲中辐射诱发信号的在体电子顺磁共振检测，解决了指甲电子顺磁共振剂量测量方法中因指甲剪切造成的机械诱发信号干扰问题，提高了剂量评估的准确性。
本发明的技术方案如下：
一种用于辐射剂量测量的在体测量装置，其包括谐振腔、调配器、耦合结构以及调谐螺栓；所述谐振腔为中空的腔体，以约束其内的微波；所述谐振腔表面设置样品检测口，所述谐振腔与调配器连接，所述调配器通过波导连接至微波桥；所述调配器内有微波耦合结构，所述微波耦合结构上设置耦合孔，通过所述耦合孔以及设置在所述耦合孔处的调谐螺栓调节其耦合系数。
优选地，所述样品检测口为窄缝检测口；所述窄缝检测口的高度为0.8mm-2mm；所述窄缝口在谐振腔的第一侧面的整个宽度方向上延伸；所述谐振器内微波电磁场为TE101模；所述谐振腔的前部设置窄缝检测口；所述谐振腔的后部设置开口，所述谐振腔的后部连接至所述调配器；在所述开口于所述调配器之间设置金属薄板，所述谐振腔通过所述金属薄板连接至所述调配器；耦合孔开设在所述金属薄板上；通过所述调谐螺栓与所述耦合孔的相对位置以调节耦合孔的大小，进而调节耦合系数。
一种用于辐射剂量测量的在体测量方法，其具体包括如下步骤：
对样品进行预处理，对待测样品进行清理并进行样本记录，以便后期进行剂量矫正；
测量标准样品，并记录标准样品的波谱线；
通过S2中测得的样品波谱线调整用于辐射剂量测量的在体测量装置的初始测量，对用于辐射剂量测量的在体测量装置进行校准，
测量待测部位的厚度h，将待测部位伸入至用于辐射剂量测量的在体测量装置的表面样品检测口中，进行在体测量，记录测量值。
优选地，所述扫描磁场、谐振腔内微波磁场满足
ΔE＝hv＝gβH0
其中h为普朗克常数，v的谐振腔微波频率，ΔE是谐振腔微波的能量，β是电子的Bohr磁子，g是电子的Lande因子，H0是扫描磁场磁感应强度。
优选地，所述扫描磁场为逐渐线性变化的磁场。
优选地，所述磁场调制强度为0.05-1mT，频率为5-100kHz。
优选地，所述装置采用磁场快速扫描后波谱累加的方式降低测量过程中振动干扰。
一种用于辐射剂量测量的在体测量方法，其具体包括如下步骤：
S1：测量标准样品，获得标准样品的波谱线；确定本次测量的灵敏度校正因子η；
S2：对待测样品进行预处理，根据待测样品的尺寸与检测装置的狭缝检测口的尺寸，确定体积校正因子；
S3：将待测部位伸入至用于辐射剂量在体测量装置的狭缝检测口中进行在体测量，获得待测样品的波谱线，得到待测样品中的信号强度P1；
S4：所S3中所获得的待测样品中的信号强度进行校正，获得归一化被测样品信号强度P2；
S5：确定剂量与信号强度关系曲线；得到信号强度随剂量的变化，确定剂量检测下限；
S6：根据归一化被测样品信号强度P2，与剂量与信号强度关系曲线进行比对，获得评估剂量D；
若评估剂量D小于剂量检测下限的1.5-2倍，即若评估剂量D接近剂量-信号强度对应关系曲线左端，则转入S7，所述剂量与信号强度对应关系曲线的左端为低剂量端；
剂量评估结果大于预期剂量评估结果的1.5-2倍，或剂量评估结果小于预期剂量评估结果的50％，则判定本次剂量评估结果与预期剂量评估结果D’的偏差较大，则转入S7；
S7：可对待测样品进行补充照射，并进行二次测量，补充照射的照射剂量Da与评估剂量D一致；进一步提高剂量评估的准确性，获得待测样本的实际照射剂量Ds；
优选地，所述标准样品为Mn2+样品粉末。
优选地，所述待测样品的尺寸包括指甲样本游离端长度L、指甲样本游离端宽度W以及指甲样本游离端厚度T，所述体积校正因子λ为：
其中，L0为狭缝检测口的深度，W0为狭缝检测口的宽度。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
一种用于辐射剂量测量的在体测量方法及装置其包括谐振腔、磁场扫描模块、磁场调制模块、信号处理和控制模块、微波桥。所述谐振腔，位于磁场调制模块和磁场扫描模块中间，谐振腔具有表面样品检测口，指甲可插入检测口进行在体测量。所述信号处理和控制模块具有信号处理、信号采集、系统控制功能。所述微波桥具有微波发生与检测功能，通过波导与谐振腔连接。本发明可实现指甲中辐射诱发信号的在体电子顺磁共振检测，解决了指甲电子顺磁共振剂量测量方法中因指甲剪切造成的机械诱发信号干扰问题，提高了剂量评估的准确性。
本发明的用于辐射剂量测量的在体测量方法及装置，其次采用检测口式谐振腔作为谐振器，可对指甲进行在体直接测量；采用在体测量方式，解决了一般测量方法需要对指甲进行剪切造成机械诱发信号干扰的问题；采用指甲作为测量样本，其避免采用牙齿含水样本时微波严重衰减从而影响检测效果的问题；同时指甲暴露于体表，相比于牙齿、骨等样本而言，操作简单易于进行，且对手部局部照射的剂量检测具有优势。本方法的克服了常用的基于遗传学方法进行辐射剂量评估过程耗时长的问题，本发明的装置能够进行快速剂量检测，其得到检测结果仅仅需要3分钟至5分钟。
附图说明
本发明上述和/或附加方面的优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是根据本发明的用于辐射剂量计量的在体测量方法的流程示意图。
图2是根据本发明的用于辐射剂量计量的在体测量装置的结构示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
一种用于辐射剂量测量的在体测量方法，其具体包括如下步骤：
SS1：对样品进行预处理；
优选地，在进行在体测量之前，对样品进行清理并进行样本记录，以便后期进行剂量矫正；
SS2：对用于辐射剂量测量的在体测量装置进行校准，测量标准样品，并记录标准样品的波谱线；
SS3：通过SS2中测得的样品波谱线调整用于辐射剂量测量的在体测量装置的初始测量；
SS4：测量待测部位的厚度h，将待测部位伸入至用于辐射剂量测量的在体测量装置的表面样品检测口中，进行在体测量，记录测量值；
优选地，所述用于辐射剂量测量的在体测量装置，其包括谐振腔、磁场扫描模块、磁场调制模块、微波桥以及信号处理和控制模块。所述谐振腔，位于磁场调制模块和磁场扫描模块中间，谐振腔具有表面样品检测口，指甲可插入检测口进行在体测量。所述检测口为窄缝检测口。通过所述信号处理和控制模块进行信号采集、信号处理、信号采集以及系统控制。所述波导的第一端通过紧固件连接至所述调配器。波导的第二端连接至微波桥。
优选地，所述磁场扫描模块、磁场调制模块位于谐振腔两侧，在谐振腔样品检测口位置产生扫描磁场、调制磁场。所述扫描磁场、谐振腔内微波磁场满足
ΔE＝hv＝gβH0
其中h为普朗克常数，v的谐振腔微波频率，ΔE是谐振腔微波的能量，β是电子的Bohr磁子，g是电子的Lande因子，H0是扫描磁场磁感应强度。
所述扫描磁场为逐渐线性变化的磁场。所述磁场调制强度为0.05-1mT，频率为5-100kHz。所述装置采用磁场快速扫描后波谱累加的方式降低测量过程中振动干扰。
所述谐振腔具有可对指甲进行不剪切直接在体测量的样品检测口。
一种用于辐射剂量的在体测量方法，如图1所示，其具体包括如下步骤：
S1：测量标准样品，获得标准样品的波谱线；确定本次测量的灵敏度校正因子η；
优选地，使用所采用的测量装置对标准样品进行测量，获得标准样品在本次测量中的波谱线，得到本次测量中标准样品的测量强度P0′，将本次测量中标准样品的测量强度P0′与标准样品的初始信号强度P0进行对比，以便判定η＝P0/P0’是否需要对所采用的测量装置进行校正；
其中η为灵敏度校正因子。
本次测量中标准样品的测量强度P0′与标准样品的初始信号强度P0进行对比：
当1-α≤η≤1+α，判定需要待测样品中信号强度进行校正；
当η＞1+α或η＜1-α，应对所采用的仪器和测量参数进行检查，其中α为偏差阈值；
所述标准样品为Mn2+样品粉末。
优选地，将标准样品，置于直径1mm的玻璃样品管中，样品长度1mm。选择标准样品信号第三峰的峰-峰值作为标准样品信号强度P0′。
所采用的测量装置为用于辐射剂量计量的在体测量装置，其包括谐振腔、调配器、磁铁、耦合结构以及调谐螺栓。所述谐振腔上设置检测口，所述检测口为窄缝检测口，所述谐振腔与调配器连接，所述谐振腔与所述调配器之间设置耦合结构，谐振腔的耦合结构通过调谐螺栓调节其耦合系数，通过调谐螺栓所述调配器通过波导连接至微波桥。所述磁铁包括第一磁铁和第二磁铁，所述第一磁铁和所述第二磁铁分别位于谐振腔的外部的两侧。更进一步地，所述第一磁铁和第二磁铁形成预设磁场，所述磁场为TE101模。优选地，所述谐振腔为中空的腔体。所述谐振腔配置用于约束其内的微波。所述谐振腔的前部设置窄缝检测口，指甲从所述窄缝检测口处伸入所述谐振腔内；所述谐振腔的样品检测口为具有可对指甲进行不剪切直接在体测量的样品检测口。所述谐振腔的后部设置开口，所述谐振腔的后部连接至所述调配器，例如，连接至所述调配器的第一侧部。
具体地，所述谐振腔具有第一侧部、第二侧部、第三侧部、第四侧部和第五侧部和后部，谐振腔的第一侧部为谐振腔的前部，所述谐振腔的第二侧部为所述谐振腔的左侧部，所述谐振腔的第三侧部为所述谐振腔的右侧部，所述谐振腔的第四侧部为所述谐振腔的上部，所述谐振腔的第五侧部为所述谐振腔的下部，所述窄缝检测口设置在所述谐振腔的第一侧部。
优选地，所述窄缝检测口的高度为1mm-2mm，如此设置以便更好地进行辐射检测；若窄缝检测口高度不够，会影响受测样本进入谐振腔，若窄缝检测口高度过大，会降低检测灵敏度。所述窄缝口在所述谐振腔的第一侧面的整个宽度方向上延伸。
更进一步地，在所述开口于所述调配器之间设置金属薄板，也就是说，所述谐振腔通过所述金属薄板连接至所述调配器。所述金属薄板开设有耦合孔。所述调配器上设置有调整口，所述调谐螺栓拧入所述调整口，所述调谐的为金属帽，所述调谐螺栓的上部设置有操作部，所述调谐螺栓的下部深入至所述调整口内，通过所述调谐螺栓与所述耦合孔的相对位置以调节耦合孔的大小，进而调节耦合系数。
优选地，所述调整口设置在所述调配器的顶部。
优选地，所述波导连接至所述调配器的第二侧面，所述调配器的第二侧面与所述调配器的第一侧面相对设置。优选地，所述波导通过紧固件连接至所述调配器。
所述谐振腔的第二侧部或第三侧部上设置样品孔，所述样品孔中设置标样，标样为标准样品。
更为具体地，所述用于辐射剂量测量的在体测量装置，其包括谐振腔、磁场扫描模块、磁场调制模块、微波桥以及信号处理和控制模块。所述谐振腔，位于磁场调制模块和磁场扫描模块中间，谐振腔具有表面样品检测口，指甲可插入检测口进行在体测量。所述检测口为窄缝检测口。通过所述信号处理和控制模块进行信号采集、信号处理、信号采集以及系统控制。所述波导的第一端通过紧固件连接至所述调配器。波导的第二端连接至微波桥。
优选地，所述磁场扫描模块、磁场调制模块位于谐振腔两侧，在谐振腔样品检测口位置产生扫描磁场、调制磁场。所述扫描磁场、谐振腔内微波磁场满足
ΔE＝hv＝gβH0
其中h为普朗克常数，v的谐振腔微波频率，ΔE是谐振腔微波的能量，β是电子的Bohr磁子，g是电子的Lande因子，H0是扫描磁场磁感应强度。
所述扫描磁场为逐渐线性变化的磁场。所述磁场调制强度为0.05-1mT，频率为5-100kHz。所述装置采用磁场快速扫描后波谱累加的方式降低测量过程中振动干扰。
S2：对待测样品进行预处理，根据待测样品的尺寸与检测装置的狭缝检测口的尺寸，确定体积校正因子；
优选地，对待测样品进行清理，擦除表面污渍。
优选地，所述待测样品为指甲；
优选地，所述待测样品的尺寸包括指甲样本游离端长度L、指甲样本游离端宽度W以及指甲样本游离端厚度T，计算体积校正因子λ：
其中，L0为狭缝检测口的深度，W0为狭缝检测口的宽度；
S3：将待测部位伸入至用于辐射剂量在体测量装置的狭缝检测口中进行在体测量，获得待测样品的波谱线，得到待测样品中的信号强度P1；
优选地，选择谱线信号的峰-峰值作为被测样品信号强度P1。
依次对所选定的待测样品进行多测重复测量，标记本次测量时间t1；所述本次测量时间t1为事故发生至本次测量所经过的时间。
优选地，所述重复测量的次数为10-30次，得到各谱线，单次测量的扫描持续时间T1-T2秒，优选地，扫描持续时间为0.1-10s。
对测量结果进行累加处理，以提高所选定样品的测量谱线的信噪比。优选地，对重复测量所得到所测得的信号强度进行累加，例如，谱线的纵轴进行累加。
进行样本登记，包括样本来源人个人资料，取样位置，例如，左右手、手指序号；
S4：所S3中所获得的待测样品中的信号强度进行校正，获得归一化被测样品信号强度P2。
优选地，待测样品中的信号强度P1的校正包括体积校正、灵敏度校正和时间校正；
优选地，首先对待测样品中的信号强度P1进行体积校正和灵敏度校正；
P′2＝λ×P1×η
其中，λ为体积校正因子；
P1为被测样品信号强度；
η为灵敏度校正因子；
P′2为进行体积校正和灵敏度校正后的待测样品中的信号强度；
然后，对其进行时间校正；
P2＝P′2·(a·e-b·t+c)-1
其中a、b、c为指甲ESR波谱信号随时间衰减的参数，a为比例系数；b为衰减速度系数；c为尾部系数；
P2为归一化被测样品信号强度；
t为照后时间；
优选地，比例系数a、衰减速度系数b、尾部系数c的确定方法如下：
采用10-50Gy照射配置用于进行系数确定的指甲样品照射不同时间t进行ESR检测，获得一组波谱信号强度I(t)与照后时间t，并对其进行拟合；所述拟合的衰减方程为I(t)＝I0·(a·e-b·t+c)，其中，I0为照后立即测量获得波谱的信号强度；
I(t)为照后t时间进行测量获得波谱的信号强度；
S5：确定剂量与信号强度关系曲线；得到信号强度随剂量的变化，确定剂量检测下限；
优选地，测量一组已知剂量样本，并按照S1至S4步骤获得归一化被测样品信号强度，通过线性拟合方法绘制剂量-信号强度对应关系曲线，所述曲线的横轴为剂量，纵轴为归一化被测样品信号强度；
S6：根据归一化被测样品信号强度P2，与剂量与信号强度关系曲线进行比对，获得评估剂量D；
优选地，若评估剂量D小于剂量检测下限的1.5-2倍，即若评估剂量D接近剂量-信号强度对应关系曲线左端，则转入S7，所述剂量与信号强度对应关系曲线的左端为低剂量端；
优选地，剂量评估结果大于预期剂量评估结果的1.5-2倍，或剂量评估结果小于预期剂量评估结果的50％，则判定本次剂量评估结果与预期剂量评估结果D’的偏差较大，则转入S7；
优选地，若评估剂量D小于剂量检测下限的2倍，即若评估剂量D接近剂量-信号强度对应关系曲线左端，则转入S7，所述剂量与信号强度对应关系曲线的左端为低剂量端；
优选地，剂量评估结果大于预期剂量评估结果的2倍，或剂量评估结果小于预期剂量评估结果的50％，则判定本次剂量评估结果与预期剂量评估结果D’的偏差较大，则转入S7；
S7：可对待测样品进行补充照射，并进行二次测量，补充照射的照射剂量Da与评估剂量D一致；进一步提高剂量评估的准确性，获得待测样本的实际照射剂量Ds；
优选地，二次测量为离体测量；补充照射时应将指甲样品整体剪下，避免剪碎。
补充照射后对指甲样品进行再次测量，并获得补充照射后的评估剂量D+。样本实际照射剂量Ds；
Ds＝D+-Da
其中，
Ds为样本实际照射剂量；
D+为补充照射后的评估剂量；
Da为补充照射的照射剂量。
根据本发明实施例的用于辐射剂量计量的在体测量装置，其包括谐振腔、调配器2、磁铁、耦合结构以及调谐螺栓3。所述谐振腔1上设置检测口4，所述检测口为窄缝检测口，所述谐振腔与调配器连接，所述谐振腔与所述调配器之间设置耦合结构，谐振腔的耦合结构通过调谐螺栓3调节其耦合系数，通过调谐螺栓所述调配器通过波导11连接至微波桥。
优选地，所述磁铁5包括第一磁铁和第二磁铁，所述第一磁铁和所述第二磁铁分别位于谐振腔的外部的两侧。更进一步地，所述第一磁铁和第二磁铁形成预设磁场，所述磁场为TE101模。优选地，所述谐振腔为中空的腔体。
优选地，所述谐振腔配置用于约束其内的微波。所述谐振腔的前部设置窄缝检测口，指甲从所述窄缝检测口处伸入所述谐振腔内。
所述谐振腔的后部设置开口，所述谐振腔的后部连接至所述调配器，例如，连接至所述调配器的第一侧部。
具体地，所述谐振腔具有第一侧部、第二侧部、第三侧部、第四侧部和第五侧部和后部，谐振腔的第一侧部为谐振腔的前部，所述谐振腔的第二侧部为所述谐振腔的左侧部，所述谐振腔的第三侧部为所述谐振腔的右侧部，所述谐振腔的第四侧部为所述谐振腔的上部，所述谐振腔的第五侧部为所述谐振腔的下部，所述窄缝检测口设置在所述谐振腔的第一侧部。
优选地，所述窄缝检测口的高度为1mm-2mm，如此设置以便更好地进行辐射检测；若窄缝检测口高度不够，会影响受测样本进入谐振腔，若窄缝检测口高度过大，会降低检测灵敏度。所述窄缝口在所述谐振腔的第一侧面的整个宽度方向上延伸。
更进一步地，在所述开口于所述调配器之间设置金属薄板，也就是说，所述谐振腔通过所述金属薄板连接至所述调配器。所述金属薄板开设有耦合孔。所述调配器上设置有调整口，所述调谐螺栓拧入所述调整口，所述调谐的为金属帽，所述调谐螺栓的上部设置有操作部，所述调谐螺栓的下部深入至所述调整口内，通过所述调谐螺栓与所述耦合孔的相对位置以调节耦合孔的大小，进而调节耦合系数。
优选地，所述调整口设置在所述调配器的顶部。
优选地，所述波导连接至所述调配器的第二侧面，所述调配器的第二侧面与所述调配器的第一侧面相对设置。优选地，所述波导通过紧固件连接至所述调配器。
所述谐振腔的第二侧部或第三侧部上设置样品孔，所述样品孔中设置标样。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或全部技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连通”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连通，也可以通过中间媒介间接连通，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“至少三个”的含义是两个或两个以上。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种用于辐射剂量测量的在体测量方法，其特征在于，其具体包括如下步骤：
S1：测量标准样品，获得标准样品的波谱线；确定本次测量的灵敏度校正因子η；
S2：对待测样品进行预处理，根据待测样品的尺寸与检测装置的狭缝检测口的尺寸，确定体积校正因子；
所述待测样品的尺寸包括指甲样本游离端长度L、指甲样本游离端宽度W以及指甲样本游离端厚度T，所述体积校正因子λ为：
其中，L0为狭缝检测口的深度，W0为狭缝检测口的宽度；
S3：将待测部位伸入至用于辐射剂量在体测量装置的狭缝检测口中进行在体测量，获得待测样品的波谱线，得到待测样品中的信号强度P1；
S4：所S3中所获得的待测样品中的信号强度进行校正，获得归一化被测样品信号强度P2；
S5：确定剂量与信号强度关系曲线；得到信号强度随剂量的变化，确定剂量检测下限；
S6：根据归一化被测样品信号强度P2，与剂量与信号强度关系曲线进行比对，获得评估剂量D；
若评估剂量D小于剂量检测下限的1.5-2倍，即若评估剂量D接近剂量-信号强度对应关系曲线左端，则转入S7，所述剂量与信号强度对应关系曲线的左端为低剂量端；
剂量评估结果大于预期剂量评估结果的1.5-2倍，或剂量评估结果小于预期剂量评估结果的50％，则判定本次剂量评估结果与预期剂量评估结果D’的偏差较大，则转入S7；
S7：可对待测样品进行补充照射，并进行二次测量，补充照射的照射剂量Da与评估剂量D一致；进一步提高剂量评估的准确性，获得待测样本的实际照射剂量Ds。
2.如权利要求1所述的用于辐射剂量测量的在体测量方法，其特征在于，所述标准样品为Mn2+样品粉末。
3.一种基于权利要求1至2任意一项所述的用于辐射剂量测量的在体测量方法的在体测量装置，其特征在于，其包括谐振腔、调配器、耦合结构以及调谐螺栓；所述谐振腔为中空的腔体，以约束其内的微波；所述谐振腔表面设置样品检测口，所述谐振腔与调配器连接，所述调配器通过波导连接至微波桥；所述调配器内有微波耦合结构，所述微波耦合结构上设置耦合孔，通过所述耦合孔以及设置在所述耦合孔处的调谐螺栓调节其耦合系数；所述样品检测口为窄缝检测口；所述窄缝检测口的高度为0.8mm-2mm；所述窄缝口在谐振腔的第一侧面的整个宽度方向上延伸；所述谐振器内微波电磁场为TE101模；所述谐振腔的前部设置窄缝检测口；所述谐振腔的后部设置开口，所述谐振腔的后部连接至所述调配器；在所述开口于所述调配器之间设置金属薄板，所述谐振腔通过所述金属薄板连接至所述调配器；耦合孔开设在所述金属薄板上；通过所述调谐螺栓与所述耦合孔的相对位置以调节耦合孔的大小，进而调节耦合系数。
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