CN113093067B - 一种超导量子干涉传感器系统及其抑制输出偏移的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种超导量子干涉传感器系统及其抑制输出偏移的方法，所述方法包括：提供超导量子干涉传感器系统，并于其中增设引线电阻表征件；获取不同液面高度下引线电阻表征件的引线电阻及超导量子干涉器件的输出偏移量，并对二者进行线性拟合以得到引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系；基于引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系，得到当前液面高度下引线电阻表征件的引线电阻所对应的输出偏移量，并以此产生偏置电压补偿量来对SQUID读出电路提供的偏置电压进行修正，从而抑制超导量子干涉器件的输出偏移。通过本发明的超导量子干涉传感器系统及其抑制输出偏移的方法，解决了现有超导量子干涉器件因低温引线所引起的输出偏移的问题。

Description

一种超导量子干涉传感器系统及其抑制输出偏移的方法

技术领域

本发明涉及超导领域，特别是涉及一种超导量子干涉传感器系统及其抑制输出偏移的方法。

背景技术

作为一种高灵敏的磁传感器，超导量子干涉器件广泛地应用于微弱磁场的测量，如生物磁、地球物理、低场核磁共振等。

超导量子干涉器件通常需要工作于低温条件，如4.2K液氦温度，其输出通过低温引线连接至SQUID读出电路，实现超导量子干涉器件的读出。为此，超导量子干涉传感器系统至少包括低温腔体、超导量子干涉器件、低温引线和SQUID读出电路四个部分。正常条件下，所述SQUID读出电路通过低温引线提供偏置电流和偏置电压，将超导量子干涉器件置于最佳工作状态并进行锁定，以实现磁场或磁通信号的线性读出。实际工作过程中，随着液氦的损耗，低温腔体的液面高度会逐渐下降，导致低温引线的引线电阻发生变化，从而使得超导量子干涉器件的输出呈现一定偏移；严重情况下，超导量子干涉器件甚至无法锁定，从而影响超导量子干涉器件的正常工作。

为此，一个通常的操作方法是：根据超导量子干涉器件的输出偏移量，人为调整SQUID读出电路提供给超导量子干涉器件的偏置电压，以确定优化的工作点。该方法虽然有一定效果，但需要每天人为进行参数调整，比较繁琐，不利于实际的应用及推广。鉴于此，如何有效地抑制超导量子干涉器件低温引线所引起的输出漂移，是超导量子干涉器件应用面临的一个重要问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种超导量子干涉传感器系统及其抑制输出偏移的方法，用于解决现有超导量子干涉器件因低温引线所引起的输出偏移的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种抑制超导量子干涉器件输出偏移的方法，所述方法包括：

提供一超导量子干涉传感器系统，并于所述超导量子干涉传感器系统中增设一引线电阻表征件；所述超导量子干涉传感器系统包括：装有低温液体的低温腔体、超导量子干涉器件、低温引线及SQUID读出电路，所述超导量子干涉器件置于所述低温腔体内的低温液体中，所述SQUID读出电路置于所述低温腔体外且通过所述低温引线与所述超导量子干涉器件连接；所述引线电阻表征件的一端置于所述低温腔体内的低温液体中，其另一端引出至所述低温腔体外，用于表征所述低温引线中的偏置电流引线在不同液面高度下的引线电阻；

获取不同液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻及所述超导量子干涉器件的输出偏移量，并对获取的引线电阻及输出偏移量进行线性拟合，以得到引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系；

基于引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系，得到当前液面高度下引线电阻表征件的引线电阻所对应的输出偏移量，并以此产生偏置电压补偿量来对所述SQUID读出电路提供的偏置电压进行修正，从而抑制所述超导量子干涉器件的输出偏移。

可选地，所述引线电阻表征件包括：一组表征引线，其规格、长度及插入所述低温液体中的深度均与所述低温引线中的偏置电流引线相同。

可选地，获取不同液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻的方法包括：在不同液面高度下，基于四线法测量对应液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻，从而获取不同液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻。

本发明还提供了一种超导量子干涉传感器系统，所述超导量子干涉传感器系统包括：

低温腔体，内部装有低温液体，用于提供低温环境；

超导量子干涉器件，置于所述低温腔体内的低温液体中，用于探测其所在位置处的磁场变化，并将探测的磁信号转换为电信号输出；

SQUID读出电路，置于所述低温腔体外且通过低温引线与所述超导量子干涉器件连接，用于通过所述低温引线为所述超导量子干涉器件提供偏置电流和偏置电压，以设定所述超导量子干涉器件的工作点并对其进行锁定，及通过所述低温引线读取所述超导量子干涉器件输出的电信号；

引线电阻表征件，其一端置于所述低温腔体内的低温液体中，其另一端引出至所述低温腔体外，用于表征所述低温引线中的偏置电流引线在不同液面高度下的引线电阻；

偏置电压补偿电路，置于所述低温腔体外且与所述引线电阻表征件的另一端连接，用于根据引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系，得到当前液面高度下引线电阻表征件的引线电阻所对应的输出偏移量，并以此产生偏置电压补偿量来对所述SQUID读出电路提供的偏置电压进行修正。

可选地，所述低温腔体包括低温无磁杜瓦，其中，所述低温液体包括低温液氦或低温液氮。

可选地，所述超导量子干涉器件包括：

磁探测传感器，用于探测其所在位置处的磁场变化；

SQUID电流计，与所述磁探测传感器的输出端连接，用于将所述磁探测传感器探测的磁信号转换为电信号输出；

其中，所述磁探测传感器选自磁强计、一阶平面梯度计、一阶轴向梯度计、二阶平面梯度计及二阶轴向梯度计中的一种。

可选地，所述引线电阻表征件包括：一组表征引线，其规格、长度及插入所述低温液体中的深度均与所述低温引线中的偏置电流引线相同。

可选地，所述偏置电压补偿电路包括：比例放大器、加法器及电压取反器，所述比例放大器的输入端与所述引线电阻表征件的另一端连接，所述比例放大器的输出端与所述加法器的一输入端连接，所述加法器的另一输入端接入设定值，所述加法器的输出端与所述电压取反器的输入端连接，所述电压取反器的输出端作为所述偏置电压补偿电路的输出端；其中，所述比例放大器的放大比例及所述设定值均根据引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系来确定。

可选地，所述超导量子干涉传感器系统还包括：

引线电阻测量电路，与所述引线电阻表征件的另一端连接，用于在不同液面高度下，测量所述引线电阻表征件的引线电阻；

线性变化关系获取电路，与所述引线电阻测量电路的输出端及所述SQUID读出电路的输出端连接，用于获取不同液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻及所述超导量子干涉器件的输出偏移量，并对获取的引线电阻及输出偏移量进行线性拟合，以得到引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系。

如上所述，本发明的一种超导量子干涉传感器系统及其抑制输出偏移的方法，通过在现有超导量子干涉传感器系统的基础上增设一独立的引线电阻表征件，来表征低温引线中偏置电流引线的引线电阻，并基于不同液面高度下引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系，来获取当前液面高度下引线电阻表征件的引线电阻所对应的输出偏移量，以此产生偏置电压补偿量来对偏置电压进行自动修正，实现实时动态调整超导量子干涉器件的参数，使其获得最优的工作点，从而实现超导量子干涉器件的稳定输出，避免超导量子干涉器件出现因引线电阻变化引起的输出偏移问题。

附图说明

图1显示为本发明所述抑制超导量子干涉器件输出偏移方法的流程图。

图2显示为本发明所述引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系的示意图。

图3显示为本发明所述超导量子干涉传感器系统中包括偏置电压补偿电路的结构示意图。

图4显示为本发明所述超导量子干涉传感器系统中包括引线电阻测量电路及线性变化关系获取电路的结构示意图。

元件标号说明

100 超导量子干涉传感器系统

101 低温腔体

102 低温液体

103 超导量子干涉器件

104 SQUID读出电路

105 低温引线

106 引线电阻表征件

107 偏置电压补偿电路

108 引线电阻测量电路

109 线性变化关系获取电路

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。

实施例一

如图1所示，本实施例提供一种抑制超导量子干涉器件输出偏移的方法，所述方法包括：

步骤1)提供一超导量子干涉传感器系统，并于所述超导量子干涉传感器系统中增设一引线电阻表征件；

所述超导量子干涉传感器系统包括：装有低温液体的低温腔体、超导量子干涉器件、低温引线及SQUID读出电路；其中，所述低温腔体用于提供低温环境；所述超导量子干涉器件置于所述低温腔体内的低温液体中，用于探测其所在位置处的磁场变化，并将探测的磁信号转换为电信号输出；所述SQUID读出电路置于所述低温腔体外且通过所述低温引线与所述超导量子干涉器件连接，用于通过所述低温引线为所述超导量子干涉器件提供偏置电流和偏置电压，以设定所述超导量子干涉器件的工作点并对其进行锁定，及通过所述低温引线读取所述超导量子干涉器件输出的电信号；

所述引线电阻表征件的一端置于所述低温腔体内的低温液体中，其另一端引出至所述低温腔体外，用于表征所述低温引线中的偏置电流引线在不同液面高度下的引线电阻。

具体的，所述低温腔体为低温无磁杜瓦，所述低温液体为低温液氦或低温液氮。所述超导量子干涉器件包括：磁探测传感器，用于探测其所在位置处的磁场变化；SQUID电流计，与所述磁探测传感器的输出端连接，用于将所述磁探测传感器探测的磁信号转换为电信号输出；其中，所述磁探测传感器选自磁强计、一阶平面梯度计、一阶轴向梯度计、二阶平面梯度计及二阶轴向梯度计中的一种。所述低温引线包括：一组偏置电压引线、一组偏置电流引线及一组加热电阻引线；其中，所述偏置电压引线用于将所述SQUID读出电路提供的偏置电压传输至所述超导量子干涉器件；所述偏置电流引线用于将所述SQUID读出电路提供的偏置电流传输至所述超导量子干涉器件，并将所述超导量子干涉器件输出的电信号传输至所述SQUID读出电路；所述加热电阻引线用于对所述超导量子干涉器件进行加热。所述SQUID读出电路为现有任一种可向超导量子干涉器件提供偏置电流和偏置电压，及读取超导量子干涉器件输出电信号的电路结构，本示例对其具体电路结构不做限定。

具体的，所述引线电阻表征件包括：一组表征引线，其规格、长度及插入所述低温液体中的深度均与所述低温引线中的偏置电流引线相同。实际应用中，通常将该组表征引线和所述低温引线绑在一起，以便于实现插入低温液体的深度相同。需要注意的是，此处所述“规格相同”是指两组引线的型号、线规、线数、线径、绝缘厚度等参数均相同。

步骤2)获取不同液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻及所述超导量子干涉器件的输出偏移量，并对获取的引线电阻及输出偏移量进行线性拟合，以得到引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系。

具体的，获取不同液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻的方法包括：在不同液面高度下，基于四线法测量对应液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻，从而获取不同液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻。实际应用中，可采用电阻测试仪来实现，即将电阻测试仪连接于引线电阻表征件的另一端，以在不同液面高度下，基于电阻测试仪的四线法来测量对应液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻。

具体的，获取不同液面高度下所述超导量子干涉器件的输出偏移量的方法包括：在不同液面高度下，对所述SQUID读出电路读取的电压信号的峰峰值求平均，以得到对应液面高度下超导量子干涉器件的输出偏移量，从而获取不同液面高度下所述超导量子干涉器件的输出偏移量。

具体的，引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系满足如下公式：Offset_Vo＝k*Wire_R+b，其中，Offset_Vo为超导量子干涉器件的输出偏移量，Wire_R为引线电阻表征件的引线电阻，k、b均为常数(如图2所示)。

步骤3)基于引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系，得到当前液面高度下引线电阻表征件的引线电阻所对应的输出偏移量，并以此产生偏置电压补偿量来对所述SQUID读出电路提供的偏置电压进行修正，从而抑制所述超导量子干涉器件的输出偏移。

具体的，对所述SQUID读出电路提供的偏置电压进行修正的方法包括：基于引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系，于所述引线电阻表征件和所述SQUID读出电路之间搭建偏置电压补偿电路，以使所述偏置电压补偿电路根据当前液面高度下引线电阻表征件的引线电阻产生对应的输出偏移量，并以此产生偏置电压补偿量来对所述SQUID读出电路提供的偏置电压进行修正。进一步地，所述偏置电压补偿电路包括：比例放大器、加法器及电压取反器，所述比例放大器的输入端与所述引线电阻表征件的另一端连接，所述比例放大器的输出端与所述加法器的一输入端连接，所述加法器的另一输入端接入设定值，所述加法器的输出端与所述电压取反器的输入端连接，所述电压取反器的输出端作为所述偏置电压补偿电路的输出端，用以产生偏置电压补偿量；其中，所述比例放大器的放大比例及所述设定值均根据引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系来确定，即所述比例放大器的放大比例为引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系公式中的k，所述设定值为引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系公式中的b。实际应用中，电压取反器可采用减法器来实现，即通过0与加法器输出的输出偏移量做减法来实现输出偏移量的取反，以此得到偏置电压补偿量；当然，其它能够实现取反功能的电路也同样适用于本示例。

实施例二

如图3所示，本实施例提供一种超导量子干涉传感器系统，所述超导量子干涉传感器系统100包括：

低温腔体101，内部装有低温液体102，用于提供低温环境；

超导量子干涉器件103，置于所述低温腔体101内的低温液体102中，用于探测其所在位置处的磁场变化，并将探测的磁信号转换为电信号输出；

SQUID读出电路104，置于所述低温腔体101外且通过低温引线105与所述超导量子干涉器件103连接，用于通过所述低温引线105为所述超导量子干涉器件103提供偏置电流和偏置电压，以设定所述超导量子干涉器件103的工作点并对其进行锁定，及通过所述低温引线105读取所述超导量子干涉器件103输出的电信号；

引线电阻表征件106，其一端置于所述低温腔体101内的低温液体102中，其另一端引出至所述低温腔体101外，用于表征所述低温引线105中的偏置电流引线在不同液面高度下的引线电阻；

偏置电压补偿电路107，置于所述低温腔体101外且与所述引线电阻表征件106的另一端连接，用于根据引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系，得到当前液面高度下引线电阻表征件106的引线电阻所对应的输出偏移量，并以此产生偏置电压补偿量来对所述SQUID读出电路104提供的偏置电压进行修正。

具体的，所述低温腔体101包括低温无磁杜瓦，其中，所述低温液体102包括低温液氦或低温液氮。所述超导量子干涉器件103包括：磁探测传感器，用于探测其所在位置处的磁场变化；SQUID电流计，与所述磁探测传感器的输出端连接，用于将所述磁探测传感器探测的磁信号转换为电信号输出；其中，所述磁探测传感器选自磁强计、一阶平面梯度计、一阶轴向梯度计、二阶平面梯度计及二阶轴向梯度计中的一种。所述SQUID读出电路104为现有任一种可向超导量子干涉器件103提供偏置电流和偏置电压，及读取超导量子干涉器件103输出电信号的电路结构，本示例对其具体电路结构不做限定。所述低温引线105包括：一组偏置电压引线、一组偏置电流引线及一组加热电阻引线；其中，所述偏置电压引线用于将所述SQUID读出电路104提供的偏置电压传输至所述超导量子干涉器件103；所述偏置电流引线用于将所述SQUID读出电路104提供的偏置电流传输至所述超导量子干涉器件103，并将所述超导量子干涉器件103输出的电信号传输至所述SQUID读出电路104；所述加热电阻引线用于对所述超导量子干涉器件103进行加热。

具体的，所述引线电阻表征件106包括：一组表征引线，其规格、长度及插入所述低温液体中的深度均与所述低温引线105中的偏置电流引线相同。实际应用中，通常将该组表征引线和所述低温引线绑在一起，以便于实现插入低温液体的深度相同。需要注意的是，此处所述“规格相同”是指两组引线的型号、线规、线数、线径、绝缘厚度等参数均相同。

具体的，所述偏置电压补偿电路107包括：比例放大器、加法器及电压取反器，所述比例放大器的输入端与所述引线电阻表征件的另一端连接，所述比例放大器的输出端与所述加法器的一输入端连接，所述加法器的另一输入端接入设定值，所述加法器的输出端与所述电压取反器的输入端连接，所述电压取反器的输出端作为所述偏置电压补偿电路的输出端，用以产生偏置电压补偿量；其中，所述比例放大器的放大比例及所述设定值均根据引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系来确定。实际应用中，电压取反器可采用减法器来实现，即通过0与加法器输出的输出偏移量做减法来实现输出偏移量的取反，以此得到偏置电压补偿量；当然，其它能够实现取反功能的电路也同样适用于本示例。

具体的，如图4所示，所述超导量子干涉传感器系统100还包括：

引线电阻测量电路108，与所述引线电阻表征件106的另一端连接，用于在不同液面高度下，测量所述引线电阻表征件106的引线电阻；

线性变化关系获取电路109，与所述引线电阻测量电路108的输出端及所述SQUID读出电路104的输出端连接，用于获取不同液面高度下所述引线电阻表征件106的引线电阻及所述超导量子干涉器件103的输出偏移量，并对获取的引线电阻及输出偏移量进行线性拟合，以得到引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系。

进一步地，所述引线电阻测量电路108可采用电阻测试仪来实现，即将电阻测试仪连接于引线电阻表征件的另一端，以在不同液面高度下，基于电阻测试仪的四线法来测量对应液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻。

进一步地，所述线性变化关系获取电路109包括：

输出偏移量获取单元，与所述SQUID读出电路104的输出端连接，用于在不同液面高度下，对所述SQUID读出电路读取的电压信号的峰峰值求平均，以得到对应液面高度下超导量子干涉器件的输出偏移量；

线性变化关系获取单元，与所述引线电阻测量电路及所述输出偏移量获取单元的输出端连接，用于对引线电阻及输出偏移量进行线性拟合，以得到引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系。

实际应用中，可先在所述引线电阻表征件106的另一端连接所述引线电阻测量电路108及所述线性变化关系获取电路109(如图4所示)，以得到引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系；之后再基于得到引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系，搭建偏置电压补偿电路；最后再将偏置电压补偿电路连接于所述引线电阻表征件106的另一端(如图3所述)，以使该系统在进行磁探测的同时，还能够自动进行偏置电压修正，从而避免超导量子干涉器件出现因引线电阻变化引起的输出偏移问题。

综上所述，本发明的一种超导量子干涉传感器系统及其抑制输出偏移的方法，通过在现有超导量子干涉传感器系统的基础上增设一独立的引线电阻表征件，来表征低温引线中偏置电流引线的引线电阻，并基于不同液面高度下引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系，来获取当前液面高度下引线电阻表征件的引线电阻所对应的输出偏移量，以此产生偏置电压补偿量来对偏置电压进行自动修正，实现实时动态调整超导量子干涉器件的参数，使其获得最优的工作点，从而实现超导量子干涉器件的稳定输出，避免超导量子干涉器件出现因引线电阻变化引起的输出偏移问题。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种抑制超导量子干涉器件输出偏移的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一超导量子干涉传感器系统，并于所述超导量子干涉传感器系统中增设一引线电阻表征件；所述超导量子干涉传感器系统包括：装有低温液体的低温腔体、超导量子干涉器件、低温引线及SQUID读出电路，所述超导量子干涉器件置于所述低温腔体内的低温液体中，所述SQUID读出电路置于所述低温腔体外且通过所述低温引线与所述超导量子干涉器件连接；所述引线电阻表征件的一端置于所述低温腔体内的低温液体中，其另一端引出至所述低温腔体外，用于表征所述低温引线中的偏置电流引线在不同液面高度下的引线电阻；

获取不同液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻及所述超导量子干涉器件的输出偏移量，并对获取的引线电阻及输出偏移量进行线性拟合，以得到引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系；

基于引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系，得到当前液面高度下引线电阻表征件的引线电阻所对应的输出偏移量，并以此产生偏置电压补偿量来对所述SQUID读出电路提供的偏置电压进行修正，从而抑制所述超导量子干涉器件的输出偏移。

2.根据权利要求1所述的抑制超导量子干涉器件输出偏移的方法，其特征在于，所述引线电阻表征件包括：一组表征引线，其规格、长度及插入所述低温液体中的深度均与所述低温引线中的偏置电流引线相同。

3.根据权利要求1所述的抑制超导量子干涉器件输出偏移的方法，其特征在于，获取不同液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻的方法包括：在不同液面高度下，基于四线法测量对应液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻，从而获取不同液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻。

4.一种超导量子干涉传感器系统，其特征在于，所述超导量子干涉传感器系统包括：

低温腔体，内部装有低温液体，用于提供低温环境；

超导量子干涉器件，置于所述低温腔体内的低温液体中，用于探测其所在位置处的磁场变化，并将探测的磁信号转换为电信号输出；

SQUID读出电路，置于所述低温腔体外且通过低温引线与所述超导量子干涉器件连接，用于通过所述低温引线为所述超导量子干涉器件提供偏置电流和偏置电压，以设定所述超导量子干涉器件的工作点并对其进行锁定，及通过所述低温引线读取所述超导量子干涉器件输出的电信号；

引线电阻表征件，其一端置于所述低温腔体内的低温液体中，其另一端引出至所述低温腔体外，用于表征所述低温引线中的偏置电流引线在不同液面高度下的引线电阻；

偏置电压补偿电路，置于所述低温腔体外且与所述引线电阻表征件的另一端连接，用于根据引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系，得到当前液面高度下引线电阻表征件的引线电阻所对应的输出偏移量，并以此产生偏置电压补偿量来对所述SQUID读出电路提供的偏置电压进行修正。

5.根据权利要求4所述的超导量子干涉传感器系统，其特征在于，所述低温腔体包括低温无磁杜瓦，其中，所述低温液体包括低温液氦或低温液氮。

6.根据权利要求4所述的超导量子干涉传感器系统，其特征在于，所述超导量子干涉器件包括：

磁探测传感器，用于探测其所在位置处的磁场变化；

SQUID电流计，与所述磁探测传感器的输出端连接，用于将所述磁探测传感器探测的磁信号转换为电信号输出；

其中，所述磁探测传感器选自磁强计、一阶平面梯度计、一阶轴向梯度计、二阶平面梯度计及二阶轴向梯度计中的一种。

7.根据权利要求4所述的超导量子干涉传感器系统，其特征在于，所述引线电阻表征件包括：一组表征引线，其规格、长度及插入所述低温液体中的深度均与所述低温引线中的偏置电流引线相同。

8.根据权利要求4所述的超导量子干涉传感器系统，其特征在于，所述偏置电压补偿电路包括：比例放大器、加法器及电压取反器，所述比例放大器的输入端与所述引线电阻表征件的另一端连接，所述比例放大器的输出端与所述加法器的一输入端连接，所述加法器的另一输入端接入设定值，所述加法器的输出端与所述电压取反器的输入端连接，所述电压取反器的输出端作为所述偏置电压补偿电路的输出端；其中，所述比例放大器的放大比例及所述设定值均根据引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系来确定。

9.根据权利要求4-8任一项所述的超导量子干涉传感器系统，其特征在于，所述超导量子干涉传感器系统还包括：

引线电阻测量电路，与所述引线电阻表征件的另一端连接，用于在不同液面高度下，测量所述引线电阻表征件的引线电阻；

线性变化关系获取电路，与所述引线电阻测量电路的输出端及所述SQUID读出电路的输出端连接，用于获取不同液面高度下所述引线电阻表征件的引线电阻及所述超导量子干涉器件的输出偏移量，并对获取的引线电阻及输出偏移量进行线性拟合，以得到引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系。

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