CN113053965A - 一种显示器件、制备方法以及温度检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示器件、显示器件的制备方法以及温度检测方法，该显示器件具体包括：显示面板以多个温度传感器，多个所述温度传感器间隔设置于所述显示面板远离发光层的一侧，所述温度传感器用于根据检测到的暗电流强度确定出所述显示面板该位置的温度，以对所述显示面板上不同位置的温度进行检测，若检测出上述任何一个温度大于预设的温度阈值时，则说明此时显示面板温度过高，此时仅需向终端发送此时显示面板温度过高，需要进行关机降温的提醒信息即可，以提醒用户对显示面板进行关机处理，综上所述，采用本方案的设计可以有效避免由于自身高温引起被烧毁的问题，延长显示面板的使用寿命。

Description

一种显示器件、制备方法以及温度检测方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示器件、显示器件的制备方法以及温度检测方法。

背景技术

有机发光二极管器件(亦称作OLED)通常包含阳极、阴极和夹在所述阳极和所述阴极之间的有机电致发光(EL)单元。有机EL单元包含至少一个空穴输送层(HTL)、发光层(LEL)和电子输送层(ETL)。OLED因其驱动电压低、亮度高、视角广和用于全色显示器和其他应用的能力而引人注目，且应用非常广泛。

但是，随着有机发光二极管器件的使用，其将产生大量的热，从而导致有机发光二极管器件温度升高，当温度超出其可以承受的阈值时，将会导致有机发光二极管器件被烧毁，缩短其使用寿命。

发明内容

本申请的目的在于提供一种显示器件、显示器件的制备方法以及温度检测方法，以解决现有技术中随着长时间的使用，显示器件由于自身产生的高温被烧毁的问题。

(一)技术方案

为实现上述目的，本发明第一方面提供了一种显示器件，包括：显示面板以多个温度传感器，多个所述温度传感器间隔设置于所述显示面板远离发光层的一侧，所述温度传感器用于根据检测到的暗电流强度确定出所述显示面板该位置的温度，以对所述显示面板上不同位置的温度进行检测。

可选的，所述温度传感器包括：从下至上依次层叠设置的基板、TFT驱动层以及光敏器件，所述光敏器件设置于所述TFT驱动层远离所述基板的一侧。

可选的，所述光敏器件包括：从下至上依次层叠设置的第一电极、光敏组件以及第二电极，所述第一电极与所述TFT驱动层相贴合。

可选的，所述光敏组件在所述基板上的正投影落在所述TFT驱动层的源极在所述基板上的正投影内，所述光敏组件在所述基板上的正投影边缘和所述源极在所述基板上的正投影边缘之间具有间隙，所述间隙的范围为10μm-15μm。

可选的，所述第二电极在所述基板上的正投影落在所述光敏组件在所述基板上的正投影内，且所述第二电极在所述基板上的正投影边缘和所述光敏组件在所述基板上的正投影边缘之间具有间隙，所述间隙的宽度为小于等于1.5μm。

可选的，每个所述第一电极与所述TFT驱动层之间均设有有机阻挡层，每个所述有机阻挡层在所述基板上的正投影与每个所述第一电极在所述基板上的正投影一一对应覆盖。

可选的，所述第一电极在所述基板上的正投影边缘与所述有机阻挡层在所述基板上的正投影边缘之间具有间隙，所述间隙的范围为3μm-6μm。

可选的，所述有机阻挡层在所述基板上的正投影边缘与所述光敏组件在所述基板上的正投影边缘之间具有间隙，所述间隙的范围为5μm-7μm。

可选的，所述有机阻挡层满足以下至少一个条件：

固化温度范围为250℃-270℃；

热分解温度范围为350℃-470℃。

为实现上述目的，本发明第二方面提供了一种显示器件制备方法，包括：

提供显示面板；

制备多个温度传感器；

将多个所述温度传感器间隔贴合于所述显示面板远离发光层的一侧。

可选的，所述制备温度传感器的步骤中，具体包括：

提供基板；

提供光敏器件；

制备TFT驱动层；

在所述TFT驱动层的外层与所述光敏器件相对应的位置图案化形成有机阻挡层。

可选的，所述制备TFT驱动层的步骤，具体包括：

在基板上涂覆有由氮氧化硅或氮化硅中的至少一种材料制备成的隔绝层；

在所述隔绝层上在50％氧气环境下形成有源层；

所述有源层上采用270℃沉积形成栅绝缘层，并图案化形成源极和漏极；

所述栅绝缘层上图案化形成栅极。

为实现上述目的，本发明第三方面提供了一种温度检测方法，所述方法包括：

对设置于显示面板不同位置温度传感器的暗电流强度进行检测，得到多个目标暗电流强度；

基于预设的暗电流强度与温度的对应关系，确定出每个所述目标暗电流强度对应的目标温度；

若检测出任何一个所述目标温度大于预设的温度阈值时，则向用户终端发送包含关机提醒的信息，并将所述信息显示在终端上。

(二)有益效果

本发明与现有技术相比，具有以下有益效果：

本发明提供了一种显示器件、显示器件的制备方法以及温度检测方法，该显示器件具体包括：显示面板以多个温度传感器，多个所述温度传感器间隔设置于所述显示面板远离发光层的一侧，所述温度传感器用于根据检测到的暗电流强度确定出所述显示面板该位置的温度，以对所述显示面板上不同位置的温度进行检测，若检测出上述任何一个温度大于预设的温度阈值时，则说明此时显示面板温度过高，此时仅需向终端发送此时显示面板温度过高，需要进行关机降温的提醒信息即可，以提醒用户对显示面板进行关机处理，综上所述，采用本方案的设计可以有效避免由于自身高温引起被烧毁的问题，延长显示面板的使用寿命。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：

图1是本发明中显示器件的结构示意图；

图2是本发明中温度传感器的结构示意图；

图3是本发明中形成有机阻挡层和未形成有机阻挡层的光敏组件暗电流强度与温度曲线的对比图；

图4是本发明中温度传感器的局部平面结构示意图；

图5是本发明中光敏器件与有机阻挡层配合的剖视图；

图6是本发明中温度传感器的又一局部平面结构示意图；

图7是本发明中温度传感器的又一局部平面结构示意图。

图中：1、温度传感器；2、发光层；3、基板；4、TFT驱动层；5、第一电极；6、光敏组件；7、第二电极；8、有机阻挡层；9、隔绝层；10、有源层；11、栅绝缘层，12、源极；13、漏极；14、栅极；15、遮光层；16、第一平坦层；17、第二平坦层；18、层间介质层；19、第一绝缘层；20、第二绝缘层；21、第三绝缘层；22、显示面板；23、显示基板；24、Array基板；25、电极；26、TFE封装层。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明：

现有技术中，发明人发现，随着显示面板的使用时间增长，显示面板将产生大量的热，从而导致显示面板温度升高，而当温度超出其可以承受的阈值时，将会导致显示面板温度被烧毁，缩短其使用寿命，示例性的，以OLED显示面板为例进行说明，其可以承受的最高显示温度仅为60℃，当温度超过60℃时，OLED显示面板将被烧毁，因此，为了解决上述技术问题，如图1-图7所示，本发明提供了一种显示器件，如图1所示，具体包括：显示面板以多个温度传感器1，多个温度传感器1间隔设置于显示面板远离发光层2的一侧，温度传感器1用于根据检测到的暗电流强度确定出显示面板该位置的温度，以对显示面板上不同位置的温度进行检测；具体的，图中箭头方向为发光层2的光线传递给温度传感器1的方向，显示面板包括：从上之下依次层叠设置的显示基板3、Array基板3、电极以及TFT驱动层4，并且，Array基板3与电极之间间隔设置有多个发光层2(EL)，多个温度传感器1间隔设置于TFT驱动层4远离发光层2的一侧，具体的，通过粘合剂设置于TFT驱动层4的TFE封装层26远离发光层2的一侧；另外，相邻两个温度传感器1之间的间距可以相同或不同，具体可以根据需要进行预设设计，优选的，多个温度传感器1对应设置于显示面板上最易发热的位置上，示例性的，可以在装配前期，对显示面板不同位置的温度进行测量，确定出最易发热的位置，并在对应的位置上均安装温度传感器1，以对该位置的温度进行监控，从而避免显示面板过热导致被烧毁；进一步的，为了保证监控的准确性，多个温度传感器1以阵列的方式进行排布，当然，多个温度传感器1的排布方式本申请不做限定，只要可以实现对显示面板的不同温度进行检测即可，均属于本申请的保护范围。

具体工作过程如下：

每个温度传感器1接收到来自显示面板的发光层2发出的光线后将光信号转化为电信号，并该电信号反馈给控制电路，控制电路对其进行暗电流强度检测，之后在预设的暗电流强度与温度之间对应关系的数据库中查找出上述暗电流强度对应的温度值，以实现对显示面板该位置的温度进行检测，多个温度传感器1一起工作，从而实现对显示面板的不同位置的温度进行检测，若检测出上述任何一个温度大于预设的温度阈值时，则说明此时显示面板温度过高，此时仅需向终端发送此时显示面板温度过高，需要进行关机降温的提醒信息即可，当然还可以直接通过控制电路切断电源也可以，以保证断电及时性；示例性的，以OLED显示面板为例进行说明，若检测出上述任何一个温度大于60℃时，则说明OLED显示面板此时处于过热状态，需要立即切断电源或执行关机操作，以避免其被烧毁，从而有效延长显示面板的使用寿命。

下面结合附图对温度传感器1的具体结构进行说明：

根据本发明的一个实施例，温度传感器1包括：从下至上依次层叠设置的基板3、TFT驱动层4以及光敏器件，光敏器件设置于TFT驱动层4远离基板3的一侧；具体的，温度传感器1远离基板3一侧壁面上，开设有入光口，且该入光口与光敏器件的位置相对应，以保证经由发光层2射出的光线可以顺利被光敏器件接收，并且光敏器件包括：从下至上依次层叠设置的第一电极5、光敏组件6以及第二电极7，第一电极5与TFT驱动层4相贴合；优选的，光敏组件6可以为PIN型光敏二极管。具体的，如图2所示，PIN型光敏二极管包括：n型半导体层、本征半导体层以及p型半导体层，其中本征半导体层设置于n型半导体层和p型半导体层之间，n型半导体层与第一电极5相贴合，p型半导体层与第二电极7相贴合，一些具体实施例中，本征半导体层可以进行轻掺杂，以使得PIN型光敏二极管具有更好的光敏性能；具体的，第一电极5和第二电极7均为全金属材质；其中，光敏组件6用于接收光线，将接收到的光信号转化为电信号，并将暗电流强度输送给控制电路，第一电极5的设计，一方面作为光敏组件6的下电极，另一方面，由于在通过化学沉积法制备PIN型光敏二极管时，将会产生大量氢气，该氢气将会导致TFT驱动层4导体化，本实施例中，由于金属具有阻氢的作用，因此，金属的第一电极5将有效的将PIN型光敏二极管与TFT驱动层4进行隔绝，从而有效避免TFT驱动层4导体化；第二电极7为光敏组件6的上电极，在第一电极5和第二电极7的作用下，驱动光敏组件6将光信号转化为电信号；在本实施例中，光敏组件6的具体结构不做具体限定，只要可以实现将光信号转化为电信号，并将暗电流强度反馈给控制电路，控制电路将其与温度进行匹配，以对显示面板进行温度测量即可。

根据本发明的一个实施例，为了保证第一电极5顺利导通，如图7所示，光敏组件6在基板3上的正投影落在TFT驱动层4的源极在基板3上的正投影内，光敏组件6在基板3上的正投影边缘和源极在基板3上的正投影边缘之间具有间隙d1，间隙d1的范围为10μm-15栅极μm，示例性的，间隙d1设置为10μm。

根据本发明的一个实施例，为了保证电流的稳定性，如图5所示，第二电极7在基板3上的正投影落在光敏组件6在基板3上的正投影内，且第二电极7在基板3上的正投影边缘和光敏组件6在基板3上的正投影边缘之间具有间隙d2，间隙d2的宽度为小于等于1.5μm，示例性的，间隙d2设置为1.5μm。

根据本发明的实施例，为防止环境光对光敏组件6造成干扰，进而影响信噪比，如图4、图5以及图6所示，光敏组件6在基板3上的正投影落在第一电极5在基板3上的正投影之内，且第一电极5在基板3上的正投影的边缘和光敏组件6在基板3上的正投影的边缘之间具有间隙，间隙d3的宽度大于等于7μm，示例性的，间隙d3设置为7μm。由此，环境光基本不会影响光电流，光敏组件6的信噪比较高，暗电流较小。

根据本发明的实施例，金属材质的第一电极5或者源漏极包裹光敏组件6至少7μm，此时，环境光基本不会影响光电流，光敏器件的信噪比较高。需要说明的是，可以仅第一电极5、源极和漏极中的任意一个包裹光敏组件6；可以第一电极5、源极和漏极中的任意两个包裹光敏组件6；也可以第一电极5、源极和漏极均包裹光敏组件6，图4仅是示例性示出了第一电极5、源极和漏极均包裹光敏组件6的情况，不能理解为对本发明的限制。

另外，如图2所示，TFT驱动层4从下至上依次包括：隔绝层9、有源层10、栅绝缘层、栅极，与有源层10相连接的源极和漏极、层间介质层、第一绝缘层以及包裹光敏组件6的第三绝缘层；一些具体实施例中，为了进一步避免环境光对光敏组件6的影响，优选的，TFT驱动层4还包括:遮光层，该遮光层贴合与基板3上，且该遮光层优选设置为不透明的金属层。需要说明的是，图2所示的TFT驱动层4仅是一种具体示例说明，并不能理解为对本发明的限制，其他不脱离本发明构思的结构也在本发明的保护范围之内。

根据本发明的实施例，基板3的具体材质、厚度、尺寸等均可以根据实际需要灵活选择，一些具体实施例中，基板3可以为玻璃基板3、聚合物基板3(如柔性PI(聚酰亚胺)基板)等。而隔绝层9、有源层10、栅绝缘层、栅极，源极和漏极、层间介质层、第一绝缘层、第三绝缘层的具体材质、厚度等可以根据需要灵活选择，例如，遮光层的材质可以为遮光性能比较好的金属，有源层10的材质可以为金属氧化物半导体材料、栅绝缘层、层间介质层和第一无机绝缘层的材质可以各自独立的为二氧化硅、氮化硅等，而栅极、源漏极的材质可以导电性较好的金属等。

综上，在进行TFT驱动层4制备时，由于不同膜层之间均采用图案化形式制作，从而导致光敏组件6与TFT驱动层4之间会出现凹凸不平的情况，其中，凹凸不平是由于光敏器件下方存在金属走线及过孔等结构造成的，会在远离基板3的一侧形成凹凸不平的表面；具体的，如图3所示，从图中可以看出，当光敏组件6与TFT驱动层4之间未形成有机阻挡层8时，由于该不平整的现象存在，导致光敏组件6暗电流信号异常，从而导致测试出来的信号差异不明显，最终导致温度传感器1的灵敏度差，无法实现对显示面板的温度进行准确测量，而如图2所示，本实施例通过在每个第一电极5与TFT驱动层4之间均设有有机阻挡层8，每个有机阻挡层8在基板3上的正投影与每个第一电极5在基板3上的正投影一一对应覆盖；具体的，有机阻挡层8仅设置于光敏组件6下方，而非整层设置，采用整层设计将导致TFT特性恶化，而本申请的设计可以解决上述技术问题，可以有效防止形成光敏器件的工艺中氢气氛影响薄膜晶体管的电学性能，有效改善薄膜晶体管大电流问题；综上，采用本实施例的设计可以有效消除上述不平整现象，以保证测试出来的信号差异明显，便于光敏组件6对暗电流强度的识别，提高温度传感器1的灵敏度，并且参照如图3所示，从图中可以清晰的看出，在光敏组件6与TFT驱动层4之间形成有机阻挡层8后，暗电流数据更为明显，温度对应的变化更明显，根据对比可知，在不同温度下，温度传感器1暗电流的变化更加明显，添加有机阻挡层8后，可以促使温度传感器1的灵敏度提升2倍。

在一个具体的实施例中，如图2和图4所示，有机阻挡层8可以为长条形，有机阻挡层8的长边在基板3上的正投影位于源极的、且与有机阻挡层8的长边相邻的边在基板3的正投影和第一电极5的长边在基板3上的正投影之间，有机阻挡层8的短边在基板3上的正投影位于第一电极5的短边在基板3的正投影和第二电极7的短边在基板3的正投影之间。由此，更利于制备工艺的实施，具体的，由于长边比较长，测试的时候无法精确测量长边大小，确定膜层对位问题不易解决，而通过上述设置方式，在掩膜版(mark)对位的时候，可以通过监测短边的对位就可以检验膜层对位是否有问题，操作更加方便、快捷，并且可以有效降低暗电流不影响光电流。

根据本发明的一个实施例，如图4所示，第一电极5在基板3上的正投影边缘与有机阻挡层8在基板3上的正投影边缘之间具有间隙d4，间隙d4的范围为3μm-6μm，优选的，间隙d4设置为3μm，该设计可以有效去除多余空气，有效防止有机阻挡层8在制备过程中出现爆膜的现象，提高制备效率。

根据本发明的一个实施例，如图5所示，有机阻挡层8在基板3上的正投影边缘与光敏组件6在基板3上的正投影边缘之间具有间隙d5，间隙d5的范围为5μm-7μm；优选的，间隙d5设置为7μm，该设计可以进一步保证光敏组件6与TFT驱动层4相接触时的平坦。

在一个优选的实施例中，有机阻挡层8满足以下至少一个条件：

固化温度范围为250℃-270℃；

热分解温度范围为350℃-470℃。

在上述实施例中，本实施例将TFT驱动层4的制备工艺进行了优化，以保证当有机阻挡层8在250℃-270℃之间进行固化时，薄膜晶体管亦不会出现大电流异常的情况，并且热分解温度可以达到350℃-470℃，具体的，一方面将隔绝层9的制备材料由现有技术中的氧化硅材料替换为氮氧化硅或氮化硅中的至少一种；另一方面，将有源层10的氧气环境从20第一绝缘层％增加至50％，并且将栅绝缘层化学沉积的温度从现有技术的20第一绝缘层0℃提高至270℃，综上，有机阻挡层8可以有效承受光敏组件6沉积工艺过程的高温，不会在沉积的温度条件下发生变性、分解等，耐高温和稳定性均较好。

根据本发明的一个实施例，优选的，有机阻挡层8的材料可以为聚酰亚胺类材料和有机硅类材料中的至少一种。由此，既能够很好的阻挡氢气对薄膜晶体管的影响，还可以有效改善光敏组件6的暗电流问题，且易于加工；为了进一步提高有机阻挡层8的阻氢作用，可以在其中添加阻氢添加剂，从而使得有机阻挡层8具有更加优异的阻氢和阻水的作用，避免光敏组件6沉积过程中的氢气大量进入薄膜晶体管而影响其电学特性。具体的，可以采用的阻氢添加剂可以为有机物质，通过有机物质之间的相互作用或反应起到阻氢效果，具体物质种类可以根据实际需要灵活选择，例如可以为常用的市售阻氢添加剂等。

根据本发明的一个实施例，为了方便有机阻挡层8的制备，也可以在有机阻挡层8中添加感光剂，由此有机阻挡层8可以具有感光作用，可以直接通过曝光、显影等操作而直接形成，步骤简单、方便、加工精度高、且自动化程度高。具体的，可以采用的感光剂可以为感光剂有双叠氮类感光剂、肉桂酸酯类感光剂、聚烃类感光剂等。

根据本发明的一个实施例，显示器件还包括：第二绝缘层，该第二绝缘层设在有机阻挡层8远离基板3的一侧。由此，一方面可以避免光敏组件6干刻过程中对有机阻挡层8过刻而导致的光敏组件6侧壁污染问题，一方面可以提高各层结构之间的结合力，使显示器件的可靠性和稳定性更佳；并且，优选的，第一绝缘层和第二绝缘层采用一次刻蚀技术，该设计保证第一绝缘层上的穿孔与第二绝缘层的穿孔相对应，提高第一电极5导通稳定性，从而保证空间利用率高。

可以理解，除了前面描述的结构，温度传感器1还可以包括其他保证其实现显示功能的必要的结构，具体的，如图2所示，该温度传感器1还可以包括设在第三无机绝缘层远离基板3一侧的第一平坦层，优选设置为树脂层、设在树脂层远离基板3一侧的阳极、设在阳极和第三绝缘层远离基板3一侧的第二平坦层。需要说明的是，图2仅是示例性说明本发明的温度传感器1的结构，并不能理解为对本发明的限制，在不脱离本发明的发明构思的前提下，其他可替换、可变型的结构也在本发明的保护范围之内。

为实现上述目的，本发明第二方面提供了一种显示器件制备方法，包括：

提供显示面板；

制备多个温度传感器1；

将多个温度传感器1间隔贴合于显示面板远离发光层2的一侧。

根据本发明的一个实施例，制备温度传感器1的步骤中，具体包括：

提供基板3；

提供光敏器件；

制备TFT驱动层4；

在一个具体的实施例中，TFT制备方法步骤包括：

在基板3上涂覆有由氮氧化硅或氮化硅中的至少一种材料制备成的隔绝层9；在隔绝层9上在50％氧气环境下形成有源层10；有源层10上采用270℃沉积形成栅绝缘层，并图案化形成源极和漏极；栅绝缘层上图案化形成栅极。

具体的，本实施例一方面将隔绝层9的制备材料由现有技术中的氧化硅材料替换为氮氧化硅或氮化硅中的至少一种；另一方面，将有源层10的氧气环境从20第一绝缘层％增加至50％，并且将栅绝缘层化学沉积的温度从现有技术的20第一绝缘层0℃提高至270℃，采用上述制备工艺可以将TFT驱动层4的固化温度提升至250℃以上，以保证当有机阻挡层8在250℃-270℃之间进行固化时，薄膜晶体管不会出现大电流异常的情况，提高稳定性。

在TFT驱动层4的外层与光敏器件相对应的位置图案化形成有机阻挡层8。

具体的，有机阻挡层8可以通过涂覆和图案化的方法形成，例如可以通过曝光机的涂胶工序将有机层涂覆形成，然后通过图案化形成所需图案(如光刻工艺)，再通过退火炉进行固化。

其中，形成TFT驱动层4的具体步骤和工艺参数可以参照常规技术进行，例如，各层结构可以通过物理气相沉积或者化学气相沉积，更具体可以通过蒸镀、溅射等工艺进行，具体步骤和参数等均可参照常规工艺进行。

一些具体实施例中，光敏组件6中的光敏传感器为PIN型光敏二极管，此时，形成光敏组件6的具体步骤可以包括依次形成第一电极5层、n型半导体层、本征半导体层、p型半导体层和第二电极7层，其中，第一电极5层可以通过溅射或者沉积方法形成，具体材质可以为Mo/AlNd/Mo，Mo/Cu/Mo等金属叠层，n型半导体层、本征半导体层和p型半导体层可以通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法形成，而第二电极7层可以通过溅射或沉积方法形成，具体材质可以是ITO，以实现感光的效果。

为实现上述目的，本发明第三方面提供了一种温度检测方法，方法包括：

对设置于显示面板不同位置温度传感器1的暗电流强度进行检测，得到多个目标暗电流强度；

基于预设的暗电流强度与温度的对应关系，确定出每个目标暗电流强度对应的目标温度；

在一个优选的实施例中，预设的暗电流强度与温度的对应关系为预设的暗电流强度与温度对应数据库，当测量出对应的暗电流强度时，仅需进入数据库进行查找即可，即可确定出对应的温度，以实现对温度的准确检测。

若检测出任何一个目标温度大于预设的温度阈值时，则向终端发送包含关机提醒的信息，并将信息显示在终端上。

示例性的，当显示面板设置为OLED显示面板时，其预设的温度阈值则为60℃，当任何一个目标温度大于60℃，则说明OLED显示面板此时处于过热状态，则将包含此时显示面板处于过热状态的提醒信息发送至用户的终端上，以用户提醒用户对显示面板进行关机降温，其中，终端可以是，显示面板的显示端，或者手机、平板电脑等；以避免其被烧毁，从而有效延长显示面板的使用寿命。

进一步的，若检测出任何一个目标温度大于预设的温度阈值时，则执行关机操作，该设计可以有效避免用户延迟关机导致显示面板烧毁的情况，保证及时性。

根据本发明的一个实施例，方法还包括：

接收用户自定义的暗电流强度和温度的请求，请求包含自定义暗电流强度和自定义温度；

建立自定义暗电流强度和自定义温度的对应关系；

并将自定义暗电流强度和自定义温度进行对应的存储。

具体的，当将用户自定义的暗电流强度和温度的对应关系进行保存，实现数据库的更新，以实现对数据库的更新，进一步提升温度传感器1测试的灵敏度。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，若干个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

而且，术语“包括”、“包含”和“具有”以及他们的任何变形或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

以上仅是本申请的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改和变化对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (13)

1.一种显示器件，其特征在于，包括：显示面板以多个温度传感器(1)，多个所述温度传感器(1)间隔设置于所述显示面板远离发光层(2)的一侧，所述温度传感器(1)用于根据检测到的暗电流强度确定出所述显示面板该位置的温度，以对所述显示面板上不同位置的温度进行检测。

2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述温度传感器(1)包括：从下至上依次层叠设置的基板(3)、TFT驱动层(4)以及光敏器件，所述光敏器件设置于所述TFT驱动层(4)远离所述基板(3)的一侧。

3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述光敏器件包括：从下至上依次层叠设置的第一电极(5)、光敏组件(6)以及第二电极(7)，所述第一电极(5)与所述TFT驱动层(4)相贴合。

4.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于，所述光敏组件(6)在所述基板(3)上的正投影落在所述TFT驱动层(4)的源极在所述基板(3)上的正投影内，所述光敏组件(6)在所述基板(3)上的正投影边缘和所述源极在所述基板(3)上的正投影边缘之间具有间隙，所述间隙的范围为10μm-15μm。

5.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，所述第二电极(7)在所述基板(3)上的正投影落在所述光敏组件(6)在所述基板(3)上的正投影内，且所述第二电极(7)在所述基板(3)上的正投影边缘和所述光敏组件(6)在所述基板(3)上的正投影边缘之间具有间隙，所述间隙的宽度为小于等于1.5μm。

6.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于，每个所述第一电极(5)与所述TFT驱动层(4)之间均设有有机阻挡层(8)，每个所述有机阻挡层(8)在所述基板(3)上的正投影与每个所述第一电极(5)在所述基板(3)上的正投影一一对应覆盖。

7.根据权利要求6所述的显示器件，其特征在于，所述第一电极(5)在所述基板(3)上的正投影边缘与所述有机阻挡层(8)在所述基板(3)上的正投影边缘之间具有间隙，所述间隙的范围为3μm-6μm。

8.根据权利要求7所述的显示器件，其特征在于，所述有机阻挡层(8)在所述基板(3)上的正投影边缘与所述光敏组件(6)在所述基板(3)上的正投影边缘之间具有间隙，所述间隙的范围为5μm-7μm。

9.根据权利要求6所述的显示器件，其特征在于，所述有机阻挡层(8)满足以下至少一个条件：

固化温度范围为250℃-270℃；

热分解温度范围为350℃-470℃。

10.一种显示器件制备方法，其特征在于，包括：

提供显示面板；

制备多个温度传感器(1)；

将多个所述温度传感器(1)间隔贴合于所述显示面板远离发光层(2)的一侧。

11.根据权利要求10所述的显示器件制备方法，其特征在于，所述制备温度传感器(1)的步骤中，具体包括：

提供基板(3)；

提供光敏器件；

制备TFT驱动层(4)；

在所述TFT驱动层(4)的外层与所述光敏器件相对应的位置图案化形成有机阻挡层(8)。

12.根据权利要求11所述的显示器件制备方法，其特征在于，所述制备TFT驱动层(4)的步骤，具体包括：

在基板(3)上涂覆有由氮氧化硅或氮化硅中的至少一种材料制备成的隔绝层(9)；

在所述隔绝层(9)上在50％氧气环境下形成有源层(10)；

所述有源层(10)上采用270℃沉积形成栅绝缘层，并图案化形成源极和漏极；

所述栅绝缘层上图案化形成栅极。

13.一种温度检测方法，其特征在于，所述方法包括：

对设置于显示面板不同位置温度传感器(1)的暗电流强度进行检测，得到多个目标暗电流强度；

基于预设的暗电流强度与温度的对应关系，确定出每个所述目标暗电流强度对应的目标温度；

若检测出任何一个所述目标温度大于预设的温度阈值时，则向用户终端发送包含关机提醒的信息，并将所述信息显示在终端上。

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