CN113050726A - 芯片以及其升温电路与升温控制方法 - Google Patents

芯片以及其升温电路与升温控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种芯片以及其升温电路与升温控制方法。此升温电路设置在具有一正常工作温度范围的一芯片内，且包括一比较电路以及一热能产生电路。比较电路比较一温度电压与一第一阈值电压，其中，温度电压表示芯片的一温度。热能产生电路受控于比较电路。当温度电压小于第一阈值电压时，比较电路使能热能产生电路以产生一热能，使芯片的温度上升。

Description

芯片以及其升温电路与升温控制方法
技术领域
本发明是关于一种芯片，且特别是关于一种具有内部升温电路的芯片以及其升温控制方法。
背景技术
处理器，例如微控制器(microcontroller unit，MCU)，具有其正常操作温度范围。举例来说，一般而言，非工业等级的处理器其正常操作温度范围为-25℃～105℃，而工业等级的处理器其正常操作温度范围为-40℃～105℃。然而，在高纬度地区，温度经常低于-40℃。当一芯片所处的环境温度低于-40℃，此芯片的温度也低于-40℃。此时，此芯片内的处理器无法正常运作，使得芯片也无法启动(boot up)。因此，在高纬度区域或在极低温环境中，电子设备的使用将受到许多限制。
发明内容
因此，本发明提供一种芯片，其具有内部升温电路，可在较低温度的环境下自动对芯片加热，使得芯片温度提升至正常工作范围后，才进行芯片启动，以保证芯片在正常工作温度下工作。
本发明的一实施例提供一种升温电路。此升温电路设置在具有一正常工作温度范围的一芯片内，且包括一比较电路以及一热能产生电路。比较电路比较一温度电压与一第一阈值电压，其中，温度电压表示芯片的一温度。热能产生电路受控于比较电路。当温度电压小于第一阈值电压时，比较电路使能热能产生电路以产生一热能，使芯片的温度上升。
本发明的一实施例提供一种芯片。此芯片包括一温度传感器、一升温电路以及一处理器。温度传感器测量芯片的一温度以产生一温度电压。升温电路接收温度电压。升温电路比较温度电压与一第一阈值电压以产生一升温控制信号。升温电路比较温度电压与一第二阈值电压以产生一比较信号。其中，第一阈值电压大于第二阈值电压。处理器耦接升温电路，且升温电路将比较信号作为复位信号提供至处理器。当温度电压小于第一阈值电压时，升温电路根据升温控制信号来产生一热能藉以加热芯片。当温度电压小于第二阈值电压时，复位信号具有一禁能电平，使得处理器不操作。
本发明的一实施例提供一种升温控制方法，用于一芯片。此升温控制方法包括测量芯片的一芯片温度；判断芯片温度是否高于一第一阈值温度；判断芯片温度是否高于一第二阈值温度，其中，第二阈值温度低于第一阈值温度；当芯片温度低于该第一阈值温度时，产生一热能，以加热芯片；以及当芯片温度不高于第二阈值温度时，不启动芯片。
附图说明
图1表示根据本发明一实施例的芯片；
图2表示根据本发明另一实施例的芯片；
图3A～图3B表示根据本发明一实施例，升温电路的主要信号的波形图；
图4表示根据本发明一实施例的热能产生电路；
图5表示根据本发明一实施例的升温控制方法的流程图。
附图标记：
1～芯片；
10～升温模组；
11～处理器；
12～模拟数字转换器(ADC)；
20～比较电路；
21～热能产生电路；
22～复位控制电路；
100～升温电路；
101～温度传感器；
102～功率控制器；
200、201～比较器；
210～晶体管；
211～负载电路；
220～反向器；
GND～接地端；
I～电流；
N40…N42～节点；
R21～可变电阻器；
R40…R42～电阻器；
S11～热能控制信号；
S12～数字温度信号；
S50…S59～步骤；
S100～复位信号；
S102～功率调节信号；
S200～比较信号；
S201～比较信号(升温控制信号)；
SW40、SW41～开关；
T20～电源端；
V101～温度电压；
VCBTT～阈值电压；
VSHTT～阈值电压；
VCC～供电电压。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
图1表示根据本发明一实施例的芯片。参阅图1，芯片1包括升温模组10、处理器11以及模拟数字转换器(analog-to-digital converter，ADC)12。升温模组10、处理器11以及ADC 12设置同一基板上，即是芯片1的基板。在一实施例中，处理器11例如是微控制器(microcontroller unit，MCU)。处理器11具有一预设的正常工作温度范围。升温模组10包括升温电路100、温度传感器101以及功率控制器102。当一供电电压提供至芯片1时(即当芯片1上电时)，温度传感器101感测芯片1的温度，且根据感测到的温度产生一温度电压。在一实施例中，温度传感器101可包括一热敏电阻器。此热敏电阻器的电阻值可随其环境温度(即芯片1的温度)而改变，因此，温度传感器101根据供电电压与热敏电阻器的电阻值产生温度电压V101，以表示芯片1的温度，其中，举例来说，温度电压V101正比于芯片1的温度。温度传感器101将温度电压V101提供至ADC 12以及升温电路100。升温电路100比较温度电压V101与阈值电压VSHTT(显示于图2；SHTT：Stop Heating Temp.Threshold)。阈值电压VSHTT对应升温电路100的停止加热温度阈值，且停止加热温度阈值可依系统需求来决定。举例来说，阈值电压VSHTT正比于停止加热温度阈值，且基于温度传感器101的温度-电压关系来决定。升温电路100根据上述温度电压V101与阈值电压VSHTT之间的比较结果来决定是否产生热能来对芯片加热。当升温电路100产生热能时，芯片1的温度则反应于该热能而上升。升温电路100也比较温度电压V101与阈值电压VCBTT(显示于图2；CBTT：Chip Bost-UpTemo.Threshold)。阈值电压VCBTT对应芯片1的启动温度阈值，且启动温度阈值是依据芯片1的操作特性来决定。举例来说，阈值电压VCBTT正比于启动温度阈值，且基于温度传感器101的温度-电压关系来决定。升温电路100根据上述温度电压V101与阈值电压VCBTT之间的比较结果来产生一复位信号S100，以使能处理器11使其操作或禁能处理器11使其不操作，藉以启动或不启动芯片1。
当芯片1启动时，ADC 12以一预设取样频率对温度电压V101进行取样，藉以将温度电压V101转换为一数字温度信号S12。处理器11产生一热能控制信号S11至功率控制器102。功率控制器102则根据热能控制信号S11来产生对应的一功率调节信号S102。升温电路100根据功率调节信号S102来调节其产生的热能的大小，即控制对芯片1的加热功率。处理器11接收数字温度信号S12，且根据数字温度信号S12来获得芯片1的温度。透过持续监控芯片1的温度，处理器11可调整热能控制信号S11的值，藉以改变功率调节信号S102。如此一来，升温电路100产生的热能因此而增加或减少，使得芯片1的温度能维持在一预设温度范围内或预设范围内的一特定温度。在此实施例中，上述预设温度范围在处理器11的正常工作温度范围内。
升温模组10、处理器11、以及ADC 12的详细操作以及升温电路100的详细架构，将于下文中透过图1～图3B来说明。
参阅图2，升温电路100包括比较电路20、热能产生电路21以及复位控制电路22。比较电路20包括比较器200与201。比较器200的正输入端(+)接收阈值电压VCBTT，其负输入端(-)接收温度电压V101，且其输出端产生比较信号S200。比较器201的正输入端(+)接收阈值电压VSHTT，其负输入端(-)接收温度电压V101，且其输出端产生比较信号S201作为升温控制信号。
热能产生电路21包括晶体管210以及负载电路211。在图2的实施例中，晶体管210是以N型晶体管来实现。参阅图2，晶体管210的栅极(控制电极)接收升温控制信号(即，比较信号)S201，且其漏极(输入电极)耦接电源端T20。负载电路211耦接于晶体管201的源极(输出电极)与接地端GND之间。在此实施例中，负载电路211包括一可变电阻器R21，其耦接于晶体管210的源极与接地端GND之间。负载电路211接收来自功率控制器102的功率调节信号S102，且受控于功率调节信号S102以改变可变电阻器R21的电阻值。
复位控制电路22接收比较信号S200，且根据比较信号S200产生复位信号S100。在图2的实施例中，复位控制电路22包括反向器220。反向器220的输入端接收比较信号S200，且其输出端产生复位信号S100。因此可知，复位信号S100与比较信号S200互为反相。
根据一实施例，处理器11的正常工作温度范围是-40℃～105℃，芯片1的启动温度阈值设定为正常工作温度范围的下限值-40℃，停止加热温度阈值设为-34℃，且预设温度范围设为-40℃～-34℃。在此例子中，对应停止加热温度阈值(-34℃)的阈值电压VSHTT设定为大于对应启动温度阈值(-40℃)的阈值电压VCBTT。
以下将以上述参数为例来说明升温模组10、处理器11以及ADC 12的详细操作。
在一例子中，假设芯片1所处的环境的温度为-50℃。当供电电压VCC尚未提供至芯片1时(即当芯片1未上电时)，芯片1的温度等于环境温度(-50℃)。当供电电压VCC提供至芯片1(即当芯片1上电)，温度传感器101根据芯片1的温度而产生温度电压V101。比较器200与201接收温度电压V101。此时芯片1的温度仍为-50℃，其低于停止加热温度阈值(-34℃)与启动温度阈值(-40℃)。在此情况下，温度电压V101小于阈值电压VCBTT，且比较器200产生具有一高电平的比较信号S200，如图3A所示。此外，温度电压V101也小于阈值电压VSHTT，且如图3B所示，比较器201产生具有一高电平的升温控制信号S201，以使能热能产生电路21。详细来说，晶体管210根据高电平的升温控制信号S201而导通，以产生电流I。电流I流经负载电路211的可变电阻器R21。基于电能转热能的原理，电流I流经可变电阻器R21产生热能(电流的热效应)，芯片1受到此热能的加热，使得芯片1的温度开始从-50℃逐渐上升。此时，热能产生电路21是以全加热功率对芯片1加热。
此外，复位控制电路22的反向器220也接收比较信号S200。当芯片1的温度低于启动温度阈值(-40℃)时，反向器220将具有高电平的比较信号S200转换具有一低电平(或称为，禁能电平)的复位信号S100，藉此禁能处理器11使其不操作。如此一来，芯片1则不启动。
当芯片1的温度开始从-50℃逐渐上升至超过启动温度阈值(-40℃)且低于停止加热温度阈值(-34℃)时，温度电压V101大于阈值电压VCBTT且小于VSHTT。此时，如图3A～图3B所示，比较器200产生的比较信号S200由高电平切换为低电平的比较信号S200，而比较器201持续产生具有高电平的升温控制信号S201。晶体管210根据高电平的升温控制信号S201而维持导通，以持续产生热能以对芯片1加热。
此外，在芯片1的温度开始超过超过启动温度阈值(-40℃)且低于停止加热温度阈值(-34℃)时，反向器220将具有低电平的比较信号S200转换具有高电平(或称为，使能电平)的复位信号S100，藉此使能处理器11使其操作。如此一来，芯片1则启动。由于处理器11开始操作，ADC 12也开始操作。ADC 12以预设取样频率对温度电压V101进行取样，藉以将温度电压V101转换为数字温度信号S12。处理器11根据数字温度信号S12来监控监控芯片1的温度，且根据芯片1的温度来调整其所产生的热能控制信号S11的值。功率控制器102根据热能控制信号S11的值来决定可变电阻器R21的值，且根据决定的可变电阻器R21的值来改变功率调节信号S102。可变电阻器R21则根据功率调节信号S102来改变其电阻值，藉以调节(增加或减少)热能产生电路21所产生的热能，使得芯片1的温度能维持在预设温度范围(-40℃～-34℃)内或预设温度范围内的一特定温度，例如-36℃。
在另一例子中，假设芯片1所处的环境的温度为-25℃。当供电电压VCC尚未提供至芯片1时，芯片1的温度等于环境温度(-25℃)。当供电电压VCC提供至芯片1(即当芯片1上电)，温度传感器101根据芯片1的温度而产生温度电压V101。比较器200与201接收温度电压V101。此时芯片1的温度高于停止加热温度阈值(-34℃)与启动温度阈值(-40℃)。在此情况下，温度电压V101大于阈值电压VCBTT，且如图3A所示，比较器200产生具有一低电平的比较信号S200。此外，温度电压V101也大于阈值电压VSHTT，且如图3B所示，比较器201产生具有一低电平的升温控制信号S201，以禁能热能产生电路21。详细来说，晶体管210根据低电平的升温控制信号S201而不导通，因此，不会产生流经可变电阻器R21的任何电流，使得热能产生电路21此时不产生热能，换句话说，热能产生电路21关闭，且芯片1不受热能产生电路21加热。此外，反向器220将具有低电平的比较信号S200转换具有高电平的复位信号S100，藉此使能处理器11使其操作。如此一来，芯片1则启动。在此例子中，由于热能产生电路21关闭，因此即使芯片1启动，其不须调整热能。
根据上述实施例，本案在芯片1具有内建的升温电路100，其能在环境温度低于正常工作温度范围的下限值的情况下，于上电时能自动对芯片1加热，使其温度能上升至正常工作温度范围内。此外，当芯片1温度能上升至超过正常工作温度范围的下限值时，处理器11能调节升温电路100对芯片的加热功率，使其维持在一预设温度范围内或在一预设温度。
在一实施例中，本案的可变电阻器R21可由复数电阻器以及复数开关组成。如图4所示，在此实施例中，以三个电阻器R40～R42以及两个开关SW40～SW41为例来说明。参阅图4，电阻器R40～R42串接于节点N40与接地端GND之间。开关SW40耦接于节点N40与N41之间，且开关SW41耦接于节点N40与N42之间。开关SW40与SW41受控于功率调节信号S102。当处理器11操作时，透过功率调节信号S102控制开关SW40与SW41的导通/关断状态，串接于节点N40与接地端GND之间的电阻器的数量改变，藉以改变可变电阻器R21的电阻值并调节热能(即调节对芯片的加热功率)。
图5表示根据本发明一实施例的升温控制方法的流程图。此升温控制方法是用于图1所示的芯片1。在一例子中，假设芯片1所处的环境的温度为-50℃。当供电电压VCC尚未提供至芯片1时(即当芯片1未上电时)，芯片1的温度等于环境温度(-50℃)。当供电电压VCC提供至芯片1(即当芯片1上电)，首先由升温电路100判断芯片1的温度Temp是否高于启动温度阈值CHTT(-40℃)(步骤S50：Temp>CBTT(-40℃)？)。此时的温度Temp不高于(即低于)启动温度阈值CHTT(步骤S50-否)，则执行步骤S54。在步骤S54，升温电路100透过复位信号S100禁能处理器11使其不操作，藉此不启动芯片1。此外，升温电路100的热能产生电路21操作以达到全加热功率(步骤S55)，对芯片1加热(步骤S59)，使得芯片1的温度开始从-50℃逐渐上升。之后，升温控制方法回到步骤S50，以持续判断温度Temp是否高于启动温度阈值CHTT。
芯片1受到升温电路100持续加热。当当芯片1的温度开始从-50℃逐渐上升至超过启动温度阈值CHTT(-40℃)时，判断芯片1是否正在运作(步骤S51)。若判断出芯片1非正在运作(步骤S51-否)，则启动芯片1(步骤S56)。芯片1启动后则继续进行步骤S52。若判断出芯片1正在运作(步骤S51-是)，则继续进行步骤S52。在步骤S52，升温电路100判断温度Temp是否高于停止加热温度阈值SHTT(-34℃)(步骤S52：Temp>SHTT(-34℃)？)。在温度Temp因加热而持续上升的期间，当温度Temp尚未高于停止加热温度阈值SHTT时(步骤S52-否)，则升温电路100判断温度Temp是否高于启动温度阈值CHTT(-40℃)但低于停止加热温度阈值SHTT(-34℃)(步骤S53：SHTT(-34℃)>Temp>CBTT(-40℃)？)。当判断出温度Temp是否高于启动温度阈值CHTT但低于停止加热温度阈值SHTT(步骤S53-是)，则调节升温电路100的加热功率(步骤S58)，且以调节后的加热功率来对芯片1加热(步骤S59)。在步骤S59后，升温控制方法回到步骤S50，透过步骤S50～S53、S58～S59，芯片1的温度Temp可以维持在预设温度范围-34℃～-40℃内或维持在预设温度范围-34℃～-40℃内的一预设温度，例如-36℃。
在一例子中，假设芯片1所处的环境的温度为-25℃。当供电电压VCC尚未提供至芯片1时(即当芯片1未上电时)，芯片1的温度等于环境温度(-25℃)。当供电电压VCC提供至芯片1(即当芯片1上电)，首先由升温电路100判断芯片1的温度Temp是否高于启动温度阈值CHTT(-40℃)(步骤S50Temp)。由于此时的温度Temp高于启动温度阈值CHTT(步骤S50-是)，则执行步骤S51。在步骤S51，判断芯片1是否正在运作。若判断出芯片1非正在运作(步骤S51-否)，则启动芯片1(步骤S56)。芯片1启动后则继续进行步骤S52。若判断出芯片1正在运作(步骤S51-是)，则继续进行步骤S52。在步骤S52，升温电路100判断温度Temp是否高于停止加热温度阈值SHTT(-34℃)。由于环境温度已高于-25℃，因此此时的温度Temp高于停止加热温度阈值SHTT(步骤S52-是)。接着，在步骤S57中，停止提供供电电压VCC至升温电路100，使其不产生热能，即不对芯片加热。
根据上述的升温控制方法，本案可在环境温度低于正常工作温度范围的下限值的情况下，自动对芯片1加热，使其温度能上升至正常工作温度范围内。此外，当芯片1温度能上升至超过正常工作温度范围的下限值时，能调对芯片1的加热功率，使其维持在一预设温度范围内或在一预设温度。
根据本发明的上述各实施例，采用本发明的升温电路或升温控制方法的电子装置，可在高纬度地区或极低温的环境下正常操作，而不需采用工业等级或军用等级的规格。因此，可扩大电子装置的使用环境范围，有助于人类科技的发展与生活便利性的提升。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (19)

1.一种升温电路，设置在具有一正常工作温度范围的一芯片内，其特征在于，包括：
一比较电路，比较一温度电压与一第一阈值电压，其中，该温度电压表示该芯片的一温度；以及
一热能产生电路，受控于该比较电路，其中，当该温度电压小于该第一阈值电压时，该比较电路使能该热能产生电路以产生一热能，使该芯片的该温度上升。
2.如权利要求1所述的升温电路，其特征在于，当该芯片的该温度反应于该热能而上升至高于该正常工作温度范围的一下限值时，该热能产生电路根据一功率调节信号来调节该热能，使该芯片的该温度维持在该正常工作温度范围中的一预设温度范围内。
3.如权利要求1所述的升温电路，其特征在于，当该温度电压大于该第一阈值电压时，该比较电路禁能该热能产生电路。
4.如权利要求1所述的升温电路，其特征在于，该比较电路包括：
一第一比较器，比较该温度电压与该第一阈值电压以产生一升温控制信号，且当该温度电压低于该第一阈值电压时使能该升温控制信号；
一第二比较器，比较该温度电压与一第二阈值电压以产生一比较信号，且当该温度电压低于该第二阈值电压时使能该比较信号，其中，该第一阈值电压大于该第二阈值电压；
其中，当该升温控制信号被使能时，热能产生电路被使能。
5.如权利要求4所述的升温电路，其特征在于，该热能产生电路包括：
一晶体管，具有接收该升温控制信号的一控制电极、耦接一电源端的一输入电极、以及一输出电极；以及
一负载电路，耦接于该晶体管的该输出电极与一接地端之间；
其中，当该热能产生电路根据该升温控制信号而被使能时，该负载电路产生由该电源端经该负载电路流向该接地端的一电流，藉以产生该热能。
6.如权利要求5所述的升温电路，其特征在于，该负载电路包括:
一可变电阻器，耦接于该晶体管的该输出电极与该接地端之间且具有一电阻值；
其中，当该芯片的该温度反应于该热能而上升至高于该正常工作温度范围的一下限值时，该可变电阻器根据一功率调节信号来改变该电阻值，藉以调节该热能，使该芯片的该温度维持在该正常工作温度范围中的一预设温度范围内。
7.如权利要求4所述的升温电路，其特征在于，还包括：
一复位控制电路，接收该比较信号，且根据该比较信号来产生一复位信号；
其中，当一比较结果表示该温度电压小于该第二阈值电压时，该复位控制电路产生具有一禁能电平的该复位信号以不启动该芯片；以及
其中，当该比较结果表示该温度电压大于该第二阈值电压时，该复位控制电路产生具有一使能电平的该复位信号以启动该芯片。
8.一种芯片，其特征在于，包括：
一温度传感器，测量该芯片的一温度以产生一温度电压；
一升温电路，接收该温度电压，比较该温度电压与一第一阈值电压以产生一升温控制信号，比较该温度电压与一第二阈值电压，且根据该温度电压与该第二阈值电压的一比较结果来产生一比较信号，其中，该第一阈值电压大于该第二阈值电压；以及
一处理器，耦接该升温电路，其中，该升温电路将该比较信号作为一复位信号提供至该处理器；
其中，当该温度电压小于该第一阈值电压时，该升温电路根据该升温控制信号来产生一热能藉以加热该芯片；以及
其中，当温度电压小于该第二阈值电压时，该复位信号具有一禁能电平，使得该处理器不操作。
9.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，还包括：
一模拟数字转换器，接收该温度电压，且将该温度电压转换为一数字温度信号；
其中，该处理器根据该数字温度信号来获得该芯片的该温度。
10.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，还包括：
一功率控制器，耦接该升温电路以及该处理器；
其中，当该温度电压大于该第二阈值电压时，该复位信号具有一使能电平使得该处理器操作，且该处理器产生一热能控制信号；以及
其中，该功率控制器根据该热能控制信号来产生对应的一功率调节信号该升温电路根据该功率调节信号调节该热能，藉以控制对该芯片的加热功率，使该芯片的该温度维持在一预设温度范围内。
11.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，其中，当该温度电压大于该第一阈值电压时，该升温电路停止产生该热能。
12.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，其中，该升温电路包括：
一比较电路，比较该温度电压与该第一阈值电压以产生该升温控制信号，且比较该温度电压与该第二阈值电压以产生该比较信号；以及
一热能产生电路，受控于该比较电路，其中，当该温度电压小于该第一阈值电压时，该升温电路根据该升温控制信号而被使能以产生该热能。
13.如权利要求12所述的芯片，其特征在于，其中，该比较电路包括：
一第一比较器，比较该温度电压与该第一阈值电压以产生该升温控制信号，且当该温度电压小于该第一阈值电压时使能该升温控制信号以使能该热能产生电路；
一第二比较器，比较该温度电压与该第二阈值电压以产生该比较信号，且当该温度电压小于该第二阈值电压时使能该比较信号。
14.如权利要求13所述的芯片，其特征在于，该升温电路还包括：
一复位控制电路，耦接该第二比较器以接收该比较信号，且根据该比较信号来产生该复位信号；
其中，当该温度电压小于该第二阈值电压时，该复位控制电路根据被使能的该比较信号来产生具有该禁能电平的该复位信号，使得该处理器不操作；以及
其中，当该温度电压大于该第二阈值电压时，该复位控制电路根据该比较信号来产生具有一使能电平的该复位信号，使得该处理器操作。
15.如权利要求13所述的芯片，其特征在于，该热能产生电路包括：
一晶体管，具有接收该升温控制信号的一控制电极、耦接一电源端的一输入电极、以及一输出电极；以及
一负载电路，耦接于该晶体管的该输出电极与一接地端之间；
其中，当该热能产生电路根据该升温控制信号而被使能时，该负载电路产生由该电源端经该负载电路流向该接地端的一电流，藉以产生该热能。
16.如权利要求15所述的芯片，其特征在于，该负载电路包括:
一可变电阻器，耦接于该晶体管的该输出电极与该接地端之间且具有一电阻值；
其中，当温度电压大于该第二阈值电压时，该复位信号具有一使能电平使得该处理器操作，且该处理器产生一热能控制信号；以及
其中，该可变电阻器的该电阻值根据该热能控制信号而改变，藉以调节该热能，使该芯片的该温度维持在一预设温度范围内。
17.一种升温控制方法，用于一芯片，其特征在于，包括：
测量该芯片的一芯片温度；
判断该芯片温度是否高于一第一阈值温度；
判断该芯片温度是否高于一第二阈值温度，其中，该第二阈值温度低于该第一阈值温度；
当该芯片温度不高于该第一阈值温度时，产生一热能，以加热该芯片；以及
当该芯片温度不高于该第二阈值温度时，不启动该芯片。
18.如权利要求17所述的升温控制方法，其特征在于，还包括：
当该芯片被加热使该芯片温度高于该第二阈值温度时，启动该芯片，且控制对该芯片的加热功率，以将该芯片温度维持在一预设温度范围内。
19.如权利要求17所述的升温控制方法，其特征在于，还包括：
当该芯片温度高于该第一阈值温度时，不产生该热能。
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