CN113036587A - 一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器 - Google Patents

一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，包括沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器，以及掺铒激光晶体棒和LD侧面泵浦系统。本发明将单晶光纤、端面泵浦、侧面泵浦三者优势相结合，通过LD端面泵浦掺铒单晶光纤，同时采用电光调Q晶体，实现高稳定、高光束质量的2.7～3μm的纳秒级激光作为种子光源，再通过LD侧面泵浦掺铒激光晶体棒实现能量放大，实现高峰值功率、高光束质量和窄脉宽的2.7～3μm的中红外激光输出，提高了2.7～3μm的中红外激光的光束质量和输出功率，满足了医学、非线性光学、科研及国防安全等领域不断发展的应用需要。

Description

一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器
技术领域
本发明涉及激光技术领域，尤其是一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器。
背景技术
掺铒离子激光材料，其中4I11/2→4I13/2的能级跃迁，可产生波段为2.7～3μm的中红外激光，2.7～3μm波段与水的强吸收峰位置重叠，因此，水对2.7～3μm的中红外激光的吸收率特别高，2.7～3μm波段是精细外科手术理想的工作波段，这一性质使铒激光在生物和医学领域已得了非常广泛的应用。
此外，用2.7～3μm的中红外激光泵浦红外非线性晶体实现光参量振荡，能够获得3～5μm和8～20μm的中远红外光源，可用于光电对抗即光电干扰、红外照明、激光雷达、自由空间通信、化学和生物战剂的探测、环境污染监测以及反恐等领域。而且许多非线性光学晶体在2.7～3μm波段的吸收损耗较低，并且2.7～3μm相比于1μm和2μm，其与中远红外更接近，在通过光参量振荡产生8～20μm时具有更高的效率，因此2.7～3μm的中红外激光是中远红外光参量振荡激光较为理想的泵浦源。
在研究高浓度掺铒晶体的中红外激光的性能时发现，LD端面泵浦激光器由于泵浦光吸收不均匀，单位面积上能量密度过高导致较强的热效应，易造成晶体破裂，其激光输出功率的大小受到极大限制，但是由于光纤耦合的泵浦光束质量较高，因而其输出的2.7～3μm的中红外激光的光束质量较高，可获得接近基模的激光输出。LD侧面泵浦由于泵浦均匀，晶体元件尺寸可相对较大，能够较好地解决输出功率低的问题，但是其输出激光的光束质量不高。
近年来单晶光纤激光器取得了较大进展，与玻璃光纤相比，单晶光纤是将晶体材料制备成纤维状的单晶体，直径几微米至数百微米，单晶光纤激光器能够结合单晶和光纤增益的双重优点，具有较好的散热特性，从而可以获得相对较高的光束质量。
发明内容
为了克服上述现有技术中的缺陷，本发明提供一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，提高了2.7～3μm的中红外激光的光束质量和输出功率，满足了医学、非线性光学、科研及国防安全等领域不断发展的应用需要。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案，包括：
一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，包括沿光路传输方向依次设置的振荡级和放大级；
所述振荡级包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器；所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；
所述振荡级中，第一谐振腔镜M1与第二谐振腔镜M2之间采用970nmLD光纤耦合泵浦源的端面泵浦掺铒单晶光纤，并通过电光调Q晶体产生高光束质量的窄脉宽激光，将所产生的该高光束质量的窄脉宽激光传输至放大级中；
所述放大级包括：掺铒激光晶体棒和LD侧面泵浦系统；所述LD侧面泵浦系统为970nmLD侧面泵浦系统；
所述放大级将振荡级所产生的高光束质量的窄脉宽激光作为种子光源，采用970nmLD侧面泵浦系统泵浦掺铒激光晶体棒，将种子光源放大后获得高功率、高光束质量的2.7～3μm纳秒级的窄脉宽中红外激光。
所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.7～3μm波段全反射的膜；所述第二谐振腔镜M2为两侧面均镀有部分透过膜的输出镜，且部分透过膜在2.7～3μm波段透过率为0.5～5％；所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件。
所述电光调Q晶体为LGS即La3Ga5SiO12晶体，或LN即LiNbO3晶体。
所述掺铒单晶光纤和所述掺铒激光晶体棒均以Er3+为激活离子，掺Er3+浓度范围均为5～50at％，以石榴石、钙钛矿、倍半氧化物、氟化物系列晶体中的一种作为基质晶体；所述掺铒单晶光纤的直径为100～1000μm，所述掺铒激光晶体棒的直径为1～10mm。
所述起偏器为以布儒斯特角放置Al2O3片堆；或者，将单晶光纤双端面以布儒斯特角进行切割加工，即可直接输出偏振光，从而取代所述起偏器。
所述放大级包括按照光路传输方向依次设置的多级放大单元，每级放大单元均包括掺铒激光晶体棒及LD侧面泵浦系统，且后一级放大单元的掺铒激光晶体棒的直径比前一级放大单元的掺铒激光晶体棒的直径大。
一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，包括沿光路传输方向依次设置的振荡级和放大级；所述振荡级包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器；所述放大级包括：掺铒激光晶体棒和LD侧面泵浦系统；
其中，所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.7μm波段全反射的膜；所述电光调Q晶体为LGS晶体，其通光面尺寸为7mm×7mm，通光长度为50mm；所述起偏器为以布儒斯特角依次放置的3片Al2O3片堆，且每片Al2O3的厚度均为1mm，直径均为20mm；所述掺铒单晶光纤为掺Er3+浓度为5at％，通光面直径为800μm，通光长度为20mm的Er:YAP单晶光纤；所述第二谐振腔镜M2为在2.7μm波段透过率为2％的输出镜；所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件；所述掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为5at％，通光面直径为3mm，通光长度为90mm的Er:YAP激光晶体棒；所述LD侧面泵浦系统为970nmLD侧面泵浦系统；
该激光器输出高功率、高光束质量的2.7μm纳秒级的窄脉宽中红外激光。
一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，包括沿光路传输方向依次设置的振荡级和放大级；所述振荡级包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器；所述放大级包括：掺铒激光晶体棒和LD侧面泵浦系统；
其中，所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.94μm波段全反射的膜；所述电光调Q晶体为LN晶体，其通光面尺寸为7mm×7mm，通光长度为50mm；所述起偏器为以布儒斯特角依次放置的3片Al2O3片堆，且每片Al2O3的厚度均为1mm，直径均为20mm；所述掺铒单晶光纤为掺Er3+浓度为50at％，通光面直径为500μm，通光长度为10mm的Er:YAG单晶光纤；所述第二谐振腔镜M2为在2.94μm波段透过率为0.5％的输出镜；所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件；所述掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为50at％，通光面直径为3mm，通光长度为90mm的Er:YAG激光晶体棒；所述LD侧面泵浦系统为970nmLD侧面泵浦系统；
该激光器输出高功率、高光束质量的2.94μm纳秒级的窄脉宽中红外激光。
一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，包括沿光路传输方向依次设置的振荡级和放大级；所述振荡级包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器；所述放大级包括：掺铒激光晶体棒和LD侧面泵浦系统；
其中，所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.84μm波段全反射的膜；所述电光调Q晶体为LGS晶体，其通光面尺寸为7mm×7mm，通光长度为50mm；所述起偏器为以布儒斯特角依次放置的3片Al2O3片堆，且每片Al2O3的厚度均为1mm，直径均为20mm；所述掺铒单晶光纤为掺Er3+浓度为10at％，通光面直径为800μm，通光长度为16mm的Er:Lu2O3单晶光纤；所述第二谐振腔镜M2为在2.84μm波段透过率为5％的输出镜；所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件；所述掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为10at％，通光面直径为3mm，通光长度为60mm的Er:Lu2O3激光晶体棒；所述LD侧面泵浦系统为970nmLD侧面泵浦系统；
该激光器输出高功率、高光束质量的2.84μm纳秒级的窄脉宽中红外激光。
一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，包括沿光路传输方向依次设置的振荡级和放大级；所述振荡级包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、布儒斯特角端面的掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器；所述放大级包括两级放大单元，且每级放大单元中均包括掺铒激光晶体棒和LD侧面泵浦系统；
所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.81μm波段全反射的膜；所述电光调Q晶体为尺寸为通光面7mm×7mm，通光长度50mm的LGS晶体；所述掺铒单晶光纤为掺Er3+浓度为10at％，直径为900μm，长度为20mm的Er:LiYF4单晶光纤，所述掺铒单晶光纤双端面以布儒斯特角进行切割加工；所述第二谐振腔镜M2为在2.81μm波段透过率为10％的输出镜；所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件，具体为掺Bi系磁光晶体或薄膜制成的器件；一级放大单元中的掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为10at％，通光面直径为3mm，通光长度为80mm的Er:LiYF4激光晶体棒；二级放大单元中的掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为10at％，通光面直径为5mm，通光长度为80mm的Er:LiYF4激光晶体棒；一级放大单元和二级放大单元中的LD侧面泵浦系统均为970nmLD侧面泵浦系统；
该激光器输出高功率、高光束质量的2.81μm纳秒级的窄脉宽中红外激光。
本发明的优点在于：
(1)本发明将单晶光纤、端面泵浦、侧面泵浦三者优势相结合，通过LD端面泵浦掺铒单晶光纤，同时采用电光调Q晶体，实现高稳定、高光束质量的2.7～3μm的纳秒级激光作为种子光源，再通过LD侧面泵浦掺铒激光晶体棒实现能量放大，实现高峰值功率、高光束质量和窄脉宽的2.7～3μm的中红外激光输出，提高了2.7～3μm的中红外激光的光束质量和输出功率，满足了医学、非线性光学、科研及国防安全等领域不断发展的应用需要。
附图说明
图1为一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
由图1所示，本发明的一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器、掺铒激光晶体棒及LD侧面泵浦系统。
所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源。
所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.7～3μm波段全反射的膜。
所述电光调Q晶体为LGS即La3Ga5SiO12晶体或LN即LiNbO3晶体，所述电光调Q晶体用于将激光脉宽压窄至纳秒级。
所述起偏器为以布儒斯特角放置的Al2O3片堆，具体为Al2O3双面抛光片；或者，所述起偏器不采用以布儒斯特角放置的Al2O3片堆，通过将单晶光纤双端面以布儒斯特角进行切割加工，实现偏振光的输出；所述起偏器通过腔内振荡将激光光束转为偏振光；
所述第二谐振腔镜M2为两侧面均镀有部分透过膜的输出镜，且部分透过膜在2.7～3μm波段透过率为0.5～5％；
所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件，具体为掺Bi系磁光晶体或薄膜制成的器件；
所述掺铒单晶光纤的直径为100～1000μm；掺Er3+浓度为5～50at％；
所述掺铒激光晶体棒的直径为1～10mm，掺Er3+浓度为5～50at％；
所述掺铒单晶光纤和所述掺铒激光晶体棒均以Er3+为激活离子，掺杂浓度范围为5～50at％，以石榴石、钙钛矿、倍半氧化物、氟化物系列晶体作为基质晶体，为激活离子提供一个晶格场；
所述LD侧面泵浦系统为970nmLD侧面泵浦系统。
其中，泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器构成振荡级；掺铒激光晶体棒及LD侧面泵浦系统构成放大级。
所述振荡级中，第一谐振腔镜M1与第二谐振腔镜M2之间采用970nmLD光纤耦合泵浦源的端面泵浦掺Er3+浓度为5～50at％的掺铒单晶光纤，并通过电光调Q晶体产生高光束质量的窄脉宽激光；并将所产生的该高光束质量的窄脉宽激光传输至放大级中；
所述放大级中，将振荡级所产生的高光束质量的窄脉宽激光作为种子光源，采用970nmLD侧面泵浦系统泵浦掺Er3+浓度为5～50at％的掺铒激光晶体棒，将种子光源放大后获得高功率、高光束质量的2.7～3μm纳秒级的窄脉宽中红外激光。
本发明中，振荡级端面泵浦的激光输出功率能够达到1W，光束质量M2因子能够达到1.3；放大级侧面泵浦的激光输出功率能够达到10W，光束质量M2因子能够达到2，脉宽能够达到50ns。光束质量M2因子又被称为激光束质量因子或衍射极限因子，具体参见现有技术。
本发明中，所述放大级可包括多级放大单元，根据实际应用需要，按照光路传输方向，可依次设置多级放大单元，每级放大单元均包括掺铒激光晶体棒及LD侧面泵浦系统，且后一级放大单元的掺铒激光晶体棒的直径比前一级放大单元的掺铒激光晶体棒的直径大，通过多级放大的方式以提高2.7～3μm激光输出功率。
本发明中，针对振荡级的掺铒单晶光纤和放大级的掺铒激光晶体棒均设有冷却系统，用于将没有转换成输出激光的废热带走。
实施例一、
一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器、掺铒激光晶体棒及LD侧面泵浦系统。
所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；
所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.7μm波段全反射的膜；
所述电光调Q晶体为LGS晶体，其通光面尺寸为7mm×7mm，通光长度为50mm；
所述起偏器为以布儒斯特角依次放置的3片Al2O3片堆，且每片Al2O3的厚度均为1mm，直径均为20mm；
所述掺铒单晶光纤为掺Er3+浓度为5at％，通光面直径为800μm，通光长度为20mm的Er:YAP单晶光纤；
所述第二谐振腔镜M2为在2.7μm波段透过率为2％的输出镜；
所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件，具体为掺Bi系磁光晶体或薄膜制成的器件；
所述掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为5at％，通光面直径为3mm，通光长度为90mm的Er:YAP激光晶体棒；
所述LD侧面泵浦系统为970nmLD侧面泵浦系统；
本实施例一的激光器可实现高功率、高光束质量的2.7μm纳秒级的窄脉宽中红外激光的输出。
实施例二、
一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器、掺铒激光晶体棒及LD侧面泵浦系统。
所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；
所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.79μm波段全反射的膜；
所述电光调Q晶体为LGS晶体，其通光面尺寸为7mm×7mm，通光长度为50mm；
所述起偏器为以布儒斯特角依次放置的3片Al2O3片堆，且每片Al2O3的厚度均为1mm，直径均为20mm；
所述掺铒单晶光纤为掺Er3+浓度为30at％，通光面直径为700μm，通光长度为12mm的Er:YSGG单晶光纤；
所述第二谐振腔镜M2为在2.79μm波段透过率为2.5％的输出镜；
所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件，具体为掺Bi系磁光晶体或薄膜制成的器件；
所述掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为30at％，通光面直径为3mm，通光长度为90mm的Er:YSGG激光晶体棒；
所述LD侧面泵浦系统为970nmLD侧面泵浦系统；
本实施例二的激光器可实现高功率、高光束质量的2.79μm纳秒级的窄脉宽中红外激光的输出。
实施例三、
一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器、掺铒激光晶体棒及LD侧面泵浦系统。
所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；
所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.94μm波段全反射的膜；
所述电光调Q晶体为LN晶体，其通光面尺寸为7mm×7mm，通光长度为50mm；
所述起偏器为以布儒斯特角依次放置的3片Al2O3片堆，且每片Al2O3的厚度均为1mm，直径均为20mm；
所述掺铒单晶光纤为掺Er3+浓度为50at％，通光面直径为500μm，通光长度为10mm的Er:YAG单晶光纤；
所述第二谐振腔镜M2为在2.94μm波段透过率为0.5％的输出镜；
所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件，具体为掺Bi系磁光晶体或薄膜制成的器件；
所述掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为50at％，通光面直径为3mm，通光长度为90mm的Er:YAG激光晶体棒；
所述LD侧面泵浦系统为970nmLD侧面泵浦系统；
本实施例三的激光器可实现高功率、高光束质量的2.94μm纳秒级的窄脉宽中红外激光的输出。
实施例四、
一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器、掺铒激光晶体棒及LD侧面泵浦系统。
所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；
所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.84μm波段全反射的膜；
所述电光调Q晶体为LGS晶体，其通光面尺寸为7mm×7mm，通光长度为50mm；
所述起偏器为以布儒斯特角依次放置的3片Al2O3片堆，且每片Al2O3的厚度均为1mm，直径均为20mm；
所述掺铒单晶光纤为掺Er3+浓度为10at％，通光面直径为800μm，通光长度为16mm的Er:Lu2O3单晶光纤；
所述第二谐振腔镜M2为在2.84μm波段透过率为5％的输出镜；
所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件，具体为掺Bi系磁光晶体或薄膜制成的器件；
所述掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为10at％，通光面直径为3mm，通光长度为60mm的Er:Lu2O3激光晶体棒；
所述LD侧面泵浦系统为970nmLD侧面泵浦系统；
本实施例四的激光器可实现高功率、高光束质量的2.84μm纳秒级的窄脉宽中红外激光的输出。
实施例五、
一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，包括沿光路传输方向依次设置的振荡级和放大级；所述振荡级包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、布儒斯特角端面的掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器；所述放大级为两级放大单元，每级放大单元中均包括掺铒激光晶体棒和LD侧面泵浦系统；
所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；
所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.81μm波段全反射的膜；
所述电光调Q晶体为尺寸为通光面7mm×7mm，通光长度50mm的LGS晶体；
所述掺铒单晶光纤为掺Er3+浓度为10at％，直径为900μm，长度为20mm的Er:LiYF4单晶光纤，所述掺铒单晶光纤双端面以布儒斯特角进行切割加工；
所述第二谐振腔镜M2为在2.81μm波段透过率为10％的输出镜；
所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件，具体为掺Bi系磁光晶体或薄膜制成的器件；
一级放大单元中的所述掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为10at％，通光面直径为3mm，通光长度为80mm的Er:LiYF4激光晶体棒；
二级放大单元中的所述掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为10at％，通光面直径为5mm，通光长度为80mm的Er:LiYF4激光晶体棒；
一级放大单元和二级放大单元中的所述LD侧面泵浦系统均为970nmLD侧面泵浦系统；
本实施例五的激光器输出高功率、高光束质量的2.81μm纳秒级的窄脉宽中红外激光。
以上仅为本发明创造的较佳实施例而已，并不用以限制本发明创造，凡在本发明创造的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明创造的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，其特征在于，包括沿光路传输方向依次设置的振荡级和放大级；
所述振荡级包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器；所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；
所述振荡级中，第一谐振腔镜M1与第二谐振腔镜M2之间采用970nmLD光纤耦合泵浦源的端面泵浦掺铒单晶光纤，并通过电光调Q晶体产生高光束质量的窄脉宽激光，将所产生的该高光束质量的窄脉宽激光传输至放大级中；
所述放大级包括：掺铒激光晶体棒和LD侧面泵浦系统；所述LD侧面泵浦系统为970nmLD侧面泵浦系统；
所述放大级将振荡级所产生的高光束质量的窄脉宽激光作为种子光源，采用970nmLD侧面泵浦系统泵浦掺铒激光晶体棒，将种子光源放大后获得高功率、高光束质量的2.7～3μm纳秒级的窄脉宽中红外激光。
2.根据权利要求1所述的一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，其特征在于，所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.7～3μm波段全反射的膜；所述第二谐振腔镜M2为两侧面均镀有部分透过膜的输出镜，且部分透过膜在2.7～3μm波段透过率为0.5～5％；所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件。
3.根据权利要求1所述的一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，其特征在于，所述电光调Q晶体为LGS即La3Ga5SiO12晶体，或LN即LiNbO3晶体。
4.根据权利要求1所述的一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，其特征在于，所述掺铒单晶光纤和所述掺铒激光晶体棒均以Er3+为激活离子，掺Er3+浓度范围均为5～50at％，以石榴石、钙钛矿、倍半氧化物、氟化物系列晶体中的一种作为基质晶体；所述掺铒单晶光纤的直径为100～1000μm，所述掺铒激光晶体棒的直径为1～10mm。
5.根据权利要求1所述的一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，其特征在于，所述起偏器为以布儒斯特角放置Al2O3片堆；或者，将单晶光纤双端面以布儒斯特角进行切割加工，即可直接输出偏振光，从而取代所述起偏器。
6.根据权利要求1或5所述的一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，其特征在于，所述放大级包括按照光路传输方向依次设置的多级放大单元，每级放大单元均包括掺铒激光晶体棒及LD侧面泵浦系统，且后一级放大单元的掺铒激光晶体棒的直径，比前一级放大单元的掺铒激光晶体棒的直径大。
7.一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，其特征在于，包括沿光路传输方向依次设置的振荡级和放大级；所述振荡级包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器；所述放大级包括：掺铒激光晶体棒和LD侧面泵浦系统；
其中，所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.7μm波段全反射的膜；所述电光调Q晶体为LGS晶体，其通光面尺寸为7mm×7mm，通光长度为50mm；所述起偏器为以布儒斯特角依次放置的3片Al2O3片堆，且每片Al2O3的厚度均为1mm，直径均为20mm；所述掺铒单晶光纤为掺Er3+浓度为5at％，通光面直径为800μm，通光长度为20mm的Er:YAP单晶光纤；所述第二谐振腔镜M2为在2.7μm波段透过率为2％的输出镜；所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件；所述掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为5at％，通光面直径为3mm，通光长度为90mm的Er:YAP激光晶体棒；所述LD侧面泵浦系统为970nmLD侧面泵浦系统；
该激光器输出高功率、高光束质量的2.7μm纳秒级的窄脉宽中红外激光。
8.一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，其特征在于，包括沿光路传输方向依次设置的振荡级和放大级；所述振荡级包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器；所述放大级包括：掺铒激光晶体棒和LD侧面泵浦系统；
其中，所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.94μm波段全反射的膜；所述电光调Q晶体为LN晶体，其通光面尺寸为7mm×7mm，通光长度为50mm；所述起偏器为以布儒斯特角依次放置的3片Al2O3片堆，且每片Al2O3的厚度均为1mm，直径均为20mm；所述掺铒单晶光纤为掺Er3+浓度为50at％，通光面直径为500μm，通光长度为10mm的Er:YAG单晶光纤；所述第二谐振腔镜M2为在2.94μm波段透过率为0.5％的输出镜；所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件；所述掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为50at％，通光面直径为3mm，通光长度为90mm的Er:YAG激光晶体棒；所述LD侧面泵浦系统为970nmLD侧面泵浦系统；
该激光器输出高功率、高光束质量的2.94μm纳秒级的窄脉宽中红外激光。
9.一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，其特征在于，包括沿光路传输方向依次设置的振荡级和放大级；所述振荡级包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、起偏器、掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器；所述放大级包括：掺铒激光晶体棒和LD侧面泵浦系统；
其中，所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.84μm波段全反射的膜；所述电光调Q晶体为LGS晶体，其通光面尺寸为7mm×7mm，通光长度为50mm；所述起偏器为以布儒斯特角依次放置的3片Al2O3片堆，且每片Al2O3的厚度均为1mm，直径均为20mm；所述掺铒单晶光纤为掺Er3+浓度为10at％，通光面直径为800μm，通光长度为16mm的Er:Lu2O3单晶光纤；所述第二谐振腔镜M2为在2.84μm波段透过率为5％的输出镜；所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件；所述掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为10at％，通光面直径为3mm，通光长度为60mm的Er:Lu2O3激光晶体棒；所述LD侧面泵浦系统为970nmLD侧面泵浦系统；
该激光器输出高功率、高光束质量的2.84μm纳秒级的窄脉宽中红外激光。
10.一种基于掺铒单晶光纤种子光源的放大中红外激光器，其特征在于，包括沿光路传输方向依次设置的振荡级和放大级；所述振荡级包括：沿光路传输方向依次设置的泵浦源、耦合器、第一谐振腔镜M1、电光调Q晶体、布儒斯特角端面的掺铒单晶光纤、第二谐振腔镜M2、光隔离器；所述放大级包括两级放大单元，且每级放大单元中均包括掺铒激光晶体棒和LD侧面泵浦系统；
所述泵浦源为970nmLD光纤耦合泵浦源；所述第一谐振腔镜M1为介质镜，第一谐振腔镜M1的入射面镀有970nm增透膜，第一谐振腔镜M1的出射面镀有970nm增透且2.81μm波段全反射的膜；所述电光调Q晶体为尺寸为通光面7mm×7mm，通光长度50mm的LGS晶体；所述掺铒单晶光纤为掺Er3+浓度为10at％，直径为900μm，长度为20mm的Er:LiYF4单晶光纤，所述掺铒单晶光纤双端面以布儒斯特角进行切割加工；所述第二谐振腔镜M2为在2.81μm波段透过率为10％的输出镜；所述光隔离器为针对2.7～3μm激光仅能单方向通过的器件，具体为掺Bi系磁光晶体或薄膜制成的器件；一级放大单元中的掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为10at％，通光面直径为3mm，通光长度为80mm的Er:LiYF4激光晶体棒；二级放大单元中的掺铒激光晶体棒为掺Er3+浓度为10at％，通光面直径为5mm，通光长度为80mm的Er:LiYF4激光晶体棒；一级放大单元和二级放大单元中的LD侧面泵浦系统均为970nmLD侧面泵浦系统；
该激光器输出高功率、高光束质量的2.81μm纳秒级的窄脉宽中红外激光。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113224627A (zh) * 2021-07-12 2021-08-06 北京莱泽光电技术有限公司 一种脉冲型固体激光器
CN113991412A (zh) * 2021-09-15 2022-01-28 中国科学院福建物质结构研究所 一种基于yig磁光晶体的中红外调q激光器
CN115064929A (zh) * 2022-08-05 2022-09-16 武汉创鑫激光科技有限公司 一种晶体光纤泵浦光耦合系统及其方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202068086U (zh) * 2011-04-12 2011-12-07 深圳大学 一种2.7微米光纤激光器的实现装置
CN102738697A (zh) * 2011-04-12 2012-10-17 深圳大学 一种2.7微米光纤激光器的实现方法和装置
CN202906186U (zh) * 2012-07-26 2013-04-24 深圳大学 一种多波长掺铒光子晶体光纤激光器
CN203813197U (zh) * 2014-04-14 2014-09-03 北京天人即和科技有限公司 一种基于激光二极管侧面泵浦的掺铒激光器
CN105161961A (zh) * 2015-09-30 2015-12-16 中国科学院合肥物质科学研究院 一种高脉冲能量微脉冲激光雷达光源
CN107181159A (zh) * 2017-07-03 2017-09-19 山东大学 全光纤被动调q脉冲光纤激光器
CN109687266A (zh) * 2018-12-19 2019-04-26 山东大学 一种高峰值功率2.79微米铒激光器
CN110581431A (zh) * 2019-09-11 2019-12-17 深圳大学 一种掺铒氟化物光纤激光器及激光产生方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202068086U (zh) * 2011-04-12 2011-12-07 深圳大学 一种2.7微米光纤激光器的实现装置
CN102738697A (zh) * 2011-04-12 2012-10-17 深圳大学 一种2.7微米光纤激光器的实现方法和装置
CN202906186U (zh) * 2012-07-26 2013-04-24 深圳大学 一种多波长掺铒光子晶体光纤激光器
CN203813197U (zh) * 2014-04-14 2014-09-03 北京天人即和科技有限公司 一种基于激光二极管侧面泵浦的掺铒激光器
CN105161961A (zh) * 2015-09-30 2015-12-16 中国科学院合肥物质科学研究院 一种高脉冲能量微脉冲激光雷达光源
CN107181159A (zh) * 2017-07-03 2017-09-19 山东大学 全光纤被动调q脉冲光纤激光器
CN109687266A (zh) * 2018-12-19 2019-04-26 山东大学 一种高峰值功率2.79微米铒激光器
CN110581431A (zh) * 2019-09-11 2019-12-17 深圳大学 一种掺铒氟化物光纤激光器及激光产生方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113224627A (zh) * 2021-07-12 2021-08-06 北京莱泽光电技术有限公司 一种脉冲型固体激光器
CN113991412A (zh) * 2021-09-15 2022-01-28 中国科学院福建物质结构研究所 一种基于yig磁光晶体的中红外调q激光器
CN115064929A (zh) * 2022-08-05 2022-09-16 武汉创鑫激光科技有限公司 一种晶体光纤泵浦光耦合系统及其方法

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