CN113036403B - 电子装置及其天线结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种电子装置及其天线结构。天线结构包括：一第一辐射件、一馈入件、一第二辐射件以及一接地件。馈入件设置在第一辐射件的一第一侧边，馈入件与第一辐射件相距一第一预定间距，且馈入件、第一预定间距及第一辐射件共振产生一低频带以及一高频带。第二辐射件设置在第一辐射件相对第一侧边的一第二侧边。第二辐射件包括一本体部及一接地部。本体部与第一辐射件相距一第二预定间距。接地部、本体部及第二预定间距共振而增加低频带的带宽。接地件设置在第一辐射件的第一侧边，接地部电性连接于接地件。

Description

电子装置及其天线结构
技术领域
本发明涉及一种天线结构，特别是涉及一种具有双频宽频带的电子装置及其天线结构。
背景技术
首先，随着第五代移动通信技术(5th Generation Mobile Networks，5G)的发展，宽频天线的特性要求越来越高。就目前的5G NR频段而言，n257的应用频率范围介于26.5GHz至29.5GHz之间，且n260的应用频率范围介于37GHz至40GHz之间。但是，n257的应用频率范围及n260的应用频率范围非常接近，因此，同时涵盖有两个频带的宽频天线的架构将会较难设计。
目前的做法是利用双馈入而产生两个5G的频段。然而，如何利用单馈入的方式产生双频天线的特性，来克服上述的缺陷，已成为该项技术所欲解决的重要课题之一。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种电子装置及其天线结构。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种天线结构，其包括：一第一辐射件、一馈入件、一第二辐射件以及一接地件。所述馈入件设置在所述第一辐射件的一第一侧边，所述馈入件与所述第一辐射件相距一第一预定间距，且所述馈入件、所述第一预定间距及所述第一辐射件共振产生一低频带以及一高频带。所述第二辐射件设置在所述第一辐射件相对所述第一侧边的一第二侧边，所述第二辐射件包括一本体部及一接地部，所述本体部与所述第一辐射件相距一第二预定间距，所述接地部、所述本体部及所述第二预定间距共振而增加所述低频带的带宽。所述接地件设置在所述第一辐射件的所述第一侧边，所述接地部电性连接于所述接地件。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种电子装置，其包括：多个天线阵列组、多个信号源以及一射频芯片。每一所述天线阵列组包含极化方向不同的两个相邻的天线结构。每一所述天线结构包括：一第一辐射件、一馈入件、一第二辐射件以及一接地件。所述馈入件设置在所述第一辐射件的一第一侧边，所述馈入件与所述第一辐射件相距一第一预定间距，且所述馈入件、所述第一预定间距及所述第一辐射件共振产生一低频带以及一高频带。所述第二辐射件设置在所述第一辐射件相对所述第一侧边的一第二侧边，所述第二辐射件包括一本体部及一接地部，所述本体部与所述第一辐射件相距一第二预定间距，所述接地部、所述本体部及所述第二预定间距共振而增加所述低频带的带宽。所述接地件设置在所述第一辐射件的所述第一侧边，所述接地部电性连接于所述接地件。每一所述信号源分别对应于相对应的所述天线结构，每一所述信号源包括一馈入端以及一接地端，所述馈入端电性连接于相对应的所述天线结构的所述馈入件，所述接地端电性连接于相对应的所述天线结构的所述接地件。所述射频芯片电性连接于所述多个信号源。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的电子装置及其天线结构，其能通过“馈入件”以及“馈入件与第一辐射件之间的第一预定间距达到较佳的阻抗匹配，同时，能通过“本体部与第一辐射件之间的第二预定间距”以及“第二辐射件电性连接于接地件的路径”增加低频的频带，使得在单馈入的情况下增加天线结构U的阻抗频宽，并达到良好的阻抗匹配的效果。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例的天线结构的立体示意图。
图2为本发明第一实施例的天线结构的立体分解示意图。
图3为本发明第一实施例的天线结构的俯视示意图。
图4为本发明第一实施例的天线结构的前视示意图。
图5为本发明第一实施例的另外一天线结构的前视示意图。
图6为本发明第一实施例的再一天线结构的前视示意图。
图7为本发明第一实施例的又一天线结构的前视示意图。
图8为图4、图5、图6及图7的天线结构的返回损失的曲线示意图。
图9为本发明第一实施例的天线结构的返回损失的其中一曲线示意图。
图10为本发明第一实施例的天线结构的返回损失的另外一曲线示意图。
图11为本发明第一实施例的天线结构的返回损失的再一曲线示意图。
图12为本发明第一实施例的天线结构的返回损失的又一曲线示意图。
图13为本发明第二实施例的电子装置的其中一功能方框图。
图14为本发明第二实施例的电子装置的另外一功能方框图。
图15为本发明第二实施例的电子装置的再一功能方框图。
附图标记说明：
电子装置 D
天线阵列组 UG
天线结构 U
第一辐射件 1
长边 101
短边 102
开孔 10
馈入件 2
馈入部 21
耦合部 22
第二辐射件 3
本体部 31
接地部 32
接地件 4
信号源 S
馈入端 S1
接地端 S2
射频芯片 F
放大器电路 EA
双工器 D
低噪声放大器 LNA
功率放大器 PA
相位调整器 P
多工器 DMUX
混波器 M
低通滤波器 LPF
本地振荡 LO
基带电路 BC
对称中心点 AP
第一中心轴线 A1
第二中心轴线 A2
第一预定间距 C1
第二预定间距 C2
第一预定距离 R1
第二预定距离 R2
第一电气长度 K1
第二电气长度 K2
曲线 L11、L12、L13、L21、L22、L23、L31、L32、L33、L41、L42、L43、D1、
D2、D3、D4
操作频带 T1、T2、T3、T4
中频信号 IF1、IF2、IF3、IF4
方向 X、Y、Z
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“电子装置及其天线结构”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其它不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[第一实施例]
首先，参阅图1至图4所示，图1至图4分别为本发明第一实施例的天线结构的示意图，本发明提供一种天线结构U，第一实施例将先说明天线结构U的整体架构。另外，本发明提供一种应用天线结构U的电子装置D，电子装置D的架构将于后续实施例中进行说明。
承上述，天线结构U包括一第一辐射件1、一馈入件2、一第二辐射件3以及一接地件4。举例来说，本发明的天线结构U可以为一贴片天线(Patch Antenna)，因此，第二辐射件3、第一辐射件1、馈入件2及接地件4可分别为一设置在多层板结构上按序堆叠的金属层，但本发明不以此为限。
进一步来说，第一辐射件1包括一第一侧边以及相对第一侧边的一第二侧边，且第一侧边及第二侧边分别位于第一辐射件1的两相对侧。馈入件2设置在第一辐射件1的第一侧边，馈入件2与第一辐射件1彼此分离且相距一第一预定间距C1。此外，接地件4可设置在第一辐射件1的第一侧边，且馈入件2设置在第一辐射件1与接地件4之间。因此，馈入件2、第一预定间距C1以及第一辐射件1共振而产生一频率范围介于26.4GHz至31.5GHz之间的第一操作频带(低频带)以及一频率范围介于33.1GHz至40.5GHz之间的第二操作频带(高频带)。也就是说，低频带为一28GHz频带的频带范围，高频带为一39GHz频带的频带范围。然而，须说明的是，上述所举的频率范围的例子只是其中一可行的实施例，而并非用以限定本发明。
举例来说，第一辐射件1可为矩形的片状体，例如可为长方形，且其长度可例如但不限于为2.5毫米(millimeter)，宽度可例如但不限于为1.6毫米，厚度可例如但不限于为0.015毫米。因此，以长方形为例，第一辐射件1可定义有一长边101及一短边102，第一辐射件1的长边101用以共振产生一频率范围介于26.4GHz至31.5GHz之间的第一操作频带，第一辐射件1的短边102用以共振产生一频率范围介于33.1GHz至40.5GHz之间的第二操作频带。此外，举例来说，第一预定间距C1可介于0.05毫米至0.15毫米之间，但本发明不以此为限。另外，值得说明的是，文中所说明的第一侧边及第二侧边分别为第一辐射件1的长边101及短边102所构成的平面的两相对侧。
请参阅图2及图4所示，馈入件2包括一馈入部21以及一电性连接于馈入部21的耦合部22。耦合部22与第一辐射件1彼此分离且相距第一预定间距C1。此外，一信号源S可连接于天线结构U的馈入件2，以馈入射频信号。详细来说，信号源S包括一馈入端S1以及一接地端S2，馈入端S1电性连接于馈入件2的馈入部21，接地端S2电性连接于接地件4。此外，举例来说，信号源S可为一同轴电缆(Coaxial cable)，但本发明不以此为限。本发明是以馈入件2的耦合部22为圆形作为举例说明，然而，在其他其它实施方式中，耦合部22也可以为其他其它形状，例如但不限于矩形，本发明不已此为限。
请参阅图1、图2及图4所示，第二辐射件3设置在第一辐射件1的第二侧边，使得第一辐射件1位在馈入件2与第二辐射件3之间。进一步来说，第二辐射件3包括一本体部31以及一接地部32。本体部31与第一辐射件1彼此分离且相距一第二预定间距C2。此外，举例来说，第二辐射件3可为矩形的片状体，例如可为长方形，且其长度可例如但不限于为2.5毫米，宽度可例如但不限于为1.6毫米，厚度可例如但不限于为0.015毫米。换句话说，第二辐射件3的形状及大小可与第一辐射件1相同，但本发明不以此为限。另外，须说明的是，为了清楚说明第一辐射件1及第二辐射件3的相对位置，图中是以第二辐射件3的形状及大小与第一辐射件1相异作为示例性的说明。此外，举例来说，第二预定间距C2可介于0.15毫米至0.25毫米之间，但本发明不以此为限。值得说明的是，举例来说，上述的接地部32及馈入部21可为多层板中用于连接各金属层的导电部。
另外，请参阅图2及图4所示，第一辐射件1还进一步包括一开孔10，开孔10位于第一辐射件1上且贯穿第一辐射件1。因此，第二辐射件3的接地部32，可通过开孔10而电性连接于接地件4。举例来说，开孔10的直径可例为0.4毫米，接地部32的直径为0.2毫米，如此一来，可避免第一辐射件1因为接地部32接触到第一辐射件1而接地。
请参阅图3所示，馈入件2的耦合部22在第一辐射件1上的垂直正投影与接地部32在第一辐射件1上的垂直正投影分别位于第一辐射件1的两个相对应的对角。进一步来说，第一辐射件1具有一垂直于长边101的第一中心轴线A1以及一垂直于短边的第二中心轴线A2，第一中心轴线A1与第二中心轴线A2彼此垂直，且第一中心轴线A1与第二中心轴线A2彼此交错于第一辐射件1的对称中心点AP。
承上述，举例来说，馈入件2的耦合部22在第一辐射件1上的垂直正投影与对称中心点AP之间具有一第一预定距离R1，第一预定距离R1约为天线结构U操作于第一操作频带中的中心频率所对应波长的0.14倍至0.16倍之间。此外，接地部32在第一辐射件1上的垂直正投影与对称中心点AP之间具有一第二预定距离R2，第二预定距离R2约为天线结构U操作于第一操作频带中的中心频率所对应波长的0.17倍至0.19倍之间。然而，须说明的是，本发明不以上述所举的例子为限制。此外，举例来说，第一预定距离R1约为0.8毫米至0.9毫米之间，第二预定距离R2约为0.9毫米至1.1毫米之间，但本发明不以此为限。
进一步来说，以本发明的天线结构U而言，射频信号由信号源S馈入经过馈入件2的馈入部21、耦合部22所形成的路径并与耦合部22与第一辐射件1之间的第一预定间距C1耦合而形成一串联LC共振架构。其中，耦合部22的面积可决定串联LC共振架构的电感量，预定间距C1可决定串联LC共振架构的电容量。因此，可通过改变耦合部22的面积大小及/或耦合部22与第一辐射件1之间的第一预定间距C1而调整第一操作频带及第二操作频带的阻抗匹配。另一方面，本发明实施例可再利用由接地件4经过第二辐射件3的接地部32以及第二辐射件3的本体部31所形成的路径并与第一辐射件1及本体部31之间的第二预定间距C2耦合而形成另一LC共振架构。接地部32、本体部31及第二预定间距C2能共振而增加低频带的带宽。此外，第二预定间距C2也可决定LC共振架构的电容量，因此，增加第一操作频带的频宽。本领域通常知识者可通过改变第二辐射件3的接地部32及/或第二预定间距C2而调整第一操作频带的频宽。
接着，请参阅图4至图8所示，图5至图7分别为其他实施方式的天线结构的前视示意图，图8为图4、图5、图6及图7的天线结构的返回损失的曲线示意图。图8中的曲线D1代表图5的返回损失(return loss)的曲线，曲线D2代表图6的返回损失的曲线，曲线D3代表图7的返回损失的曲线，曲线D4代表图4的返回损失的曲线。图5为只有利用馈入部21直接馈入至第一辐射件1的实施方式，因此，如图8所示，图5的实施方式中的28GHz和39GHz的阻抗匹配效果不佳。图6为利用馈入部21直接馈入至第一辐射件1，且配合接地件4经过接地部32及的本体部31所形成的路径与第一辐射件1及本体部31之间的第二预定间距C2的实施方式，因此，如图8所示，图6的实施方式中的28GHz和39GHz的阻抗匹配效果不佳，且在30.5GHz处会多一个共振频带。图7为利用馈入部21馈入至耦合部22，并配合耦合部22与第一辐射件1耦合共振的实施方式，因此，如图8所示，图7的实施方式中的28GHz和39GHz的阻抗匹配可在返回损失为-10dB以下，且28GHz的阻抗频宽为10.7％，39GHz的阻抗频宽为29.9％。如图4所示，图4为本发明实施例的天线结构U，因此，如图8所示，图4的实施方式中的28GHz和39GHz的阻抗匹配可在返回损失为-10dB以下，且28GHz的阻抗频宽为17.8％，39GHz的阻抗频宽为20.1％。因此，如表一所示，表一为图4及图7在返回损失为-10dB以下时的频宽比较。
表一
接着，请参阅图9至图12所示，图9至图12分别为本发明第一实施例的天线结构的返回损失的曲线示意图，以下将进一步说明各路径的尺寸对天线结构U的返回损失的影响。如图9所示，图9为耦合部22的面积大小(直径)对天线结构U的返回损失的曲线示意图。曲线L11代表耦合部22的直径为0.4毫米，曲线L12代表耦合部22的直径为0.3毫米，曲线L13代表耦合部22的直径为0.2毫米。本发明实施例可通过调整耦合部22的直径的大小，而调整串联LC共振架构的串联电感量。由图9可知，当耦合部22的直径为0.4毫米时，天线结构U在第一操作频带及第二操作频带有较佳的阻抗匹配，但本发明不以此为限。
承上述，如图10所示，图10为第一预定间距C1对天线结构U的返回损失的曲线示意图。本发明实施例可通过调整第一预定间距C1的大小，而调整串联LC共振架构的串联电容量。曲线L21代表第一预定间距C1为0.1毫米，曲线L22代表第一预定间距C1为0.15毫米，曲线L23代表第一预定间距C1为0.2毫米。由图10可知，当第一预定间距C1为0.1毫米时，天线结构U在第一操作频带及第二操作频带有较佳的阻抗匹配，但本发明不以此为限。
承上述，如图11所示，图11为第二预定间距C2对天线结构U的返回损失的曲线示意图。本发明实施例可通过调整第二预定间距C2的大小，而调整阻抗匹配。曲线L31代表第二预定间距C2为0.2毫米，曲线L32代表第二预定间距C2为0.15毫米，曲线L33代表第二预定间距C2为0.25毫米。由图11可知，当第二预定间距C2为0.2毫米时，天线结构U在第一操作频带及第二操作频带有较佳的阻抗匹配，但本发明不以此为限。
承上述，如图12所示，图12为第二辐射件3的面积对天线结构U的返回损失的曲线示意图。本发明实施例可通过调整第二辐射件3的面积大小，而调整阻抗匹配。曲线L41代表第二辐射件3的面积大小为2.4毫米×1.6毫米，曲线L42代表第二辐射件3的面积大小为2.2毫米×1.4毫米，曲线L43代表第二辐射件3的面积大小为1.8毫米×1.0毫米。由图12可知，当第二辐射件3的面积为2.4毫米×1.6毫米时，天线结构U在第一操作频带及第二操作频带有较佳的阻抗匹配，但本发明不以此为限。
[第二实施例]
首先，请参阅图13及图14所示，图13及图14分别为本发明第二实施例的电子装置的功能方框图。本发明第二实施例提供一种电子装置D，其包括：多个天线阵列组、多个信号源S以及一射频芯片F。以本发明而言，电子装置D包括极化方向不同的至少两个相邻的天线结构U，且极化方向不同的两个相邻的天线结构U可以构成电子装置D中的一天线阵列组UG，即，每一天线阵列组UG包含极化方向不同的两个相邻的天线结构U。以图13的实施方式而言，其属于1×4的天线阵列，以图14的实施方式而言，其属于2×2的天线阵列。然而，须说明的是，在其它实施方式中，也可以依据需求采用其它形式的天线阵列形式，本发明不以天线阵列的形式为限制。
承上述，每一天线结构U包括一第一辐射件1、一馈入件2、一第二辐射件3以及一接地件4。另外，须说明的是，第二实施例所提供的电子装置D中的多个天线结构U的架构与前述实施例的天线结构U的架构相仿，在此不再赘述。因此，如同前述实施例所说明，每一天线结构U能产生一频率范围介于26.4GHz至31.5GHz之间的第一操作频带以及一频率范围介于33.1GHz至40.5GHz之间的第二操作频带。
承上述，每一信号源S分别对应于相对应的天线结构U，每一信号源S的馈入端S1电性连接于相对应的天线结构U的馈入件2，每一信号源S的接地端S2电性连接于相对应的天线结构U的接地件4。此外，射频芯片F电性连接于多个信号源S。举例来说，射频芯片可为射频前端(RF front-end)芯片，但本发明不以此为限。
接着，请参阅图13及图14所示，以下将进一步说明两个相邻且彼此的极化方向不同的天线结构U之间的位置关系。详细来说，天线阵列组UG中的其中一个天线结构U与另外一个天线结构U的极化方向可彼此正交。举例来说，天线阵列组UG中相邻的两个天线结构U可沿着两个预定方向(例如但不限于X轴以及Y轴)排列，且相邻的两个天线结构U中的其中一个天线结构U的长度方向与另外一个天线结构U的长度方向彼此垂直。
承上述，进一步来说，每一天线结构U可定义有一对称中心点AP，相邻的两个天线结构U的对称中心点AP之间定义有一第一电气长度K1，第一电气长度K1为天线结构U操作于第一操作频带中的中心频率所对应波长的0.25倍至0.35倍之间，但本发明不以此为限。举例来说，第一电气长度K1约为3毫米至4毫米之间，但本发明不以此为限。本发明是以第一电气长度K1为天线结构U操作于第一操作频带中的中心频率所对应波长的0.3倍作为示例性的说明。
承上述，举例来说，相邻的两个天线结构U中的其中一个天线结构U(例如图13及图14中的天线阵列组UG中的左边的天线结构U)可在水平极化方向上产生频率范围介于33.1GHz至40.5GHz之间的第二操作频带(高频带)，且可在垂直极化方向上频率范围介于26.4GHz至31.5GHz之间的第一操作频带(低频带)。此外，相邻的两个天线结构U中的另外一个天线结构U(例如图13及图14中的天线阵列组UG中的右边的天线结构U)可在水平极化方向上产生频率范围介于26.4GHz至31.5GHz之间的第一操作频带，且可在垂直极化方向上频率范围介于33.1GHz至40.5GHz之间的第二操作频带。然而，本发明不以上述所举的例子为限制。
接着，请参阅图13及图14所示，值得说明的是，相邻的两个天线阵列组UG之间可具有一第二电气长度K2，且第二电气长度K2为天线结构U操作于第一操作频带中的中心频率所对应波长的0.5倍至0.7倍之间，但本发明不以此为限。举例来说，第二电气长度K2约为6毫米至7毫米之间，但本发明不以此为限。本发明是以第二电气长度K2为天线结构U操作于第一操作频带中的中心频率所对应波长的0.6倍作为示例性的说明。换句话说，第二电气长度K2可为相邻的两个天线阵列组UG的其中一个天线阵列组UG的天线结构U的对称中心点AP至另外一个天线阵列组UG的天线结构U的对称中心点AP之间的距离，且这两个天线结构U的极化方向相同。
因此，电子装置D可包括多个天线阵列组UG，以增加电子装置D的增益。此外，电子装置D也可以配合用波束扫描(Beam forming)而调整辐射方向，进而提高天线的辐射角度。
接着，请参阅图15所示，以下将进一步说明射频芯片F与各个天线结构U之间的关系。详细来说，四组天线阵列组UG，可由八个天线结构U所构成，且分别连接至放大器电路EA(Edge Amplifier)。须说明的是，为了利于说明，图中仅以一组完整的放大器电路EA作为呈现，其他组放大器电路EA则是以堆叠在所呈现的放大器电路EA之后。此外，每一组放大器电路EA可由双工器D(Diplexer)、低噪声放大器LNA(Low Noise Amplifier)、功率放大器PA(Power Amplifier)及相位调整器P(Phase Shifter)所构成。
承上述，八组放大器电路EA电性连接于多工器DMUX，且能传输具有水平极化方向且操作于第一操作频带的信号T1、具有垂直极化方向且操作于第一操作频带的信号T2、具有水平极化方向且操作于第二操作频带的信号T3及具有垂直极化方向且操作于第二操作频带的信号T4至混波器M(Mixer)，经本地振荡(LO)降频，并通过低通滤波器LPF(Low-PassFilter)之后，第一操作频带及第二操作频带可被调整为中频(Intermediate Frequency)信号，例如水平极化方向的第一操作频带的中频信号IF1、垂直极化方向的第一操作频带的中频信号IF2、水平极化方向的第二操作频带的中频信号IF3及垂直极化方向的第二操作频带的中频信号IF4，以与后端的基带电路BC(Base Band Circuit)信号连接。此外，举例来说，水平极化方向的第一操作频带的中频信号IF1、垂直极化方向的第一操作频带的中频信号IF2、水平极化方向的第二操作频带的中频信号IF3及/或垂直极化方向的第二操作频带的中频信号IF4的频率可为相同或相异。
[实施例的有益效果]
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的电子装置D及其天线结构U，其能通过第一辐射件1第一辐射件1第一辐射件1“馈入件2”以及“馈入件2与第一辐射件1之间的第一预定间距C1达到较佳的阻抗匹配，同时，能通过“本体部31与第一辐射件11之间的第二预定间距C2”以及“第二辐射件3电性连接于接地件4的路径”增加低频的频带，使得在单馈入的情况下增加天线结构U的阻抗频宽，并达到良好的阻抗匹配的效果。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求内。

Claims (13)

1.一种天线结构，其特征在于，包括：
一第一辐射件；
一馈入件，设置在所述第一辐射件的一第一侧边，所述馈入件与所述第一辐射件相距一第一预定间距，且所述馈入件、所述第一预定间距及所述第一辐射件共振产生一低频带以及一高频带；
一第二辐射件，设置在所述第一辐射件相对所述第一侧边的一第二侧边，所述第二辐射件包括一本体部及一接地部，所述本体部与所述第一辐射件相距一第二预定间距，所述接地部、所述本体部及所述第二预定间距共振而增加所述低频带的带宽；以及
一接地件，设置在所述第一辐射件的所述第一侧边，所述接地部电性连接于所述接地件，
其中，所述第一辐射件为矩形，且所述第一辐射件定义有一长边及一短边，所述第一辐射件的所述长边用以共振产生所述低频带，所述第一辐射件的所述短边用以共振产生所述高频带。
2.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述第一辐射件包括一开孔，所述开孔贯穿所述第一辐射件，所述接地部通过所述开孔而电性连接于所述接地件。
3.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述馈入件在所述第一辐射件上的垂直正投影与所述接地部在所述第一辐射件上的垂直正投影分别位于所述第一辐射件的两个相对应的对角。
4.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述低频带为一28GHz频带，所述高频带为一39GHz频带。
5.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述馈入件包括一馈入部以及电性连接于所述馈入部的一耦合部，所述耦合部与所述第一辐射件相距所述第一预定间距。
6.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述第一预定间距介于0.05毫米至0.15毫米之间，所述第二预定间距介于0.15毫米至0.25毫米之间。
7.一种电子装置，其特征在于，包括：
多个天线阵列组，每一所述天线阵列组包含极化方向不同的两个相邻的天线结构，其中，每一所述天线结构包括：
一第一辐射件；
一馈入件，设置在所述第一辐射件的一第一侧边，所述馈入件与所述第一辐射件相距一第一预定间距，且所述馈入件、所述第一预定间距及所述第一辐射件共振产生一低频带以及一高频带；
一第二辐射件，设置在所述第一辐射件相对所述第一侧边的一第二侧边，所述第二辐射件包括一本体部及一接地部，所述本体部与所述第一辐射件相距一第二预定间距，所述接地部、所述本体部及所述第二预定间距共振而增加所述低频带的带宽；以及
一接地件，设置在所述第一辐射件的所述第一侧边，所述接地部电性连接于所述接地件；
多个信号源，每一所述信号源分别对应于相对应的所述天线结构，每一所述信号源包括一馈入端以及一接地端，所述馈入端电性连接于相对应的所述天线结构的所述馈入件，所述接地端电性连接于相对应的所述天线结构的所述接地件；以及
一射频芯片，电性连接于所述多个信号源，
其中，每一所述天线结构的所述第一辐射件为矩形，且所述第一辐射件定义有一长边及一短边，所述第一辐射件的所述长边用以共振产生所述低频带，所述第一辐射件的所述短边用以共振产生所述高频带。
8.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，每一所述天线结构定义有一对称中心点，每一所述天线阵列组中的两个相邻的天线结构的所述对称中心点之间定义有一第一电气长度，所述第一电气长度为所述天线结构操作于所述低频带中的中心频率所对应波长的0.25倍至0.35倍之间。
9.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述第一辐射件包括一开孔，所述开孔贯穿所述第一辐射件，所述接地部通过所述开孔而电性连接于所述接地件。
10.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述馈入件在所述第一辐射件上的垂直正投影与所述接地部在所述第一辐射件上的垂直正投影分别位于所述第一辐射件的两个相对应的对角。
11.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述低频带为一28GHz频带，所述高频带为一39GHz频带。
12.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述馈入件包括一馈入部以及一电性连接于所述馈入部的耦合部，所述耦合部与所述第一辐射件相距所述第一预定间距。
13.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述第一预定间距介于0.05毫米至0.15毫米之间，所述第二预定间距介于0.15毫米至0.25毫米之间。
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