CN113031317A - 一种小型化的高消光比调制器件及其使用方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种小型化的高消光比调制器件及其使用方法，所述高消光比调制器件包括铌酸锂薄膜调制器和起偏器，所述铌酸锂薄膜调制器包括硅衬底、在所述硅衬底上设置有铌酸锂薄膜脊波导和调制电极，所述起偏器包括铌酸锂衬底，在所述铌酸锂衬底上设置有光波导。在本发明中，通过制作高折射率差的铌酸锂薄膜脊波导，提高了波导对光波的限制能力，可以极大的缩小波导尺寸，进而减小了电极间距和电极长度。脊波导的调制电极分布于波导两侧，调制效率高于质子交换掩埋型波导，提高了调制效率。
Description
技术领域
本发明属于光通信技术领域，更具体地，涉及一种小型化的高消光比调制器件及其使用方法。
背景技术
铌酸锂调制器是一种非常重要的光调制器，可以对光波的相位、幅度以及偏振态进行调制，被广泛的应用于高速光纤通信网络、激光雷达等方面。由于传统的质子交换型高消光比铌酸锂调制器存在体积大、功耗高等问题，因此研究其小型化技术对高速光通信技术的发展具有重要意义。
高消光比铌酸锂调制器的体积由调制器的电极尺寸决定，其小型化的核心问题是在维持半波电压Vπ不变的情况下减小电极长度和间距。半波电压和电极尺寸的关系为：
其中，Vπ为调制器的半波电压，L为电极长度，Г为电光调制效率，D为电极间距，λ为调制光波长，n为波导折射率，r33为铌酸锂晶体的电光系数。目前使用的高消光比铌酸锂调制器均使用质子交换技术制作波导，此技术制作的波导虽然能获得较好的芯片消光比，但是波导的折射率差小，属于弱限制波导。此波导尺寸一般为微米级体积较大，在n、λ、r33都为固定值的情况下，造成电极间距D和电极长度L的尺寸也很大。因此需要减小电极长度L和电极间距D，同时提高电光调制效率Г，并保证光波导的高消光比，以获得小体积、高效率的高消光比铌酸锂调制器。
鉴于此，克服该现有技术产品所存在的不足是本技术领域亟待解决的问题。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种小型化的高消光比调制器件，其目的在于，通过制作高折射率差的铌酸锂薄膜脊波导，提高了波导对光波的限制能力，可以极大的缩小波导尺寸，进而减小了电极间距和电极长度。
为实现上述目的，按照本发明的第一个方面，提供了一种小型化的高消光比调制器件，所述高消光比调制器件包括铌酸锂薄膜调制器和铌酸锂起偏器，所述铌酸锂薄膜调制器包括硅衬底1、在所述硅衬底1上设置有铌酸锂薄膜脊波导2和调制电极3，所述铌酸锂起偏器包括铌酸锂衬底4，在所述铌酸锂衬底4上设置有光波导5。
优选地，所述铌酸锂薄膜脊波导2为MZI结构，所述铌酸锂薄膜脊波导2用于将入射光按功率1：1分成两束光输出。
优选地，所述调制电极3分布于铌酸锂薄膜脊波导2两侧，电场E垂直于所述铌酸锂薄膜脊波导2直接进行调制。
优选地，所述调制电极3的间距为0.7μm-1.5μm，电极长度2mm-3mm。
优选地，所述调制电极3的厚度与所述铌酸锂薄膜脊波导2的厚度相等。
优选地，所述铌酸锂薄膜脊波导2的厚度为0.5μm-1.5μm。
优选地，所述铌酸锂薄膜调制器还包括二氧化硅缓冲层7，所述二氧化硅缓冲层7设置在所述硅衬底1上，所述二氧化硅缓冲层7的厚度为3μm-5μm。
优选地，所述调制电极3是由钛和金制作的双层电极结构。
优选地，所述光波导5由质子交换工艺制作而成。
优选地，所述铌酸锂薄膜调制器和铌酸锂起偏器通过模斑扩束镜6耦合。
第二方面，本发明还提供了一种小型化的高消光比调制器件的使用方法，使用如第一方面所述的小型化的高消光比调制器件，方法包括：
铌酸锂薄膜调制器将入射光按功率1：1分解为两束光进入铌酸锂薄膜脊波导的两个臂，并在分支两侧的调制电极上施加调制信号，使得两束光产生π的相位差，经由铌酸锂起偏器进入光纤环进行干涉；
由光纤环产生干涉的两束光由铌酸锂起偏器与光纤环的连接端口重新进入所述小型化的高消光比调制器件，铌酸锂起偏器滤掉入射光中的Tm模，再经过铌酸锂薄膜调制器合波后输出。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有如下有益效果：在本发明中，通过制作高折射率差的铌酸锂薄膜脊波导，提高了波导对光波的限制能力，可以极大的缩小波导尺寸，进而减小了电极间距和电极长度。
进一步地，脊波导的调制电极分布于波导两侧，调制效率高于质子交换掩埋型波导，提高了调制效率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种小型化的高消光比调制器件的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种铌酸锂薄膜调制器的横截面结构示意图；
图3是本发明实施例提供的常规铌酸锂调制器件的横截面结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种小型化的高消光比调制器件的使用方法对应的结构原理图；
其中，附图标记为：
硅衬底1，铌酸锂薄膜脊波导2，调制电极3，铌酸锂衬底4，光波导5，模斑扩束镜6，二氧化硅缓冲层7，光纤环8。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，术语“内”、“外”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“顶”、“底”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不应当理解为对本发明的限制。
在本发明各实施例中，符号“/”表示同时具有两种功能的含义，而对于符号“A和/或B”则表明由该符号连接的前后对象之间的组合包括“A”、“B”、“A和B”三种情况。
此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面就参考附图和实施例结合来详细说明本发明。
实施例1：
目前使用的高消光比铌酸锂调制器均使用质子交换技术制作波导，此技术制作的波导虽然能获得较好的芯片消光比，但是波导的折射率差小，属于弱限制波导。此波导尺寸一般为微米级体积较大，在n、λ、r33都为固定值的情况下，造成电极间距D和电极长度L的尺寸也很大。因此需要减小电极长度L和电极间距D，同时提高电光调制效率Г，并保证光波导的高消光比，以获得小体积、高效率的高消光比铌酸锂调制器。
为解决前述问题，参阅图1，本实施例提供一种小型化的高消光比调制器件，所述高消光比调制器件包括铌酸锂薄膜调制器和铌酸锂起偏器，所述铌酸锂薄膜调制器包括硅衬底1、在所述硅衬底1上设置有铌酸锂薄膜脊波导2和调制电极3，所述铌酸锂起偏器包括铌酸锂衬底4，在所述铌酸锂衬底4上设置有光波导5。优选的，所述的光波导5由质子交换工艺制作。
现有技术相比，本实施例的高消光比调制器件具有如下优点：通过制作高折射率差的铌酸锂薄膜脊波导2，提高了波导对光波的限制能力，可以极大的缩小波导尺寸，进而减小了电极间距和电极长度。
在所述硅衬底1上还设置有二氧化硅缓冲层7，铌酸锂薄膜脊波导2和调制电极3设置在二氧化硅缓冲层7上，硅衬底1、二氧化硅缓冲层7和铌酸锂薄膜脊波导2由下至上层叠设置。
其中，所述铌酸锂薄膜脊波导2为MZI结构，所述铌酸锂薄膜脊波导2具体为MZI结构的X切Y传单晶铌酸锂，所述铌酸锂薄膜脊波导2用于将入射光按功率1：1分成两束光输出。
其中，所述调制电极3为集总式电极，是由钛和金制作的双层电极结构。所述调制电极3分布于铌酸锂薄膜脊波导2两侧，电场E垂直于所述铌酸锂薄膜脊波导2直接进行调制，所述调制电极3的厚度与所述铌酸锂薄膜脊波导2的厚度相等。
在上述的优选实现方式中，脊波导的调制电极3分布于波导两侧，调制效率高于质子交换掩埋型波导，提高了调制效率。通过集成铌酸锂起偏器能够保证调制器的高偏振消光比，满足高速光通信系统需求。
其中，所述光波导5由质子交换工艺制作而成。所述铌酸锂薄膜调制器和铌酸锂起偏器通过模斑扩束镜6耦合。
传统高消光比铌酸锂调制器的如图3所示，传统高消光比铌酸锂调制器件包括：铌酸锂衬底、质子交换光波导和调制电极，质子交换光波导属于掩埋型波导，调制电极只能制作与其上表面，电场垂直于与波导方向的分量Ex作用于调制，在电场强度E相同的情况下，调制效率明显低于本实施例的高消光比调制器件。
在本实施例中，采用硅基铌酸锂晶圆、硅和铌酸锂薄膜之间热氧化有二氧化硅缓冲层7，通过在二氧化硅缓冲层7上刻蚀铌酸锂薄膜。常规的质子交换波导折射率差约为5％，而铌酸锂脊波导的折射率差约为35％，增加的光波导5折射率差，加强波导对光的限制作用，从而显著的减小光波导5尺寸，也减小了调制电极3间距和长度。由于铌酸锂脊波导的调制效率优于掩埋型质子交换波导，在减小电极尺寸的同时，提高了调制器的半波电压，实现了铌酸锂调制器的小型化和高效化。通过模斑扩束镜6和偏振起偏器集成，保证了输出光的高消光比，满足高速光通信系统需求。
实施例2：
在一实际应用场景下，基于前述的高消光比调制器件，本实施例提供一种较优的参数组合，其中，所述二氧化硅缓冲层7的厚度为3μm-5μm，所述铌酸锂薄膜脊波导2的厚度为0.5μm-1.5μm，所述调制电极3的间距为0.7μm-1.5μm，电极长度2mm-3mm，光波导5厚度为4μm-7μm。
实施例3：
本发明实施例提供了一种小型化的高消光比调制器件的使用方法，使用如实施例1或实施例2所述的小型化的高消光比调制器件，因此，相应实施例1和实施例2中扩展描述的特征同样适用于本发明实施例中，方法包括：
铌酸锂薄膜调制器将入射光按功率1：1分解为两束光进入铌酸锂薄膜脊波导的两个臂，并在分支两侧的调制电极上施加调制信号，使得两束光产生π的相位差，经由铌酸锂起偏器进入光纤环进行干涉，如图4所示；
由光纤环产生干涉的两束光由铌酸锂起偏器与光纤环的连接端口重新进入所述小型化的高消光比调制器件，铌酸锂起偏器滤掉入射光中的Tm模，使得消光比高于65dB，再经过铌酸锂薄膜调制器合波后输出。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种小型化的高消光比调制器件，其特征在于，所述高消光比调制器件包括铌酸锂薄膜调制器和铌酸锂起偏器，所述铌酸锂薄膜调制器包括硅衬底(1)、在所述硅衬底(1)上设置有铌酸锂薄膜脊波导(2)和调制电极(3)，所述铌酸锂起偏器包括铌酸锂衬底(4)，在所述铌酸锂衬底(4)上设置有光波导(5)。
2.根据权利要求1所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述铌酸锂薄膜调制器和铌酸锂起偏器通过模斑扩束镜(6)耦合。
3.根据权利要求1所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述铌酸锂薄膜调制器还包括二氧化硅缓冲层(7)，所述二氧化硅缓冲层(7)设置在所述硅衬底(1)上，所述二氧化硅缓冲层(7)的厚度为3μm-5μm。
4.根据权利要求1所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述铌酸锂薄膜脊波导(2)为MZI结构，所述铌酸锂薄膜脊波导(2)用于将入射光按功率1：1分成两束光输出。
5.根据权利要求4所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述调制电极(3)分布于铌酸锂薄膜脊波导(2)两侧，电场E垂直于所述铌酸锂薄膜脊波导(2)直接进行调制。
6.根据权利要求1-5任一所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述调制电极(3)的间距为0.7μm-1.5μm，电极长度2mm-3mm。
7.根据权利要求1-5任一所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述铌酸锂薄膜脊波导(2)的厚度为0.5μm-1.5μm。
8.根据权利要求1-5任一所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述调制电极(3)是由钛和金制作的双层电极结构。
9.根据权利要求1-5任一所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述光波导(5)由质子交换工艺制作而成。
10.一种小型化的高消光比调制器件的使用方法，其特征在于，使用如权利要求1所述的小型化的高消光比调制器件，方法包括：
铌酸锂薄膜调制器将入射光按功率1：1分解为两束光进入铌酸锂薄膜脊波导的两个臂，并在分支两侧的调制电极上施加调制信号，使得两束光产生π的相位差，经由铌酸锂起偏器进入光纤环进行干涉；
由光纤环产生干涉的两束光由铌酸锂起偏器与光纤环的连接端口重新进入所述小型化的高消光比调制器件，铌酸锂起偏器滤掉入射光中的Tm模，再经过铌酸锂薄膜调制器合波后输出。
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|---|---|
| CN (1) | CN113031317A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114063212A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-02-18 | 上海安湃芯研科技有限公司 | 一种单片集成的基于薄膜铌酸锂的分束调制芯片 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020131745A1 (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-19 | Bahman Azarbar | Electro-optic waveguide devices |
| CN1977210A (zh) * | 2004-06-30 | 2007-06-06 | 住友金属矿山株式会社 | 波导型光控制元件及其制造方法 |
| CN103197443A (zh) * | 2013-04-24 | 2013-07-10 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 直波导相位调制器 |
| CN105866984A (zh) * | 2016-06-12 | 2016-08-17 | 西北大学 | 一种石墨烯电光调制器及其制备方法 |
| CN107608094A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-19 | 北京大学 | 一种单颗粒表面等离激元电光调制器及其制备方法 |
| CN109298551A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-02-01 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法 |
| CN111854726A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-10-30 | 中国船舶重工集团公司第七0七研究所 | 一种空芯反谐振光纤陀螺 |
-
2021
- 2021-03-26 CN CN202110326033.5A patent/CN113031317A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020131745A1 (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-19 | Bahman Azarbar | Electro-optic waveguide devices |
| CN1977210A (zh) * | 2004-06-30 | 2007-06-06 | 住友金属矿山株式会社 | 波导型光控制元件及其制造方法 |
| CN103197443A (zh) * | 2013-04-24 | 2013-07-10 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 直波导相位调制器 |
| CN105866984A (zh) * | 2016-06-12 | 2016-08-17 | 西北大学 | 一种石墨烯电光调制器及其制备方法 |
| CN107608094A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-19 | 北京大学 | 一种单颗粒表面等离激元电光调制器及其制备方法 |
| CN109298551A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-02-01 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法 |
| CN111854726A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-10-30 | 中国船舶重工集团公司第七0七研究所 | 一种空芯反谐振光纤陀螺 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114063212A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-02-18 | 上海安湃芯研科技有限公司 | 一种单片集成的基于薄膜铌酸锂的分束调制芯片 |
| CN114063212B (zh) * | 2021-11-19 | 2023-11-21 | 武汉安湃光电有限公司 | 一种单片集成的基于薄膜铌酸锂的分束调制芯片 |
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