CN112993750B - Vcsel芯片及其制备方法和激光扫描雷达 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了VCSEL芯片及其制备方法和激光扫描雷达。该VCSEL芯片包括衬底和在所述衬底上依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，其中：所述氧化层和/或所述P型布拉格反射镜上形成有多个透光孔；或者，所述P型布拉格反射镜远离所述衬底的一侧设有多孔膜，所述多孔膜上形成有多个透光孔。该VCSEL芯片可以利用多个透光孔来改变光束在空间中的光场能量分布和波束方向，将其用于激光扫描雷达可以显著提高扫描精度。

Description

VCSEL芯片及其制备方法和激光扫描雷达
技术领域
本发明属于光电子、微电子领域及功率器件领域，具体而言，涉及VCSEL芯片及其制备方法和激光扫描雷达。
背景技术
垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)有别于LED(Light Emitting Diode，发光二极管)和LD(Laser Diode，激光二极管)等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小且易集成大面积阵列等优点，被广泛应用于光通信、光互连和光存储等领域。随着科学技术的不断发展，各种各样的VCSEL芯片已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。
随着人工智能的发展，激光雷达也获得了广泛的关注，激光雷达由于其分辨率高、抗干扰能力强、不受光线影响、体积小、质量轻等优点，比传统的微波雷达更有应用的前景。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出VCSEL芯片及其制备方法和激光扫描雷达。该VCSEL芯片可以利用多个透光孔来改变光束在空间中的光场能量分布和波束方向，将其用于激光扫描雷达可以显著提高扫描精度。
本申请主要是基于以下问题提出的：
如图1所示，设两个狭缝之间的距离为△x，狭缝距离探测屏的距离为D，从光源处发出的光经过两个狭缝之后会在探测屏上形成明暗相间的条纹，当D增大时，条纹间的间距会增大，当△x减小时，条纹间的间距会增大，当光波波长增加时，也会增加条纹间的间距。目前热门的相控阵雷达，其天线阵面由许多个辐射单元和接受单元组成，从几百个到几万个，其是利用电磁波的相干原理，通过计算机控制各辐射单元的相位和振幅，从而改变波束的方向进行扫描的，即使用相位调制器改变条纹间距使次级大峰左右移动来达到扫描的效果，但这种直接调制方式由于其调制特性不佳，有严重的啁啾而影响探测距离及测距精度。
为此，根据本发明的第一个方面，本发明提出了一种VCSEL芯片。根据本发明的实施例，该芯片包括：衬底和在所述衬底上依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，其中：
所述氧化层和/或所述P型布拉格反射镜上形成有多个透光孔；或者，
所述P型布拉格反射镜远离所述衬底的一侧设有多孔膜，所述多孔膜上形成有多个透光孔。
根据本发明上述实施例的VCSEL芯片，发明人发现，由于透光介质不同，光束在经过透光孔和氧化层/P型布拉格反射镜/多孔膜时的透光率或折射率也不相同，进而会导致光束在空间中的方向及光场能量分布发生变化，尤其是当光通过透光孔时若发生多缝干涉，还能在空间中形成固定的光场能量分布。因此，当将该VCSEL芯片用于激光扫描雷达时，可以将多个结构相同或不同的VCSEL芯片形成阵列，每个单颗芯片通过控制其电极注入电流的大小会产生特定的空间光场能量分布，而不同的单颗芯片发射出的光又会相互作用形成不同的空间光场能量分布，可通过算法来控制不同芯片的电极开关，有规律的改变空间中的光场能量分布，使激光雷达实现扫描的功能。综上所述，与现有通过计算机控制各辐射单元的相位和振幅从而改变波束的方向进行扫描的方式相比，该VCSEL芯片可以利用多个透光孔来改变光束在空间中的光场能量分布和波束方向，将其用于激光扫描雷达可以显著提高扫描精度。
另外，根据本发明上述实施例的VCSEL芯片还可以具有如下附加的技术特征：
在本发明的一些实施例中，所述氧化层和所述P型布拉格反射镜上均形成有多个所述透光孔，所述P型布拉格反射镜上每个所述透光孔的至少一部分位于所述氧化层上的多个所述透光孔对应的区域内。
在本发明的一些实施例中，所述氧化层上形成有多个透光孔，所述氧化层上所述透光孔对应区域外的位置不透光。
在本发明的一些实施例中，所述多孔膜与所述P型布拉格反射镜贴合；或者，所述多孔膜与所述P型布拉格反射镜之间存在空隙层。
在本发明的一些实施例中，所述多孔膜为非透光膜。
在本发明的一些实施例中，所述透光孔的孔径小于出光波长。
在本发明的一些实施例中，位于所述氧化层上的多个所述透光孔、位于所述P型布拉格反射镜上的多个所述透光孔、位于所述多孔膜上的多个所述透光孔分别独立地等间距分布。
根据本发明的第二个方面，本发明提出了一种制备上述VCSEL芯片的方法。根据本发明的实施例，该方法包括选自以下方案中的至少之一：
方案1：在衬底上按照层状结构依次生长缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，并外制多孔膜；
方案2：在衬底上按照层状结构依次生长缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，然后采用PECVD在P型布拉格反射镜表面镀膜并刻蚀出多个出光孔；
方案3：在衬底上按照层状结构依次生长缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，其中，当生长到氧化层时，在氧化层刻蚀出多个出光狭缝，然后进行二次外延生长；
方案4：在衬底上按照层状结构依次生长缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，其中，当生长到P型布拉格反射镜时，在P型布拉格反射镜上刻蚀出多个出光狭缝，然后进行二次外延生长。
根据本发明实施例，采用上述制备VCSEL芯片的方法能够得到具有多个透光孔的VCSEL芯片，利用该多个透光孔可以改变光束在空间中的光场能量分布和波束方向，将其用于激光扫描雷达可以显著提高扫描精度。
根据本发明的第三个方面，本发明提出了一种激光扫描雷达。根据本发明的实施例，该激光扫描雷达包括多个上述VCSEL芯片和/或采用上述制备方法得到的VCSEL芯片。该激光扫描雷达中，每个单颗VCSEL芯片通过控制其电极注入电流的大小会产生特定的空间光场能量分布，而不同的单颗VCSEL芯片发射出的光又会相互作用形成不同的空间光场能量分布，可通过算法来控制不同芯片的电极开关，有规律的改变空间中的光场能量分布，使激光雷达实现扫描的功能。综上所述，与现有通过计算机控制各辐射单元的相位和振幅从而改变波束的方向进行扫描的相控阵雷达相比，该激光扫描雷达可以利用VCSEL芯片的多个透光孔来改变光束在空间中的光场能量分布和波束方向，显著提高激光扫描雷达的扫描精度。
在本发明的一些实施例中，激光扫描雷达至少满足以下条件之一：多个所述VCSEL芯片呈阵列排布；多个所述VCSEL芯片相同或不同。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是双缝干涉的示意图。
图2是根据本发明一个实施例的VCSEL芯片的结构示意图。
图3是根据本发明再一个实施例的VCSEL芯片的结构示意图。
图4是根据本发明又一个实施例的VCSEL芯片的结构示意图。
图5是根据本发明又一个实施例的VCSEL芯片的结构示意图。
图6是根据本发明又一个实施例的VCSEL芯片的结构示意图。
图7是根据本发明一个实施例的多个VCSEL芯片在激光扫描雷达中呈阵列排布的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“厚度”、“上”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
根据本发明的第一个方面，本发明提出了一种VCSEL芯片。根据本发明的实施例，参考图2～6，该芯片包括：衬底8和在衬底8上依次生长的缓冲层1、N型布拉格反射镜2、有源区3、氧化层4和P型布拉格反射镜5，其中：氧化层4和/或P型布拉格反射镜5上形成有多个透光孔7；或者，P型布拉格反射镜5远离衬底8的一侧设有多孔膜6，多孔膜6上形成有多个透光孔7。发明人发现，由于透光介质不同，光束在经过透光孔和氧化层/P型布拉格反射镜/多孔膜时的透光率或折射率也不相同，进而会导致光束在空间中的方向及光场能量分布发生变化，尤其是当光通过透光孔时若发生多缝干涉，还能在空间中形成固定的光场能量分布，也就是说，该VCSEL芯片可以利用其多个透光孔来改变光束在空间中的光场能量分布和波束方向。
下面参考图2～7对本发明上述实施例的VCSEL芯片进行详细描述。
根据本发明的一个具体实施例，如图4所示，可以仅在氧化层4上形成多个间隔分布的透光孔7，使氧化层4上透光孔7对应区域外的位置71不透光，由此仅在氧化层设置多个透光孔即可控制光束在空间中的光场能量分布和波束方向；优选地，氧化层上多个透光孔7可以等间距分布、透光孔7的孔径可以小于出光波长，例如透光孔的孔径可以小于激光器的激光波长，由此可形成多孔干涉条件，当光通过透光孔时还可以发生多缝干涉，能够在空间中形成固定的光场能量分布。
根据本发明的再一个具体实施例，如图5所示，可以仅在P型布拉格反射镜5上形成多个间隔分布的透光孔7，其中透光孔7的穿透距离可以仅占据P型布拉格反射镜5的一部分厚度，透光孔内为空心结构，其与P型布拉格反射镜为两种完全不同的透光介质，当光束经过透光孔和P型布拉格反射镜时二者对光的透过率和折射率也不相同，由此会导致光束在空间中的方向及光场能量分布发生变化。
根据本发明的又一个具体实施例，如图6所示，氧化层4和P型布拉格反射镜5上可以均形成有多个透光孔7，P型布拉格反射镜上每个透光孔的至少一部分位于氧化层上的多个透光孔对应的区域内，其中氧化层4上透光孔7对应区域外的位置可以不透光，由此可以通过多个透光孔以及P型布拉格反射镜5和氧化层4上透光孔的相对位置关系来控制光束在空间中的光场能量分布和波束方向。优选地，氧化层4上的多个透光孔和P型布拉格反射镜5上的多个透光孔可以分别独立地等间距分布，且透光孔的孔径可以小于出光波长，由此可形成多孔干涉条件，当光通过透光孔时还可以发生多缝干涉，能够在空间中形成固定的光场能量分布。根据本发明的一个具体示例，还可通过控制氧化层4和P型布拉格反射镜5上透光孔的相对位置关系来灵活调节有效的透光孔径，例如获得比透光孔径更小的透光狭缝，由此当透光孔的孔径大于激光波长时，也有可能实现多缝干涉的可能。
根据本发明的又一个具体实施例，如图2和3所示，可以借助多孔膜6而无需在氧化层4和/或P型布拉格反射镜5上形成透光孔来实现光场能量分布的调节。其中，多孔膜6可以为非透光膜，多孔膜设在P型布拉格反射镜5远离衬底8的一侧，当光束经多孔膜时仅在透光孔7的位置穿过，不设透光孔的区域不透光，由此来调节光束在空间中的方向及光场能量分布。其中，如图2所示，多孔膜6与P型布拉格反射镜5之间可以存着孔隙层，即二者的间距可以大于0，此时多孔膜可以为单独制备的多孔膜，在形成芯片时调节多孔膜和P型布拉格反射镜的间距至预定尺寸；优选地，如图3所示，多孔膜6与P型布拉格反射镜5可以贴合，即二者的间距可以为0，此时当在衬底上按照层状结构依次生长缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜后，可以采用PECVD法在P型布拉格反射镜表面镀膜并刻蚀出多个出光孔，由此可以更有利于芯片结构的简化。更优选地，多孔膜6上的多个透光孔7可以等间距分布，透光孔7的孔径可以小于出光波长，由此可形成多孔干涉条件，当光通过透光孔还可以发生多缝干涉，能够在空间中形成固定的光场能量分布。
根据本发明的一个具体实施例，本发明中缓冲层1、N型布拉格反射镜2、有源区3、氧化层4和P型布拉格反射镜5以及多孔膜6的厚度范围并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如可根据透光孔的设置位置、分布区域、芯片结构等因素进行选择。另外，本发明中氧化层4/P型布拉格反射镜5/多孔膜6上的透光孔7的个数、透光孔的间距以及透光孔的孔径并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
根据本发明的一个具体实施例，本发明的VCSEL芯片中，透光孔7的设置位置和分布方式不同，所获得的VCSEL芯片的结构也不相同，对光束在空间中的方向及光场能量分布影响也不尽相同，但每个单颗芯片通过控制其电极注入电流的大小都会产生特定的空间光场能量分布，参考图7所示，可以将多个结构相同或不同的VCSEL芯片用于激光扫描雷达并形成阵列结构，由于每个单颗芯片通过控制其电极注入电流的大小会产生特定的空间光场能量分布，不同的单颗芯片发射出的光又会相互作用形成不同的空间光场能量分布，因此可通过算法来控制不同芯片的电极开关，有规律的改变空间中的光场能量分布，使激光雷达实现扫描的功能。
综上所述，本发明上述实施例的VCSEL芯片至少具有以下优点：1、可利用预设的多个透光孔来改变光束在空间中的光场能量分布和波束方向，由于透光介质不同，光束在经过透光孔和氧化层/P型布拉格反射镜/多孔膜时的透过率和折射率也不相同，进而会导致光束在空间中的方向及光场能量分布发生变化，尤其是当光通过透光孔时若发生多缝干涉，还能在空间中形成固定的光场能量分布。2、将多个结构相同或不同的VCSEL芯片用于激光扫描雷达并形成阵列结构时，可通过算法来控制不同芯片的电极开关，有规律的改变空间中的光场能量分布，使激光雷达实现扫描的功能，与现有通过计算机控制各辐射单元的相位和振幅从而改变波束的方向进行扫描的方式相比，具有该VCSEL芯片的激光扫描雷达扫描精度更高。
根据本发明的第二个方面，本发明提出了一种制备上述VCSEL芯片的方法。根据本发明的实施例，该方法包括选自以下4种方案中的至少之一：
方案1：在衬底上按照层状结构依次生长缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，并外制多孔膜。根据本发明的实施例，当VCSEL芯片需要借助多孔膜来实现光场能量分布的调节并控制多孔膜与P型布拉格反射镜的间距大于0时，可采用方案1的制备方法，以便根据实际需要灵活控制P型布拉格反射镜和多孔膜之间的间距。
方案2：在衬底上按照层状结构依次生长缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，然后采用PECVD法在P型布拉格反射镜表面镀膜并刻蚀出多个出光孔。根据本发明的实施例，当VCSEL芯片需要借助多孔膜来实现光场能量分布的调节并控制多孔膜与P型布拉格反射镜的间距为0时，可采用方案2的制备方法，将多孔膜直接固定贴合在P型布拉格反射镜上。
方案3：在衬底上按照层状结构依次生长缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，其中，当生长到氧化层时，在氧化层刻蚀出多个出光狭缝，然后进行二次外延生长。根据本发明的实施例，当VCSEL芯片仅在氧化层上形成多个透光孔来实现光场能量分布的调节时，可以采用方案3的制备方法，由此无需再额外制备多孔膜，优选地，可以使氧化层上不设置透光孔的区域为不透光结构。
方案4：在衬底上按照层状结构依次生长缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，其中，当生长到P型布拉格反射镜时，在P型布拉格反射镜上刻蚀出多个出光狭缝，然后进行二次外延生长。根据本发明的实施例，当VCSEL芯片在P型布拉格反射镜上形成多个透光孔来实现光场能量分布的调节时，可以采用方案4的制备方法；而当氧化层和P型布拉格反射镜上分别独立地需要形成多个透光孔时，可以综合方案3和方案4的制备方法，此时优选使氧化层上不设置透光孔的区域为不透光结构，使P型布拉格反射镜上每个透光孔的至少一部分位于氧化层上的多个透光孔对应的区域内。
综上所述，采用上述制备VCSEL芯片的方法能够根据不同的需要得到预期的具有多个透光孔的VCSEL芯片，利用该多个透光孔可以改变光束在空间中的光场能量分布和波束方向，将其用于激光扫描雷达可以显著提高扫描精度。需要说明的是，针对上述VCSEL芯片所描述的特征及效果用于适用于该制备VCSEL芯片的方法，此处不再一一赘述。
根据本发明的第三个方面，本发明提出了一种激光扫描雷达。根据本发明的实施例，该激光扫描雷达包括多个上述VCSEL芯片和/或采用上述制备方法得到的VCSEL芯片。该激光扫描雷达中，每个单颗VCSEL芯片通过控制其电极注入电流的大小会产生特定的空间光场能量分布，而不同的单颗VCSEL芯片发射出的光又会相互作用形成不同的空间光场能量分布，可通过算法来控制不同芯片的电极开关，有规律的改变空间中的光场能量分布，使激光雷达实现扫描的功能。
根据本发明的一个具体实施例，可以使VCSEL芯片中形成的多个透光孔满足多孔干涉条件，即使氧化层/P型布拉格反射镜/多孔膜上的透光孔等间距分布且透光孔孔径小于激光波长、透光孔对应区域外的位置不透光，由此当激光器发出的光通过透光孔时均可发生多缝干涉并在空间中形成固定的光场能量分布。而由于激光波长固定，单颗芯片中的透光孔固定，干涉条纹不能左右移动，单颗芯片只能形成固定的光场能量分布，不能形成扫描效果，因此需要多个芯片共同使用，优选使多个芯片呈阵列排布来实现雷达的扫描功能，如图7所示所示，大型激光扫描雷达可以是由a×b个单芯组成的阵列，每个单颗芯片通过控制其电极注入电流的大小，从而控制每个单颗芯片的发光功率，会产生不同的空间光场能量分布，不同的单颗芯片发射出的光又会相互干涉，形成不同的空间光场能量分布，可以通过算法来控制不同的芯片的电极开关，有规律的改变空间中的光场能量分布，使激光雷达实现扫描的功能。
根据本发明的再一个具体实施例，激光扫描雷达中的多个VCSEL芯片可以相同，也可以不同，优选使具有相同结构的VCSEL芯片规律排布，如整列排布的芯片中，所有芯片结构相同，或特定排或特定列的芯片结构相同，由此可以更有利于有规律的改变空间中的光场能量分布，使激光雷达实现扫描的功能。
综上所述，与现有通过计算机控制各辐射单元的相位和振幅从而改变波束的方向进行扫描的相控阵雷达相比，本发明上述实施例的激光扫描雷达可以利用VCSEL芯片的多个透光孔来改变光束在空间中的光场能量分布和波束方向进行扫描，显著提高扫描精度。需要说明的是，针对上述VCSEL芯片和制备VCSEL芯片的方法所描述的特征及效果同样适用于该激光扫描雷达，此处不再一一赘述。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (8)

1.一种VCSEL芯片，其特征在于，包括：衬底和在所述衬底上依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，其中：
所述氧化层和/或所述P型布拉格反射镜上形成有多个透光孔；或者，
所述P型布拉格反射镜远离所述衬底的一侧设有多孔膜，所述多孔膜上形成有多个透光孔，
其中，所述透光孔的孔径小于出光波长；位于所述氧化层上的多个所述透光孔、位于所述P型布拉格反射镜上的多个所述透光孔、位于所述多孔膜上的多个所述透光孔分别独立地等间距分布。
2.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述氧化层和所述P型布拉格反射镜上均形成有多个所述透光孔，所述P型布拉格反射镜上每个所述透光孔的至少一部分位于所述氧化层上的多个所述透光孔对应的区域内。
3.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述氧化层上形成有多个透光孔，所述氧化层上所述透光孔对应区域外的位置不透光。
4.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述多孔膜与所述P型布拉格反射镜贴合；或者，所述多孔膜与所述P型布拉格反射镜之间存在空隙层。
5.根据权利要求4所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述多孔膜为非透光膜。
6.一种制备权利要求1～5中任一项所述的VCSEL芯片的方法，其特征在于，包括选自以下方案中的至少之一：
方案1：在衬底上按照层状结构依次生长缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，并单独制备多孔膜；
方案2：在衬底上按照层状结构依次生长缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，然后采用PECVD在P型布拉格反射镜表面镀膜并刻蚀出多个出光孔；
方案3：在衬底上按照层状结构依次生长缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，其中，当生长到氧化层时，在氧化层刻蚀出多个出光狭缝，然后进行二次外延生长；
方案4：在衬底上按照层状结构依次生长缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，其中，当生长到P型布拉格反射镜时，在P型布拉格反射镜上刻蚀出多个出光狭缝，然后进行二次外延生长。
7.一种激光扫描雷达，其特征在于，包括多个权利要求1～5中任一项所述的VCSEL芯片和/或采用权利要求6所述的方法得到的VCSEL芯片。
8.根据权利要求7所述的激光扫描雷达，其特征在于，至少满足以下条件之一：
多个所述VCSEL芯片呈阵列排布；
多个所述VCSEL芯片相同或不同。
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