CN112968292A - 可调太赫兹器件及可调天线 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种可调太赫兹器件及可调天线，该器件包括：基底材料层；介质层，位于基底层一侧；金属图形层，位于介质层的远离基底材料层一侧；金属图形单元包含设定金属图形，设定金属图形包含多个金属条，第一金属条的一端垂直连接第二金属条一端，第三金属条一端垂直连接第四金属条一端；第一金属条与第二金属条形成的夹角开口与第三金属条与第四金属条形成的夹角开口具有相同朝向；第一金属条与第三金属条之间间隔第一设定距离，第三金属条与第四金属条之间间隔第二设定距离；第一金属条的各侧边的长度不等于第三属条的各侧边的长度，第二金属条的各侧边的长度不等于第四金属条的各侧边的长度。通过上述方案，能够达到增加器件灵活性的目的。
Description
技术领域
本发明涉及太赫兹器件技术领域，尤其涉及一种可调多功能太赫兹器件及可调天线。
背景技术
太赫兹(Terahertz，THz)波，是指频率范围在0.1THz～10THz的电磁波，具有瞬态性、宽带性、强穿透性、低能量等特点，由于具有这些特性而使其在生物医学、安全无损检测、太赫兹成像、无线通信等领域有着广泛的应用前景。目前对太赫兹波的调控方法主要是利用超表面。超表面是指人为排列的亚波长微结构阵列，能产生自然材料不具备的电磁特性，具有尺寸小，结构简单，易于集成等特性。而利用超表面制备的器件还可以产生电磁透明现象。
电磁诱导透明(Electromagnetically Induced Transparency，EIT)是一种原子系统的相干过程，它是指在一个原本不透光的材料上通过外加光束产生能级跃迁，使透射谱中出现一个透明窗口。EIT的产生通常需要低温、强光泵浦等条件，超表面的合理设计也能使透射产生透明窗口，并伴随着强烈的色散和滤波特性，使其用于传感器、慢光器件、光存储器、生物探测等领域。此外，还可以使用超表面制备太赫兹偏振器。
由于传统太赫兹偏振器存在光路准直困难，体积大等缺点，尤其是在太赫兹波段受限于器件尺寸的严格要求，难以集成。而基于二维超表面的极化转换器的尺寸小，厚度薄，加工方便，更适合用于太赫兹光路系统中，对于研制新一代极化操控器件方面有重要应用。
进而，超表面为太赫兹波段的器件设计提供了新的方向，在波前调控的方向上有很大潜力，合理设计表面单元可以任意控制光路的传播路径，在复杂的光路系统中具有重要的现实意义。而利用传统超表面进行设计加工后生成了太赫兹波段的相关器件，各个器件具有的功能单一，无法灵活应用。
因此，在太赫兹波段，现有的超表面器件缺少灵活性。
发明内容
鉴于此，本发明实施例提供了一种可调太赫兹器件及可调天线，以达到使器件具有灵活性的目的。
为了达到上述目的，本发明采用以下方案实现：
根据本发明实施例的一个方面，提供了一种可调太赫兹器件，包括：
基底材料层；其中，所述基底材料层所用材料为性质可变的物质；
介质层，位于所述基底材料层的一侧；
金属图形层，位于所述介质层的远离所述基底材料层的一侧；金属图形单元包含设定金属图形，设定金属图形包含多个金属条，第一所述金属条的一端垂直连接第二所述金属条的一端，第三所述金属条的一端垂直连接第四所述金属条的一端；第一所述金属条与第二所述金属条形成的夹角开口与第三所述金属条与第四所述金属条形成的夹角开口具有相同朝向；第一所述金属条与第三所述金属条之间间隔第一设定距离，第三所述金属条与第四所述金属条之间间隔第二设定距离；第一所述金属条的各侧边的长度不等于第三所述金属条的各侧边的长度，第二所述金属条的各侧边的长度不等于第四所述金属条的各侧边的长度。
在一些实施例中，第一所述金属条的各侧边的长度小于第三所述金属条的各侧边的长度，第二所述金属条的各侧边的长度小于第四所述金属条的各侧边的长度；或，
第一所述金属条的各侧边的长度大于第三所述金属条的各侧边的长度，第二所述金属条的各侧边的长度大于第四所述金属条的各侧边的长度。
在一些实施例中，所述基底材料层所用材料包括二氧化钒、GST或石墨烯；金属图形层所用材料包括金、铝、或铜；介质层所用材料包括聚酰亚胺、二氧化硅或硅。
在一些实施例中，第一所述金属条的长边与第三所述金属条的长边平行且第二所述金属条的长边与第四所述金属条的长边平行；或，
第一所述金属条的长边与第三所述金属条的长边呈设定角度且第二所述金属条的长边与第四所述金属条的长边呈设定角度；其中所述设定角度不大于15度。
在一些实施例中，第一所述金属条的长的长度范围为25μm～500μm，宽的长度范围为5μm～100μm；第二所述金属条的长的长度范围为25μm～500μm，宽的长度范围为5μm～100μm；第三所述金属条的长的长度范围为30μm～700μm，宽的长度范围为7μm～150μm；第四所述金属条的长的长度范围为30μm～700μm，宽的长度范围为7μm～150μm；所述第一设定距离范围为12um～250um；所述第二设定距离范围为12um～250um。
在一些实施例中，所述基底材料层的厚度范围为不小于0.1μm；介质层的厚度范围为40μm～60μm；所述金属图形层的厚度范围为0.05μm～5μm；其中，所述金属图形层的厚度小于所述介质层的厚度且所述金属图形层的厚度小于所述基底材料层的厚度。
在一些实施例中，所述金属图形层包含多个所述金属图形单元，且各金属图形单元以相同的姿势排列形成阵列图形。
根据本发明实施例的另一方面，提供了一种可调天线，包括：如上述实施例所述的可调太赫兹器件。
在一些实施例中，所述金属图形层包含多个所述金属图形单元，在同一行的每个所述金属图形单元旋转的角度之差与对应行中金属图形单元的个数相乘为180度。
本发明实施例的一种可调太赫兹器件及可调天线，通过外部激励可以改变基底材料的特性，在一种激励条件下实现太赫兹双波段电磁诱导透明特性，在另一种激励条件下实现反射式双波段线-圆极化转换功能，其单元结构具有对称性，且器件对于不同极化方向的电磁波均不敏感。并且还可以通过在一种激励条件下构成双波束定向天线，在另一种激励条件下实现单波束调控器。
本发明的附加优点、目的，以及特征将在下面的描述中将部分地加以阐述，且将对于本领域普通技术人员在研究下文后部分地变得明显，或者可以根据本发明的实践而获知。本发明的目的和其它优点可以通过在书面说明及其权利要求书以及附图中具体指出的结构实现到并获得。
本领域技术人员将会理解的是，能够用本发明实现的目的和优点不限于以上具体所述，并且根据以下详细说明将更清楚地理解本发明能够实现的上述和其他目的。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明的限定。附图中的部件不是成比例绘制的，而只是为了示出本发明的原理。为了便于示出和描述本发明的一些部分，附图中对应部分可能被放大，即，相对于依据本发明实际制造的示例性装置中的其它部件可能变得更大。在附图中：
图1为本发明一实施例的可调太赫兹器件的结构示意图；
图2为本发明第一种具体实施例的多个周期单元的可调太赫兹器件的结构示意图；
图3为本发明第一种具体实施例的电磁诱导透明器件在低温激励环境下实现的双波段电磁诱导结构的传输谱示意图；
图4为本发明第一种具体实施例的电磁诱导透明器件在传输谱透明窗口位置处的表面电流分布的示意图；
图5为本发明第一种具体实施例的极化转换器在高温下实现的双波段线-圆极化转换器的反射幅度响应图；
图6为本发明第一种具体实施例的极化转换器在高温下实现的双波段线-圆极化转换器的反射波相位差图；
图7为本发明第一种具体实施例的极化转换器在高温下实现的双波段线-圆极化转换器的椭圆率图；
图8为本发明第二种具体实施例的可调天线的结构示意图；
图9为本发明第二种具体实施例的可调天线的TRL的相位响应示意图；
图10为本发明第二种具体实施例的可调天线的RLL的相位响应示意图；
图11为本发明第二种具体实施例的可调天线实现梯度相位的阵列示意图；
图12为本发明第二种具体实施例的可调天线在低于相变温度时的波束反射图；
图13为本发明第二种具体实施例的可调天线在低于相变温度时的波束透射图；
图14为本发明第二种具体实施例的可调天线在高于相变温度时的波束偏转辐射图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施方式和附图，对本发明做进一步详细说明。在此，本发明的示意性实施方式及其说明用于解释本发明，但并不作为对本发明的限定。
在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。
应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。
图1为本发明一实施例的可调太赫兹器件的结构示意图，如图1所示，该实施例的可调太赫兹器件包括基底材料层100、介质层200、及金属图形层300。
基底材料层100；其中，所述基底材料层所用材料为性质可变的物质。所述基底材料层所用材料可以包括二氧化钒、GST(硫属化合物Ge2Sb2Te5，含有锗(Ge),锑(Sb),碲(Te)元素的化合物半导体材料)或石墨烯等其他性质可变的物质。在不同设定条件下，材料可以变化为介质特性或金属特性。例如，基底材料层所用材料可以为二氧化钒，二氧化钒是一种热滞相变特性的金属氧化物，在相变前后电阻值可以变化4～5个数量级，为太赫兹器件的灵活性的实现提供了新的方向。并且二氧化钒是一种具有热滞相变特性的材料，在低于相变温度的激励下中呈现介质属性，在高于相变温度的激励下表现为金属特性。所述基底材料层的厚度范围为不小于0.1μm，例如，基底材料层的厚度可以为0.2μm、1.1μm、2.3μm、3.4μm或者4.5μm等。基底材料层的长的长度范围为50μm～1000μm，宽的长度范围为50μm～1000μm。例如，基底材料的长边的长度范围可以为60μm、80μm、90μm、100μm或者120μm等；宽边的长度范围可以为50μm、60μm、80μm、90μm或者100μm等。示例性地，基底材料层所用材料为二氧化钒，其厚度为1.1μm；基底材料的长的长度为100μm，宽的长度为100μm。
介质层200，位于所述基底材料层的一侧。其中，介质层与基底材料层的一侧完全重合。介质层所用材料可以包括聚酰亚胺、二氧化硅或硅等其他材料。介质层的长边的长度范围可以为50～1000um，宽边的长度范围可以为50～1000μm。例如，介质层的长边的长度可以为125μm、250μm、561μm等，宽边的长度可以为150μm、200μm、300μm等。由于介质层与基底材料层完全重合，因此介质层与基底材料层的长边的长度与宽边的长度完全相等。例如，介质层的长边长度为125μm、宽边的长度可以为125μm，则基底材料层的长边的长度为125μm、宽边的长度可以为125μm。介质层的厚度范围为40μm～60μm；例如，介质层的厚度可以为43μm、47μm、51μm或者53μm等。示例性地，介质层的材料为聚酰亚胺，其介电常数为3.5，损耗角正切0.02。在选择不同的介质材料时可以根据太赫兹波所需的频率范围选择合适的介电常数，进而基于介电常数选择介质材料。
金属图形层300，位于所述介质层的远离所述基底材料层的一侧；金属图形单元包含设定金属图形，设定金属图形包含多个金属条，第一所述金属条的一端垂直连接第二所述金属条的一端，第三所述金属条的一端垂直连接第四所述金属条的一端；第一所述金属条与第二所述金属条形成的夹角开口与第三所述金属条与第四所述金属条形成的夹角开口具有相同朝向；第一所述金属条与第三所述金属条之间间隔第一设定距离，第二所述金属条与第四所述金属条之间间隔第二设定距离；第一所述金属条的各侧边的长度不等于第三所述金属条的各侧边的长度，第二所述金属条的各侧边的长度不等于第四所述金属条的各侧边的长度。
其中，金属图形层300所用材料可以包括金、铝、或铜等其他金属材料，厚度范围为0.05μm～5μm，例如，金属图形层的厚度为0.07μm、0.09μm、1.09μm或者2.19μm等。所述金属图形层的厚度小于所述介质层的厚度且所述金属图形层的厚度小于所述基底材料层的厚度。例如，金属图形层所用材料为铝，厚度可以为0.2μm。并且，第一所述金属条的长的长度范围为25μm～500μm，宽的长度范围为5μm～100μm；第二所述金属条的长的长度范围为25μm～500μm，宽的长度范围为5μm～100μm；第三所述金属条的长的长度范围为30μm～700μm，宽的长度范围为7μm～150μm；第四所述金属条的长的长度范围为30μm～700μm，宽的长度范围为7μm～150μm。例如，各个金属条的长的长度可以为50μm、70μm、90μm、100μm、130μm或者200μm等，宽的长度可以为10μm、30μm、35μm、40μm、50μm或者70μm等。由于金属条的长度不同，因此形成的设定金属图形不同。例如，可以使第一金属条的长边的长度大于第二金属条的长边的长度，则第一所述金属条的一端垂直连接第二所述金属条的一端形成的金属图形为“L”形；或者还可以使第一金属条的长边的长度等于第二金属条的长边的长度，则第一所述金属条的一端垂直连接第二所述金属条的一端形成的金属图形为“∟”形；或者还可以为第一金属条的长边的长度小于第二金属条的长边的长度则第一所述金属条的一端垂直连接第二所述金属条的一端形成的金属图形
形。形成的设定金属图形中包括的由金属条构成的夹角开口朝向同一方向，设定金属图形中的两个金属图形的长边可以相互平行，且宽边可以相互平行，或者一个金属图形旋转设定角度且与另一个金属图形不存在交叠；设定角度不大于15度，例如设定角度可以为5度、10度或者15度等。根据基底材料在设定条件下的变化，该可调太赫兹器件可以将线极化波转换为圆极化波，或者可以产生电磁诱导透明，致使透射谱中出现透明窗口。例如，在基底材料为二氧化钒的情况下，则在高于相变温度的条件下，基底材料层会呈现金属特性，使器件可以实现极化波转换的功能，将线极化波转换为圆极化波；而在低于相变温度的条件下，基底材料层会呈现介质特性，使器件在使用的过程中可以出现电磁诱导透明现象，并产生透明窗口。
其中，所述第一设定距离范围为12μm～250μm；所述第二设定距离范围为12μm～250μm。例如，第一设定距离可以为12μm、25μm、30μm、46μm或者57μm等；第二设定距离可以为23μm、37μm、46μm、55μm或者60μm等。
示例性地，金属图形单元包含设定金属图形311和312，将组成一个L形金属图形的两条互相垂直的金属条称为一组金属条，则设定L形金属图形311包含第一金属条311a和第二金属条311b，第一金属条311a的一端垂直于第二金属条311b的一端，构成L形金属主体；设定L形金属图形312包含第三金属条312a和第四金属条312b，第一金属条312a的一端垂直于第二金属条312b的一端，构成L形金属图形；此外，设定金属图形之间可以将第一金属条311a与第二金属条312a构成的图形和第三金属条311b与第四金属条312b构成的图形互相平行。其中，金属条的长度要大于金属条的宽度。L形金属图形311的金属条长宽分别可以是160μm、27μm，259μm、55μm等，L形金属图形312的金属条长宽分别可以是197μm、35μm，313μm、71μm等，平行金属条之间的距离可以是78μm，142μm等。
示例性地，金属图形层的材料选择铝，其电导率为3.76×107S/m，厚度为0.2μm，周期长度选择250μm，设定金属图形为L形，将组成一个L形金属图形的两条互相垂直的金属条称为一组金属条，则第一组金属条的长和宽分别为125μm、25μm，第二组金属条的长和宽分别为155μm、30μm，两条平行金属条之间的间隔可以为60μm。并且，两条平行金属条的间隔是最靠近彼此的两条边的垂直或水平距离。
在一些实施例中，第一所述金属条的各侧边的长度小于第三所述金属条的各侧边的长度，第二所述金属条的各侧边的长度小于第四所述金属条的各侧边的长度。
其中，第一所述金属条与第二所述金属条形成第一个金属图形，第三所述金属条与第四所述金属条形成第二个金属图形，第一个金属图形的各个侧边的长度小于第二个金属图形的各个侧边的长度。进而，可以更好的实现电磁诱导透明现象和极化转换的功能。
示例性地，第一所述金属条的长边和宽边的长度分别为125μm、25μm，第二所述金属条长边和宽边的长度分别为90μm、25μm，第三所述金属条的长边和宽边的长度分别为195μm、25μm，第二所述金属条长边和宽边的长度分别为110μm、25μm。
除此之外，还可以第一所述金属条的各侧边的长度大于第三所述金属条的各侧边的长度，第二所述金属条的各侧边的长度大于第四所述金属条的各侧边的长度。
示例性地，第一所述金属条的长边和宽边的长度分别为125μm、25μm，第二所述金属条长边和宽边的长度分别为90μm、25μm，第三所述金属条的长边和宽边的长度分别为95μm、25μm，第二所述金属条长边和宽边的长度分别为70μm、25μm。其中，两个金属图形的放置位置可以有多种。
在一些实施例中，第一所述金属条的长边与第三所述金属条的长边平行且第二所述金属条的长边与第四所述金属条的长边平行。其中，各个对应的金属条均平行放置。例如，第一金属条与第三金属条平行放置，则第二金属条的侧边的延长线垂直于第三金属条的侧边；第四金属条的侧边的延长线垂直于第一金属条的侧边。
在一些实施例中，第一所述金属条的长边与第三所述金属条的长边呈设定角度且第二所述金属条的长边与第四所述金属条的长边呈设定角度；其中，所述设定角度不大于15度。所述角度可以为5度、10度或者15度等。金属图形层中的金属图形单元呈周期排列。
在一些实施例中，所述金属图形层包含多个所述金属图形单元，且各金属图形单元以相同的姿势排列形成阵列图形。
具体地，如图1所示，基底介质层的材料是二氧化钒，厚度为0.2μm，周期长度250μm；介质层的材料是聚酰亚胺其介电常数为3.5，损耗角正切0.02，厚度h为50μm；金属图形层的材料为铝，厚度为0.2μm；设定金属图形为L形，一组金属条的长L1为125μm、宽w1为25μm，另一组金属条的长L2为155μm、宽w2为30μm，两平行金属条的间距g为60μm。将以上实施例作为第一种双波段可调太赫兹器件，通过外加热激励改变基底材料二氧化钒的特性，使其发挥介质或金属反射板的作用，实现太赫兹器件的动态可调。
图2为本发明第一种具体实施例的多个周期单元的可调太赫兹器件的结构示意图。如图2所示，以周期排列的可调太赫兹器件，周期为4×4个周期单元。通过采用CSTStudio Suite软件进行模拟。在太赫兹波入射的情况下，建立该结构的一个周期，然后在设定x，y方向设定为周期边界条件，将金属图形朝上的z方向设置为开放边界条件，同时将此作为太赫兹波的入射端口和太赫兹波的出射端口，进一步通过仿真模拟可以得到太赫兹波的反射和透射曲线。该可调太赫兹器件可以实现电磁诱导透明现象。
图3为本发明第一种具体实施例的电磁诱导透明器件在低温激励环境下实现的双波段电磁诱导结构的传输谱示意图。如图3所示，可以表示为二氧化钒基底在低于相变温度时表现出介质特性，该器件呈现双波段电磁诱导透明现象，其中，横坐标表示频率，频率范围为0.25THz～0.85THz，纵坐标表示透射传输系数。图中三条曲线分别表示大、小L形金属主体和EIT主体的传输系数，其中EIT结构在0.442THz、0.65THz出现两个透明峰值，传输系数分别为0.65、0.78，并伴随在0.4THz、0.47THz、0.615THz、0.68THz出现四个传输谷值。忽略两个金属主体之间耦合形成的频移，曲线的四个传输最低点可以近似视为是由两个金属主体分别形成的谐振谷值。
图4为本发明第一种具体实施例的电磁诱导透明器件在传输谱透明窗口位置处的表面电流分布的示意图。如图4所示，分别给出了图3中两个传输透明窗口的表面电流分布，分别表示0.442THz的表面电流分布，和0.65THz的表面电流分布。在0.442THz由于共振失谐，两个L形金属主体同时被激励，其上的电流振荡方向相反，两个金属主体的电偶极矩可以互相抵消，此时结构器件产生的散射场非常微弱，在传输谱图(图3)中表现为在0.442THz产生透明窗口。在0.65THz，两个金属主体各有一个金属条被同时激励，这两个金属条互相垂直，此时两个谐振体的散射电磁场发生干涉，大部分电磁能量被束缚，因此结构器件的辐射损耗减小，再如图3中表现为在0.65THz产生较宽的透明窗口。
此外，该可调太赫兹器件还可以将线极化波转化为圆极化波。作为示例，基底材料层所用材料可以为二氧化钒，由于基底材料层所用的材料在不同设定条件下可以改变其材料本身的性质，因此，在高温条件下，基底材料层具有金属特性，所以本发明中的可调太赫兹器件可以将线极化波转换成圆极化波。图5为本发明第一种具体实施例的极化转换器在高温下实现的双波段线-圆极化转换器的反射幅度响应图。如图5所示，图中R表示反射曲线，下标符号“x”和“y”分别表示x极化和y极化，Rij表示入射波为j极化，反射波为i极化的情况，如图5中Rxy和Ryy为以y极化波入射时，分别以x和y极化反射的反射幅度响应，图6为本发明第一种具体实施例的极化转换器在高温下实现的双波段线-圆极化转换器的反射波相位差图，如图6所示，其表示两种反射波的相位差，当|Ryy|＝|Rxy|，相位差为2nπ+π/2(n为整数)时，线极化波转换为圆极化波。图7为本发明第一种具体实施例的极化转换器在高温下实现的双波段线-圆极化转换器的椭圆率图。如图7所示，其展示了转换后圆极化波的椭圆率，在0.3THz-0.42THz椭圆率为-1，则线极化波转换为右旋圆极化波，在0.72THz-0.92THz椭圆率为+1，则线极化波转换为左旋圆极化波。
根据本发明实施例的另一方面，提供了一种可调天线，包括：如上述实施例所述的可调太赫兹器件。
在一些实施例中，金属图形层的金属图形单元的排列方式还可以为，所述金属图形层包含多个所述金属图形单元，在同一行的每个所述金属图形单元旋转的角度之差与对应行中金属图形单元的个数相乘为180度。
示例性地，金属图形层每行有六个金属图形单元，在同一行的金属图形单元间隔相同距离，每个金属图形单元与相邻的金属图形单元之间的旋转角度可以相差30度，而一行中的金属图形单元的个数与各个金属图形单元之间旋转的角度之差相乘为180度。或者还可以金属图形层每行有12个金属图形单元，每个金属图形单元与相邻的金属图形单元之间的旋转角度可以相差15度，而一行中的金属图形单元的个数与各个金属图形单元之间旋转的角度之差相乘仍然为180度。通过对单元结构进行梯度旋转排列，致使圆极化入射时结构器件产生不同的相位响应，进而可以在材料相变前后用作波束分裂天线和单波束偏转天线。
图8为本发明第二种具体实施例的可调天线的结构示意图。如图8所示，基底介质层的材料是二氧化钒，厚度为0.2μm，周期长度250μm；介质层的材料是聚酰亚胺其介电常数为3.5，损耗角正切0.02，厚度h为50μm；金属图形层的材料为铝，厚度为0.2μm；设定金属图形为L形，一组金属条的长L1为145μm、宽w1为30μm，另一组金属条的长L2为125μm、宽w2为25μm，两条平行金属条的间距g为15μm，α表示金属图形层以单元中心z轴为轴，逆时针旋转的角度。在太赫兹波入射的情况下，建立该结构的一个周期，然后在设定x，y方向设定为周期边界条件，将金属图形朝上的z方向设置为开放边界条件，同时将此作为太赫兹波的入射端口和太赫兹波的出射端口，进一步通过仿真模拟得到太赫兹波的反射和透射曲线，通过外加热激励改变二氧化钒的特性，使其发挥介质或金属反射板的作用，实现可调天线的动态可调。
图9为本发明第二种具体实施例的可调天线的TRL的相位响应示意图。如图9所示，“T”表示传输曲线，下标符号“R”和“L”分别表示右旋圆极化和左旋圆极化，例如，Tij表示入射波为j极化，透射波为i极化的情况，Rij表示入射波为j极化，反射波为i极化的情况。将图8中的单元结构旋转α角度，图9表示在低于相变温度时，以左旋圆极化入射，以右旋圆极化出射的传输相位响应，在频率范围0.25THz-0.6THz内，随着角度α的梯度增加，传输相位响应呈现梯度增加的态势，而幅度响应完全相同；图10为本发明第二种具体实施例的可调天线的RLL的相位响应示意图，如图10所示，“R”表示反射曲线，下标符号“R”和“L”分别表示右旋圆极化和左旋圆极化，其表示在高于相变温度时，以左旋圆极化入射，以左旋圆极化出射的反射相位响应。可见，在频率范围0.25THz-0.7THz内，随着角度α的梯度增加，反射相位响应也呈现梯度增加的态势，幅度响应不变。其中，角度梯度为30°，相位梯度为60°，同极化传输谱线和交叉极化反射谱线不存在以上所述梯度相位现象。图9和图10只展示了入射波为左旋圆极化的情况，当入射波为右旋圆极化时，有相同的相位响应，相位梯度为-60°。
广义斯涅尔定律指出，非连续的相位变化界面能够改变电磁波的传播方向，而人工微结构对入射电磁波可以产生离散的相位响应，因此，特定排列方式的人工微结构阵列能够起到对入射电磁波传播方向的操纵作用。
根据广义斯涅耳定理，在电磁波垂直入射时，由人工电磁超材料产生的远场波束指向角度
其中，角标符号r和t分别表示反射场和透射场；λ是工作波长，Γ是覆盖2π相位的一组单元周期长度之和。在一定带宽内超表面单元的相位梯度越大，扫描角范围越大。然而，较小的相位梯度可以提供更好的相位补偿，从而提高偏转效率和偏转精度。
图11为本发明第二种具体实施例的可调天线实现梯度相位的阵列示意图。如图11所示，利用梯度相位的特点，将单元结构进行梯度旋转在x方向梯度相位，y方向每一列具有相同的相位响应，该器件的周期为6×6个单元。通过采用CST Studio Suite进行模拟。在太赫兹波入射的情况下，设定x，y方向为开放边界条件，用沿-z方向入射的平面波模拟激励，进一步通过仿真模拟可以得到太赫兹波的反射和透射波束。
图12为本发明第二种具体实施例的可调天线在低于相变温度时的波束分束辐射图。如图12所示，横坐标为波束与z轴正方向的夹角，横坐标的绝对值小于90度则呈现反射型天线辐射特性，横坐标的绝对值大于90度则呈现透射型天线辐射特性，其中正角度值表示波束与x轴正方向呈锐角，即波束分布在x轴正半平面，负角度值表示波束与x轴正方向呈钝角，即波束分布在x轴负半平面；纵坐标为辐射波束的归一化强度。当低于相变温度时，二氧化钒呈现介质特性，曲线Tji、Tii、Rji、Rii都有一定强度，模拟任一旋向的平面波沿-z方向入射，该器件会产生四个波束，分布在+z平面的是同极化和交叉极化的反射波束，分布在-z平面的是同极化和交叉极化的透射波束。以左旋圆极化波沿-z方向入射为例，图12表示0.52THz反射波束的辐射图，从图9和图10的分析可知，同极化的反射波会随结构的旋转形成梯度相位，而交叉极化不产生类似结果，故图12中角度θ为0°的波束是左旋圆极化波发生极化转换，反射形成的右旋圆极化波，角度θ为22.5°的波束是左旋圆极化波自身反射形成的。图13为本发明第二种具体实施例的可调天线在低于相变温度时的波束透射图，如图13所示，图13表示0.52THz透射波束的辐射图，从图9和图10的分析可知，交叉极化的透射波会随结构的旋转形成梯度相位，而同极化没有类似结果，故图13中角度θ为180°的波束是左旋圆极化自身透射形成的。角度θ为157.5°的波束是左旋圆极化波在传输的过程中受到结构作用，发生极化转换形成的右旋圆极化波。考虑到入射波在激励此结构时产生的传输、反射曲线Tji、Tii、Rji、Rii强度并不一致，即发生极化转换和未发生极化转换的太赫兹波并不均衡，故分裂形成的四个波束强度有差异。例如，图12和图13中可以看出反射的右旋圆极化波和透射的左旋圆极化波能量最强，这是因为0.52THz处反射系数RRL和传输系数TLL较大。此时，该实例用作一个波束分裂器，同时用作反射型和透射型辐射天线。
图14为本发明第二种具体实施例的可调天线在高于相变温度时的波束偏转辐射图。如图14所示，横坐标为波束与z轴正方向的夹角，正角度值表示波束与x轴正方向呈锐角，即波束分布在x轴正半平面，负角度值表示波束与x轴正方向呈钝角，即波束分布在x轴负半平面；纵坐标为辐射波束的归一化强度。此时二氧化钒底板呈现金属特性，如图展示了0.52THz反射波束的辐射图。从图10的分析可知，同极化波随结构梯度旋转产生梯度相位，交叉极化波没有类似性质，故以入射波是左旋圆极化波为例，图14中角度为22.5°的波束是左旋圆极化自身反射形成。与同极化反射相比，交叉极化的反射系数很小，所以垂直反射的交叉极化波强度很弱，此时本实例是一个波束控制器，或称之为波束偏转反射型天线。
需要注意的是，该具体实施例的第二种可调太赫兹器件在其他频率也满足以上可调太赫兹器件的波束调制效果，本说明中仅以0.52THz为例。
综上所述，本发明实施例的可调太赫兹器件及可调天线，通过温度激励使二氧化钒产生相变，实现双波段可调性能，二氧化钒相变前在太赫兹频段0.442THz、0.65THz产生双波段电磁诱导透明现象，在慢光器件、光存储器、生物探测等方面有重要的应用价值；二氧化钒相变后在0.3THz-0.42THz，0.72THz-0.92THz可以作为双波段线-圆极化转换器使用；对单元结构进行梯度旋转排列，在材料相变前后用作波束分裂天线和单波束偏转天线。
本发明中，针对一个实施方式描述和/或例示的特征，可以在一个或更多个其它实施方式中以相同方式或以类似方式使用，和/或与其他实施方式的特征相结合或代替其他实施方式的特征。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明实施例可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种可调太赫兹器件，其特征在于，包括：
基底材料层；其中，所述基底材料层所用材料为性质可变的物质；
介质层，位于所述基底材料层的一侧；
金属图形层，位于所述介质层的远离所述基底材料层的一侧；金属图形单元包含设定金属图形，设定金属图形包含多个金属条，第一所述金属条的一端垂直连接第二所述金属条的一端，第三所述金属条的一端垂直连接第四所述金属条的一端；第一所述金属条与第二所述金属条形成的夹角开口与第三所述金属条与第四所述金属条形成的夹角开口具有相同朝向；第一所述金属条与第三所述金属条之间间隔第一设定距离，第三所述金属条与第四所述金属条之间间隔第二设定距离；第一所述金属条的各侧边的长度不等于第三所述金属条的各侧边的长度，第二所述金属条的各侧边的长度不等于第四所述金属条的各侧边的长度。
2.如权利要求1所述的可调太赫兹器件，其特征在于，第一所述金属条的各侧边的长度小于第三所述金属条的各侧边的长度，第二所述金属条的各侧边的长度小于第四所述金属条的各侧边的长度；或，
第一所述金属条的各侧边的长度大于第三所述金属条的各侧边的长度，第二所述金属条的各侧边的长度大于第四所述金属条的各侧边的长度。
3.如权利要求1所述的可调太赫兹器件，其特征在于，所述基底材料层所用材料包括二氧化钒、GST或石墨烯；金属图形层所用材料包括金、铝、或铜；介质层所用材料包括聚酰亚胺、二氧化硅或硅。
4.如权利要求1所述的可调太赫兹器件，其特征在于，第一所述金属条的长边与第三所述金属条的长边平行且第二所述金属条的长边与第四所述金属条的长边平行；或，
第一所述金属条的长边与第三所述金属条的长边呈设定角度且第二所述金属条的长边与第四所述金属条的长边呈设定角度；其中所述设定角度不大于15度。
5.如权利要求1所述的可调太赫兹器件，其特征在于，第一所述金属条的长的长度范围为25μm～500μm，宽的长度范围为5μm～100μm；第二所述金属条的长的长度范围为25μm～500μm，宽的长度范围为5μm～100μm；第三所述金属条的长的长度范围为30μm～700μm，宽的长度范围为7μm～150μm；第四所述金属条的长的长度范围为30μm～700μm，宽的长度范围为7μm～150μm；所述第一设定距离范围为12um～250um；所述第二设定距离范围为12um～250um。
6.如权利要求1所述的可调太赫兹器件，其特征在于，所述基底材料层的厚度范围为不小于0.1μm；介质层的厚度范围为40μm～60μm；所述金属图形层的厚度范围为0.05μm～5μm；其中，所述金属图形层的厚度小于所述介质层的厚度且所述金属图形层的厚度小于所述基底材料层的厚度。
7.如权利要求1所述的可调太赫兹器件，其特征在于，所述金属图形层包含多个所述金属图形单元，且各金属图形单元以相同的姿势排列形成阵列图形。
8.一种可调天线，其特征在于，包括：如权利要求1至6任一项所述的可调太赫兹器件。
9.如权利要求8所述的可调天线，其特征在于，所述金属图形层包含多个所述金属图形单元，在同一行的每个所述金属图形单元旋转的角度之差与对应行中金属图形单元的个数相乘为180度。
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013027029A1 (en) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | Antenova Limited | Antenna isolation using metamaterial |
| CN103296407A (zh) * | 2012-02-29 | 2013-09-11 | 深圳光启创新技术有限公司 | 超材料天线罩 |
| CN103675961A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-03-26 | 哈尔滨工业大学 | 基于双l结构的中红外双频带超材料吸收器 |
| CN104360424A (zh) * | 2014-10-19 | 2015-02-18 | 北京工业大学 | 一种基于l型结构的宽带太赫兹超材料吸收器 |
| CN104600434A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-05-06 | 上海大学 | 具有非对称传输特性的双l型手征超材料的微单元结构 |
| CN104678598A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-06-03 | 中国石油大学(华东) | 太赫兹调制器、太赫兹调制器的制备方法和调谐方法 |
| US20170093045A1 (en) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | The Boeing Company | Ferrite-Enhanced Metamaterials |
| CN107369918A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-11-21 | 西安电子科技大学 | 基于石墨烯与超表面的工作带宽可调吸波器 |
| CN110164480A (zh) * | 2019-06-03 | 2019-08-23 | 哈尔滨工程大学 | 一种基于石墨烯的动态可调谐光学全息设计 |
-
2021
- 2021-02-07 CN CN202110174333.6A patent/CN112968292B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013027029A1 (en) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | Antenova Limited | Antenna isolation using metamaterial |
| CN103296407A (zh) * | 2012-02-29 | 2013-09-11 | 深圳光启创新技术有限公司 | 超材料天线罩 |
| CN103675961A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-03-26 | 哈尔滨工业大学 | 基于双l结构的中红外双频带超材料吸收器 |
| CN104360424A (zh) * | 2014-10-19 | 2015-02-18 | 北京工业大学 | 一种基于l型结构的宽带太赫兹超材料吸收器 |
| CN104600434A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-05-06 | 上海大学 | 具有非对称传输特性的双l型手征超材料的微单元结构 |
| CN104678598A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-06-03 | 中国石油大学(华东) | 太赫兹调制器、太赫兹调制器的制备方法和调谐方法 |
| US20170093045A1 (en) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | The Boeing Company | Ferrite-Enhanced Metamaterials |
| CN107369918A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-11-21 | 西安电子科技大学 | 基于石墨烯与超表面的工作带宽可调吸波器 |
| CN110164480A (zh) * | 2019-06-03 | 2019-08-23 | 哈尔滨工程大学 | 一种基于石墨烯的动态可调谐光学全息设计 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 潘学聪等: "各向异性超材料中太赫兹波的偏振转换", 《太赫兹科学与电子信息学报》 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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Legal Events
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| GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20220916 |