CN112951999B - 单分子层有机半导体层及有机场效应晶体管的制备方法 - Google Patents
单分子层有机半导体层及有机场效应晶体管的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112951999B CN112951999B CN202110284016.XA CN202110284016A CN112951999B CN 112951999 B CN112951999 B CN 112951999B CN 202110284016 A CN202110284016 A CN 202110284016A CN 112951999 B CN112951999 B CN 112951999B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- organic semiconductor
- polymer solution
- aging
- monolayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 239000002356 single layer Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 72
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims description 25
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenethiol Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(S)C(F)=C1F UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种单分子层有机半导体层及有机场效应晶体管的制备方法，单分子层有机半导体层的制备方法包括：提供一衬底；配制聚合物溶液；将衬底在聚合物溶液中进行提拉处理，以制备单分子层有机半导体层。单分子层有机半导体层的制备方法操作简单，成本低，可以实现大面积单分子层有机半导体层的制备。
Description
技术领域
本发明涉及有机半导体器件制造领域，尤其涉及一种单分子层有机半导体层及有机场效应晶体管的制备方法。
背景技术
有机薄膜可以通过简单的溶液处理拥有优越的机械柔性，引起了人们的广泛关注，在有机薄膜晶体管、有机发光二极管、有机太阳能电池、有机能量收集装置和有机自旋电荷转换器等领域中获得了广泛的应用。随着有机器件尺寸的不断缩小，有机场效应晶体管的体积必然会缩小才能适应新的技术要求。同时极少数的栅极电介质控制着与晶体管相邻的有机半导体第一层中的载流子输运。因此基于半导体单分子层(单层)的OFETs是特别重要的关键技术之一。单分子层晶体管(以下简称单层晶体管)由于单层的二维特性，使载流子及其路径限制在二维，也为研究基本输运机制提供了一个近乎理想的平台。单层晶体管由于其通道的可及性，在化学和生物传感器中具有很大的应用潜力，因此具有更高的灵敏度、更快的响应/恢复速度、更好的选择性和较低的检测限。
超薄多晶叶啉、聚药和聚亚胺等已在固体基底(如金属、石墨和石墨烯)上通过常规化学反应如U11mann反应、Schiff反应和脱氢偶联反应合成。然而，这些超薄薄膜的横向尺寸都很小，通常小于1um，不适合制造大面积的电子器件。近年来，人们提出了一种在气-液或液-液界面合成大尺寸超薄有机薄膜的动态亚胺化学方法，所得到的超薄薄膜可作为电子器件中的活性成分。然而，这些超薄有机薄膜在从液体表面转移到衬底的过程中，不可避免地会产生裂纹、褶皱和扭曲。因此，到目前为止，在衬底上直接合成大面积超薄薄膜甚至单分子层有机半导体层仍然是一项挑战，并且是发展有机单分子层电子器件的关键技术之一。
发明内容
本申请实施例通过提供一种单分子层有机半导体层及有机场效应晶体管的制备方法，该方法制备简单，可用于未来做有机单分子层电子器件的关键技术铺垫。
本发明提供一种单分子层有机半导体层的制备方法，包括：提供一衬底；配制聚合物溶液；将所述衬底在所述聚合物溶液中进行提拉处理，以制备所述单分子层有机半导体层。
在其中一个实施例中，所述聚合物溶液的浓度介于0.1mg/mL～10mg/mL之间。
在其中一个实施例中，所述聚合物溶液包括P3HT、pffbt4T-2DT、PBTTT中的一种或几种组合。
在其中一个实施例中，在配置所述聚合物溶液和将所述衬底在所述聚合物溶液中进行所述提拉处理之间，还包括：对所述聚合物溶液进行老化处理。
在其中一个实施例中，还包括：通过老化实验得出所述老化处理的最佳老化时间；所述对所述聚合物溶液进行老化处理包括：采用所述最佳老化时间对所述聚合物溶液进行所述老化处理。
在其中一个实施例中，所述通过老化实验得出所述老化处理的最佳老化时间包括：采用不同的老化时间对所述聚合物溶液进行所述老化处理，并分别制备单分子层有机半导体层样本；分别对所述单分子层有机半导体层样本进行测试，并获得相应参数；确定最佳的所述参数对应的所述老化时间为所述最佳老化时间。
在其中一个实施例中，所述测试包括电学测试、原子力显微镜测试中的一种或几种组合，所述参数包括迁移率，最佳的所述参数包括最大迁移率。
在其中一个实施例中，所述老化实验包括n次实验，直到获得最佳的所述参数，其中，第1次实验的所述老化时间为0天，第n次实验的所述老化时间介于(3n-6)天～(3n-3)天之间，其中，n为大于等于2的整数。
本发明还提供一种有机场效应晶体管的制备方法，包括：采用上述的单分子层有机半导体层的制备方法制备所述有机场效应管中的有机半导体层。
在其中一个实施例中，还包括：形成金属电极，采用化学溶液对所述金属电极进行化学修饰，所述金属电极包括栅极、源极和漏极，形成所述金属电极的工艺包括电子束蒸发工艺，所述化学溶液包括2,3,4,5,6-pentafluorothiophenol溶液。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
1、提供一衬底；配制聚合物溶液；将衬底在聚合物溶液中进行提拉处理，以制备单分子层有机半导体层的技术手段，操作简单，成本低，可以实现大面积单分子层有机半导体层的制备。
2、对聚合物溶液进行老化处理能够有效提高单分子层有机半导体层的性能。
3、通过老化实验能够精准调控单分子层有机半导体层的性能。
4、采用上述的单分子层有机半导体层的制备方法制备有机场效应管中的有机半导体层，可以实现单分子层有机场效应管的大规模制造，而且能够提高有机场效应管的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的单分子层有机半导体层的制备方法的流程图。
图2为本发明的单分子层有机半导体层的制备方法中步骤S130所呈现的提拉示意图。
图3为迁移率随老化时间变化的折线图。
图4为本发明的单分子层有机半导体层的AFM图像。
图中：10、聚合物溶液；20、衬底。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
实施例一
如图1所示，提供一种单分子层有机半导体层的制备方法，包括：提供一衬底20；配制聚合物溶液10；将衬底20在聚合物溶液10中进行提拉处理，以制备单分子层有机半导体层。
S110：提供一衬底20。
S120：配制聚合物溶液10。
其中，聚合物是高分子化合物(macromolecular compound)，所谓高分子化合物，是指那些由众多原子或原子团主要以共价键结合而成的相对分子量在一万以上的化合物。
在一个实施例中，聚合物溶液10的浓度介于0.1mg/mL～10mg/mL之间，例如，聚合物溶液10的浓度可以是0.1mg/mL、1mg/mL、3mg/mL、5mg/mL、7mg/mL、10mg/mL。
在一个实施例中，聚合物溶液10包括P3HT(聚-3己基噻吩)、pffbt4T-2DT、PBTTT中的一种或几种组合。
在一个实施例中，步骤S20和步骤S30之间，还包括：
S121：对聚合物溶液10进行老化处理。
在一个实施例中，还包括，通过老化实验得出老化处理的最佳老化时间；对聚合物溶液进行老化处理包括：采用最佳老化时间对聚合物溶液10进行老化处理。
老化处理是在聚合物溶液10配制好后将聚合物溶液10放置一段时间，老化时间是聚合物溶液10配制好到将衬底20在聚合物溶液10中进行提拉处理的时间间隔。
在一个实施例中，通过老化实验得出老化处理的最佳老化时间包括：采用不同的老化时间对聚合物溶液10进行老化处理，并分别制备单分子层有机半导体层样本；分别对单分子层有机半导体层样本进行测试，并获得相应参数；确定最佳的参数对应的老化时间为最佳老化时间。
在一个实施例中，对有机场效应晶体管进行测试，有机场效应晶体管包括单分子层有机半导体层样本。
在一个实施例中，测试包括电学测试、原子力显微镜测试中的一种或几种组合。
如图4a、图4b、图4c所示，随着老化时间的增长，单分子层有机半导体层的表面由图4a的薄膜状逐渐变为图4c的纤维状。
电学检测一般用于核定待测系统或元件整体电学性能是否满足要求，有时也对局部电学参数进行检测，检测项目包括电压、电流、阻抗、电场、磁场、EDM、相应时间等。原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)是一种具有原子分辨率的表面形貌、电磁性能分析的重要仪器。
在一个实施例中，参数包括迁移率，最佳的参数包括最大迁移率。迁移率(mobility)是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。
如图3所示，迁移率随着老化时间的增长先变大再变小，图3中的迁移率最高值即迁移率的最大值，对应的老化时间即最佳老化时间。所以，根据图3可以得出6天是最佳老化时间。
在一个实施例中，不同的老化时间按由少到多的顺序进行实验，直到获得最佳的参数。
在一个实施例中，老化实验包括n次实验，直到获得最佳的参数，其中，第1次实验的老化时间为0天，第n次实验的老化时间介于(3n-6)天～(3n-3)天之间，其中，n为大于等于2的整数。
在一个具体的实施例中，老化实验包括：
进行第1次实验：配制聚合物溶液10，聚合物溶液10不进行老化处理，直接用聚合物溶液10制备单分子层有机半导体层，并制备成有机场效应晶体管，对有机场效应晶体管进行电学测试和AFM测试，得到迁移率参数。
进行第2次实验：配制聚合物溶液10，对聚合物溶液10进行老化处理1天～3天之间，例如，对聚合物溶液10进行老化处理3天，用聚合物溶液10制备单分子层有机半导体层，并制备成有机场效应晶体管，对有机场效应晶体管进行电学测试和AFM测试，得到迁移率参数。
进行第3次实验：配制聚合物溶液10，对聚合物溶液10进行老化处理3天～6天之间，对聚合物溶液10进行老化处理6天，用聚合物溶液10制备单分子层有机半导体层，并制备成有机场效应晶体管，对有机场效应晶体管进行电学测试和AFM测试，得到迁移率参数。
进行第n次实验：配制聚合物溶液10，对聚合物溶液10进行老化处理(3n-6)天～(3n-3)天之间，用聚合物溶液10制备单分子层有机半导体层，并制备成有机场效应晶体管，对有机场效应晶体管进行电学测试和AFM测试，得到迁移率参数。
直到这一次实验的迁移率小于上一次实验的迁移率为止，也就是上一次实验的老化时间对应有最大迁移率，则上一次实验的老化时间为最佳老化时间。
S130：将衬底20在聚合物溶液10中进行提拉处理，以制备单分子层有机半导体层，如图2所示。
将衬底20在聚合物溶液10中采用提拉法进行提拉处理。
在一个实施例中，采用SC步进电机将衬底20在聚合物溶液10中进行提拉处理。
实施例二
提供一种有机场效应晶体管的制备方法，包括：采用实施例一的单分子层有机半导体层的制备方法制备有机场效应管中的有机半导体层。
一般的，有机场效应晶体管包括有机半导体层、栅介质层、栅极、源极和漏极。
在一个实施例中，还包括：形成金属电极，金属电极包括栅极、源极和漏极，形成金属电极的工艺包括电子束蒸发工艺。
电子束蒸发法是真空蒸发镀膜的一种，是在真空条件下利用电子束进行直接加热蒸发材料，使蒸发材料气化并向基板输运，在基底上凝结形成薄膜的方法。
在一个实施例中，形成金属电极之后还包括：采用化学溶液对金属电极进行化学修饰，化学溶液包括2,3,4,5,6-pentafluorothiophenol(五氟苯硫酚)溶液。
化学修饰电极是通过化学修饰的方法在电极表面进行分子设计，将具有优良化学性质的分子、离子、聚合物固定在电极表面，造成某种微结构，赋予电极某种特定的化学和电化学性质，以便高选择性的进行所期望的反应，在提高选择性和灵敏度方面具有独特的优越性。
在一个实施例中，化学溶液的物质的量介于1mmol～50mmol之间，例如，化学溶液的物质的量可以是1mmol、5mmol、10mmol、20mmol、30mmol、40mmol、50mmol。
在一个具体的实施例中，提供一种有机场效应晶体管的制备方法，包括：
S210：提供一衬底，于衬底上形成栅极。
在一个实施例中，衬底包括二氧化硅衬底或玻璃衬底。
在一个实施例中，步骤S210包括：提供一衬底，采用光刻工艺于衬底上形成凹槽，于凹槽内形成栅极。
S220：于栅极上形成栅介质层。
S230：于栅介质层上形成有机半导体层，有机半导体层采用实施例一的单分子层有机半导体层的制备方法制备。
S240：于有机半导体层上形成源极和漏极。
上述本申请实施例中的技术方案，至少具有如下的技术效果或优点：
1、提供一衬底20；配制聚合物溶液10；将衬底20在聚合物溶液10中进行提拉处理，以制备单分子层有机半导体层的技术手段，操作简单，成本低，可以实现大面积单分子层有机半导体层的制备。
2、对聚合物溶液10进行老化处理能够有效提高单分子层有机半导体层的性能。
3、通过老化实验能够精准调控单分子层有机半导体层的性能。
4、采用上述的单分子层有机半导体层的制备方法制备有机场效应管中的有机半导体层，可以实现单分子层有机场效应管的大规模制造，而且能够提高有机场效应管的性能。
在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (7)
1.一种单分子层有机半导体层的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
配制聚合物溶液；
将所述衬底在所述聚合物溶液中进行提拉处理，以制备所述单分子层有机半导体层；
在配置所述聚合物溶液和将所述衬底在所述聚合物溶液中进行所述提拉处理之间，还包括：对所述聚合物溶液进行老化处理；
通过老化实验得出所述老化处理的最佳老化时间；所述对所述聚合物溶液进行老化处理包括：采用所述最佳老化时间对所述聚合物溶液进行所述老化处理；
所述通过老化实验得出所述老化处理的最佳老化时间包括：采用不同的老化时间对所述聚合物溶液进行所述老化处理，并分别制备单分子层有机半导体层样本；分别对所述单分子层有机半导体层样本进行测试，并获得相应参数；确定最佳的所述参数对应的所述老化时间为所述最佳老化时间。
2.如权利要求1所述的单分子层有机半导体层的制备方法，其特征在于，所述聚合物溶液的浓度介于0.1mg/mL～10mg/mL之间。
3.如权利要求1所述的单分子层有机半导体层的制备方法，其特征在于，所述聚合物溶液包括P3HT、pffbt4T-2DT、PBTTT中的一种或几种组合。
4.如权利要求1所述的单分子层有机半导体层的制备方法，其特征在于，所述测试包括电学测试、原子力显微镜测试中的一种或几种组合，所述参数包括迁移率，最佳的所述参数包括最大迁移率。
5.如权利要求1所述的单分子层有机半导体层的制备方法，其特征在于，所述老化实验包括n次实验，直到获得最佳的所述参数，其中，第1次实验的所述老化时间为0天，第n次实验的所述老化时间介于(3n-6)天～(3n-3)天之间，其中，n为大于等于2的整数。
6.一种有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：采用权利要求1～权利要求5中任一项所述的单分子层有机半导体层的制备方法制备有机场效应管中的有机半导体层。
7.如权利要求6所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，还包括：形成金属电极，采用化学溶液对所述金属电极进行化学修饰，所述金属电极包括栅极、源极和漏极，形成所述金属电极的工艺包括电子束蒸发工艺，所述化学溶液包括2,3,4,5,6-pentafluorothiophenol溶液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110284016.XA CN112951999B (zh) | 2021-03-17 | 2021-03-17 | 单分子层有机半导体层及有机场效应晶体管的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110284016.XA CN112951999B (zh) | 2021-03-17 | 2021-03-17 | 单分子层有机半导体层及有机场效应晶体管的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112951999A CN112951999A (zh) | 2021-06-11 |
| CN112951999B true CN112951999B (zh) | 2023-01-20 |
Family
ID=76228702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110284016.XA Active CN112951999B (zh) | 2021-03-17 | 2021-03-17 | 单分子层有机半导体层及有机场效应晶体管的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112951999B (zh) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1950382A (zh) * | 2004-03-18 | 2007-04-18 | 夏普株式会社 | 有机硅烷化合物、其制备方法及其用途 |
| CN101032031A (zh) * | 2004-11-11 | 2007-09-05 | 三菱化学株式会社 | 场效应晶体管 |
| CN101425563A (zh) * | 2008-12-01 | 2009-05-06 | 中国科学院微电子研究所 | 各向异性有机场效应管的制备方法 |
| CN102683591A (zh) * | 2011-03-10 | 2012-09-19 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制备有机场效应晶体管结构的方法 |
| JP6347909B2 (ja) * | 2011-08-22 | 2018-06-27 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子、該素子用材料、並びに該素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置 |
| CN108063189A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-05-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机薄膜的制备方法、有机发光二极管以及显示装置 |
-
2021
- 2021-03-17 CN CN202110284016.XA patent/CN112951999B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112951999A (zh) | 2021-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yi et al. | Plasma-enhanced chemical vapor deposition of two-dimensional materials for applications | |
| Liu et al. | Graphene-assisted metal transfer printing for wafer-scale integration of metal electrodes and two-dimensional materials | |
| Zhan et al. | Graphene field‐effect transistor and its application for electronic sensing | |
| Wang et al. | Silicon p-FETs from ultrahigh density nanowire arrays | |
| Ho et al. | Controlled nanoscale doping of semiconductors via molecular monolayers | |
| Hollander et al. | Enhanced transport and transistor performance with oxide seeded high-κ gate dielectrics on wafer-scale epitaxial graphene | |
| Han et al. | Seeded growth of highly crystalline molybdenum disulphide monolayers at controlled locations | |
| Räder et al. | Processing of giant graphene molecules by soft-landing mass spectrometry | |
| Becerril et al. | Fabrication and evaluation of solution-processed reduced graphene oxide electrodes for p-and n-channel bottom-contact organic thin-film transistors | |
| Hazut et al. | Contact doping of silicon wafers and nanostructures with phosphine oxide monolayers | |
| O’Connell et al. | Organo-arsenic molecular layers on silicon for high-density doping | |
| Choi et al. | Monolithic metal oxide transistors | |
| Chung et al. | Low-voltage and short-channel pentacene field-effect transistors with top-contact geometry using parylene-C shadow masks | |
| Wei et al. | Scratching lithography for wafer-scale MoS2 monolayers | |
| Bahri et al. | Toward clean and crackless polymer-assisted transfer of CVD-grown graphene and its recent advances in GFET-based biosensors | |
| Zhang et al. | Multilayer Si shadow mask processing of wafer-scale MoS2 devices | |
| Wittmann et al. | Dielectric surface charge engineering for electrostatic doping of graphene | |
| Wang et al. | Lithographical fabrication of organic single-crystal arrays by area-selective growth and solvent vapor annealing | |
| Li et al. | Nano-subsidence-assisted precise integration of patterned two-dimensional materials for high-performance photodetector arrays | |
| CN112951999B (zh) | 单分子层有机半导体层及有机场效应晶体管的制备方法 | |
| Li et al. | Poly (vinyl alcohol)-Assisted Exfoliation of van der Waals Materials | |
| Ohtake et al. | DNA nanopatterning with self-organization by using nanoimprint | |
| US20140162436A1 (en) | Inorganic nanostructure reactive direct-write and growth | |
| Garozzo et al. | Radial junctions formed by conformal chemical doping for innovative hole-based solar cells | |
| Mogi et al. | Ultimate high conductivity of multilayer graphene examined by multiprobe scanning tunneling potentiometry on artificially grown high-quality graphite thin film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |