CN112909727B - 一种大功率混沌半导体激光发生装置 - Google Patents

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Abstract

本发明一种大功率混沌半导体激光发生装置及其发生方法，属于大功率混沌半导体激光发生装置技术领域；所要解决的技术问题为：提供一种大功率混沌半导体激光发生装置结构的改进；解决该技术问题采用的技术方案为：包括用于产生大功率激光的相干阵列激光发生器，所述相干阵列激光发生器的内部设置有激光发生芯片，还包括用于对相干阵列激光发生器发射激光束的垂直发散角进行压缩的柱面透镜、用于将相干阵列激光发生器所发射激光束的旁瓣光束反射回相干阵列激光发生器内部的球面反射镜，所述相干阵列激光发生器中的激光发生芯片接收到反射光束后，相干阵列激光发生器工作处于混沌状态；本发明应用于大功率混沌半导体激光发生装置。

Description

一种大功率混沌半导体激光发生装置
技术领域
本发明一种大功率混沌半导体激光发生装置，属于大功率混沌半导体激光发生装置技术领域。
背景技术
混沌激光具有类噪声、宽频谱、δ型自相关性等特点，在激光雷达、随机密钥产生、保密通信和光纤传感等领域具有重要应用前景，尤其是激光雷达领域，基于混沌激光的混沌激光雷达具有天然的抗干扰特性，对于未来无人驾驶技术的安全性，具有重要保障作用；2001年K. Myneni等人首先利用光反馈半导体激光器产生的混沌激光脉冲序列作为探测信号实现了目标距离的测量，2004年Lin Fan yi等人提出用连续波混沌激光测距的方法。
混沌激光测距的性能，如分辨率、抗干扰能力、测量距离等都与混沌激光的混沌状态密切相关，目前阻碍混沌激光雷达实际应用的最主要因素在于雷达探测距离有限，无法满足高速无人驾驶技术需求，而限制混沌激光雷达探测距离的一个重要原因在于，混沌激光源功率较小，一般只有数十兆瓦，导致在进行长距离工作时回波信号太弱而无法被探测。
实现大功率混沌激光源的基本方法是：通过外部扰动使大功率激光器进入混沌状态，然而大功率的半导体激光器往往具有宽的增益区，从而导致多横模工作，使激光器输出光束分散为多光束，难以进行准直或耦合处理，因而难以实现高功率的混沌激光输出，同时多光束远场也不适于长距离工作；因此适用于激光雷达应用的大功率混沌激光光源仍然缺失，目前关于混沌激光雷达的研究工作仍然采用功率较小的混沌激光光源，其发射激光的准直性和传输距离均不能令人满意。
发明内容
本发明为了克服现有技术中存在的不足，所要解决的技术问题为：提供一种大功率混沌半导体激光发生装置结构的改进。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种大功率混沌半导体激光发生装置，包括用于产生大功率激光的相干阵列激光发生器，所述相干阵列激光发生器的内部设置有激光发生芯片，还包括用于对相干阵列激光发生器发射激光束的垂直发散角进行压缩的柱面透镜、用于将相干阵列激光发生器所发射激光束的旁瓣光束反射回相干阵列激光发生器内部的球面反射镜，所述相干阵列激光发生器中的激光发生芯片接收到反射光束后，相干阵列激光发生器工作处于混沌状态；
所述球面反射镜的中心位置开有通孔，在通孔处设置有用于对相干阵列激光发生器所发射的主瓣激光束进行准直的准直透镜；
所述柱面透镜具体为平凸柱面透镜，所述相干阵列激光发生器设置在柱面透镜的凸面一侧，所述柱面透镜的平面一侧正对球面反射镜的中心位置设置。
所述相干阵列激光发生器的内部设置有激光器外延片，所述激光器外延片具体为中间塔尔博特滤波的五单元激光器阵列结构；
所述五单元激光器具体为同相位相干工作，输出光束的能量主要分布在水平光束的三瓣光束上。
所述相干阵列激光发生器内部使用的芯片为信号转换芯片，所述信号转换芯片的型号为GP9303。
本发明相对于现有技术具备的有益效果为：本发明通过对现有激光发生器的结构进行改进，在激光发生器内部设置大功率半导体激光器相干阵列芯片，能够实现大功率混沌激光输出，并基于大功率半导体激光器相干阵列芯片主瓣光束的高光束质量，结合柱面透镜和准直透镜，输出光束具有更好的准直性，更有利于长距离激光传输应用；另外本发明通过大功率半导体激光器相干阵列芯片的旁瓣光束反馈，可以实现混沌激光输出，内部设置的阵列单元间的相互耦合能够进一步增强混沌激光的复杂度，有利于提高混沌激光雷达的精度和安全性。
附图说明
下面结合附图对本发明做进一步说明：
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明相干阵列激光发生器的工作状态示意图；
图3为本发明实施例中激光器在驱动电源下的输出功率随电流变化的示意图；
图4为本发明实施例中准连续工作模式下的驱动电流和输出激光时序波形示意图；
图5为本发明实施例中脉冲工作模式下的驱动电流和输出激光时序波形示意图；
图6为本发明相干阵列激光发生器内部信号转换芯片的电路图；
图中：1为相干阵列激光发生器、2为柱面透镜、3为球面反射镜、4为准直透镜。
具体实施方式
如图1至图6所示，本发明一种大功率混沌半导体激光发生装置，包括用于产生大功率激光的相干阵列激光发生器1，所述相干阵列激光发生器1的内部设置有激光发生芯片，还包括用于对相干阵列激光发生器1发射激光束的垂直发散角进行压缩的柱面透镜2、用于将相干阵列激光发生器1所发射激光束的旁瓣光束反射回相干阵列激光发生器1内部的球面反射镜3，所述相干阵列激光发生器1中的激光发生芯片接收到反射光束后，相干阵列激光发生器1工作处于混沌状态；
所述球面反射镜3的中心位置开有通孔，在通孔处设置有用于对相干阵列激光发生器1所发射的主瓣激光束进行准直的准直透镜4；
所述柱面透镜2具体为平凸柱面透镜，所述相干阵列激光发生器1设置在柱面透镜2的凸面一侧，所述柱面透镜2的平面一侧正对球面反射镜3的中心位置设置。
所述相干阵列激光发生器1的内部设置有激光器外延片，所述激光器外延片具体为中间塔尔博特滤波的五单元激光器阵列结构；
所述五单元激光器具体为同相位相干工作，输出光束的能量主要分布在水平光束的三瓣光束上。
所述相干阵列激光发生器1内部使用的芯片为信号转换芯片，所述信号转换芯片的型号为GP9303。
本发明提供的半导体激光器相干阵列是一种能够实现高功率激光输出，同时抑制多横模工作的有效方案，此外，相干阵列激光发生器内的阵列单元间相互耦合还能够增强混沌激光的复杂度，实现混沌激光的大功率输出；本发明针对大功率混沌激光光源缺失的现状，在激光发生装置内部装载透镜的球面反射镜，可以同时实现光路准直和光反馈，能够有效减少激光功率损耗，提高准直效果，可以满足混沌激光雷达百米以上长距离的工作需求。
如图1所示，本发明实施例提供一种波长为1.55微米的、基于大功率衍射耦合半导体激光器相干阵列的激光器，激光发生装置具体包括：相干阵列激光发生器，柱面透镜，带中心孔的球面反射镜，镶嵌于球面反射镜中心孔处的准直透镜。
所述相干阵列激光发生器内部采用InP基InGaAsP超晶格有源区的激光器外延片，可以实现波长1.55微米的激光增益，器件结构为中间塔尔博特滤波的五单元激光器阵列结构，器件结构如图2所示，所述五个激光器单元为同相位相干工作，输出光束能量主要分布在三瓣光束上，垂直方向的光束发散为高斯形远场，水平光束远场轮廓如所示，可以清楚的看到三个光瓣。
所述相干阵列激光发生器输出激光时，注入电流设置为阈值电流的1.5倍，反馈强度为20%，能够达到1W以上的功率输出。
所述柱面透镜具体为K9石英玻璃材质的平凸柱面透镜，平面一侧靠近相干阵列激光发生器，凸面一侧的需根据相干阵列激光发生器的具体输出远场参数进行设计，要求输出光束能量的99%以上被柱面透镜接收，经过柱面透镜压缩垂直方向的光束发散角后，输出光束的三个光瓣具有接近圆形的光瓣轮廓。
所述带中心孔的球面反射镜的中心孔稍大于主瓣光束的尺寸，反射镜材质为金属或者硬树脂塑料，反射率可选择优化，当旁瓣光束入射在球面反射镜上后，球面反射镜将其反射，反射光束延原路返回至相干阵列激光发生器中，使相干阵列激光发生器工作在混沌状态，激光的反射率经过优化，能够使混沌激光器的输出效率、复杂度得到增强。
所述镶嵌于球面反射镜的中心孔处设置有准直透镜，具体为K9石英玻璃材质的平凸透镜，能够将主瓣光束完全接收并进行准直处理，经过准直的主瓣光束作为输出光束，具有优良的准直度，发散角小于0.1毫弧度，在其传输200米距离后，光斑尺寸小于2厘米。
本发明实施例中提供的大功率混沌半导体激光器，根据向相干阵列芯片输入不同的驱动电流，使其具有两种不同的工作模式：
工作模式一：相干阵列芯片在直流稳压电流源驱动下，激光器工作在准连续的工作模式下，输出准连续混沌激光；如图4所示，给出准直流电波形及对应的准连续混沌激光输出波形，相干阵列芯片在一定的工作电流下工作一段时间后需要停止驱动一段时间Δt，以防止高功率工作下热量的过度积累，影响相干阵列芯片的使用寿命，连续工作的持续时间为百ms量级，上述Δt为一个经验参数，针对不同的芯片、不同的工作电流，应使用不同的Δt值；准连续工作模式下，激光器能输出较长时间的混沌激光序列，有利于实现高精度的测距，但是只适用于单点或点数较少的混沌激光测距，无法实现实时成像。
工作模式二：相干阵列芯片在方波调制电流驱动下时，激光器工作在脉冲工作模式下，间断性输出混沌激光；如图5所示，给出方波调制电流波形及对应的间断性混沌激光输出，产生方波调制信号的驱动电路主要使用APC芯片（模拟到PWM转换器）GP9303，输入电压范围为0-5V，PWM信号的占空比设为50%，信号转换芯片电路结构如图6所示；上述方波脉冲的周期P为10ns量级，混沌激光连续输出的持续时间远小于准连续模式，在脉冲工作模式下，每一次混沌序列即可完成一个点的测距，能够在0.01s时间内完成105个点的位置测定，适用于激光雷达实时成像。
进一步的，半导体激光器的注入电流与输出功率的关系如图3所示，当驱动电流高于阈值电流Ith后，输出的光功率会与驱动电流保持线性关系，同时频率和相位会与驱动电流保持一致，所以在不同的电流源驱动下激光器主要有两种不同的工作模式。
上述第一种工作模式为准连续模式，当使用直流稳压电流源驱动时，大功率半导体激光器相干阵列芯片输出准连续大功率混沌激光，该工作模式适用于单点、长距离、高精度混沌测距；上述第二种工作模式为脉冲模式，大功率半导体激光器相干阵列芯片在方波调制电流驱动下，间断输出大功率混沌激光，该工作模式适用于长距离、长时间、多点激光雷达成像。
关于本发明具体结构需要说明的是，本发明采用的各部件模块相互之间的连接关系是确定的、可实现的，除实施例中特殊说明的以外，其特定的连接关系可以带来相应的技术效果，并基于不依赖相应软件程序执行的前提下，解决本发明提出的技术问题，本发明中出现的部件、模块、具体元器件的型号、连接方式除具体说明的以外，均属于本领域技术人员在申请日前可以获取到的已公开专利、已公开的期刊论文、或公知常识等现有技术，无需赘述，使得本案提供的技术方案是清楚、完整、可实现的，并能根据该技术手段重现或获得相应的实体产品。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (3)

1.一种大功率混沌半导体激光发生装置，包括用于产生大功率激光的相干阵列激光发生器（1），所述相干阵列激光发生器（1）的内部设置有激光发生芯片，其特征在于：还包括用于对相干阵列激光发生器（1）发射激光束的垂直发散角进行压缩的柱面透镜（2）、用于将相干阵列激光发生器（1）所发射激光束的旁瓣光束反射回相干阵列激光发生器（1）内部的球面反射镜（3），所述相干阵列激光发生器（1）中的激光发生芯片接收到反射光束后，相干阵列激光发生器（1）工作处于混沌状态；
所述球面反射镜（3）的中心位置开有通孔，在通孔处设置有用于对相干阵列激光发生器（1）所发射的主瓣激光束进行准直的准直透镜（4）；
所述柱面透镜（2）具体为平凸柱面透镜，所述相干阵列激光发生器（1）设置在柱面透镜（2）的凸面一侧，所述柱面透镜（2）的平面一侧正对球面反射镜（3）的中心位置设置。
2.根据权利要求1所述的一种大功率混沌半导体激光发生装置，其特征在于：所述相干阵列激光发生器（1）的内部设置有激光器外延片，所述激光器外延片具体为中间塔尔博特滤波的五单元激光器阵列结构；
所述五单元激光器具体为同相位相干工作，输出光束的能量主要分布在水平光束的三瓣光束上。
3.根据权利要求2所述的一种大功率混沌半导体激光发生装置，其特征在于：所述相干阵列激光发生器（1）内部使用的芯片为信号转换芯片，所述信号转换芯片的型号为GP9303。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115704904B (zh) * 2021-08-09 2023-09-15 北京一径科技有限公司 激光雷达系统
CN114389146B (zh) * 2021-12-16 2023-12-19 中国科学院福建物质结构研究所 一种产生多脉冲激光的激光装置及其控制方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101183771A (zh) * 2007-12-07 2008-05-21 华南理工大学 大功率双包层光纤激光器端面泵浦方法及其装置
CN101728753A (zh) * 2009-11-30 2010-06-09 中国人民解放军国防科学技术大学 激光谐振腔的辅助装调设备、调腔系统及其调腔方法
CN203606565U (zh) * 2013-10-25 2014-05-21 国家电网公司 有限远双波段光轴调校装置
CN104283098A (zh) * 2013-07-11 2015-01-14 中国科学院大连化学物理研究所 一种横流气体机械调q脉冲激光器
CN108681097A (zh) * 2018-06-25 2018-10-19 太原理工大学 激光显示用低相干混沌激光器
CN109856644A (zh) * 2019-01-25 2019-06-07 太原理工大学 用于无人驾驶汽车的高探测效率vcsel阵列混沌激光雷达装置
CN209561864U (zh) * 2019-04-24 2019-10-29 武汉光迅科技股份有限公司 一种联合扰动式混沌激光发生器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106992425B (zh) * 2017-06-12 2019-06-18 中国原子能科学研究院 具有脉冲自压缩特性的无阶梯诱导非相干准分子激光光源
CN108761828B (zh) * 2018-06-25 2020-11-13 太原理工大学 一种激光显示专用消散斑光源

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101183771A (zh) * 2007-12-07 2008-05-21 华南理工大学 大功率双包层光纤激光器端面泵浦方法及其装置
CN101728753A (zh) * 2009-11-30 2010-06-09 中国人民解放军国防科学技术大学 激光谐振腔的辅助装调设备、调腔系统及其调腔方法
CN104283098A (zh) * 2013-07-11 2015-01-14 中国科学院大连化学物理研究所 一种横流气体机械调q脉冲激光器
CN203606565U (zh) * 2013-10-25 2014-05-21 国家电网公司 有限远双波段光轴调校装置
CN108681097A (zh) * 2018-06-25 2018-10-19 太原理工大学 激光显示用低相干混沌激光器
CN109856644A (zh) * 2019-01-25 2019-06-07 太原理工大学 用于无人驾驶汽车的高探测效率vcsel阵列混沌激光雷达装置
CN209561864U (zh) * 2019-04-24 2019-10-29 武汉光迅科技股份有限公司 一种联合扰动式混沌激光发生器

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Chaotic oscillation in a microchip solid-state laser array using a Talbot mirror;Uchida;《IEICE TRANSACTIONS ON FUNDAMENTALS OF ELECTRONICS COMMUNICATIONS AND COMPUTER SCIENCES E84A》;20010930;全文 *
Coherence and synchronization in diode-laser arrays with delayed global coupling;Garcia-Ojalvo;《International Workshop on Synchronization, Pattern Formation, and Spatio-Temporal Chaos in Coupled Chaotic Oscillators》;19991130;全文 *
光电反馈半导体激光器输出光的混沌特性;张依宁;《光学学报》;20200603;全文 *

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