CN112886257A - 可切换吸收与滤波的太赫兹控制器及其方法 - Google Patents

可切换吸收与滤波的太赫兹控制器及其方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112886257A
CN112886257A CN202110035610.5A CN202110035610A CN112886257A CN 112886257 A CN112886257 A CN 112886257A CN 202110035610 A CN202110035610 A CN 202110035610A CN 112886257 A CN112886257 A CN 112886257A
Authority
CN
China
Prior art keywords
germanium telluride
terahertz
controller
layer
embedded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110035610.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112886257B (zh
Inventor
李九生
黎哲文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China Jiliang University
Zhejiang Lab
Original Assignee
China Jiliang University
Zhejiang Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China Jiliang University, Zhejiang Lab filed Critical China Jiliang University
Priority to CN202110035610.5A priority Critical patent/CN112886257B/zh
Publication of CN112886257A publication Critical patent/CN112886257A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112886257B publication Critical patent/CN112886257B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/0013—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices working as frequency-selective reflecting surfaces, e.g. FSS, dichroic plates, surfaces being partly transmissive and reflective
    • H01Q15/002—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices working as frequency-selective reflecting surfaces, e.g. FSS, dichroic plates, surfaces being partly transmissive and reflective said selective devices being reconfigurable or tunable, e.g. using switches or diodes

Abstract

本发明公开了一种可切换吸收与滤波的太赫兹控制器及其方法。它包括N×N个正方形单元结构，N为大于0的自然数，N×N个正方形单元结构周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上；每个单元结构从上往下依次包括金属层，介质层和碲化锗层；其中，顶层复合结构层位于介质层上方，介质层下方为碲化锗层；复合结构层由矩形开口环和矩形竖条组成；矩形开口环开口处贴有第一碲化锗嵌入条；矩形开口环与矩形竖条之间贴有第二碲化锗嵌入条和第二碲化锗嵌入条。通过外界施加温度，改变碲化锗的介电常数与电导率，实现了太赫兹控制器吸收与滤波的功能切换。本发明的可切换吸收与滤波的太赫兹控制器具有方便调节、控制灵活、功能转换等特点，满足太赫兹波系统的应用要求。

Description

可切换吸收与滤波的太赫兹控制器及其方法
技术领域
本发明涉及太赫兹控制器，尤其涉及一种可切换吸收与滤波的太赫兹控制器。
背景技术
太赫兹波是指频率从0.1THz到10THz，波长为3mm到30μm，其频段介于微波与红外光之间的电磁波谱区域。近些年来，太赫兹频段下的太赫兹功能器件设计得到了科学界广泛的研究。多种功能器件已被提出，如吸收器，滤波器，传感器，偏振控制器等。
在过去一段时间里，受限于器件结构固定，人们难以实现对太赫兹器件的动态调控。随着相应技术的产生与突破，研究人员在超表面的设计中引入了可调材料(石墨烯，液晶，相变材料等)，通过电控，光控以及温控的方法实现器件性能的调控。但是这些设计仅是对单一性能的调控，基于单个基础结构实现多个功能的太赫兹器件研究相对较少。针对上述问题，本发明提出了一种可切换吸收与滤波的太赫兹控制器，通过外界施加温度，改变碲化锗的介电常数与电导率，实现了太赫兹控制器吸收与滤波的功能切换。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足，提供可切换吸收与滤波的太赫兹控制器。
为了达到上述目的，本发明的技术方案如下：
一种可切换吸收与滤波的太赫兹控制器，它包括N×N个正方形周期单元结构，N为大于0的自然数，N×N个正方形周期单元结构在平面上连续拼接；每个正方形周期单元结构从上往下依次包括复合结构层、介质层和碲化锗层；其中，顶层的复合结构层位于介质层上方，介质层下方为碲化锗层；复合结构层由矩形开口环、矩形竖条、第一碲化锗嵌入条、第二碲化锗嵌入条和第三碲化锗嵌入条组成，其中矩形开口环和矩形竖条均为金属材质，矩形开口环开口朝向矩形竖条，矩形开口环的开口处由所述第一碲化锗嵌入条封闭；矩形开口环与矩形竖条之间通过所述第二碲化锗嵌入条和第三碲化锗嵌入条连接，矩形开口环、第二碲化锗嵌入条、矩形竖条和第三碲化锗嵌入条的外轮廓围合成一个矩形轮廓；通过调控温度改变太赫兹控制器中碲化锗材料的介电常数和电导率，实现太赫兹控制器吸收与滤波的功能切换。
上述方案中的各部件具体参数可采用如下优选方式：
作为优选，所述的矩形开口环的材料为金，厚度为0.2μm～0.5μm；矩形开口环由金属线围成带有开口的矩形，矩形的长度为90μm～110μm，宽度为50μm～70μm，金属线宽为18μm～22μm，所述开口的跨度为46μm～50μm。
作为优选，所述的矩形竖条的长度为90μm～110μm，宽度为18μm～22μm，厚度为0.2μm～0.5μm。
作为优选，所述的第一碲化锗嵌入条的材料为碲化锗，其形状为矩形，长度为46μm～50μm，宽度为18μm～22μm，厚度为0.2μm～0.5μm。
作为优选，所述的第二碲化锗嵌入条的材料为碲化锗，其形状为正方形，长度和宽度均为8μm～12μm，厚度为0.2μm～0.5μm。
作为优选，所述的第三碲化锗嵌入条的材料为碲化锗，其形状为正方形，长度和宽度均为8μm～12μm，厚度为0.2μm～0.5μm。
作为优选，所述的介质层的材料为石英，其形状为正方形，长度和宽度均为110～130μm，厚度为14～18μm。
作为优选，所述的碲化锗层的材料为碲化锗，其形状为正方形，长度和宽度均为110～130μm，厚度为0.8～1.2μm。
另一方面，本发明提供了一种利用上述任一方案所述太赫兹控制器的可切换吸收与滤波的太赫兹控制方法，其做法是通过调控温度改变太赫兹控制器中碲化锗材料的介电常数和电导率，实现太赫兹控制器吸收与滤波的功能切换：
当太赫兹控制器中所有碲化锗材料温度为25℃时，第一碲化锗嵌入条、第二碲化锗嵌入条、第三碲化锗嵌入条与碲化锗层均为非晶态，太赫兹控制器实现三频带带阻滤波功能，3dB带宽分别为0.28THz、0.45THz与0.25THz；
当对碲化锗层加热至250℃其余碲化锗材料温度依然为25℃时，碲化锗层由非晶态转变为晶态，太赫兹控制器实现三频点吸收功能，在0.46THz、0.74THz以及1.27THz频率处的吸收率分别为96.3％、95.7％与99.7％；
当同时对第一碲化锗嵌入条、第二碲化锗嵌入条、第三碲化锗嵌入条与碲化锗层加热至250℃时，第一碲化锗嵌入条、第二碲化锗嵌入条、第三碲化锗嵌入条与碲化锗层均为晶态，太赫兹控制器实现单频点吸收功能，在0.6THz频率处的吸收率为99.2％。
本发明的可切换吸收与滤波的太赫兹控制器通过外界施加温度，改变碲化锗的介电常数与电导率，实现了太赫兹控制器吸收与滤波的功能切换。本发明具有结构简单紧凑，功能切换，工作稳定等特点，满足在太赫兹波隐身、物质检测、传感、通信等领域应用要求。
附图说明
图1是可切换吸收与滤波的太赫兹控制器的二维平面图和三维单元结构图；
图2是可切换吸收与滤波的太赫兹控制器在第一碲化锗嵌入条、第二碲化锗嵌入条、第三碲化锗嵌入条与碲化锗层均为非晶态时，实现三频带带阻滤波效果图；
图3是可切换吸收与滤波的太赫兹控制器在第一碲化锗嵌入条、第二碲化锗嵌入条、第三碲化锗嵌入条与碲化锗层均为非晶态时，在(a)0.545THz、(b)0.969THz和(c)1.359THz三个谐振中心频率点的电场图；
图4是可切换吸收与滤波的太赫兹控制器在第一碲化锗嵌入条、第二碲化锗嵌入条、第三碲化锗嵌入条为非晶态，碲化锗层为晶态时，实现三频点吸收效果图；
图5是可切换吸收与滤波的太赫兹控制器在第一碲化锗嵌入条、第二碲化锗嵌入条、第三碲化锗嵌入条为非晶态，碲化锗层为晶态时，在(a)0.46THz、(b)0.74THz和(c)1.27THz三个吸收点的电场图；
图6是可切换吸收与滤波的太赫兹控制器在第一碲化锗嵌入条、第二碲化锗嵌入条、第三碲化锗嵌入条与碲化锗层均为晶态时，实现单频点吸收效果图；
图7是可切换吸收与滤波的太赫兹控制器在第一碲化锗嵌入条、第二碲化锗嵌入条、第三碲化锗嵌入条与碲化锗层均为晶态时，在0.6THz吸收点的电场图；
具体实施方式
如图1所示，在本发明的一个较佳实施例中，提供了一种可切换吸收与滤波的太赫兹控制器，它包括N×N个正方形周期单元结构1，N为大于0的自然数，N×N个正方形周期单元结构1在平面上连续拼接。每个正方形周期单元结构1从上往下依次包括复合结构层2、介质层3和碲化锗层4，三层结构逐层叠加。其中，最顶层的复合结构层2位于介质层3上方，介质层3下方为最底层的碲化锗层4。复合结构层2包含金属结构和碲化锗结构，具体是由矩形开口环5、矩形竖条6、第一碲化锗嵌入条7、第二碲化锗嵌入条8和第三碲化锗嵌入条9组成的。矩形开口环5、矩形竖条6、第一碲化锗嵌入条7、第二碲化锗嵌入条8和第三碲化锗嵌入条9均处于同一层，其厚度相同，整体构成了复合结构层2。其中矩形开口环5和矩形竖条6均为金属材质，矩形开口环5开口朝向矩形竖条6，矩形开口环5的开口处由第一碲化锗嵌入条7封闭。所谓的矩形开口环5，是一条矩形形状的环体，环体的一条边上开设有一个开口，因此称为矩形开口环。第一碲化锗嵌入条7刚好嵌入这个开口中，因此矩形开口环5与第一碲化锗嵌入条7形成了一个完整的矩形环体。矩形开口环5与矩形竖条6之间通过第二碲化锗嵌入条8和第三碲化锗嵌入条9连接，第二碲化锗嵌入条8和第三碲化锗嵌入条9分别位于矩形开口环5的开口两侧，且第二碲化锗嵌入条8的上边缘与矩形开口环5的上边缘平齐，第三碲化锗嵌入条9的下边缘与矩形开口环5的下边缘平齐，因此矩形开口环5、第二碲化锗嵌入条8、矩形竖条6和第三碲化锗嵌入条9的外轮廓围合成一个矩形轮廓。该矩形轮廓的中心点与介质层3的上表面中心点重合，即复合结构层2位于介质层3的上表面中心。
该太赫兹控制器中，可通过调控温度改变太赫兹控制器中碲化锗材料的介电常数和电导率，进而实现太赫兹控制器吸收与滤波的功能切换。
该可切换吸收与滤波的太赫兹控制器中各部件的具体材料和参数如下：矩形开口环5的材料为金，厚度为0.2μm～0.5μm；矩形开口环5由金属线围成带有开口的矩形，矩形的长度为90μm～110μm，宽度为50μm～70μm，金属线宽为18μm～22μm，开口的跨度为46μm～50μm。此处，矩形的长度即图1二维平面图中矩形开口环5的上下外边缘之间的距离，矩形的宽度即图1二维平面图中矩形开口环5的左右外边缘之间的距离，开口的跨度即开口两侧的金属线之间的间距。矩形竖条6的长度为90μm～110μm，宽度为18μm～22μm，厚度为0.2μm～0.5μm，因此矩形竖条6的长度刚好填补矩形开口环5的开口跨度，其宽度刚好与金属线宽相同。第一碲化锗嵌入条7的材料为碲化锗，其形状为矩形，长度为46μm～50μm，宽度为18μm～22μm，厚度为0.2μm～0.5μm。第二碲化锗嵌入条8的材料为碲化锗，其形状为正方形，长度和宽度均为8μm～12μm，厚度为0.2μm～0.5μm。第三碲化锗嵌入条9的材料为碲化锗，其形状为正方形，长度和宽度即边长均为8μm～12μm，厚度为0.2μm～0.5μm。介质层3的材料为石英，其形状为正方形，长度和宽度即边长均为110～130μm，厚度为14～18μm。碲化锗层4的材料为碲化锗，其形状为正方形，长度和宽度即边长均为110～130μm，厚度为0.8～1.2μm。
基于上述太赫兹控制器，本发明还提供了一种可切换吸收与滤波的太赫兹控制方法，其做法是通过调控温度改变太赫兹控制器中碲化锗材料的介电常数和电导率，实现太赫兹控制器吸收与滤波的功能切换：
当太赫兹控制器中所有碲化锗材料温度为25℃时，第一碲化锗嵌入条7、第二碲化锗嵌入条8、第三碲化锗嵌入条9与碲化锗层4均为非晶态，太赫兹控制器实现三频带带阻滤波功能，3dB带宽分别为0.28THz、0.45THz与0.25THz；
当对碲化锗层4加热至250℃其余碲化锗材料温度依然为25℃时，碲化锗层4由非晶态转变为晶态，太赫兹控制器实现三频点吸收功能，在0.46THz、0.74THz以及1.27THz频率处的吸收率分别为96.3％、95.7％与99.7％；
当同时对第一碲化锗嵌入条7、第二碲化锗嵌入条8、第三碲化锗嵌入条9与碲化锗层4加热至250℃时，第一碲化锗嵌入条7、第二碲化锗嵌入条8、第三碲化锗嵌入条9与碲化锗层4均为晶态，太赫兹控制器实现单频点吸收功能，在0.6THz频率处的吸收率为99.2％。
下面基于该可切换吸收与滤波的太赫兹控制器，通过实施例说明其具体技术效果。
实施例1
本实施例中，可切换吸收与滤波的太赫兹控制器的结构和各部件形状如上所述，因此不再赘述。但各部件的具体参数如下：
矩形开口环5的材料为金，厚度为0.5μm；矩形开口环5由金属线围成带有开口的矩形，矩形的长度为100μm，宽度为60μm，金属线宽为20μm，所述开口的跨度为48μm。矩形竖条6的长度为100μm，宽度为20μm，厚度为0.5μm。第一碲化锗嵌入条7的材料为碲化锗，其形状为矩形，长度为48μm，宽度为20μm，厚度为0.5μm。第二碲化锗嵌入条8的材料为碲化锗，其形状为正方形，长度和宽度均为10μm，厚度为0.5μm。第三碲化锗嵌入条9的材料为碲化锗，其形状为正方形，长度和宽度均为10μm，厚度为0.5μm。介质层3的材料为石英，其形状为正方形，长度和宽度均为120μm，厚度为16μm。碲化锗层4的材料为碲化锗，其形状为正方形，长度和宽度均为120μm，厚度为1μm。
该控制器通过改变外界施加温度来改变碲化锗的介电常数和电导率，达到吸收器和滤波器的功能切换。该可切换吸收与滤波的太赫兹控制器的各项性能指标均采用CSTSTUDIO SUITE 2019软件进行仿真计算获取。图2是可切换吸收与滤波的太赫兹控制器在第一碲化锗嵌入条、第二碲化锗嵌入条、第三碲化锗嵌入条与碲化锗层均为非晶态时，实现三频带带阻滤波效果图。3dB带宽分别为0.28THz、0.45THz与0.25THz。图2对应(a)0.545THz、(b)0.969THz和(c)1.359THz三个谐振中心频率点的电场图如图3所示，在0.545THz频率处能量主要集中在矩形开口环的上下两侧，在0.969THz频率处能量主要集中在矩形竖条的上下两端，在1.359THz频率处能量主要分布在矩形开口环的四角。图4是可切换吸收与滤波的太赫兹控制器在第一碲化锗嵌入条、第二碲化锗嵌入条、第三碲化锗嵌入条为非晶态，碲化锗层为晶态时，实现三频点吸收效果图，在0.46THz、0.74THz以及1.27THz频率处的吸收率分别为96.3％、95.7％与99.7％。图4对应(a)0.46THz、(b)0.74THz和(c)1.27THz三个吸收点的电场图如图5所示，在0.46THz频率处能量主要集中在矩形开口环的上下两侧，在0.74THz频率处能量主要集中在矩形开口环开口处和矩形竖条的上下两端，在1.27THz频率处能量主要分布在矩形开口环的四角。图6是可切换吸收与滤波的太赫兹控制器在第一碲化锗嵌入条、第二碲化锗嵌入条、第三碲化锗嵌入条与碲化锗层均为晶态时，实现单频点吸收效果图，在0.6THz频率处的吸收率为99.2％。图6对应0.6THz吸收点的电场图如图7所示，在0.6THz频率处能量主要集中在方形环的上下两侧。

Claims (9)

1.一种可切换吸收与滤波的太赫兹控制器，其特征在于，它包括N×N个正方形周期单元结构(1)，N为大于0的自然数，N×N个正方形周期单元结构(1)在平面上连续拼接；每个正方形周期单元结构(1)从上往下依次包括复合结构层(2)、介质层(3)和碲化锗层(4)；其中，顶层的复合结构层(2)位于介质层(3)上方，介质层(3)下方为碲化锗层(4)；复合结构层(2)由矩形开口环(5)、矩形竖条(6)、第一碲化锗嵌入条(7)、第二碲化锗嵌入条(8)和第三碲化锗嵌入条(9)组成，其中矩形开口环(5)和矩形竖条(6)均为金属材质，矩形开口环(5)开口朝向矩形竖条(6)，矩形开口环(5)的开口处由所述第一碲化锗嵌入条(7)封闭；矩形开口环(5)与矩形竖条(6)之间通过所述第二碲化锗嵌入条(8)和第三碲化锗嵌入条(9)连接，矩形开口环(5)、第二碲化锗嵌入条(8)、矩形竖条(6)和第三碲化锗嵌入条(9)的外轮廓围合成一个矩形轮廓；通过调控温度改变太赫兹控制器中碲化锗材料的介电常数和电导率，实现太赫兹控制器吸收与滤波的功能切换。
2.如权利要求1所述的可切换吸收与滤波的太赫兹控制器，其特征在于，所述的矩形开口环(5)的材料为金，厚度为0.2μm～0.5μm；矩形开口环(5)由金属线围成带有开口的矩形，矩形的长度为90μm～110μm，宽度为50μm～70μm，金属线宽为18μm～22μm，所述开口的跨度为46μm～50μm。
3.如权利要求1所述的可切换吸收与滤波的太赫兹控制器，其特征在于，所述的矩形竖条(6)的长度为90μm～110μm，宽度为18μm～22μm，厚度为0.2μm～0.5μm。
4.如权利要求1所述的可切换吸收与滤波的太赫兹控制器，其特征在于，所述的第一碲化锗嵌入条(7)的材料为碲化锗，其形状为矩形，长度为46μm～50μm，宽度为18μm～22μm，厚度为0.2μm～0.5μm。
5.如权利要求1所述的可切换吸收与滤波的太赫兹控制器，其特征在于，所述的第二碲化锗嵌入条(8)的材料为碲化锗，其形状为正方形，长度和宽度均为8μm～12μm，厚度为0.2μm～0.5μm。
6.如权利要求1所述的可切换吸收与滤波的太赫兹控制器，其特征在于，所述的第三碲化锗嵌入条(9)的材料为碲化锗，其形状为正方形，长度和宽度均为8μm～12μm，厚度为0.2μm～0.5μm。
7.如权利要求1所述的可切换吸收与滤波的太赫兹控制器，其特征在于，所述的介质层(3)的材料为石英，其形状为正方形，长度和宽度均为110～130μm，厚度为14～18μm。
8.如权利要求1所述的可切换吸收与滤波的太赫兹控制器，其特征在于，所述的碲化锗层(4)的材料为碲化锗，其形状为正方形，长度和宽度均为110～130μm，厚度为0.8～1.2μm。
9.一种利用如权利要求1～8任一所述太赫兹控制器的可切换吸收与滤波的太赫兹控制方法，其特征在于，通过调控温度改变太赫兹控制器中碲化锗材料的介电常数和电导率，实现太赫兹控制器吸收与滤波的功能切换：
当太赫兹控制器中所有碲化锗材料温度为25℃时，第一碲化锗嵌入条(7)、第二碲化锗嵌入条(8)、第三碲化锗嵌入条(9)与碲化锗层(4)均为非晶态，太赫兹控制器实现三频带带阻滤波功能，3dB带宽分别为0.28THz、0.45THz与0.25THz；
当对碲化锗层(4)加热至250℃其余碲化锗材料温度依然为25℃时，碲化锗层(4)由非晶态转变为晶态，太赫兹控制器实现三频点吸收功能，在0.46THz、0.74THz以及1.27THz频率处的吸收率分别为96.3％、95.7％与99.7％；
当同时对第一碲化锗嵌入条(7)、第二碲化锗嵌入条(8)、第三碲化锗嵌入条(9)与碲化锗层(4)加热至250℃时，第一碲化锗嵌入条(7)、第二碲化锗嵌入条(8)、第三碲化锗嵌入条(9)与碲化锗层(4)均为晶态，太赫兹控制器实现单频点吸收功能，在0.6THz频率处的吸收率为99.2％。
CN202110035610.5A 2021-01-12 2021-01-12 可切换吸收与滤波的太赫兹控制器及其方法 Active CN112886257B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110035610.5A CN112886257B (zh) 2021-01-12 2021-01-12 可切换吸收与滤波的太赫兹控制器及其方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110035610.5A CN112886257B (zh) 2021-01-12 2021-01-12 可切换吸收与滤波的太赫兹控制器及其方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112886257A true CN112886257A (zh) 2021-06-01
CN112886257B CN112886257B (zh) 2022-05-27

Family

ID=76044105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110035610.5A Active CN112886257B (zh) 2021-01-12 2021-01-12 可切换吸收与滤波的太赫兹控制器及其方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112886257B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101542109B1 (ko) * 2014-08-19 2015-08-12 숭실대학교산학협력단 다중 스펙트럼 필터 및 그 제조방법
CN204614907U (zh) * 2015-02-04 2015-09-02 中国科学院西安光学精密机械研究所 基于频率选择表面结构的多通带太赫兹带通滤波器
KR101939304B1 (ko) * 2017-07-20 2019-01-16 한국식품연구원 테라헤르츠파 저역 통과 필터 및 테라헤르츠파 저역 통과 필터 제조 방법
CN209133658U (zh) * 2019-01-24 2019-07-19 兰州大学 太赫兹单元、太赫兹器件及滤波器
CN110767968A (zh) * 2019-10-24 2020-02-07 中国计量大学 基于二氧化矾相变超材料的单频带和三频带可切换滤波器
CN111555038A (zh) * 2020-05-19 2020-08-18 江苏大学 一种可调谐太赫兹超材料吸收器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101542109B1 (ko) * 2014-08-19 2015-08-12 숭실대학교산학협력단 다중 스펙트럼 필터 및 그 제조방법
CN204614907U (zh) * 2015-02-04 2015-09-02 中国科学院西安光学精密机械研究所 基于频率选择表面结构的多通带太赫兹带通滤波器
KR101939304B1 (ko) * 2017-07-20 2019-01-16 한국식품연구원 테라헤르츠파 저역 통과 필터 및 테라헤르츠파 저역 통과 필터 제조 방법
CN209133658U (zh) * 2019-01-24 2019-07-19 兰州大学 太赫兹单元、太赫兹器件及滤波器
CN110767968A (zh) * 2019-10-24 2020-02-07 中国计量大学 基于二氧化矾相变超材料的单频带和三频带可切换滤波器
CN111555038A (zh) * 2020-05-19 2020-08-18 江苏大学 一种可调谐太赫兹超材料吸收器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
K. MAKINO等: "Terahertz spectroscopy study in GeTe/Sb2Te3 and Ge2Sb2Te5 phase change memory materials", 《2017年第42届红外、毫米波和太赫兹波国际会议（IRMMW-THZ）》, 16 October 2017 (2017-10-16) *
龙洁 李九生: "相变材料与超表面复合结构太赫兹移相器", 《物理学报》, vol. 70, no. 7, 21 December 2020 (2020-12-21) *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112886257B (zh) 2022-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105206906B (zh) 一种复合波导结构可调太赫兹波窄带滤波器
US7821473B2 (en) Gradient index lens for microwave radiation
Asl et al. Terahertz band pass filter design using multilayer metamaterials
CN103178351A (zh) 一种频率可调的太赫兹波超材料调制器
CN113937505A (zh) 一种反射率、透射率和吸收率同时可调控的可重构超表面
CN113346249B (zh) 一种水基夹层超表面可调相干吸波体
CN113078474B (zh) 一种石墨烯-二氧化钒超材料吸收器及可调谐太赫兹器件
CN111817024A (zh) 一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器
KR101785508B1 (ko) 능동형 메타물질 어레이 및 그 제조 방법
Zhou et al. Independently controllable dual-band terahertz metamaterial absorber exploiting graphene
CN112886257B (zh) 可切换吸收与滤波的太赫兹控制器及其方法
CN112072323A (zh) 一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关
Chen et al. Switchable terahertz band-pass/band-stop filter enabled by hybrid vanadium dioxide metamaterial
CN112684648A (zh) 一种基于二氧化钒和法布里-珀罗腔的宽带可调吸收器
CN116666986A (zh) 一种用于实现太赫兹波束偏转的双向可调柔性超表面
CN113054440B (zh) 一种基于二氧化钒和石墨烯的双控宽带THz吸收器
CN113948876A (zh) 一种去金属化的动态热可调三窄带太赫兹完美吸波器
CN213026519U (zh) 基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器
CN113346206A (zh) 一种带宽可调的太赫兹带通滤波器
CN115509060A (zh) 一种基于多通道调控非线性超表面的滤波器结构
CN111509395B (zh) Te极化、超宽带、角度可调的电磁波角度选择透明结构
CN111367096B (zh) 一种基于柔性超材料的太赫兹幅度调制器
CN117832877A (zh) 太赫兹吸收器
CN106654471B (zh) 锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器
CN113067160B (zh) 可切换超材料的多功能太赫兹偏振转换器及方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant