CN112880884A - 压力传感器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，压力传感器包括衬底结构以及顶层结构，顶层结构包括第一硅层、设于第一硅层背面的第一绝缘层、设于第一绝缘层背面的压阻层、设于第一硅层正面的顶层第一下绝缘层、形成在顶层第一下绝缘层的正面的厚半导体材料层以及包覆厚半导体材料层的顶层第二下绝缘层；第一硅层用作压力敏感膜；厚半导体材料层用作岛结构；压阻层包括至少一个压阻；衬底结构的上表面向下凹陷形成键合槽，厚半导体材料层键合于键合槽内并与键合槽形成间隙。该压力传感器在第一硅层的正面形成用作岛结构的厚半导体材料层，达到有效控制压力敏感膜的厚度一致性以及平面尺寸一致性的目的。

Description

压力传感器及其制造方法

技术领域

本发明涉及压力传感器技术领域，特别是涉及一种压力传感器及其制造方法。

背景技术

随着物联网等行业的兴起，MEMS(Micro electro Mechanical Systems，微机电系统)传感器由于其体积小、功耗低、重量轻及响应快等优点，有着巨大的应用前景。尤其是MEMS压力传感器，在汽车电子、消费类产品及工业控制等领域有巨大的应用。

传统的MEMS压力传感器多基于传统单层SOI晶圆采用背面湿法腐蚀的方案刻蚀敏感膜与背岛结构，敏感膜的厚度由湿法刻蚀的刻蚀速率与刻蚀时间决定。但是，硅的湿法刻蚀通常采用加热(85℃)KOH溶液或者TMAH溶液的方式来操作，在加热过程中，由于水的蒸发和腐蚀液与硅的反应，KOH或TMAH溶液的浓度会随着反应的时间持续而发生变化，因此较难精确的控制腐蚀深度。同时由于硅的各向异性，采用KOH或TMAH从背面湿法腐蚀硅衬底时，开口图形必然产生上小、下大的横截面为梯形的图样。这使得产品本身的平面尺寸远大于实际需要的压力敏感膜平面尺寸，产品难以小型化。

为避免上述硅的各向异性湿法腐蚀产生的尺寸变大问题，现有技术中采用基于传统单层SO I晶圆的硅的干法刻蚀技术。理论上，硅的深反应离子刻蚀可以让刻蚀图样的侧边接近90°，这样可以缩小芯片开口处的平面尺寸，避免了背面腐蚀开孔过大的问题。不过在实际工艺过程中，硅的深反应离子刻蚀很难保证刻蚀角度的一致性，对于8寸晶圆业界一般只能保证82°-92°的刻蚀精度。而考虑到侧向刻蚀等问题，采用硅的深反应离子刻蚀，对于顶层压阻结构与背岛的对准与刻蚀补偿问题就很复杂。理论上只有压阻结构与背岛的边界(应力集中处)对准，才能保证压力传感器的性能(例如灵敏度、非线性度及耐压力过载等)，一旦有偏差，压力传感器性能变化会与设计值产生很大的偏差。此外，由于采用的是传统单层SOI晶圆，其刻蚀深度依然由刻蚀速率与刻蚀时间决定，刻蚀深度一致性低。

针对上述问题，现有技术中还有采用双层SOI晶圆(DSOI)进行背面刻蚀实现压力传感器制造，在背面深反应离子刻蚀时，利用硅与氧化硅的高选择比，刻蚀可以在氧化硅处自停止，可以相对比较好的解决刻蚀深度一致性问题。但是，刻蚀的带电离子将在氧化硅处富集，随着过刻时间的增加，在刻蚀底部会产生明显的侧向刻蚀效应(notching effect，也叫floating effect)，从而影响压力传感器的敏感膜平面尺寸、影响顶层压阻与背岛的位置对准等。此外，由于采用背面刻蚀，无法解决深反应离子刻蚀侧边的角度偏差带来的横向尺寸偏差问题(刻蚀500um，即使1°的角度偏差，也会产生横向500um×tan1°＝9um的偏差)。

发明内容

基于此，本发明提供一种压力传感器及其制造方法，在第一硅层的正面形成用作岛结构的厚半导体材料层，达到有效控制压力敏感膜的厚度一致性以及平面尺寸一致性的目的。

一种压力传感器，包括衬底结构以及顶层结构，所述顶层结构包括第一硅层、设于所述第一硅层背面的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层背面的压阻层、设于所述第一硅层正面的顶层第一下绝缘层、形成在所述顶层第一下绝缘层的正面的厚半导体材料层以及包覆所述厚半导体材料层的顶层第二下绝缘层；所述第一硅层用作压力敏感膜；所述厚半导体材料层用作岛结构；所述压阻层包括至少一个压阻；

所述衬底结构的上表面向下凹陷形成键合槽，所述厚半导体材料层键合于所述键合槽内并与所述键合槽形成间隙。

上述压力传感器，在第一硅层的正面形成有用作岛结构的厚半导体材料层，该厚半导体材料层键合于衬底结构的键合槽内并与所述键合槽形成间隙，既可有效控制压力敏感膜(即第一硅层)的厚度一致性以及平面尺寸一致性，还可利用压力敏感膜的正面感压技术，避免密封材料产生漏气或被高压推开的现象的发生，同时可降低压力敏感膜的非线性度，增加可测量压力的范围。

在其中一个实施例中，所述顶层结构还包括设于所述第一绝缘层背面且包覆所述压阻层的顶层上绝缘层，所述顶层上绝缘层上设置有使所述压阻层露出的导电接触孔，所述导电接触孔用于使所述压阻层部分露出于所述顶层上绝缘层；

所述压力传感器还包括对应设置在所述导电接触孔处并与所述压阻层电导通的金属块并与。

在其中一个实施例中，每个所述压阻对应设置有至少一个所述导电接触孔，每个所述导电接触孔对应设置有至少一个所述金属块。

在其中一个实施例中，所述压阻设置有多个，所述压阻层还包括用于对多个所述压阻进行连接的导电连接线；

每个所述压阻或每个所述导电连接线对应设置有至少一个所述导电接触孔，每个所述导电接触孔对应设置有至少一个所述金属块。

在其中一个实施例中，所述衬底结构上形成有贯穿所述衬底结构的进气口，所述进气口与所述键合槽的槽底连通。

本发明还提供一种压力传感器的制造方法，其包括步骤：S1、选取第一硅晶圆，并在第一硅晶圆的正面及背面分别生长正面绝缘层及背面绝缘层；所述第一硅晶圆为具有双层绝缘层上的硅结构的晶圆(Double Silicon-on-Insulator，DSOI)，所述第一硅晶圆包括依次层叠覆盖的第一硅层、第一绝缘层、第二硅层、第二绝缘层以及第三硅层，所述第一硅层背向所述第三硅层的一侧表面为所述第一硅层的正面；

S2、在所述第一硅层的正面形成用作岛结构的厚半导体材料层；

S3、去除S1中生长的正面绝缘层，并在所述第一硅晶圆的正面重新生成顶层第一下绝缘层，同时在第一硅晶圆的正面重新生成包覆所述厚半导体材料层的顶层第二下绝缘层，得到顶层初结构；

S4、形成衬底结构，所述衬底结构上形成有键合槽；

S5、将所述顶层初结构倒置，并使所述厚半导体材料层键合在所述键合槽内，所述厚半导体材料层与所述键合槽之间形成间隙；

S6、去除多余层结构，包括：将所述顶层初结构的背面绝缘层、第三硅层及第二绝缘层去除；

S7、对所述第二硅层进行掺杂，并对掺杂后的所述第二硅层进行图形化，形成压阻层，所述压阻层形成有至少一个压阻；

S8、得到压力传感器。

在其中一个实施例中，所述S7中，所述形成压阻层之后，还包括：

对所述顶层上绝缘层图形化，形成导电接触孔；其中，所述导电接触孔用于使所述压阻层部分露出于所述顶层上绝缘层；

在所述导电接触孔处形成与所述压阻层电导通的金属块。

在其中一个实施例中，所述每个所述压阻对应形成有至少一个所述导电接触孔，每个所述导电接触孔对应形成有至少一个所述金属块。

在其中一个实施例中，在所述S7中，所述压阻层还形成有用于对多个所述压阻进行连接的导电连接线；

每个所述压阻或每个所述导电连接线对应形成有至少一个所述导电接触孔，每个所述导电接触孔对应形成有至少一个所述金属块。

在其中一个实施例中，所述S7之后，还包括：

在所述衬底结构上形成有贯穿所述衬底结构的进气口，并使所述进气口与所述键合槽的槽底连通。

附图说明

图1为本发明一实施例的压力传感器的纵向剖面示意图；

图2至图13为图1所示的压力传感器的工艺流程图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

如图1所示，其为本发明的一种实施例的基于具有双层“绝缘层上的硅”结构的晶圆(Double-SOI，DSOI)制作的压力传感器，该压力传感器包括：衬底结1构以及顶层结构2，所述顶层结构2包括第一硅层21、设于所述第一硅层21背面的第一绝缘层22、设于所述第一绝缘层22背面的压阻层231、设于所述第一硅层21正面的顶层第一下绝缘层24、形成在所述顶层第一下绝缘层24的正面的厚半导体材料层25以及包覆所述厚半导体材料层25的顶层第二下绝缘层26；所述第一硅层21用作压力敏感膜；所述厚半导体材料层25用作岛结构；所述压阻层231包括至少一个压阻2311。

所述衬底结构1的上表面向下凹陷形成键合槽10，所述厚半导体材料层25键合于所述键合槽10内并与所述键合槽形成间隙。

该压力传感器1，第一硅层21的正面形成有用作岛结构的厚半导体材料层25，该厚半导体材料层25键合于衬底结构1的键合槽10内并与所述键合槽10形成间隙，既可有效控制压力敏感膜(即第一硅层21)的厚度一致性以及平面尺寸一致性，还可利用压力敏感膜的正面感压技术，避免密封材料产生漏气或被高压推开的现象的发生，同时可降低压力敏感膜的非线性度，增加可测量压力的范围。

本发明实施例的压力传感器采用DSOI晶圆，以DSOI晶圆的第一硅层21作为压力敏感膜，其厚度一致性好。压力敏感膜的横向尺寸由衬底结构1的键合槽10的图尺寸决定，相比于现有技术中的背面开腔方式，其横向尺寸容易控制。此外，利用SOI晶圆的特性，使得压阻结构没有PN结，可以耐高温(一般指大于150度)工作。

在一个实施例中，如图1所示，所述第一硅层21的掺杂类型可根据实际需要进行自由选择，以使压力传感器在高温(一般指大于150度)条件下，提高传感器输出的稳定性，降低压力传感器失效几率，使压力传感器可在高于150℃的环境中工作。在一具体实施例中，所述第一硅层21为N型掺杂。

在一个实施例中，如图1所示，所述第一绝缘层22为氧化硅层。

在一个实施例中，如图1所示，所述导电半导体材料层25由多晶硅材料制成，以实现所述压力传感器的内部电路的电导通。

在一个实施例中，如图1所示，所述顶层结构2还包括设于所述第一绝缘层22背面且包覆所述压阻层231的顶层上绝缘层27，所述顶层上绝缘层27上设置有与所述压阻层231对应的导电接触孔271，所述导电接触孔271用于使所述压阻层231部分露出于所述顶层上绝缘层27。通过所述导电接触孔271的设置，以用于对所述压力传感器进行通电。需要说明的是，所述导电接触孔271的个数可以为一个或多个。

在一个实施例中，如图1所示，所述压力传感器还包括设置在所述导电接触孔处271并与所述压阻层231电导通的金属块3并与，以便于所述压力传感器的通电。

在一具体实施例中，如图1所示，每个所述压阻2311对应设置有至少一个所述导电接触孔271，每个所述导电接触孔271对应设置有至少一个所述金属块3。

如图1所示实施例中，所述压阻2311设置有两个，每个所述压阻2311对应设置有一个所述导电接触孔271，每个所述导电接触孔271对应设置有一个所述金属块3。两个所述压阻2311之间先通过所述顶层上绝缘层27进行电学隔离，后续通过上层的金属块3互补性电连接。此时，金属块3既作为连接线将两个所述压阻2311电学连接起来，又提供了后续wire-bonding的打线pad的功能。

在图未示出的一实施例中，若所述压阻仍设置有多个，所述压阻层还将包括用于对多个所述压阻进行连接的导电连接线，并使每个所述压阻对应设置有至少一个所述导电接触孔，每个所述导电接触孔对应设置有至少一个所述金属块。此时，压阻之间通过导电连接线互相连接，后续的金属块只作为wire-bonding的打线pad的功能。

在图未示出的另一实施例中，若所述压阻仍设置有多个，所述压阻层还将包括用于对多个所述压阻进行连接的导电连接线，并使每个所述导电连接线对应设置有至少一个所述导电接触孔，每个所述导电接触孔对应设置有至少一个所述金属块。此时，压阻之间通过导电连接线互相连接，但是同时导电连接线上又有金属块，可进一步降低导电连接线电阻，最后，金属块也将提供wire-bonding的打线pad的功能。

在一个实施例中，如图1所示，所述衬底结构1包括中部硅材料层11以及形成在所述中部硅材料层11的上表面的衬底上绝缘层12。

在一个实施例中，如图1所示，对于需要表压或者差压类型的压力传感器，可在所述衬底结构1上形成有贯穿所述衬底结构1的进气口100，所述进气口100与所述键合槽10的槽底连通，以满足需要表压或者差压类型的压力传感器的结构需求。

如图2至图13所示，其为本发明的一种实施例的压力传感器的制造方法，其包括步骤：

S1、选取如图2所示的第一硅晶圆a，并在所述第一硅晶圆a的正面及背面分别生长正面绝缘层201及背面绝缘层202(如图3)。如图2所示，所述第一硅晶圆a为具有双层“绝缘层上的硅”结构的晶圆(Double-SOI，DSOI)，所述第一硅晶圆a包括依次层叠覆盖的第一硅层21、第一绝缘层22、第二硅层23、第二绝缘层28以及第三硅层29，所述第一硅层21背向所述第三硅层29的一侧表面为所述第一硅层21的正面，即所述第一硅晶圆a的正面。

优选地，所述第一硅层21与所述第二硅层23及所述第三硅层29进行同类型掺杂，以使压力传感器在高温(一般指大于150度)条件下，提高传感器输出的稳定性，降低压力传感器失效几率，使压力传感器可在高于150℃的环境中工作。进一步地，所述第一硅层21与所述第二硅层23及所述第三硅层29的掺杂浓度以及晶向可以根据实际需要自由选择，在本实施例中，所述第一硅层21与所述第二硅层23及所述第三硅层29均采用(100)晶向及N型掺杂。

进一步地，所述第一绝缘层22及所述第二绝缘层28均为氧化硅层。

S2、在所述第一硅层21的正面形成用作岛结构的厚半导体材料层25(如图4)。

具体地，步骤S2中，形成所述厚半导体材料层25的方式为：

首先，在所述第一硅晶圆a的正面及背面分别生长厚半导体材料(如图3)，如外延生长的多晶硅材料。所述厚半导体材料的厚度可以根据压力传感器的设计需求而加工。

然后，刻蚀掉所述第一硅晶圆a的背面的厚半导体材料，并将所述第一硅晶圆a的正面的厚半导体材料图形化，形成用作岛结构的厚半导体材料层25。

S3、去除S1中生长的正面绝缘层201，并在所述第一硅晶圆a的正面重新生成顶层第一下绝缘层24，同时在第一硅晶圆a的正面重新生成包覆所述厚半导体材料层25的顶层第二下绝缘层26(如图5)，得到顶层初结构。优选的，所述顶层第一下绝缘层24及顶层第二下绝缘层26均采用氧化硅材料生成。

所述顶层第一下绝缘层24与所述顶层第二下绝缘层26部分相接，以形成整个顶层下绝缘层。

S4、形成衬底结构1，所述衬底结构1上形成有键合槽10。

具体地，步骤S4中，形成所述衬底结构1的方式为：

首先，选取第二硅晶圆b，并以第二硅晶圆b作为中部硅材料层11，在第二硅晶圆11的上表面及下表面分别形成衬底绝缘层101。

然后，对所述第二硅晶圆b及形成在所述第二硅晶圆b的上表面的衬底绝缘层101图形化，形成所述键合槽10(如图6)。

之后，去除所述第二硅晶圆b的上表面的衬底绝缘层101，并在所述第二硅晶圆b的上表面101重新生成覆盖第二硅晶圆b的上表面101及键合槽10内壁的衬底上绝缘层12(如图7)，得到所述衬底结构1。

S5、如图8所示，将所述顶层初结构倒置，并使所述厚半导体材料层25键合在所述键合槽10内，所述厚半导体材料层25与所述键合槽10之间形成间隙。

S6、去除多余层结构。

具体地，步骤S6中，所述去除多余层结构包括：

将所述顶层初结构的背面绝缘层202、第三硅层29及第二绝缘层28去除；将形成在所述第二硅晶圆b的下表面的衬底绝缘层101去除(如图9)。

S7、对所述第二硅层23进行掺杂(如图10)，并对掺杂后的所述第二硅层23进行图形化，形成压阻层231，所述压阻层231形成有至少一个压阻2311，得到顶层结构2(如图11)。

所述第二硅层23掺杂的元素、浓度以及掺杂工艺可以根据需要进行选择，典型的一种方式是进行硼离子注入，并采用高温退火方式，将所述第二硅层22均匀掺杂，掺杂浓度大于1E20cm^-3。

在一实施例中，所述S7中，所述形成压阻层231之后，包括：

首先，在所述第一绝缘层22背面淀积包覆所述压阻层231的顶层上绝缘层27。通过在所述第一绝缘层22背面淀积顶层上绝缘层27以对所述压阻层231进行保护。优选的，所述顶层上绝缘层27采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)氧化硅。

然后，对所述顶层上绝缘层27图形化，形成导电接触孔271；其中，所述导电接触孔271用于使所述压阻层231部分露出于所述顶层上绝缘层27，以用于对所述压力传感器进行通电。

形成所述导电接触孔271之后，可在所述导电接触孔271处形成与所述压阻层231电导通的金属块3。优选地，所述金属块3可通过淀积耐高温导电金属Pad并图形化形成。

优选地，所述每个所述压阻2311对应形成有至少一个所述导电接触孔271，每个所述导电接触孔271对应形成有至少一个所述金属块3。

在图未示出的其他实施例中，若所述压阻设置有多个，则在所述S7中，所述压阻层还可形成有用于对多个所述压阻进行连接的导电连接线。每个所述压阻或每个所述导电连接线对应形成有至少一个所述导电接触孔，每个所述导电接触孔对应形成有至少一个所述金属块。

若所述导电接触孔对应压阻形成，则金属块只作为wire-bonding的打线pad的功能。若所述导电接触孔对应导电连接线形成，则可进一步降低导电连接线电阻，同时，金属块也将提供wire-bonding的打线pad的功能。

S8、得到压力传感器。

需要说明的是，在实际生产过程中，上述步骤S1-S8的完成用于得到绝压类型的压力传感器。

而在实际生产过程中，若需得到表压或者差压类型的压力传感器。则仅需在所述S7之后增加以下步骤：

在所述衬底结构1上形成有贯穿所述衬底结构1的进气口100，并使所述进气口100与所述键合槽10的槽底连通。

具体的，所述形成有贯穿所述衬底结构1的进气口100，包括：

先采用硅的深反应离子在所述中部硅材料层11上刻蚀第一通孔110，并利用自停止原理，使刻蚀停止在所述衬底上绝缘层12的底面(如图12)。

再去除所述衬底上绝缘层12上与所述第一通孔110对应的位置，形成第二通孔120，所述第一通孔110与所述第二通孔120连通，以得到所述进气口100(如图13)。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本发明的优选的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种压力传感器，其特征在于：包括衬底结构以及顶层结构，所述顶层结构包括第一硅层、设于所述第一硅层背面的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层背面的压阻层、设于所述第一硅层正面的顶层第一下绝缘层、形成在所述顶层第一下绝缘层的正面的厚半导体材料层以及包覆所述厚半导体材料层的顶层第二下绝缘层；所述第一硅层用作压力敏感膜；所述厚半导体材料层用作岛结构；所述压阻层包括至少一个压阻；

所述衬底结构的上表面向下凹陷形成键合槽，所述厚半导体材料层键合于所述键合槽内并与所述键合槽形成间隙。

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：所述顶层结构还包括设于所述第一绝缘层背面且包覆所述压阻层的顶层上绝缘层，所述顶层上绝缘层上设置有与所述压阻层对应的导电接触孔，所述导电接触孔用于使所述压阻层部分露出于所述顶层上绝缘层；

所述压力传感器还包括对应设置在所述导电接触孔处并与所述压阻电导通的金属块并与。

3.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于：每个所述压阻对应设置有至少一个所述导电接触孔，每个所述导电接触孔对应设置有至少一个所述金属块。

4.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于：所述压阻设置有多个，所述压阻层还包括用于对多个所述压阻进行连接的导电连接线；

每个所述压阻或每个所述导电连接线对应设置有至少一个所述导电接触孔，每个所述导电接触孔对应设置有至少一个所述金属块。

5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：所述衬底结构上形成有贯穿所述衬底结构的进气口，所述进气口与所述键合槽的槽底连通。

6.一种压力传感器的制造方法，其特征在于，包括步骤：

S1、选取第一硅晶圆，并在第一硅晶圆的正面及背面分别生长正面绝缘层及背面绝缘层；所述第一硅晶圆为具有双层绝缘层上的硅结构的晶圆(Double Silicon-on-Insulator，DSOI)，所述第一硅晶圆包括依次层叠覆盖的第一硅层、第一绝缘层、第二硅层、第二绝缘层以及第三硅层，所述第一硅层背向所述第三硅层的一侧表面为所述第一硅层的正面；

S2、在所述第一硅层的正面形成用作岛结构的厚半导体材料层；

S3、去除S1中生长的正面绝缘层，并在所述第一硅晶圆的正面重新生成顶层第一下绝缘层，同时在第一硅晶圆的正面重新生成包覆所述厚半导体材料层的顶层第二下绝缘层，得到顶层初结构；

S4、形成衬底结构，所述衬底结构上形成有键合槽；

S5、将所述顶层初结构倒置，并使所述厚半导体材料层键合在所述键合槽内，所述厚半导体材料层与所述键合槽之间形成间隙；

S6、去除多余层结构，包括：将所述顶层初结构的背面绝缘层、第三硅层及第二绝缘层去除；

S7、对所述第二硅层进行掺杂，并对掺杂后的所述第二硅层进行图形化，形成压阻层，所述压阻层形成有至少一个压阻；

S8、得到压力传感器。

7.根据权利要求6所述的压力传感器的制造方法，其特征在于：所述S7中，所述形成压阻层之后，还包括：

在所述第一绝缘层背面淀积包覆所述压阻层的顶层上绝缘层；

对所述顶层上绝缘层图形化，形成导电接触孔；其中，所述导电接触孔用于使所述压阻层部分露出于所述顶层上绝缘层；

在所述导电接触孔处形成与所述压阻层电导通的金属块。

8.根据权利要求7所述的压力传感器的制造方法，其特征在于：所述每个所述压阻对应形成有至少一个所述导电接触孔，每个所述导电接触孔对应形成有至少一个所述金属块。

9.根据权利要求7所述的压力传感器的制造方法，其特征在于：所述压阻设置有多个；

在所述S7中，所述压阻层还形成有用于对多个所述压阻进行连接的导电连接线；

每个所述压阻或每个所述导电连接线对应形成有至少一个所述导电接触孔，每个所述导电接触孔对应形成有至少一个所述金属块。

10.根据权利要求7所述的压力传感器的制造方法，其特征在于：所述S7之后，还包括：

在所述衬底结构上形成有贯穿所述衬底结构的进气口，并使所述进气口与所述键合槽的槽底连通。

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