CN112838174A - 发光器件、具有其的显示装置及照明装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种发光器件、具有其的显示装置及照明装置。该发光器件包括设置于子区域中的发光单元，发光单元包括层叠的发光功能层、光提取功能层以及部分透光基底，光提取功能层位于发光功能层的出光侧，定义穿过发光单元的出光面的几何中心且两端均与发光单元的边线连接的直线为第一直线，第一直线的最短长度为W，在垂直于透光基底的方向上，发光单元的厚度为T，通过使T小于W，使光提取功能层能够满足普遍适用的应用条件，从而无论是应用于小面积发光器件还是大面积发光器件，都能够具有显著的光提取效果，进而提高了发光单元的出光效率，延长器件的使用寿命。

Description

发光器件、具有其的显示装置及照明装置
技术领域
本发明涉及光学技术领域，具体而言，涉及一种发光器件、具有其的显示装置及照明装置。
背景技术
光提取技术无论在显示器件中还是在照明其中都有很广泛的应用，前者的作用在于将近似“点光源”的LED灯珠发出的光，收集并扩展到整个平面，并通过一些诸如棱镜阵列的光提取结构将光集中并朝滤光片的方向射出；与点光源转换成面光源完全不同的是，诸如OLED等照明面板本身是一个光线柔和的面光源，没有亮度均匀化的需求，光提取结构的施加，主要是将OLED器件结构内因全反射而无法射出的光引导出来，进而提升器件整体的出光效率，延长器件的使用寿命。
除了此类“面光源”的应用，市场上很难看到类似点光源的微型发光器件在应用光提取结构，如像素，究其原因在于，现有光提取结构的施加具有盲目性，这些施加的所谓光提取结构不仅对于小面积发光器件的光提取效果不显著，出光比例的提升非常有限，还可能因不合理的设置造成混光，如RGB三个子像素混光后产生白光，导致无法准确呈现画面。所以普遍认为，光提取技术在微型发光场景是不适用的。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种发光器件、具有其的显示装置及照明装置，以解决现有技术中光提取结构不适用于小面积发光器件的问题。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种发光器件，包括：透光基底；隔离结构，设置于透光基底的第一表面上，隔离结构之间形成至少一个子区域；发光功能层，一一对应地设置于子区域中，发光功能层包括反射电极；光提取功能层，与发光功能层一一对应地设置；一一对应且层叠的发光功能层、光提取功能层以及部分透光基底构成各发光单元；各发光单元的结构选自结构A、结构B和结构C中的一种，结构A为依次层叠的发光功能层、光提取功能层和部分透光基底，结构B为依次层叠的发光功能层、部分透光基底和光提取功能层，结构C为依次层叠的光提取功能层、发光功能层和部分透光基底；结构A和结构B的出光方向为从反射电极到透光基底的方向，结构C的出光方向为反射电极到光提取功能层的方向；定义穿过各发光单元的出光面的几何中心且两端均与出光面的边线连接的直线段为第一直线段，第一直线段的最短长度为W；在垂直于透光基底的方向上，在结构A和结构B中，定义发光单元的厚度减去反射电极的厚度为T，在结构C中，定义光提取功能层和发光功能层的总厚度减去反射电极的厚度为T；在结构A、结构B和结构C中，T均小于W。
进一步地，T/W≤1/10，优选T/W≤1/20，更优选T/W≤1/30。
进一步地，300nm≤T≤1mm，W≥3μm。
进一步地，出光面为由多个直线段构成的多边形或由弧线段围成的图形，优选各子区域的出光面独立地选自矩形、圆形、椭圆形和菱形中的任一种。
进一步地，发光功能层包括透光电极、发光层和反射电极，且透光电极和反射电极独立地位于发光层的两侧。
进一步地，发光功能层还包括空穴注入传输层和电子注入传输层，空穴注入传输层和电子注入传输层位于发光层的两侧，且透光电极位于空穴注入传输层或电子注入传输层远离发光层的一侧，优选发光层为量子点材料层或有机发光材料层。
进一步地，光提取功能层包括光提取层和界面层，界面层位于透光电极与光提取层之间。
进一步地，发光器件包括多个发光单元，用于发出不同颜色的光，不同颜色的光独立地选自红光、绿光、蓝光和白光中的至少一种。
进一步地，发光器件为OLED器件、LED器件和QLED器件中的任一种。
根据本发明的另一方面，提供了一种显示装置，包括发光器件，该发光器件为上述的发光器件，隔离结构为像素隔离结构，子区域为子像素区域。
根据本发明的另一方面，提供了一种照明装置，包括发光器件，该发光器件为上述的发光器件，隔离结构为框架，框架内设置一个发光单元。
应用本发明的技术方案，提供了一种发光器件，该发光器件包括设置于子区域中的发光单元，发光单元包括层叠的发光功能层、光提取功能层以及部分透光基底，光提取功能层位于发光功能层的出光侧，定义穿过发光单元的出光面的几何中心且两端均与发光单元的边线连接的直线为第一直线，第一直线的最短长度为W，在垂直于透光基底的方向上，发光单元的厚度为T，通过使T小于W，使光提取功能层能够满足普遍适用的应用条件，从而无论是应用于小面积发光器件还是大面积发光器件，都能够具有显著的光提取效果，进而提高了发光单元的出光效率，延长器件的使用寿命。
附图说明
构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了根据本发明实施方式所提供的一种顶发射发光器件的局部截面示意图；
图2示出了根据本发明实施方式所提供的一种底发射发光器件的局部截面示意图；
图3示出了根据本发明实施方式所提供的另一种底发射发光器件的局部截面示意图；
图4示出了根据本发明实施方式所提供的不同顶发射发光器件中，各出光面中第一直线段位置的俯视结构示意图，其中的虚线即为长度最短的第一直线段。
其中，上述附图包括以下附图标记：
10、透光基底；20、发光层；210、透光电极；220、发光层；230、反射电极；30、光提取层。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
正如背景技术中所介绍的，现有技术中的光提取结构不适用于小面积发光器件。本申请的发明人针对上述问题进行研究，提出了一种发光器件，如图1至图3所示，包括透光基底10、隔离结构、发光功能层20和光提取功能层30，隔离结构设置于透光基底10的第一表面上，隔离结构之间形成至少一个子区域；发光功能层20一一对应地设置于子区域中，发光功能层包括反射电极230；光提取功能层30与发光功能层20一一对应地设置。
上述一一对应且层叠的发光功能层20、光提取功能层30以及部分透光基底10构成各发光单元；各发光单元的结构选自结构A、结构B和结构C中的一种，结构A为依次层叠的发光功能层20、光提取功能层30和部分透光基底10，结构B为依次层叠的发光功能层20、部分透光基底10和光提取功能层30，结构C为依次层叠的光提取功能层30、发光功能层20和部分透光基底10；结构A和结构B的出光方向为从反射电极230到透光基底10的方向，结构C的出光方向为反射电极230到光提取功能层30的方向。“部分透光基底”指和相邻层接触面积对应的透光基底。
定义穿过上述发光单元的出光面的几何中心且两端均与该出光面的边线连接的直线段为第一直线段，第一直线段的最短长度为W，如图4所示，(a)为菱形，(b)为多边形、(c)为矩形，(d)为椭圆形；在垂直于透光基底10的方向上，在结构A和结构B中，定义发光单元的厚度减去反射电极230的厚度为T，在结构C中，定义光提取功能层和发光功能层的总厚度减去反射电极230的厚度为T；在结构A、结构B和结构C中，T均小于W。
由于各发光单元中的发光功能层一一对应地设置于子区域中，即子区域的横截面的形状决定了发光单元的出光面的形状，通过使发光单元的厚度T小于W，能够使光提取功能层能够满足普遍适用的应用条件，从而无论是应用于小面积发光器件还是大面积发光器件，都能够具有显著的光提取效果，进而提高了发光单元的出光效率，延长器件的使用寿命。
本发明上述发光器件可以包括多个发光单元，各发光单元通过发光功能层20发出不同波长的光，上述不同波长的入射光不仅仅是指具有不同单一波长的入射光，也可以理解为具有不同波段范围的入射光；上述不同波长的光可以为不同颜色的光，如红光、绿光、蓝光和白光。本领域技术人员可以根据实际需求对发光单元的数量以及各发光单元的发光波长进行合理选择，从而使上述发光单元能够应用于OLED器件、LED器件或QLED器件中。
各发光单元中的光提取功能层30与发光功能层20一一对应设置，使得来自发光功能层20的不同波长入射光经过特定的各光提取层时，对应不同波长入射光的各光提取层30具有不同的光提取提升比率，从而能够对发光器件中不同波长的发光单元的外量子效率进行优化，不仅提高了器件的发光效率，还能够使最终的各发光单元的外量子效率接近，实现同步老化，延长器件的使用寿命。
上述光提取提升比率是指对发光单元的外量子效率提升比。在一些实施例中，定义原始外量子效率最高的发光单元为第一发光单元，原始外量子效率最低的发光单元为第三发光单元，原始外量子效率介于第一发光单元和第三发光单元之间的发光单元为第二发光单元，光提取功能层30对第一发光单元的外量子效率提升比为X1，光提取功能层30对第二发光单元的外量子效率提升比为X2，光提取功能层30对第三发光单元的外量子效率提升比为X3，X1、X2和X3不相等，定义
Figure BDA0002285448400000041
其中，n选自1～3中的任一个自然数，Q1为各发光单元的原始外量子效率，Q2为各发光单元的实际外量子效率。
本领域技术人员可以针对不同发光颜色的发光单元，设置有不同效率提取比例的光提取功能层30。在一些实施例中，第一发光单元可以为发射红光的发光单元，第二发光单元可以为发射绿光的发光单元，第三发光单元可以为发射蓝光的发光单元；通常情况下，第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的原始外量子效率依次递减，由于对应RGB的三种发光单元的原始外量子效率是依次降低，所以提升比例需要依次升高：X3＞X2＞X1。需要注意的是，特殊情况下，上述各发光单元之间的效率可能会比较接近或者反超。具有上述发光单元的发光器件可以为RGB发光器件，也可以为RGBW发光器件。
在一些实施例中，为了利用光提取功能层30实现对发光单元外量子效率提升比的调节，上述光提取功能层30可以为具有散射粒子的光散射层，散射粒子包括但不限于氧化锌、氧化铝、氧化锆、氧化钛等，形成上述光提取功能层30的原料还可以包括各类助剂、聚合物、可固化的胶等。
为了使光提取功能层30对应不同波长的入射光能够具有不同的光提取提升比率，在一些实施例中，对应不同波长入射光的各光提取功能层30的厚度不同，定义第一发光单元中光提取功能层30的厚度为H1，第二发光单元中光提取功能层30的厚度为H2，第三发光单元中光提取功能层30的厚度为H3，H1、H2和H3不相等。
在另一些实施例中，通过上述光提取功能层30中散射粒子的体积百分比，以实现对发光单元外量子效率提升比的调节，定义第一发光单元的光提取功能层30中散射粒子的体积百分比为V1，第二发光单元的光提取功能层30中散射粒子的体积百分比为V2，第三发光单元的光提取功能层30的体积百分比为V3，V1、V2和V3不相等。
在另一些实施例中，通过上述光提取功能层30中散射粒子的折光指数，以实现对发光单元外量子效率提升比的调节，定义第一发光单元的光提取功能层30中散射粒子的折光指数为K1，第二发光单元的光提取功能层30中散射粒子的折光指数为K2，第三发光单元的光提取功能层30中散射粒子的折光指数为K3，且K1、K2和K3不相等。
除了采用具有散射粒子的光散射层作为光提取功能层30的实施方式，上述光提取功能层30还可以为均相材料层。当上述光提取功能层30为均相材料层时，形成该光提取功能层30的材料可以选自高分子树脂、金属氧化物颗粒和半导体材料中的任一种。
上述光提取功能层30还可以为折光指数渐变材料层，形成该光提取功能层30的材料可以选自高分子树脂、金属氧化物颗粒和半导体材料中的多种，如多种半导体材料层叠形成的散射体系，或逐步改变溅射气氛，使金属化合物的组份发生微量变化，得到n值连续变化的金属化合物层，其有效折光指数＝(第一组份的体积分数×第一组份的折光指数)+(第二组份的体积分数×第二组份的折光指数)+……(第n组份的体积分数×第n组份的折光指数)，n大于1。
为了提高光提取功能层30在应用于发光器件中的光提取效果，优选地，T/W≤1/10，更为优选地，T/W≤1/20，进一步更优选T/W≤1/30。
为了使光提取功能层30无论在小面积发光器件还是大面积发光器件中均能够具有显著的光提取效果，优选地，300nm≤T≤1mm，W≥3μm。
在本发明的上述发光器件中，各子区域具有与透光基底10平行的第一横截面，该第一横截面与上述发光单元的出光面的形状相同，可以由直线段和/或弧线段组合而成，如直线段和弧线段构成的图形、多个直线段构成的多边形或由至少一个弧线段围成的图形，如上述各子区域的第一横截面及其对应的出光面可以选自矩形、圆形、椭圆形、菱形或近似矩形、近似圆形、近似椭圆形、近似菱形形状中的任一种。
在一些实施例中，上述发光功能层20包括透光电极210、发光层220和反射电极230，且透光电极210和反射电极230独立地位于发光层220的两侧。发光层220中产生的光能够通过上述反射电极230反射并通过透光电极210透射至光提取功能层30中。
为了实现电致发光，上述发光功能层20还可以包括空穴注入传输层和电子注入传输层，空穴注入传输层和电子注入传输层位于发光层220的两侧，且透光电极210位于空穴注入传输层或电子注入传输层远离发光层220的一侧，且上述发光层220可以为量子点材料层或有机发光材料层。
当上述发光功能层20包括透光电极210时，上述光提取功能层30可以包括光提取层和界面层(图中未示出)，界面层位于透光电极210与光提取层之间。当上述界面层设置于如图1所示的发光器件中，该界面层能够起到保护透光电极210的作用，当上述界面层设置于如图2所示的发光器件中，该界面层能够用于将光提取功能层30平坦化，以利于透光电极210的平整施加。
在一种优选的实施方式中，本发明的上述发光器件为顶发射发光器件，透光基底10位于发光单元的发光功能层20远离光提取功能层30的一侧，如图1所示。
在另一种优选的实施方式中，本发明的上述发光器件为底发射发光器件，发光单元包括透光基底10，且透光基底10位于光提取功能层30远离发光功能层20的一侧，如图2所示。
当本发明的上述发光器件为底发射发光器件时，发光器件的结构并不局限于上述优选的实施方式，如上述发光单元包括透光基底10，且透光基底10位于发光功能层20与光提取功能层30之间，如图3所示。
根据本发明的另一方面，提供了一种显示装置，包括上述的发光器件，此时该发光器件中的隔离结构为像素隔离结构，像素隔离结构之间形成至少一个子像素区域，发光功能层20和光提取功能层30一一对应地设置于子像素区域中。
根据本发明的另一方面，还提供了一种照明装置，包括上述的发光器件，此时该发光器件中的隔离结构为框架，框架内设置一个上述的发光单元。
下面将结合实施例和对比例进一步说明本申请提供的发光器件。
实施例1
本实施例提供的发光器件为顶发射发光器件，如图1所示，包括顺序层叠的透光基底10、发光功能层20和光提取功能层30，发光功能层20包括透光电极210、空穴注入传输层、发光层220、电子注入传输层和反射电极230，且透光电极210和反射电极230独立地位于发光层220的两侧，光提取功能层30包括光提取层；上述发光器件还包括设置于透光基底10的第一表面上的像素隔离结构，像素隔离结构之间形成3*3*3(RGB)个子像素区域；发光功能层20一一对应地设置于子像素区域中；光提取功能层30与发光功能层20一一对应地设置，一一对应且层叠的部分透光基底10、发光功能层20和光提取功能层30构成各发光单元，各发光单元的出光方向为反射电极230到光提取功能层30的方向，且上述发光单元的厚度T为4μm，发光单元的出光面为矩形，最短长度W为20μm。
上述发光单元中发射红光的第一发光单元、发射绿光的第二发光单元以及发射蓝光的第三发光单元数量相同，第一发光单元中的发光层由包括红色量子点和溶剂的量子点墨水干燥后形成，其中红色量子点为CdSe/ZnS，第三发光单元中的发光层由包括蓝色量子点和溶剂的量子点墨水干燥后形成，其中，蓝色量子点为CdZnS/ZnS，第二发光单元中的发光层由包括绿色量子点和溶剂的量子点墨水干燥后形成，其中，绿色量子点为CdSe/CdS。
上述透光电极210为ITO阳极(厚度为150nm)，形成空穴注入层的材料为聚乙烯二氧噻吩：聚(苯乙烯磺酸)，形成空穴传输层的材料为聚乙烯咔唑，上述反射电极230为阴极，材料为Ag，形成电子注入传输层的材料为氧化锌纳米晶。发光单元的发光层和空穴传输层、空穴注入层和电子注入传输层的总厚度为150nm。界面层为100nm NPB(N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二(苯基)联苯胺)，利用真空热蒸镀法制作。
光提取功能层30由体积分数比50:50的散射粒子与6108型UV胶混合固化而成，其中，散射粒子为平均粒径21nm的P25型二氧化钛。光提取功能层30的厚度为3600nm。
实施例2
本实施例提供的发光器件与实施例1的区别在于：
上述发光单元的厚度T为1μm，其中，发光单元各功能层总厚度为150nm，透光电极ITO为100nm，界面层NPB为50nm，光提取功能层厚度为700nm。上述发光单元的出光面的最短长度W为10μm。
实施例3
本实施例提供的发光器件与实施例1的区别在于：
上述发光单元的厚度T为1μm，其中，发光单元各功能层总厚度为150nm，透光电极ITO为100nm，界面层NPB为50nm，光提取功能层厚度为700nm。上述发光单元的出光面为椭圆形，最短长度W为20μm。
实施例4
本实施例提供的发光器件与实施例1的区别在于：
上述发光单元的厚度T为300nm，其中，发光单元各功能层总厚度为150nm，透光电极Ag为15nm，界面层NPB为20nm，光提取功能层厚度为115nm。上述发光单元的出光面为菱形，最短长度W为9μm。
实施例5
本实施例提供的发光器件与实施例1的区别在于：
发光器件如图3所示，包括顺序层叠的发光功能层20、透光基底10和光提取功能层30，发光单元的厚度T为0.7mm，其中发光功能层总厚度150nm，透光电极ITO厚度150nm，透光基底厚度约0.7mm，光提取功能层800nm，总厚度近似透光基底的厚度，即0.7mm，(此处光提取层做在基底远离器件的外侧，不用界面层)上述发光单元的出光面的最短长度W为35mm。
实施例6
本实施例提供的发光器件与实施例1的区别在于：
发光器件如图2所示，包括顺序层叠的发光功能层20、光提取功能层30和透光基底10，发光单元的厚度T为50μm，其中，发光功能层厚度为150nm，透光电极ITO厚度200nm，界面层厚度2.15um，光提取功能层厚度2.5um，透光基底厚度为45um。上述发光单元的出光面的最短长度W为2mm。
对比例1-6
上述各对比例中提供的分别为实施例1-6中未设置有光提取功能层30的发光器件。
各实施例和对比例的厚度测试方法为DEKTAK XT型台阶仪，长度的测试设备为显微镜。
对上述实施例1-6和对比例1-6中的发光器件的外量子效率进行测试，QLED器件的性能测试方法主要分为两部分：第一部分主要由Keithley2400数字源表和探针座组成，主要用于测量器件的电压(V)和电流(I)信号，进一步得出器件工作时的电压(V)—电流密度(J)曲线图和单位时间内通过器件的电子数；第二部分主要由积分球、光纤和光谱仪(QE65000或QEPro)组成，主要用于测量器件正面发光的光谱数据，包括发光峰位、半峰宽和发光光子数。综合上述两部分的数据便可以根据公式计算出器件的外量子效率(EQE)。并在1000nit的白场下(1000nit的白场分别由300nit的红光、600nit的绿光和100nit蓝光组成)点亮测试其亮度衰减到980nit(T98)时所花的时间，测试结果如下表所示。
/ 实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 实施例6
EQE％ 11.3 12.7 18.1 20.4 14.5 21.3
T98/h 2665 2930 5396 6836 3829 7980
/ 对比例1 对比例2 对比例3 对比例4 对比例5 对比例6
EQE％ 9.1 8.9 9.3 9.6 9.4 9.9
T98/h 1691 1536 1721 1901 1705 2104
从上述测试结果可以看出，相比于对比例中未设置有光提取功能层的发光器件，上述实施例中无论是小面积发光器件还是大面积发光器件，通过施加光提取功能层均提高了器件的外量子效率，且随着T/W比值的增大，提升比例也有比较明显的提升，从其亮度衰减到初始亮度的98％时所花时间T98可以看出，有光提取功能层的器件寿命明显提升。第一、二组器件中，T/W的比值只有5及10倍左右，外量子效率的提升比例大致为24％和45％。第五组器件比较特殊，光提取功能层只能提取基板模式中的光(即所谓的外光提取，其余均为内光提取)，因此即便T/W比值很大，外量子效率的提升也只能到50％左右，但与第一、第二组器件相比，提升比例明显提高(上述第一组器件即为实施例1和对比例1，以此类推)。
由于在一些场合中，出光面的大小会被严格限制，即像素越来越小，若要尽可能提升其外量子效率，因此需要仔细设计器件的出光路径，使T/W的比值尽量减小，以获取较高的提升比例。
除此以外，对实施例1-6的器件进行了目测和显微镜观察，除实施例5目测发光区边缘不清晰以外，其余实施例均未发现混光或是模糊不清的现象。其中，图2的结构更适用于照明装置，而图1和图3的结构可以根据实际情况，合理设计和控制光程路径，用于显示器件。
从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：
定义穿过发光单元的出光面的几何中心且两端均与出光面的边线连接的直线的最短长度为W，通过使发光单元的厚度T小于W，能够使光提取功能层能够满足普遍适用的应用条件，从而无论是应用于小面积发光器件还是大面积发光器件，都能够具有显著的光提取效果，进而提高了发光单元的出光效率，延长器件的使用寿命。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种发光器件，包括：
透光基底(10)；
隔离结构，设置于所述透光基底(10)的第一表面上，所述隔离结构之间形成至少一个子区域；
发光功能层(20)，一一对应地设置于所述子区域中，所述发光功能层包括反射电极(230)；
光提取功能层(30)，与所述发光功能层(20)一一对应地设置；
其特征在于，一一对应且层叠的发光功能层(20)、光提取功能层(30)以及部分所述透光基底(10)构成各发光单元；各所述发光单元的结构选自结构A、结构B和结构C中的一种，所述结构A为依次层叠的所述发光功能层(20)、所述光提取功能层(30)和部分所述透光基底(10)，所述结构B为依次层叠的所述发光功能层(20)、部分所述透光基底(10)和所述光提取功能层(30)，所述结构C为依次层叠的所述光提取功能层(30)、所述发光功能层(20)和部分所述透光基底(10)；所述结构A和所述结构B的出光方向为从所述反射电极(230)到所述透光基底(10)的方向，所述结构C的出光方向为所述反射电极(230)到所述光提取功能层(30)的方向；
定义穿过各所述发光单元的出光面的几何中心且两端均与所述出光面的边线连接的直线段为第一直线段，所述第一直线段的最短长度为W；在垂直于所述透光基底(10)的方向上，在所述结构A和所述结构B中，定义所述发光单元的厚度减去所述反射电极(230)的厚度为T，在所述结构C中，定义所述光提取功能层和所述发光功能层的总厚度减去所述反射电极(230)的厚度为T；在所述结构A、所述结构B和所述结构C中，T均小于W。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，T/W≤1/10，优选T/W≤1/20，更优选T/W≤1/30。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，300nm≤T≤1mm，W≥3μm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述出光面为由多个直线段构成的多边形或由弧线段围成的图形，优选各所述子区域的所述出光面独立地选自矩形、圆形、椭圆形和菱形中的任一种。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光功能层(20)包括透光电极(210)、发光层(220)和所述反射电极(230)，且所述透光电极(210)和所述反射电极(230)独立地位于所述发光层(220)的两侧。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述发光功能层(20)还包括空穴注入传输层和电子注入传输层，所述空穴注入传输层和所述电子注入传输层位于所述发光层(220)的两侧，且所述透光电极(210)位于所述空穴注入传输层或所述电子注入传输层远离所述发光层(220)的一侧，优选所述发光层(220)为量子点材料层或有机发光材料层。
7.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述光提取功能层(30)包括光提取层和界面层，所述界面层位于所述透光电极(210)与所述光提取层之间。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件包括多个所述发光单元，用于发出不同颜色的光，所述不同颜色的光独立地选自红光、绿光、蓝光和白光中的至少一种。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件为OLED器件、LED器件和QLED器件中的任一种。
10.一种显示装置，包括发光器件，其特征在于，所述发光器件为权利要求1至9中任一项所述的发光器件，所述隔离结构为像素隔离结构，所述子区域为子像素区域。
11.一种照明装置，包括发光器件，其特征在于，所述发光器件为权利要求1至9中任一项所述的发光器件，所述隔离结构为框架，所述框架内设置一个所述发光单元。
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