CN112835087B - 抗辐射系统及方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种抗辐射系统及方法。所述抗辐射系统包括：控制器、辐射检测器、部件修复设备，其中，辐射检测器用于检测目标器件所受的辐射剂量；控制器用于根据辐射剂量确定所述目标器件所受辐射是否超标，若目标器件所受辐射超标，则按照预设修复方法控制部件修复设备对目标器件进行修复。该系统实现了自动修复因受到辐射而即将损坏的目标器件，进而延长了目标器件的使用寿命，从而提高了目标器件所在系统的稳定性，相比于传统的依赖于配置高耐辐射性能的器件带来的设备成本高昂或难以实现的问题，本申请提供的抗辐射系统通过普通器件即可避免目标器件长期遭受辐射的影响，极大的降低了处于辐射环境下的医疗设备的制造成本。

Description

抗辐射系统及方法

技术领域

本申请涉及医学系统技术领域，特别是涉及一种抗辐射系统及方法。

背景技术

随着医学影像技术的成熟应用，越来越多的医生借助各类医学影像设备达到诊断或治疗患者的目的，例如放疗、CT、XR等系统。

目前，几乎所有的医学影像设备都是通过对高能射线的应用来实现成像。众所周知，电离辐射会对电子器件会带来损伤，从而影响电子器件的使用寿命。因此，在辐射环境下，电子部件上的半导体器件在接收到一定剂量的辐照后，会出现电子器件的性能指标的衰退和功能的异常等现象，这给在辐射环境下的电子部件的可靠性带来了极大的挑战与安全隐患，同时也给医学诊断和治疗带来潜在的风险。

因此，如何提高电子部件在辐射环境下的可靠性成为了目前亟待解决的技术问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高电子部件在辐射环境下的可靠性的抗辐射系统及方法。

第一方面，一种抗辐射系统，所述系统包括：控制器、辐射检测器、部件修复设备；

所述辐射检测器检测目标器件所受的辐射剂量，并将所述辐射剂量转化为电学信号；

所述控制器接收所述电学信号，根据所述电学信号确定所述目标器件所受辐射是否超标，若所述目标器件所受辐射超标，则按照预设修复方法控制所述部件修复设备对所述目标器件进行修复。

在其中一个实施例中，所述预设修复方法包括以下至少一种：通过控制所述目标器件的温度变化修复所述目标器件、通过振动所述目标器件的方式修复所述目标器件、通过微波照射所述目标器件的方式修复所述目标器件。

在其中一个实施例中，所述部件修复设备包括：温度检测装置和温度控制装置；

所述温度检测装置，用于检测所述目标器件的当前温度；

所述温度控制装置，用于加热或冷却所述目标器件；

所述控制器，用于按照预设温度控制方式，控制所述温度控制装置在预设时间内提升或降低所述目标器件的当前温度达到目标温度。

在其中一个实施例中，所述辐射检测器包括：辐射剂量检测器和/或辐射强度检测器。

在其中一个实施例中，所述目标器件包括：至少一个关键芯片。

在其中一个实施例中，所述目标器件还包括：所述控制器、所述辐射检测器、所述部件修复设备。

在其中一个实施例中，所述系统还包括：监测平台，所述监测平台，用于获取所述部件修复设备对所述目标器件进行修复后的修复结果，并展示所述修复结果。

在其中一个实施例中，当所述监测平台获取到的修复结果表示所述目标器件已被修复完成时，所述监测平台还用于在所述目标器件上重新加载程序，以重新使能所述目标器件。

在其中一个实施例中，所述目标器件在被重新加载程序后，所述控制器还用于获取修复后的目标器件的性能指标，并确定所述性能指标是否达到标准性能指标；

若所述性能指标未达到所述标准性能指标，则确定当前修复所述目标器件的修复次数是否达到预设次数，若所述修复次数未达到所述预设次数，则继续控制所述部件修复设备对所述目标器件进行修复；若所述修复次数达到所述预设次数，则确定修复失败，并将所述修复失败的消息上报所述监测平台；

若所述性能指标达到所述标准性能指标，则确定修复成功，并将所述修复成功的消息上报所述监测平台。

第二方面，一种抗辐射方法，所述方法包括：

检测目标器件所受的辐射剂量；

根据所述辐射剂量确定所述目标器件所受辐射是否超标，若所述目标器件所受辐射超标，则按照预设修复方法控制部件修复设备对所述目标器件进行修复。

上述抗辐射系统及方法实现了自动修复因受到辐射而损坏的目标器件，进而延长了目标器件的使用寿命，从而提高了目标器件所在系统的稳定性，相比于传统的依赖于配置高耐辐射性能的器件带来的设备成本高昂或难以实现的问题，本申请提供的抗辐射系统通过普通器件即可避免目标器件长期遭受辐射的影响，极大的降低了处于辐射环境下的医疗设备的制造成本。

附图说明

图1为一个实施例中抗辐射系统的结构示意图；

图2为一个实施例中抗辐射系统的结构示意图；

图3为一个实施例中温度控制曲线的示意图；

图4为一个实施例中抗辐射系统的结构示意图；

图5为一个实施例中抗辐射系统的结构示意图；

图6为一个实施例中抗辐射综合系统的结构示意图；

图7为一个实施例中抗辐射方法的流程示意图；

图8为图6实施例中S102的一种实现方式的流程示意图；

图9为一个实施例中计算机设备的内部结构图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本申请的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

参见图1，本申请提供一种抗辐射系统，该抗辐射系统包括：控制器、辐射检测器、部件修复设备。其中，辐射检测器检测目标器件所受的辐射剂量，并将辐射剂量转化为电学信号；控制器接收电学信号，根据电学信号确定目标器件所受辐射是否超标，若目标器件所受辐射超标，则按照预设修复方法控制部件修复设备对目标器件进行修复。控制器分别与辐射检测器、部件修复设备、目标器件连接。

上述目标器件为易受到辐射导致损坏的器件，且其在受到辐射时是可以被修复的器件，比如，目标器件可以是各种诸如存储芯片、电源芯片、处理器、接口芯片等各种功能的芯片或器件。本实施例中的目标器件包括至少一个关键芯片；可选的，目标器件还包括控制器、辐射检测器、部件修复设备。也就是说，本申请提供的抗辐射系统可以修复处于辐射环境下的部分器件，比如只修复关键芯片，也可以修复处于辐射环境下的所有器件(也包含抗辐射系统中具有修复功能的各器件)，例如不仅可以修复关键芯片，还可以修复控制器、辐射检测器、部件修复设备，实现自我修复。

上述目标器件所受的辐射剂量包括目标器件所受辐射的剂量率或累计剂量。辐射检测器可以实时测量目标器件所受辐射的剂量率，即目标器件在单位时间内所受到的辐射强度；或者，上述辐射检测器可以实时测量目标器件所受辐射的累计剂量，即目标器件在一定时间内累计受到的辐射剂量。

上述部件修复设备按照预设修复方法修复处于辐射环境下的目标器件。其中，预设修复方法可以由控制器根据部件修复设备的类型预先确定，基于此，可选的，预设修复方法可以包括以下至少一种：通过控制目标器件的温度变化修复目标器件、通过振动目标器件的方式修复目标器件、通过微波照射目标器件的方式修复目标器件。即，部件修复设备可以为温控类型的部件修复设备，也可以是振动类型的部件修复设备，还可以是微波类型的部件修复设备，部件修复设备的类型与预设修复方法对应。可选的，抗辐射系统也可以同时包括多种类型的部件修复设备，例如，抗辐射系统可以同时包括温控类型的部件修复设备和微波类型的部件修复设备，不同类型的部件修复设备可以针对不同类型的目标器件进行修复；不同类型的部件修复设备也可以针对相同类型的目标器件进行修复，实际应用中可以根据实际情况灵活选择应用。

在实际应用中，控制器、辐射检测器、部件修复设备、目标器件可以被设置在同一板卡上，该板卡上的各器件可以属于医疗系统中某部件的各器件，例如，摄像头、采集装置等。(图1中仅是示意性的给出了一个部件修复设备和一个目标器件，实际应用中，板卡上可以包括多个部件修复设备和多个目标器件，此处不限定)

本实施例中，当控制器、辐射检测器、部件修复设备、目标器件处于辐射环境时，辐射检测器可以实时测量目标器件所在位置上所受辐射的辐射剂量，并将辐射剂量转化为电学信号，然后将电学信号传输至控制器，控制器接收到电学信号时，可以对该电学信号进行解析，得到目标器件在当前环境下所受的辐射剂量，并进一步的根据该辐射剂量确定目标器件所受辐射是否超标，若目标器件所受辐射超标，则说明目标器件可能因辐射损坏而不能正常工作需要修复；若目标器件所受辐射未超标，则说明目标器件还在耐辐射范围，可以正常工作不需要修复。具体的，若辐射检测器检测的是目标器件所受辐射的剂量率，则控制器在确定目标器件所受辐射是否超标时，可以具体确定目标器件所受辐射的剂量率是否超出标准剂量率，若辐射检测器检测的是目标器件所受辐射的累计剂量，则控制器在确定目标器件所受辐射是否超标时，可以具体确定目标器件所受辐射的累计剂量是否超出标准累计剂量。其中，标准剂量率或标准累计剂量均是用来衡量目标器件耐辐射性的参考值，超出标准剂量率或标准累计剂量说明当前的辐射环境中的辐射强度或辐射剂量即将达到或超出目标器件本身所能承受的范围。当目标器件所受辐射超标时，控制器可以根据部件修复设备的类型确定预设修复方法，并按照预设修复方法控制部件修复设备对目标器件进行修复，修复完成后，控制器还可以将修复完成的消息上报给系统外部的中控中心，以告知用户完成一次修复，以便中控中心对此次修复过程进行记录备案。

上述实施例提供的抗辐射系统实现了自动修复因受到辐射而即将损坏的目标器件，进而延长了目标器件的使用寿命，从而提高了目标器件所在系统的稳定性，相比于传统的依赖于配置高耐辐射性能的器件带来的设备成本高昂或难以实现的问题，本申请提供的抗辐射系统通过普通器件即可避免目标器件长期遭受辐射的影响，极大的降低了处于辐射环境下的医疗设备的制造成本。

参见图2，本申请提供一种抗辐射系统，该抗辐射系统通过控制目标器件的温度变化修复目标器件，该抗辐射系统在图1所示系统的基础上，其中的部件修复设备包括温度检测装置和温度控制装置，温度检测装置，用于检测目标器件的当前温度；温度控制装置，用于加热或冷却目标器件；控制器，用于按照预设温度控制方式，控制温度控制装置在预设时间内提升或降低目标器件的当前温度达到目标温度。控制器分别与温度检测装置和温度控制装置连接。

其中，预设温度控制方式表示对目标器件进行加热或冷却使目标器件达到恢复正常性能参数，以提高目标器件使用寿命的方式。在实际应用中，在设计目标器件时，可以预先对各类型的目标器件进行高温加热冷却实验，并得到能够提升各类型目标器件使用寿命的温度控制方式。具体的，可以根据实验过程拟合出各类型的目标器件对应的温度控制曲线，并将各类型的目标器件对应的温度控制曲线进行存储，以便控制器随时调用，并按照温度控制曲线指示的温度控制方式对目标器件进行温度控制，达到延长目标器件的使用寿命的目的。

本实施例中，当控制器、辐射检测器、温度检测装置、温度控制装置、目标器件处于辐射环境时，辐射检测器可以实时测量目标器件所在位置上所受辐射的辐射剂量，并将辐射剂量转化为电学信号，然后将电学信号传输至控制器。控制器接收到电学信号时，可以对该电学信号进行解析，得到目标器件在当前环境下所受的辐射剂量，并进一步的根据该辐射剂量确定目标器件所受辐射是否超标，若目标器件所受辐射超标，控制器可以启动温度检测装置实时检测目标器件的当前温度，并根据目标器件的类型选取对应的温度控制曲线，然后按照温度控制曲线指示的温度控制方式，在预设时间内提升或降低目标器件的当前温度达到目标温度，完成对目标器件的修复，达到延长目标器件使用寿命的目的。需要说明的是，不同类型的目标器件可以对应不同的温度控制曲线，因此在使用时，需要先明确目标器件的类型，再根据相应类型的目标器件选取对应的温度控制曲线。

示例性说明上述实施例所述的方法，例如，如图3所示，该图中给出了四种类型目标器件对应的温度控制曲线和覆盖这四种目标器件的拟合温度控制曲线，即：拟合温度控制曲线f1(t)、存储芯片对应的温度控制曲线f1(t)、电源芯片对应的温度控制曲线f2(t)、处理器对应的温度控制曲线f3(t)、接口芯片对应的温度控制曲线f4(t)，每条曲线的横坐标轴表示时间，纵坐标轴表示控制目标器件的温度变化时需要达到的目标温度。在实际应用中，当控制器确定要修复的目标器件为存储芯片时，可以先确定存储芯片对应的温度控制曲线f1(t)，并获取温度检测装置实时检测到的存储芯片的当前温度，然后按照温度控制曲线f1(t)中指示的目标温度和时间，在需要提升存储芯片的温度时，控制温度控制装置加热存储芯片，使存储芯片的温度从当前温度上提升到需要提升的目标温度；以及需要降低加热后的存储芯片的温度时，控制温度控制装置停止加热存储芯片，以冷却加热后的存储芯片，使加热后的存储芯片从当前温度降低到需要降低的目标温度，按照温度控制曲线指示的方式如此操作，直到完成整个温度控制曲线上各时间段对应温度的控制。需要说明的是，图3仅是示例性说明，并不代表所有目标器件对应的温度控制曲线。具体的温度控制曲线可以根据实际目标器件的类型预先通过实验确定，而且，当图3所示的抗辐射系统中包括多个不同类型的目标器件，可以从多个不同类型的目标器件中选择一条可以覆盖所有目标器件的温度控制曲线，或者根据多个不同类型的目标器件的温度控制曲线指示的温度和时间，重新拟合出一条可以覆盖所有目标器件的温度控制曲线(例如图3中的拟合温度控制曲线f(t))，然后按照重新选取或重新拟合的温度控制曲线指示的目标温度和时间对各类型的目标器件进行温度控制，达到修复所有目标器件的目的。

可选的，基于上述图2实施例所示的部件修复设备，为了能够精准的控制其中温度控制装置对目标器件的加热时间和之后冷却目标器件的时间，上述部件修复设备，如图4所示，还可以包括定时器，该定时器与控制器连接，且该定时器用于记录控制器启动温度控制装置对目标器件加热的时间，以及对目标器件进行冷却的时间，以便控制器能够精准的按照上述温度控制曲线指示的时间进行温度控制，达到更高的修复效果。定时器在具体使用时，当控制器按照温度控制曲线指示的控制方式需要提升目标器件的温度时，即可启动温度控制装置对目标器件进行加热，同时启动定时器进行记时，控制器此时实时获取温度检测装置采集的目标器件的当前温度，以及定时器记录的加热时间，当目标器件的当前温度和加热时间达到目标温度和需要加热的时间时，同时控制温度控制装置停止加热和定时器停止计时；当控制器按照温度控制曲线指示的控制方式需要冷却加热后的目标器件时，即可重新启动温度控制装置冷却目标器件，同时重新启动定时器进行计时，在达到冷却时间后，即可控制定时器停止计时，完成对加热后的目标器件进行冷却的过程。可选的，也可以选择自然冷却的方式对目标器件进行冷却，此处不限定。可选的，控制器内部也可以设定计时器，可以使用控制器内部设定的计时器按照上述方法对目标器件的加热时间和冷却时间进行监控。

可选的，在上述图1或图2实施例所示的抗辐射系统结构中，辐射检测器可以包括辐射剂量检测器和/或辐射强度检测器。其中，辐射强度检测器用于检测目标器件在辐射环境中所受辐射的剂量率(即单位时间内的辐射强度)，并将检测得到的剂量率转换为电学信号传输至控制器，使控制器可以根据目标器件所受辐射的剂量率确定目标器件所受辐射是否超标，具体在确定时，可以先获取预先通过实验测量得到的目标器件的耐辐射性能的容限值，即目标器件所能承受的最大辐射的剂量率，然后将检测到的目标器件在当前环境下所受辐射的剂量率与预设辐射剂量率进行比较，若目标器件在当前环境下所受辐射的剂量率大于或等于预设辐射剂量率，表示目标器件在当前环境下所受辐射的剂量率即将达到或超出目标器件所能承受的最大辐射的剂量率，即说明目标器件所受辐射超标，将不能正常工作，需要对该目标器件进行修复。若目标器件在当前环境下所受辐射的剂量率小于预设辐射剂量率，表示目标器件在当前环境下所受辐射的剂量率在目标器件所能承受的最大辐射的剂量率的范围内，即说明目标器件所受辐射未超标，还能正常工作，不需要对该目标器件进行修复。需要说明的是，预设辐射剂量率可以由控制器预先根据目标器件所能承受的最大辐射的剂量率确定，具体的取值可以小于目标器件所能承受的最大辐射的剂量率一定范围。

辐射剂量检测器用于检测目标器件在辐射环境中所受辐射的累计剂量(即一定时间内累计辐射剂量)，并将检测得到的累计剂量转换为电学信号传输至控制器，使控制器可以根据目标器件所受辐射的累计剂量确定目标器件所受辐射是否超标，具体在确定时，可以先获取预先通过实验测量得到的目标器件的耐辐射性能的容限值，即目标器件所能承受的最大辐射的累计剂量，然后将检测到的目标器件在当前环境下所受辐射的累计剂量与预设辐射累计剂量进行比较，若目标器件在当前环境下所受辐射的累计剂量大于或等于预设辐射累计剂量，表示目标器件在当前环境下所受辐射的累计剂量即将达到或超出目标器件所能承受的最大辐射的累计剂量，即说明目标器件所受辐射超标，将不能正常工作，需要对该目标器件进行修复。若目标器件在当前环境下所受辐射的累计剂量小于预设辐射累计剂量，表示目标器件在当前环境下所受辐射的累计剂量在目标器件所能承受的最大辐射的累计剂量的范围内，即说明目标器件所受辐射未超标，还能正常工作，不需要对该目标器件进行修复。

参见图5，本申请提供一种抗辐射系统，该抗辐射系统在图1所示系统的基础上，还包括：监测平台，用于获取部件修复设备对目标器件进行修复后的修复结果，并展示修复结果。

其中，修复结果表示目标器件是否被修复完成，因此，修复结果包括修复完成的修复结果或修复未完成的修复结果。监测平台与控制器可以通过有线或无线的方式连接，用于与控制器进行数据交互，实现对修复目标器件的情况的监控，便于用户实时了解目标器件的修复情况。需要说明的是，当监测平台与控制器通过无线的方式连接时，可以通过网络、蓝牙等无线链路进行连接，且在通过网络连接时可以实现远程监控。

本实施例中，当控制器按照前述实施例所述的方法控制部件修复设备对目标器件进行修复，若修复完成后，控制器将修复完成的消息上报至监测平台，以便监测平台可以确定该系统中的目标器件是否已被修复过，或修复的次数，从而方便之后根据目标器件的修复情况执行相应的操作。若未修复完成，还在修复过程中，控制器也可以实时向监测平台上报未修复完成的消息，以便监测平台可以确定该系统中的目标器件仍然在修复过程中，还不能正常工作，从而禁止其它器件对目标器件的操作，影响目标器件的修复，造成目标器件的损坏或不稳定，进而提高整个系统的性能稳定性。可选的，监测平台在获取到修复结果后，可以在显示屏上展示该修复结果，以便用户随时查看了解该系统中目标器件的修复情况。

在实际应用中，因为有些目标器件在被修复后，还需要重新烧录板载才能重新正常工作，比如处理器类型的芯片。因此，在图5所示的抗辐射系统中，当监测平台获取到的修复结果表示目标器件已被修复完成时，监测平台还用于在目标器件上重新加载程序，以重新使能目标器件。具体的，监测平台可以直接远程的在目标器件上重新加载程序，比如，若目标器件为控制器时，监测平台可以直接在控制器上重新加载程序。可选的，监测平台也可以通过控制器在目标器件上重新加载程序，比如，若目标器件为与控制器连接的存储芯片时，监测平台可以将需要加载的程序传输至控制器，再由控制器在存储芯片上重新加载程序。

基于上述应用场景，当目标器件在被重新加载程序后，图5所示的抗辐射修复系统中的控制器还用于获取修复后的目标器件的性能指标，并确定性能指标是否达到标准性能指标；若性能指标未达到标准性能指标，则确定当前修复目标器件的修复次数是否达到预设次数，若修复次数未达到预设次数，则继续控制部件修复设备对目标器件进行修复；若修复次数达到预设次数，则确定修复失败，并将修复失败的消息上报监测平台；若性能指标达到标准性能指标，则确定修复成功，并将修复成功的消息上报监测平台。

其中，标准性能指标是衡量目标器件是否能够正常工作的参数指标，其可以预先通过对目标器件进行实验测试获取得到，可选的，也可以通过目标器件的出厂硬件说明书获取得到。可以理解的是，不同类型的目标器件对应不同的的标准性能指标。预设次数可以表示部件修复设备对目标器件的最多修复次数，若部件修复设备对目标器件进行预设次数的重复修复后，还未将目标器件修复成功，则说明该目标器件已经无法进行修复，即该目标器件已超出了修复的范围，此时已经不需要再对目标器件进行修复了。若部件修复设备对目标器件进行修复的次数还未达到预设次数时，还未将目标器件修复成功，则说明有可能之前的修复还未达到修复的效果，此时可以再次对目标器件进行修复，之后还可能将目标器件修复成功。

本实施例中，当目标器件在被重新加载程序后，说明目标器件应该可以正常工作了，此时，本实施例提供的抗辐射系统还可以对修复后的目标器件的性能进行自检。具体的，在自检过程中，控制器可以检测修复后的目标器件的性能来获取修复后的目标器件的性能指标，以及获取该目标器件对应的标准性能指标，并将该性能指标和标准性能指标进行比较，从而判断修复后的目标器件的性能指标是否能够达到标准性能指标，若修复后的目标器件的性能指标未达到标准性能指标，则说明修复后的目标器件还未被修复成功，此时需要再确定当前修复目标器件的修复次数是否达到预设次数，若修复次数未达到预设次数，则说明未被修复成功的目标器件还可以继续修复，所以此时，控制器继续按照之前的预设修复方法控制部件修复设备对目标器件再次修复，并重新确定新修复后的目标器件的性能指标是否达到标准性能指标，如此反复，直到当前修复目标器件的修复次数达到预设次数或修复后的目标器件的性能指标达到标准性能指标。若修复次数达到预设次数，则说明未被修复成功的目标器件已经修复失败，此时，不需要再消耗资源对目标器件进行修复，控制器可以直接将修复失败的消息上报监测平台，以便用户可以通过监测平台获悉到目标器件修复失败，即目标器件因为辐射已损坏的情况，用户即可及时更换已损坏的目标器件。若修复后的目标器件的性能指标达到标准性能指标，则说明目标器件已经修复成功，此时，控制器可以将修复成功的消息及时上报监测平台，以便用户可以通过监测平台了解到目标器件已被修复成功。

综合上述所有实施例，基于实际应用中，一个医疗系统是一个复杂的电子系统，其中包含多个医疗设备，各医疗设备又包含多个电子部件，那么，上述图1-图4实施例所述的抗辐射系统可以应用于修复处于辐射环境下的每个电子部件，且每个电子部件对应一个抗辐射系统，基于此，本申请还提供了一种抗辐射综合系统，如图6所示，该抗辐射综合系统中包括：多个电子部件对应的抗辐射系统和总控制中心，总控制中心分别与多个电子部件对应的抗辐射系统通过总线连接。

本实施例中，抗辐射综合系统中包含的所有电子部件均处于辐射环境中，每个电子部件对应的抗辐射系统均可以采用上述实施例中所述的修复原理对处于当前辐射环境下的所有器件进行修复。每个电子部件对应的抗辐射系统在修复完成后，均可以将修复结果上报至总控制中心，总控制中心可以根据各抗辐射系统上报的修复结果确定整个系统中无法修复的电子部件位置，进而及时更换或维修，以保证系统的正常运行。关于每个抗辐射系统的工作原理，前述均有说明，详细内容请参见前述说明，此处不赘述。上述实施例提供的抗辐射综合系统为一种拓扑结构的系统，实现了电子设备中所有部件的抗辐射修复，且多个电子部件对应的抗辐射系统之间是相对独立的，即可以同时进行修复各自对应的电子部件，互不影响，进而提高了修复效率，使整个系统可以快速的恢复正常工作状态，提高了整个系统运行的稳定性。

上述所有实施例涉及抗辐射系统的结构和功能的说明，下面实施例将说明抗辐射方法，且该方法可以被应用上述任何实施例所述的抗辐射系统。

在一种应用中，本申请还提供了一种抗辐射方法，如图7所示，该方法包括：(该方法的执行主体为控制器)

S101，检测目标器件所受的辐射剂量。

S102，根据辐射剂量确定目标器件所受辐射是否超标，若目标器件所受辐射超标，则按照预设修复方法控制部件修复设备对目标器件进行修复。

本实施例所述的图像的抗辐射方法可以适用于前述图1-图3任一实施例所述的抗辐射方法，具体实现方法请参见前述图1-图3任一实施例中的说明内容，此处不赘述。

可选的，当预设修复方法为预设温度控制方法时，如图8所示，上述S102具体包括步骤：

S201，根据辐射剂量确定目标器件所受辐射是否超标，若目标器件所受辐射超标，则执行步骤S202，若目标器件所受辐射未超标，则执行步骤S209。

S202，按照预设温度控制方法，基于下面S203-S210的步骤通过加热和冷却目标器件温度的方式对目标器件进行修复。

S203，当按照预设温度控制方法需要提升目标器件的温度时，启动温度控制装置对目标器件进行加热，以及启动定时器进行计时。

S204，启动温度检测装置对目标器件的当前温度进行检测，若目标器件的当前温度达到需要加热的目标温度，则执行步骤S205，若目标器件的当前温度未达到需要加热的目标温度，则执行步骤S206。

S205，确定定时器记录的时间是否达到预设加热时间，若达到预设加热时间，则停止温度控制装置对目标器件进行加热，若未达到预设加热时间，则保持目标器件的当前温度，直到定时器记录的时间达到预设加热时间为止。

S206，继续控制温度控制装置对目标器件进行加热，直到目标器件的当前温度达到需要加热的目标温度为止。

S207，当按照预设温度控制方法需要冷却目标器件时，启动温度控制装置对目标器件进行冷却，以及启动定时器进行计时。

S208，启动温度检测装置对目标器件的当前温度进行检测，若目标器件的当前温度达到需要冷却的目标温度，则执行步骤S209，若目标器件的当前温度未达到需要冷却的目标温度，则执行步骤S210。

S209，确定定时器记录的时间是否达到预设冷却时间，若达到预设冷却时间，则停止温度控制装置对目标器件进行冷却，若未达到预设冷却时间，则保持目标器件的当前温度，直到定时器记录的时间达到预设冷却时间为止。

S210，继续控制温度控制装置对目标器件进行冷却，直到目标器件的当前温度达到需要冷却的目标温度为止。

S211，重新获取检测到的目标器件所受的辐射剂量，并返回步骤S201，直到检测到目标器件所受辐射超标，并执行S201之后的步骤。

上述方法的各步骤在前述实施例中都有说明，详细内容请参见前述说明，此处不赘述。

上述实施例提供的抗辐射方法，通过检测目标器件所受的辐射剂量，并根据辐射剂量确定目标器件所受辐射是否超标，若目标器件所受辐射超标，则按照预设修复方法控制部件修复设备对目标器件进行修复。实现了自动修复因受到辐射即将损坏的目标器件，进而延长了目标器件的使用寿命，从而提高了目标器件所在系统的稳定性，相比于传统的依赖于配置高耐辐射性能的器件带来的设备成本高昂或难以实现的问题，本申请提供的抗辐射系统通过普通器件即可避免目标器件长期遭受辐射的影响，极大的降低了处于辐射环境下的医疗设备的制造成本。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图9所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储测量数据。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种抗辐射方法。

本领域技术人员可以理解，图9中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：

检测目标器件所受的辐射剂量；

根据所述辐射剂量确定所述目标器件所受辐射是否超标，若所述目标器件所受辐射超标，则按照预设修复方法控制部件修复设备对所述目标器件进行修复。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

检测目标器件所受的辐射剂量；

根据所述辐射剂量确定所述目标器件所受辐射是否超标，若所述目标器件所受辐射超标，则按照预设修复方法控制部件修复设备对所述目标器件进行修复。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种抗辐射系统，其特征在于，所述系统包括：控制器、辐射检测器、部件修复设备；

所述辐射检测器检测目标器件所受的辐射剂量，并将所述辐射剂量转化为电学信号；所述目标器件为易受到辐射导致损坏的器件，且其在受到辐射时是能够被修复的器件；

所述控制器接收所述电学信号，根据所述电学信号确定所述目标器件所受辐射是否超标，若所述目标器件所受辐射超标，则按照预设修复方法控制所述部件修复设备对所述目标器件进行修复；

所述预设修复方法包括以下至少一种：通过控制所述目标器件的温度变化修复所述目标器件、通过振动所述目标器件的方式修复所述目标器件、通过微波照射所述目标器件的方式修复所述目标器件。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述部件修复设备包括：温度检测装置和温度控制装置；

所述温度检测装置，用于检测所述目标器件的当前温度；

所述温度控制装置，用于加热或冷却所述目标器件；

所述控制器，用于按照预设温度控制方式，控制所述温度控制装置在预设时间内提升或降低所述目标器件的当前温度达到目标温度。

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述辐射检测器包括：辐射剂量检测器和/或辐射强度检测器。

4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述目标器件包括：至少一个关键芯片。

5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述目标器件还包括：所述控制器、所述辐射检测器、所述部件修复设备。

6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：监测平台，所述监测平台，用于获取所述部件修复设备对所述目标器件进行修复后的修复结果，并展示所述修复结果。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，当所述监测平台获取到的修复结果表示所述目标器件已被修复完成时，所述监测平台还用于在所述目标器件上重新加载程序，以重新使能所述目标器件。

8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述目标器件在被重新加载程序后，所述控制器还用于获取修复后的目标器件的性能指标，并确定所述性能指标是否达到标准性能指标；

若所述性能指标未达到所述标准性能指标，则确定当前修复所述目标器件的修复次数是否达到预设次数，若所述修复次数未达到所述预设次数，则继续控制所述部件修复设备对所述目标器件进行修复；若所述修复次数达到所述预设次数，则确定修复失败，并将所述修复失败的消息上报所述监测平台；

若所述性能指标达到所述标准性能指标，则确定修复成功，并将所述修复成功的消息上报所述监测平台。

9.一种抗辐射方法，其特征在于，所述方法包括：

检测目标器件所受的辐射剂量；所述目标器件为易受到辐射导致损坏的器件，且其在受到辐射时是能够被修复的器件；

根据所述辐射剂量确定所述目标器件所受辐射是否超标，若所述目标器件所受辐射超标，则按照预设修复方法控制部件修复设备对所述目标器件进行修复；所述预设修复方法包括以下至少一种：通过控制所述目标器件的温度变化修复所述目标器件、通过振动所述目标器件的方式修复所述目标器件、通过微波照射所述目标器件的方式修复所述目标器件。

10.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求9中所述的方法的步骤。

11.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求9中所述的方法的步骤。

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