CN112834809B - 电压补偿的方法、装置和电子设备 - Google Patents
电压补偿的方法、装置和电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112834809B CN112834809B CN201911166953.4A CN201911166953A CN112834809B CN 112834809 B CN112834809 B CN 112834809B CN 201911166953 A CN201911166953 A CN 201911166953A CN 112834809 B CN112834809 B CN 112834809B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature
- compensation voltage
- circuit board
- compensation
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 160
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract description 253
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 130
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 140
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 61
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 claims description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 56
- 230000008569 process Effects 0.000 description 45
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 101100134058 Caenorhabditis elegans nth-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/25—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof using digital measurement techniques
- G01R19/2503—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof using digital measurement techniques for measuring voltage only, e.g. digital volt meters (DVM's)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Sources (AREA)
Abstract
本申请实施例提供了一种电压补偿的方法、装置和电子设备，能够在维持电路板算力的同时，尽可能的降低电路板的功耗，提升算力功耗比。该电压补偿的方法，包括：获取第一温度，其中，该第一温度为第一电路板的温度；从温度‑补偿电压数据表中获取该第一温度对应的第一补偿电压，该第一补偿电压用于补偿该第一电路板的工作电压；根据该第一补偿电压下该第一电路板的算力，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压。
Description
技术领域
本申请涉及芯片技术领域，并且更为具体地，涉及一种电压补偿的方法、装置和电子设备。
背景技术
通常，由于半导体器件的特性，在低温环境下，电路板上芯片以及其他电子元器件的电学性能下降，如果此时芯片的电压维持在常温时的工作电压，芯片可能会出现不稳定的工作状态，导致电路板的算力降低。因此，在低温环境下，需要增大电路板上芯片的工作电压进行电压补偿，以维持芯片正常稳定工作。
与此同时，增大电压会造成电路板的功耗增加，如何在维持电路板算力的同时，尽可能的降低电路板的功耗，提升算力功耗比，是一项亟待解决的问题。
发明内容
本申请实施例提供了一种电压补偿的方法、装置和电子设备，能够在维持电路板算力的同时，尽可能的降低电路板的功耗，提升算力功耗比。
第一方面，提供了一种电压补偿的方法，包括：
获取第一温度，其中，该第一温度为第一电路板的温度；
从温度-补偿电压数据表中获取该第一温度对应的第一补偿电压，该第一补偿电压用于补偿该第一电路板的工作电压；
根据该第一补偿电压下该第一电路板的算力，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压。
在本申请实施例中，对第一电路板温度进行检测，并根据温度-补偿电压数据表，基于第一电路板的第一温度进行补偿电压的校正调整，得到第一温度下的第一校正补偿电压，采用该第一校正补偿电压对第一电路板的工作电压进行补偿，在满足第一电路板算力的前提下，不会造成额外功耗的补偿电压，可以提高第一电路板的算力功耗比。此外，该第一校正补偿电压为针对当前电路板的补偿电压，不同的设备上的电路板可能不同，采用本申请实施例的方案能够针对不同的设备，有针对的根据不同温度进行补偿电压校正。
在一种可能的实施方式中，该根据该第一补偿电压下该第一电路板的算力，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
基于该第一补偿电压对该第一电路板的工作电压进行电压补偿，根据该第一补偿电压下该第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压。
在一种可能的实施方式中，该根据该第一补偿电压下该第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若该第一补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力满足算力阈值条件，降低N次该第一补偿电压得到N个低补偿电压，根据该N个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力检测结果，得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，其中，N为正整数；
若该第一补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，增高M次该第一补偿电压为M个高补偿电压，根据该M个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力检测结果，得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，其中，M为正整数。
在一种可能的实施方式中，该N个低补偿电压为基于该第一补偿电压依次递减的N个电压，该M个高补偿电压为基于该第一补偿电压依次递增的M个电压。
在一种可能的实施方式中，该根据该N个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力检测结果，得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若该N个低补偿电压中第i个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力满足算力阈值条件，且该N个低补偿电压中第i+1个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，确定该第i个低补偿电压为该第一校正补偿电压，其中，1≤i≤N-1，i为正整数；
该根据该M个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力检测结果，得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若该M个高补偿电压中第j个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，且该M个高补偿电压中第j+1个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力满足算力阈值条件，确定该第j+1个高补偿电压为该第一校正补偿电压，其中，1≤j≤M-1，j为正整数。
在一种可能的实施方式中，该根据该N个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力检测结果，得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若该N个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的温度满足温度阈值条件，根据该N个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力检测结果，得到该第一温度对应的第一校正补偿电压；
该根据该M个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力检测结果，得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若该M个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的温度满足温度阈值条件，根据该M个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力检测结果，得到该第一温度对应的第一校正补偿电压。
通过本申请实施例的方案，在基于第一电路板在目标时间段内的温度检测结果的基础上，根据第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，确定得到第一温度对应的第一校正补偿电压，可以防止温度变化较大的情况下，测试得到的第一温度对应的第一校正补偿电压结果不准确，从而提高补偿电压校正的准确度以及可靠性。
在一种可能的实施方式中，该方法还包括：若该N个低补偿电压中至少一个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的温度不满足温度阈值条件，重新获取该第一电路板的第一温度；或者，
若该M个高补偿电压中至少一个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的温度不满足温度阈值条件，重新获取该第一电路板的第一温度。
在一种可能的实施方式中，该根据该第一补偿电压下该第一电路板的算力，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若该第一补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的温度满足温度阈值条件，根据该第一补偿电压下该第一电路板的算力，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压。
在一种可能的实施方式中，在调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压后，该方法还包括：
将该第一校正补偿电压标识为可信电压。
在一种可能的实施方式中，该根据该第一补偿电压下该第一电路板的算力，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压之前，该方法还包括：
判断该第一补偿电压是否为可信电压。
在一种可能的实施方式中，若该第一补偿电压为可信电压，基于该第一补偿电压对该第一电路板的工作电压进行补偿；或者，
若该第一补偿电压为不可信电压，根据该第一补偿电压下该第一电路板的算力，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，基于该第一校正补偿电压对该第一电路板的工作电压进行补偿。
在一种可能的实施方式中，若该第一补偿电压为可信电压，该方法还包括：检测该第一补偿电压下该第一电路板的实时算力；
若该第一补偿电压下该第一电路板的实时算力X次不满足阈值条件，将该第一补偿电压标识为不可信电压，其中，X为预设的正整数。
采用本申请实施例的方案，可以满足在第一电路板长期运行的情况下，仍旧能够自适应的调节不同温度下的补偿电压，提高装置的稳定性和可靠性。
在一种可能的实施方式中，在调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压后，该方法还包括：
将该温度-补偿电压数据表中，该第一温度对应的补偿电压由该第一补偿电压校正为该第一校正补偿电压，得到校正后的温度-补偿电压数据表。
在一种可能的实施方式中，该方法还包括：
对该校正后的温度-补偿电压数据表中的温度-补偿电压数据进行线性拟合，得到拟合后的温度-补偿电压数据表。
在一种可能的实施方式中，该方法还包括：
存储该校正后的温度-补偿电压数据表，和/或该拟合后的温度-补偿电压数据表。
在一种可能的实施方式中，该方法还包括：
获取第二温度，其中，该第二温度为第一电路板的温度；
从该校正后的温度-补偿电压数据表或者该拟合后的温度-补偿电压数据表中获取该第二温度对应的第二补偿电压，该第二补偿电压用于补偿该第一电路板的工作电压；
根据该第二补偿电压下该第一电路板的算力，调整该第二补偿电压以得到该第二温度对应的第二校正补偿电压；
将该校正后的温度-补偿电压数据表或者该拟合后的温度-补偿电压数据表中，该第二温度对应的补偿电压由该第二补偿电压校正为该第二校正补偿电压。
在本实施方式中，通过重新获取第一电路板的第二温度，并对第二温度进行补偿电压校正，并且周而复始重复该方法，可以不断完善温度-补偿电压数据表，使得其中越来越多的温度值均为可信温度，其对应的电压值为可信电压。
在一种可能的实施方式中，该温度-补偿电压数据表中包括多组温度-初始补偿电压数据。
在一种可能的实施方式中，该温度-补偿电压数据表中包括多组温度-初始补偿电压数据以及多组温度-拟合补偿电压数据，其中，该多组温度-拟合补偿电压数据由该多组温度-初始电压补偿数据线性拟合得到。
在一种可能的实施方式中，该多组温度-初始补偿电压数据为根据第二电路板的算力，确定得到的温度-补偿电压数据。
在本实施方式中，当该温度-补偿电压数据表中的多组温度-初始补偿电压数据为通过第二电路板测试得到的数据时，能够更为准确的对第一电路板的补偿电压进行校正，从而提高第一电路板的补偿电压校正的效率，减小校正时间。
在一种可能的实施方式中，该方法还包括：
获取该第三温度，其中，该第三温度为该第二电路板的温度；
在基准补偿电压下根据该第二电路板的算力，调整该基准补偿电压以确定该第三温度对应的第三补偿电压，其中，该第三温度以及该第三补偿电压为该多组温度-初始补偿电压数据中的一组。
在一种可能的实施方式中，该第一电路板包括多个处理器芯片，用于进行数据计算；
该多个处理器芯片设置于该第一电路板的多个电压域上。
在一种可能的实施方式中，该多个处理器芯片的数据线串联，该第一电路板上的多个电压域并联。
第二方面，提供一种电压补偿的装置，包括：
获取单元，用于获取第一温度，其中，该第一温度为第一电路板的温度；
从温度-补偿电压数据表中获取该第一温度对应的第一补偿电压，该第一补偿电压用于补偿该第一电路板的工作电压；
处理单元，用于根据该第一补偿电压下该第一电路板的算力，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压。
第三方面，提供一种电子设备，包括：如第二方面或第二方面的任一可能的实施方式中的电压补偿装置。
在一种可能的实施方式中，该电压补偿的装置还包括：该第一电路板，该第一电路板包括多个处理器芯片，用于进行数据计算；
该多个处理器芯片设置于该第一电路板的多个电压域上。
在一种可能的实施方式中，该多个处理器芯片的数据线串联，该第一电路板上的多个电压域并联。
第四方面，提供一种芯片的电压补偿装置，包括处理器和存储器，该存储器用于存储程序代码，该处理器用于调用该程序代码执行第二方面或第二方面的任一可能的实施方式中的方法。
第五方面，提供一种计算机存储介质，用于存储程序代码，该程序代码用于执行第一方面或第一方面的任一可能的实施方式中的方法。
附图说明
图1是本申请可以适用的电子设备的示意性框图；
图2是根据本申请实施例的一种电压补偿方法的示意性流程框图；
图3是根据本申请实施例的另一电压补偿方法的示意性流程框图；
图4是根据本申请实施例的另一电压补偿方法的示意性流程框图；
图5是根据本申请实施例的另一电压补偿方法的示意性流程框图；
图6是根据本申请实施例的另一电压补偿方法的示意性流程框图；
图7是根据本申请实施例的另一电压补偿方法的示意性流程框图；
图8是根据本申请实施例的另一电压补偿方法的示意性流程框图；
图9是根据本申请实施例的另一电压补偿方法的示意性流程框图；
图10是根据本申请实施例的拟合后的温度与补偿电压曲线；
图11是根据本申请实施例的一种电压补偿装置的示意性框图；
图12是根据本申请实施例的一种电子设备的示意性框图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
应理解，本文中的具体的例子只是为了帮助本领域技术人员更好地理解本申请实施例，而非限制本申请实施例的范围。
还应理解，在本申请的各种实施例中，各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。
还应理解，本说明书中描述的各种实施方式，既可以单独实施，也可以组合实施，本申请实施例对此并不限定。
除非另有说明，本申请实施例所使用的所有技术和科学术语与本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本申请中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本申请的范围。本申请所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项的任意的和所有的组合。
首先，介绍能够执行本申请实施例提供的电子设备的逻辑结构。
该电子设备可以为数字凭证的处理设备，也可以为其它用于针对专用业务进行运算处理的电子设备，例如计算服务器、通信设备、高性能个人计算机、超算设备等等，本申请实施例对此不做限定。
如图1所示，电子设备10可以包括电源模块110、处理模块120、控制模块130、存储模块140、接口模块150以及散热模块160。应当理解，电子设备10的组件可以比图示具有更少或更多的组件，或者具有不同的组件配置。图1所示的各种组件可以用硬件、软件或软硬件的组合来实现，包括一个或多个信号处理和/或专用集成电路。
电源模块110用于为电子设备10中的其它模块提供电源，可以包括交流-直流转换器(AC to DC converter)、直流-直流转换器(DC to DC converter)以及低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator，LDO)，用于输出不同的直流电压，以满足不同芯片和电路的电压需求。
处理模块120为用于专用计算的计算处理模块，其可以包括多个用于运行计算的芯片。当电子模块10为数字凭证的处理设备时，该处理模块120可以包括一块或者多块算力板(也称之为运算板)，该处理模块120包括的多个芯片(chip)(也称为集成电路(integrated circuit，IC))呈阵列排列在一块或者多块算力板上，用于进行哈希(hash)运算求解哈希值，从而获取数字凭证。
在该处理模块120中，多个芯片的数据线串联连接，多个芯片运算得到的数据通过该数据线传输给控制模块130，换言之，该多个芯片的运算得到的数据通过一个数据传输接口传输给控制模块130，多个芯片的运算数据通过该一个数据传输接口依次传输给控制模块130，而不是每个芯片的数据线均与控制模块130连接，同步传输给控制模块130。
此外，在该处理模块120中，多个芯片分布在多个电压域上，而不是分布在同一个电压域上，多个电压域并联连接，以用于为多个芯片供电。采用该多个电压域的设计方式，使得不同电压域上的芯片不相互影响，提高多个芯片工作的稳定性和可靠性。
可选地，该算力板上的芯片可以为专用集成电路(Application SpecificIntegrated Circuit，ASIC)芯片、图形处理器(Graphics Processing Unit，GPU)芯片、中央处理器(Central Processing Unit，CPU)芯片、现场可编程门阵列(Field ProgrammableGate Array，FPGA)芯片中的任意一种，本申请实施例对此不做限定。
控制模块130可以为一种系统级芯片(System on a Chip，SOC)，用于连接控制电子设备10中的其它模块，保证各个模块间的有序进行和数据通信。该控制模块130可以包括微控制器(Microcontroller Unit，MCU)，微处理器(Microprocessor)，数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、模拟数字转换器(Analog-to-digital converter,ADC)、数字模拟转换器(Digital to analog converter，DAC)以及提供时间脉冲信号的振荡器(Electronic Oscillator)和锁相环电路(Phase Locked Loops，PLL)等等。
其中，控制模块130可以通过锁相环等时钟电路产生不同的时钟信号，从而控制处理模块120中的多个芯片工作在不同的工作频率。此外，控制模块130还可以通过微控制器以及微处理器等电路产生测试数据，并传输给处理模块120中的多个芯片，并接收多个芯片产生的随机数据并进行处理。换言之，控制模块130可以用于控制处理模块120中多个芯片的工作以及接收处理该多个芯片的数据。
此外，控制模块130还可以通过网口与外部网络连接，通过网络设置控制模块130，从而控制电子设备10的运行。
存储模块140可以包括一个或多个双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data Rate SDRAM，DDR SDRAM)，闪存(flash)等存储单元，用于存储运算中的数据以及软件程序等等。其中，软件程序用于控制电子设备10中的硬件模块运行。
具体地，存储模块140中的软件程序包括操作系统(Operating System，OS)以及通信指令集等等，其中，操作系统用于控制和管理常规系统任务，例如内存管理、存储控制以及电源管理等等，以及有助于各种软硬件之间通信的各种软件组件和/或驱动器。该操作系统包括但不限于：Linux，Unix，Windows或者Vxworks等嵌入式操作系统。通信指令集包括用于处理经过接口模块150接收的数据的软件组件，有助于经接口模块与其它设备进行通信。
接口模块150可以包括不同的连线接口，例如通用串行总线(Universal SerialBus，USB)、以太网(Ethernet，ETH)、通用异步收发传输(Universal AsynchronousReceiver/Transmitter，UATR)和串行外设接口(Serial Peripheral Interface Bus，SPI)等，用于直接或者经网络连接多种不同的外部设备。
此外，电子设备10还包括散热模块160，该散热模块160可以为风扇(Fan)，水冷系统或者其它用于对电子设备10散热的装置。电源模块110用于给该散热模块160供电，并且控制模块130用于控制该散热模块160工作。
在电子设备10中，对计算任务的处理速度和处理能力取决于处理模块120。特别地，在数字凭证的处理设备中，该设备的系统性能绝大部分取决于算力板的算力，也即算力板计算哈希函数输出的速度。算力板的算力由其上多个芯片的算力决定，算力板上每一个芯片的算力都会影响设备整体的系统性能。
通常，电子设备10运行在常温下时，其中的电子器件，例如算力板上的多个芯片均运行在常温环境对应的电压、电流以及其他电学参数下。但由于半导体器件的特性，在低温环境下，电子等载流子的运行速度变慢，芯片的电学性能下降，如果此时芯片的电压维持在常温时的工作电压，芯片可能会出现不稳定的工作状态，导致芯片的算力降低，影响电子设备的性能。因此，在低温环境下，需要对芯片进行电压补偿，以维持芯片正常稳定工作。但与此同时，增大芯片的电压会造成芯片的功耗增加。
基于此，本申请实施例提供一种电压补偿方法，能够在低温环境下适应的对芯片的工作电压进行补偿，以维持芯片正常稳定工作并提高芯片的算力，与此同时，不会额外增大芯片的电压，造成芯片的额外功耗，在芯片保持正常运行，具有较高算力的情况下，减小芯片的功耗，使芯片工作在最优的运行状态下。
图2为一种电压补偿方法200的示意性流程框图。可选地，该电压补偿方法200可以由图1中的控制模块130或者电子设备中其它控制器执行。
如图2所示，该电压补偿方法200包括以下步骤。
S210：获取第一温度，其中，第一温度为第一电路板的温度。
可选地，该第一电路板可以为上述电子设备10中的一块算力板。
可选地，该第一电路板上可以设置有至少一个第一芯片，该第一芯片可以为处理器芯片，用于进行数据计算，例如进行哈希运算以获取数字凭证。可选地，该第一芯片可以与图1中电子设备10中的芯片相同。
可选地，第一电路板可以包括多个电压域，当第一电路板上设置多个第一芯片时，该多个第一芯片设置于第一电路板的多个电压域上。其中，第一电路板上的多个电压域相互并联，多个第一芯片的数据线相互串联。
在本申请实施例中，可以通过在第一电路板上设置一个或者多个温度传感器，获取第一电路板的实时温度。其中，该多个温度传感器可以分别位于电路板的四周和/或中心。
可选地，该第一温度可以为多个温度传感器在同一时刻获取的多个温度值中的温度最低值，也可以为多个温度值的温度平均值，或者通过其它方式针对多个温度值处理得到的温度，本申请实施例对此不做限定。
可选地，该第一温度可以为低温温度，例如20℃以下的温度，当获取的温度为低温温度时，该电压补偿方法200可以为针对低温环境的电压补偿方法。
S220：从温度-补偿电压数据表中获取第一温度对应的第一补偿电压，该第一补偿电压用于补偿第一电路板的工作电压。
可选地，在本申请实施例中，第一电路板所在的电子设备中包括存储单元，该存储单元可以位于第一电路板上，或者与该第一电路板分离设置。该存储单元中存储有温度-补偿电压数据表，在该温度-补偿电压数据表中，包括多个温度与补偿电压的数值对，一个温度对应一个补偿电压，共同组成一个数值对，不同的温度对应的补偿电压相同或者不同。
可选地，获取第一电路板的第一温度后，在该温度-补偿电压数据表中查找第一温度，获取该第一温度对应的第一补偿电压。
在一种可能的实施方式中，该温度-补偿电压数据表中包含有与第一温度相同的温度值，则直接获取该温度值对应的电压值为第一温度对应的第一补偿电压。
在另一种可能的实施方式中，该温度-补偿电压数据表中不直接包含有与第一温度相同的温度值，则可以在该数据表中查找与该第一温度最接近的温度值，获取该温度值对应的电压值为第一温度对应的第一补偿电压。
在第三种可能的实施方中，该温度-补偿电压数据表中不直接包含有与第一温度相同的温度值，则可以通过该数据表中的温度-电压值，线性拟合得到该第一温度对应的第一补偿电压值。
可选地，该温度-补偿电压数据表可以为根据经验预设的数据表，也可以为通过其它设备或者装置测试得到的数据表，该测试方法将在下文详细描述。
获取第一温度对应的第一补偿电压后，采用第一补偿电压补偿第一电路板的工作电压，具体地，计算第一补偿电压与基准驱动电压之和为第一驱动电压，采用第一驱动电压驱动第一电路板上至少一个第一芯片，该至少一个第一芯片在第一驱动电压下工作。可选地，其中的基准驱动电压可以为常温下至少一个芯片的正常运行的工作电压，该基准驱动电压为一个固定值。
例如，基准驱动电压为V0，根据温度-补偿电压数据表，获取第一温度下的第一补偿电压为V’，则在第一温度下，采用V0+V’的第一驱动电压驱动第一电路板上至少一个第一芯片。
S230：根据第一补偿电压下第一电路板的算力，调整第一补偿电压以得到第一温度对应的第一校正补偿电压。
当采用第一驱动电压驱动至少一个第一芯片后，对该至少一个第一芯片进行算力检测，判断该至少一个第一芯片中所有第一芯片的算力是否满足预设的阈值条件，并基于判断结果调整第一补偿电压得到满足预设条件的第一校正补偿电压，换言之，经过校正调整后，第一温度下，采用第一校正补偿电压与基准驱动电压之和对第一电路板上至少一个第一芯片进行驱动，该至少一个芯片能够正常运行，且算力能够满足预设的阈值条件。
需要说明的是，在下文中，将第一电路板上至少一个第一芯片的算力也称为第一电路板的算力。该第一电路板的算力检测包括第一电路板上所有的第一芯片的算力检测，可选地，当第一电路板上任意一个或者多个第一芯片的算力检测不满足预设的阈值条件时，则第一电路板的算力检测不满足阈值条件，只有当第一电路板上所有的第一芯片的算力检测满足阈值条件时，第一电路板的算力检测才满足阈值条件。
在本申请实施例中，对第一电路板温度进行检测，并根据温度-补偿电压数据表，基于第一电路板的第一温度进行补偿电压的校正调整，得到第一温度下的第一校正补偿电压，采用该第一校正补偿电压对第一电路板的工作电压进行补偿，在满足第一电路板算力的前提下，不会造成额外功耗的补偿电压，可以提高电子装备的性能。
此外，该第一校正补偿电压为针对当前电路板以及芯片的补偿电压，不同的设备上的电路板及其芯片参数可能不同，采用本申请实施例的方案能够针对不同的设备，有针对的根据不同温度进行补偿电压校正。
图3示出了另一种电压补偿方法300的示意性流程框图。
如图3所示，该电压补偿方法300可以包括以下步骤。
S310：获取第一温度，其中，第一温度为第一电路板的温度。
S320：从温度-补偿电压数据表中获取第一温度对应的第一补偿电压。
S330：基于第一补偿电压对第一电路板的工作电压进行电压补偿。
S340：根据第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，调整第一补偿电压以得到第一温度对应的第一校正补偿电压。
其中，步骤S310的相关技术方案可以参考上述电压补偿方法200中的步骤S210，步骤S320和步骤S330的相关技术方案可以参考上述步骤S220，此处不再赘述。此外，步骤S340可以为上述步骤S230的一种具体实施方式。
在步骤S340中，根据第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，调整第一补偿电压。具体地，第一补偿电压下，第一电路板的驱动电压可以为第一驱动电压(第一补偿电压与基准驱动电压之和)，第一电路板上的至少一个第一芯片在第一驱动电压下工作。
检测第一电路板上每个第一芯片在目标时间段内的算力，根据每个第一芯片的算力检测结果，调整第一补偿电压。
可选地，若第一电路板上所有的第一芯片中，存在至少一个第一芯片在目标时间段内的算力检测结果不满足一定的阈值条件(例如，测试结果小于第一阈值)，则确定该第一电路板的算力检测结果不满足算力阈值条件，采用一种方式调整第一补偿电压。若第一电路板上所有的第一芯片在目标时间段内的算力检测结果均满足一定的阈值条件(例如，大于等于第一阈值)，则确定第一电路板的算力检测结果满足算力阈值条件，采用另一种方式调整第一补偿电压。
可选地，检测第一电路板上所有第一芯片的在目标时间段内算力之和，当所有第一芯片的算力之和不满足一定的阈值条件(例如，测试结果小于第二阈值)，则确定该第一电路板的算力检测结果不满足算力阈值条件，并可以采用一种方式调整第一补偿电压，例如，下文中将结合图5所示的方法300进行详细描述。当第一电路板上所有第一芯片的算力之和满足一定的阈值条件(例如，满足大于等于第二阈值)，则确定该第一电路板的算力检测结果满足算力阈值条件，并可以采用另一种方式调整第一补偿电压，例如，下文中将结合图4所示的方法300进行详细描述。
具体地，一个第一芯片在目标时间段内的算力可以通过统计芯片在目标时间段内计算得到的随机数(nonce)或者是哈希值等运算数据得到，换言之，第一芯片在目标时间段内的算力可以用目标时间内，芯片计算得到的随机数数量或者哈希值数量表征，随机数数量或者哈希值数量越大，则算力板的算力越强。目标时间段内，若第一芯片计算得到随机数或者其它数值数量大于等于一定阈值，则该第一芯片的算力满足算力阈值条件，若第一芯片计算得到随机数或者其它数值数量小于一定阈值，则该第一芯片的算力不满足算力阈值条件。
具体地，控制器对第一芯片发送一个或多个测试数据(pattern)，第一芯片接收该一个或多个测试数据后，对该一个或多个测试数据进行运算，然后将运算得到的结果发送给控制器，其中，运算结果可以是芯片对于该一个或多个测试数据产生得到的随机数(nonce)或者是哈希值等运算数据，该随机数为哈希运算中随机数的随机数，其范围在0～242之间，或者其它的数值范围，本申请实施例对此不做限定。
可选地，该目标时间段可以为10min或者其它任意时间段，本申请实施例对此不做限定。
可选地，第一芯片的算力阈值条件可以为第一芯片理论算力的98％，也可以为其它预设的具体的阈值范围。本申请实施例对具体的算力阈值条件也不做具体限定。
图4示出了另一种电压补偿方法300的示意性流程框图。
如图4所示，该电压补偿方法300可以包括以下步骤。
S310：获取第一温度，其中，第一温度为第一电路板的温度。
S320：从温度-补偿电压数据表中获取第一温度对应的第一补偿电压。
S330：基于第一补偿电压对第一电路板的工作电压进行电压补偿。
S341：若第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，降低N次第一补偿电压得到N个低补偿电压，依次检测N个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力，其中，N为正整数。
其中，该N个低补偿电压依次降低，按照从大到小的顺序排列，即该N个低补偿电压中的第a个低补偿电压大于第a+1个低补偿电压，其中，1≤a≤N，a为正整数。
S3411：若N个低补偿电压中第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，且第i+1个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力也满足算力阈值条件，检测第i+2个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力，其中，i为正整数。
S3412：若N个低补偿电压中第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，且第i+1个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，确定第i个低补偿电压为第一校正补偿电压。
对于步骤S341，可选地，在一种可能的实施方式中，若第一补偿电压下第一电路板中每个第一芯片在目标时间段内的算力均满足第一算力阈值条件，具体地，第一电路板中每个第一芯片在目标时间段内计算得到的随机数数量或者哈希值数量大于等于第一阈值时，N次降低第一补偿电压得到N个低补偿电压，依次检测N个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力。
可选地，在另一种可能的实施方式中，若第一补偿电压下第一电路板中所有第一芯片在目标时间段内的算力之和满足第二算力阈值条件，具体地，第一电路板中所有第一芯片在目标时间段内计算得到的随机数数量之和或者哈希值数量之和大于等于第二阈值时，N次降低第一补偿电压得到N个低补偿电压，依次检测N个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力。
具体地，基于N个低补偿电压依次驱动第一电路板，并依次检测N个低补偿电压下第一电路板的算力。换言之，采用N个低补偿电压中的第一个低补偿电压与基准驱动电压之和驱动第一电路板，并检测第一个低补偿电压下第一电路板的算力；然后采用N个低补偿电压中的第二个低补偿电压与基准驱动电压之和驱动第一电路板，并检测第二个低补偿电压下第一电路板的算力，N个低补偿电压依次按照上述步骤依次驱动第一电路板并依次检测第一电路板的算力。
可选地，本申请实施例中的该N个低补偿电压依次降低，例如，该N个低补偿电压可以设置为基于第一补偿电压的等差数列，该N个低补偿电压线性递减，其公差可以为0.05V或者0.01V，或者其它任意电压值，本申请实施例对此不做限定。
例如，该N个低补偿电压中的第一个低补偿电压为上述第一补偿电压减去0.05V，第二个低补偿电压为第一个补偿电压减去0.05V×2，以此类推，第N个低补偿电压为第一补偿电压减去0.05V×(N-1)。
对于步骤S3411，在本申请实施例中，若N个低补偿电压中的第i个低补偿电压下，第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，且N个低补偿电压中的第i+1个低补偿电压下，第一电路板在目标时间段内的算力仍然满足算力阈值条件时，则基于第i+2个低补偿电压驱动第一电路板，并检测第一电路板在第i+2个低补偿电压下的算力。
对于步骤S3412，若N个低补偿电压中的第i个低补偿电压下，第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，且N个低补偿电压中的第i+1个低补偿电压下，第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，则确定该第i个低补偿电压为第一温度对应的第一校正补偿电压。在此情况下，第i个低补偿电压下，第一电路板的算力满足要求，而小于第i个低补偿电压的第i+1个低补偿电压下，第一电路板的算力不满足要求，此时，第i个低补偿电压为第一电路板满足算力要求的最低补偿电压，在满足算力要求的前提下，不额外增加第一电路板功耗，从而提升装置的整体性能。
可选地，上述第i个低补偿电压可以为第N-1个低补偿电压，即N个低补偿电压中，前N-1个低补偿电压下第一电路板的算力均满足算力阈值要求，仅在第N个低补偿电压下第一电路板的算力不满足算力阈值要求。此时，第一温度对应的第一校正补偿电压为第N-1个低补偿电压。
特别地，在一种可能的实施方式中，若上述第i个低补偿电压为N个低补偿电压中的第一个低补偿电压，在该第一个低补偿电压下，第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，在此情况下，确定第一补偿电压为第一温度对应的第一校正补偿电压。
可选地，在本申请实施例中，N次降低第一补偿电压得到N个低补偿电压的过程可以与检测N个低补偿电压下第一电路板在目标时间段的算力的过程依次交替进行。换言之，将第一补偿电压降低为第一个低补偿电压后，检测第一低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力，然后根据算力检测结果确定是否继续降低第一补偿电压。
可选地，在本申请实施例中，基于N个低补偿电压中的第i个低补偿电压对第一电路板进行电压补偿后，检测第一电路板在目标时间段内的算力，并将该第i个低补偿电压下的第一电路板在目标时间段内的算力检测结果(也写为第i个低补偿电压的算力检测结果)标识并存储起来。
可选地，当第i个低补偿电压下的第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件时，标识第i个低补偿电压的算力检测结果为成功，例如，采用标志位“1”标识第i个低补偿电压的算力检测结果为成功；当第i个低补偿电压下的第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件时，标识第i个低补偿电压的算力检测结果为失败，例如，采用标志位“0”标识第i个低补偿电压的算力检测结果为失败；当第i个低补偿电压下未完成第一电路板在目标时间段内的算力检测时，标识第i个低补偿电压的算力检测结果为不确定，例如，采用标志位“2”标识第i个低补偿电压的算力检测结果为不确定。
因此，可以通过获取第i个低补偿电压的算力检测结果的标志位，确定得到第i个低补偿电压的算力检测结果，从而根据N个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压。
此处需要说明的是，当确定第i个低补偿电压的算力检测结果为不确定时，重新采用第i个低补偿电压对第一电路板进行电压补偿，检测第一电路板在目标时间段内的算力，得到第i个低补偿电压的算力检测结果。
可选地，该N个低补偿电压也可以依次增加，按照从小到大的顺序排列，即该N个低补偿电压中的第a个低补偿电压小于第a+1个低补偿电压，其中，1≤a≤N，a为正整数。
特别地，该N个低补偿电压可以设置为基于第一补偿电压的等差数列，该N个低补偿电压线性递增，其公差可以为0.05V或者0.01V，或者其它任意电压值，本申请实施例对此不做限定。
依次检测N个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力，具体地，若N个低补偿电压中第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，且第i+1个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力也不满足算力阈值条件，检测第i+2个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力，其中，i为正整数。
若N个低补偿电压中第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，且第i+1个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，确定第i+1个低补偿电压为第一校正补偿电压。
在此情况下，其具体实施方式可以参考下文中步骤S3421以及步骤S3422的相关描述，此处不再赘述。
图5示出了另一种电压补偿方法300的示意性流程框图。
如图5所示，该电压补偿方法300可以包括以下步骤。
S310：获取第一温度，其中，第一温度为第一电路板的温度。
S320：从温度-补偿电压数据表中获取第一温度对应的第一补偿电压。
S330：基于第一补偿电压对第一电路板的工作电压进行电压补偿。
S342：若第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，增高M次第一补偿电压为M个高补偿电压，依次检测M个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力，其中，M为正整数。
其中，该M个高补偿电压依次增高，按照从小到大的顺序排列，即该M个高补偿电压中的第a个高补偿电压小于第a+1个高补偿电压，其中，1≤a≤M，a为正整数。
S3421：若M个高补偿电压中第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，且M个高补偿电压中第j+1个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力也不满足算力阈值条件，检测第j+2个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力，其中，j为正整数。
S3422：若M个高补偿电压中第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，且M个高补偿电压中第j+1个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，确定第j+1个高补偿电压为第一校正补偿电压。
类似地，对于步骤S342，在一种可能的实施方式中，若第一补偿电压下第一电路板中每个第一芯片在目标时间段内的算力均不满足第一算力阈值条件，具体地，第一电路板中每个第一芯片在目标时间段内计算得到的随机数数量或者哈希值数量小于第一阈值时，M次增高第一补偿电压得到M个高补偿电压，依次检测M个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力。
可选地，在另一种可能的实施方式中，若第一补偿电压下第一电路板中所有第一芯片在目标时间段内的算力之和不满足第二算力阈值条件，具体地，第一电路板中所有第一芯片在目标时间段内计算得到的随机数数量之和或者哈希值数量之和小于第二阈值时，M次增高第一补偿电压得到M个高补偿电压，依次检测M个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力。
具体地，基于M个高补偿电压依次驱动第一电路板，并依次检测M个高补偿电压下第一电路板的算力。换言之，采用M个高补偿电压中的第一个高补偿电压与基准驱动电压之和驱动第一电路板，并检测第一个高补偿电压下第一电路板的算力；然后采用M个高补偿电压中的第二个高补偿电压与基准驱动电压之和驱动第一电路板，并检测第二个高补偿电压下第一电路板的算力，M个高补偿电压依次按照上述步骤依次驱动第一电路板并依次检测第一电路板的算力。
可选地，本申请实施例中的该M个高补偿电压依次增高，例如，该M个高补偿电压可以设置为基于第一补偿电压的等差数列，该M个高补偿电压线性递增，其公差可以为0.05V或者0.01V，或者其它任意电压值，本申请实施例对此不做限定。
例如，该M个高补偿电压中的第一个高补偿电压为上述第一补偿电压增加0.05V，第二个高补偿电压为第一个补偿电压增加0.05V×2，以此类推，第M个高补偿电压为第一补偿电压增加0.05V×(M-1)。
对于步骤S3421，在本申请实施例中，若M个高补偿电压中的第j个高补偿电压下，第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，且M个高补偿电压中的第j+1个高补偿电压下，第一电路板在目标时间段内的算力仍然不满足算力阈值条件，则基于第j+2个高补偿电压驱动第一电路板，并检测第一电路板在第j+2个高补偿电压下的算力，其中，j为正整数。
对于步骤S3422，若M个高补偿电压中的第j个高补偿电压下，第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，且M个高补偿电压中的第j+1个高补偿电压下，第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，则确定该第j+1个高补偿电压为第一温度对应的第一校正补偿电压。在此情况下，第j个高补偿电压下，第一电路板的算力不满足要求，而大于第j个高补偿电压的第j+1个高补偿电压下，第一电路板的算力满足要求，此时，第j+1个高补偿电压为第一电路板满足算力要求的最低补偿电压，在满足算力要求的前提下，不额外增加第一电路板功耗，从而提升装置的整体性能。
可选地，上述第j+1个高补偿电压可以为第M个高补偿电压，即M个高补偿电压中，前M-1个高补偿电压下第一电路板的算力均不满足算力阈值要求，仅在第M个高补偿电压下第一电路板的算力满足算力阈值要求。此时，第一温度对应的第一校正补偿电压为第M个高补偿电压。
特别地，在一种可能的实施方式中，若上述第j个高补偿电压为M个高补偿电压中的第一个高补偿电压，在该第一个高补偿电压下，第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，在此情况下，确定第一个高补偿电压为第一温度对应的第一校正补偿电压。
可选地，在本申请实施例中，M次增高第一补偿电压得到M个高补偿电压的过程可以与检测M个高补偿电压下第一电路板在目标时间段的算力的过程依次交替进行。换言之，将第一补偿电压增高为第一个高补偿电压后，检测第一高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力，然后根据算力检测结果确定是否继续增高第一补偿电压。
可选地，在本申请实施例中，基于M个高补偿电压中的第j个高补偿电压对第一电路板进行电压补偿后，检测第一电路板在目标时间段内的算力，并将该第j个高补偿电压下的第一电路板在目标时间段内的算力检测结果(也写为第j个高补偿电压的算力检测结果)标识并存储起来。
可选地，当第j个高补偿电压下的第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件时，标识第j个高补偿电压的算力检测结果为成功，例如，采用标志位“1”标识第j个高补偿电压的算力检测结果为成功；当第j个高补偿电压下的第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件时，标识第j个高补偿电压的算力检测结果为失败，例如，采用标志位“0”标识第j个高补偿电压的算力检测结果为失败；当第j个高补偿电压下未完成第一电路板在目标时间段内的算力检测时，标识第j个高补偿电压的算力检测结果为不确定例如，采用标志位“2”标识第j个高补偿电压的算力检测结果为不确定。
因此，可以通过获取第j个高补偿电压的算力检测结果的标志位，确定得到第j个高补偿电压的算力检测结果，从而根据M个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压。
此处需要说明的是，当确定第j个高补偿电压的算力检测结果为不确定时，重新采用第j个高补偿电压对第一电路板进行电压补偿，检测第一电路板在目标时间段内的算力，得到第j个高补偿电压的算力检测结果。
可选地，该M个高补偿电压也可以依次减小，按照从大到小的顺序排列，即该M个高补偿电压中的第a个高补偿电压大于第a+1个高补偿电压，其中，1≤a≤N，a为正整数。
特别地，该M个高补偿电压可以设置为基于第一补偿电压的等差数列，该M个高补偿电压线性递减，其公差可以为0.05V或者0.01V，或者其它任意电压值，本申请实施例对此不做限定。
依次检测M个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力，具体地，若M个高补偿电压中第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，且第j+1个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力也满足算力阈值条件，检测第j+2个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力，其中，j为正整数。
若M个高补偿电压中第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，且第j+1个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，确定第j个高补偿电压为第一校正补偿电压。
在此情况下，其具体实施方式可以参考上文中步骤S3411以及步骤S3412的相关描述，此处不再赘述。
图6示出了另一种电压补偿方法400的示意性流程框图。
如图6所示，该电压补偿方法400可以包括以下步骤。
S410：获取第一温度，其中，第一温度为第一电路板的温度。
S420：从温度-补偿电压数据表中获取第一温度对应的第一补偿电压，该第一补偿电压用于补偿第一电路板的工作电压。
可选地，在本申请实施例中，步骤S410和步骤S420可以与上述电压补偿方法200中的步骤S210和步骤S220相同，相关技术方案可以参考以上描述，此处不再赘述。
在本申请实施例中，下述步骤S431至步骤S4512可以为上述电压补偿方法200中步骤S230的一种具体实施方式。
S431：若第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度满足温度阈值条件，获取第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测结果。
具体地，在采用第一补偿电压补偿第一电路板的工作电压后，判断第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度是否满足温度阈值条件。
可选地，从第一电路板的至少一个温度传感器上获取第一温度后，还持续检测第一电路板上至少一个温度传感器，从而监测在进行第一温度的电压补偿测试的过程中，电路板的温度是否发生变化，避免温度变化导致电压补偿测试的结果不准确。
可选地，获取第一电路板上至少一个温度传感器在目标时间段内的温度值，第一电路板在目标时间段内的温度值计算方式可以与第一温度的计算方式相同或者不同，本申请实施例对此不做限定。例如，若第一温度为至少一个温度传感器在同一时刻获取的至少一个温度值中的温度最低值，则获取至少一个温度传感器在目标时间段内的温度最低值；或者若第一温度为至少一个温度传感器在同一时刻获取的至少一个温度值中的温度平均值，则获取至少一个温度传感器在目标时间段内的温度平均值。
可选地，上述温度检测过程中的目标时间段，可以为10min，5min或者其它任意时间段，本申请实施例对此不做限定。
可选地，上述温度检测过程中，将目标时间段内检测到的温度值(最低值或者平均值)与温度阈值条件比较，该温度阈值条件可以为预设的温度阈值条件，例如，该温度阈值条件可以为第一温度的±α℃范围内，α可以为任意预设的数值，可选地，α＝1。例如，在步骤S410中，获取第一电路板的第一温度为X℃，则温度阈值条件为(X-1)℃至(X+1)℃范围内，其中，X为任意数值。
经过目标时间段的温度检测，得到第一电路板在目标时间段内的温度(例如最低值或者平均值)为Y℃，若X-1≤Y≤X+1，即第一补偿电压下第一电路板在目标时间段的温度在温度阈值范围内，则第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度满足温度阈值条件。
若第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度满足温度阈值条件，获取第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测结果。
应理解，在进行上述目标时间段内的温度检测的过程中，还可以同步进行第一电路板在目标时间段内的算力检测，此时，温度检测过程的目标时间段和算力检测过程的目标时间段可以相同或者不同。例如，均为10min或者，温度检测的目标时间段小于算力检测的目标时间段，等等，本申请实施例对此不做限定。
还应理解，可以同时开始进行目标时间段的温度检测和目标时间段的算力检测，或者可以在进行目标时间段的温度检测之后或者之前进行目标时间段的算力检测，本申请实施例对此同样不做限定。
具体地，获取第一补偿电压下第一电路板在目标时间段的算力检测结果可以参考上述电压补偿方法300中的步骤S340以及其他相关描述，此处不再赘述。
S432：若第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度不满足温度阈值条件，重新获取第一电路板的第一温度。
可选地，上述温度检测过程中，将目标时间段内检测到的温度值(最低值或者平均值)与温度阈值条件比较，若第一补偿电压下第一电路板在目标时间段的温度不在温度阈值范围内，则第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度不满足温度阈值条件。
例如，该温度阈值条件为(X-1)℃至(X+1)℃范围内，其中，X为在步骤S410中，获取第一电路板的第一温度。
经过目标时间段的温度检测，得到第一电路板在目标时间段内的温度(例如最低值或者平均值)为Z℃，若Z≤X-1或者Z≥X+1，即第一补偿电压下第一电路板在目标时间段的温度在温度阈值范围外，则第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度不满足温度阈值条件，此时，在温度检测的过程中，第一电路板的温度变化的范围较大，说明第一电路板所在的环境温度变化较大或者是第一电路板的工作状态异常，在此情况下，测试初始的第一温度对应的校正补偿电压是不稳定的，或者说在此情况下获取的校正补偿电压可靠性不高。因此，不获取此情况下第一电路板的算力检测结果，也不进行第一温度的补偿电压校正过程，而重新进入步骤S410，重新获取第一电路板的第一温度。
S440：若第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，N次降低第一补偿电压得到N个低补偿电压，依次检测N个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力，其中，N为正整数。
该步骤S440发生在步骤S431之后，即获取第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测检测结果后，若第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，N次降低第一补偿电压得到N个低补偿电压，依次检测N个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力。
可选地，该步骤S440可以与图4中步骤S341相同，相关技术方案可以参考以上描述，此处不再赘述。
S451：若N个低补偿电压中第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度满足温度阈值条件，获取第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，其中，i为正整数。
类似地，依次检测N个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力时，当检测到N个低补偿电压中的第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力时，首先检测第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度是否满足温度阈值条件，当满足温度阈值条件时，再获取第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测结果。
具体地，检测第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度是否满足温度阈值条件的温度检测过程与上述步骤S431中，检测第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度是否满足温度阈值条件的温度检测过程类似。
可选地，在目标时间段内，从第一电路板的至少一个温度传感器上获取第一电路板的温度值，该温度值可以为目标时间段内，至少一个温度传感器的温度最低值，或者目标时间段内，至少一个温度传感器的平均值，或者通过其它计算方式对至少一个温度传感器的温度计算得到的温度值。
可选地，上述温度检测过程中的目标时间段，同样可以为10min，5min或者其它任意时间段，本申请实施例对此不做限定。
可选地，在本步骤中，温度阈值条件可以与步骤S431中的温度阈值条件相同，例如，均为第一温度的±α℃范围。
同样地，在本步骤中，在进行上述第i个低补偿电压下目标时间段内的温度检测的过程中，还可以同步进行第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测，此时，温度检测过程的目标时间段和算力检测过程的目标时间段可以相同。例如，均为10min。当然，温度检测过程的目标时间段和算力检测过程的目标时间段也可以不同，例如温度检测的目标时间段小于算力检测的目标时间段等等，本申请实施例对此不做限定。
应理解，在本步骤中，同样可以同时开始进行目标时间段的温度检测和目标时间段的算力检测，或者可以在进行目标时间段的温度检测之后或者之前进行目标时间段的算力检测，本申请实施例对此同样不做限定。
S452：若第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度不满足温度阈值条件，重新获取第一电路板的第一温度。
具体地，在本步骤中，若第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度不在温度阈值条件内，则不获取此情况下第一电路板的算力检测结果，也不进行第一温度的补偿电压校正过程，而重新进入步骤S410，重新获取第一电路板的第一温度。
S4511：若第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，且第i+1个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，检测第i+2个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力。
S4512：若第i个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，且第i+1个低补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，确定第i个低补偿电压为第一校正补偿电压。
可选地，上述步骤S4511和步骤S4512可以与图4中步骤S3411和步骤S3412相同，相关技术方案可以参考以上描述，此处不再赘述。
图7示出了另一种电压补偿方法400的示意性流程框图。
如图7所示，该电压补偿方法400可以包括以下步骤。
S410：获取第一温度，其中，第一温度为第一电路板的温度。
S420：从温度-补偿电压数据表中获取第一温度对应的第一补偿电压，该第一补偿电压用于补偿第一电路板的工作电压。
S431：若第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度满足温度阈值条件，获取第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测结果。
S432：若第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度不满足温度阈值条件，重新获取第一电路板的第一温度。
S460：若第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，M次增高第一补偿电压得到M个高补偿电压，依次检测M个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力，其中，M为正整数。
该步骤S460发生在步骤S431之后，即获取第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测检测结果后，若第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，M次增高第一补偿电压得到M个高补偿电压，依次检测M个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力。
可选地，该步骤S460可以与图5中步骤S342相同，相关技术方案可以参考以上描述，此处不再赘述。
S471：若第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度满足温度阈值条件，获取第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，其中，j为正整数。
类似地，依次检测M个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力时，当检测到M个高补偿电压中的第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力时，首先检测第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度是否满足温度阈值条件，当满足温度阈值条件时，再获取第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测结果。
具体地，检测第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度是否满足温度阈值条件的温度检测过程与上述步骤S431中，检测第一补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度是否满足温度阈值条件的温度检测过程类似。
可选地，在目标时间段内，从第一电路板的至少一个温度传感器上获取第一电路板的温度值，该温度值可以为目标时间段内，至少一个温度传感器的温度最低值，或者目标时间段内，至少一个温度传感器的平均值，或者通过其它计算方式对至少一个温度传感器的温度计算得到的温度值。
可选地，上述温度检测过程中的目标时间段，同样可以为10min，5min或者其它任意时间段，本申请实施例对此不做限定。
可选地，在本步骤中，温度阈值条件可以与步骤S431中的温度阈值条件相同，例如，均为第一温度的±α℃范围。
同样地，在本步骤中，在进行上述第j个高补偿电压下目标时间段内的温度检测的过程中，还可以同步进行第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力检测，此时，温度检测过程的目标时间段和算力检测过程的目标时间段可以相同。例如，均为10min。当然，温度检测过程的目标时间段和算力检测过程的目标时间段也可以不同，例如温度检测的目标时间段小于算力检测的目标时间段等等，本申请实施例对此不做限定。
应理解，在本步骤中，同样可以同时开始进行目标时间段的温度检测和目标时间段的算力检测，或者可以在进行目标时间段的温度检测之后或者之前进行目标时间段的算力检测，本申请实施例对此同样不做限定。
S472：若第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度不满足温度阈值条件，重新获取第一电路板的第一温度。
具体地，在本步骤中，若第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的温度不在温度阈值条件内，则不获取此情况下第一电路板的算力检测结果，也不进行第一温度的补偿电压校正过程，而重新进入步骤S410，重新获取第一电路板的第一温度。
S4711：若第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，且第j+1个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力也不满足算力阈值条件，检测第j+2个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力。
S4712：若第j个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，且第j+1个高补偿电压下第一电路板在目标时间段内的算力满足算力阈值条件，确定第j+1个高补偿电压为第一校正补偿电压。
可选地，上述步骤S4711和步骤S4712可以与图5中的步骤S3421和步骤S3422相同，相关技术方案可以参考以上描述，此处不再赘述。
图8示出了另一种电压补偿方法500的示意性流程框图。
如图8所示，该电压补偿方法500可以包括以下步骤。
S510：获取第一温度，其中，第一温度为第一电路板的温度。
S520：从温度-补偿电压数据表中获取第一温度对应的第一补偿电压，该第一补偿电压用于补偿第一电路板的工作电压。
可选地，在本申请实施例中，步骤S510和步骤S520可以与上述电压补偿方法200中的步骤S210和步骤S220相同，相关技术方案可以参考以上描述，此处不再赘述。
在本申请实施例中，下述步骤S530至步骤S590可以为上述电压补偿方法200中步骤S230的一种具体实施方式。
S530：判断第一补偿电压是否为可信电压。
可选地，在本申请实施例中，可以通过获取标志位来判断第一补偿电压是否为可信电压，若第一补偿电压为可信电压，其对应的第一温度也为可信温度，同样的，若第一补偿电压为不可信电压，其对应的第一温度也为不可信温度。
应理解，在本申请实施例中，标志位可以标识第一温度是否为可信温度，或者标识第一补偿电压是否为可信电压，二者之间可以相互转换。
下文以标志位标识第一补偿电压是否为可信电压为例进行举例说明。
可选地，标志位“1”可以第一补偿电压为可信电压，标志位“0”可以代表第一补偿电压不为可信电压，应理解，其它任意不同的标志位均可以用于判断第一补偿电压是否为可信电压，本申请实施例对此不做具体限定。
具体地，若在温度-补偿电压数据表中获取第一温度对应的第一补偿电压为经过电压补偿校正后的电压值，则该第一温度为可信温度，并且该第一补偿电压为可信电压。其中，该电压补偿校正的过程即为下文中步骤S541的过程。经过电压补偿校正后，可以通过标识位标识第一补偿电压为可信电压。其详细过程将在下文具体描述。
可选地，若第一补偿电压为可信电压，则继续执行S542；若第一补偿电压不为可信电压，则继续执行S541。
S542：基于第一补偿电压对第一电路板的工作电压进行电压补偿。
具体地，当第一补偿电压为可信电压时，不需要对第一补偿电压进行电压补偿校正，而可以直接基于第一补偿电压对第一电路板的工作电压进行电压补偿，换言之，可以直接将第一补偿电压与基准驱动电压之和作为第一电路板的工作电压，驱动第一电路板在第一温度下工作。
S580：检测第一补偿电压下第一电路板的实时算力。
具体地，当第一补偿电压为可信电压，直接基于第一补偿电压对第一电路板的工作电压进行补偿后，还同时检测第一电路板在第一补偿电压下的实时算力，判断其是否满足实际计算需求。其中，第一电路板的实时算力可以为单位时间内，第一电路板中至少一个芯片计算得到随机数数量或者哈希值数量，或者其它计算值的数量，以表征第一电路板在单位之间内的计算能力。
此处需要说明的是，当第一电路板长期运行后，其上方的至少一个第一芯片或者其它的电子元器件可能会发生老化，即该第一芯片或者其它的电子元器件在相同的电学参数下，电学性能变差，第一电路板在长期运行后，算力也会随之衰减。
因此，在前期运行时，若第一温度为可信温度，其对应的第一补偿电压为可信电压，说明该第一补偿电压为前期经过补偿校正后的补偿电压，但随着长时间的运行，第一电路板器件的老化，在后期运行过程中，该经过补偿校正的第一补偿电压值可能不再适用于老化后的第一电路板，需要对第一电路板重新进行补偿电压的校正。
可选地，在本申请实施例中，当第一补偿电压为可信电压时，检测第一电路板的实时算力，以监测第一电路板长期运行后，其算力不满足需求的情况。
可选地，当第一补偿电压不为可信电压时，同样可以检测第一补偿电压下第一电路板的实时算力。
可选地，在本申请实施例的电压补偿方法500中，还可以检测其它电压下第一电路板的实时算力，以持续检测第一电路板的工作状态。
S590：若第一补偿电压下第一电路板的实时算力X次不满足阈值条件，将第一补偿电压标识为不可信电压。
具体地，检测第一补偿电压下第一电路板的实时算力时，同步判断第一电路板的实时算力是否满足阈值条件，若检测到第一电路板的实时算力出现不满足阈值条件的情况，记录该第一电路板的算力不满足阈值条件的情况出现一次，并且，在检测第一补偿电压下第一电路板的实时算力时，累计记录该第一补偿电压下第一电路板的算力不满足阈值条件的次数。
可选地，当第一补偿电压下第一电路板的实时算力X次不满足阈值条件，即累计记录第一补偿电压下第一电路板的算力不满足阈值条件的次数为X时，将第一补偿电压的标志位由可信电压更改为不可信电压，例如，将标志位由“1”修改为“0”，其中，X为预设的任意正整数。
采用本申请实施例的方案，可以满足在第一电路板长期运行的情况下，仍旧能够自适应的调节不同温度下的补偿电压，提高装置的稳定性和可靠性。
S541：根据第一补偿电压下第一电路板的算力，调整第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压。
具体地，当第一补偿电压不为可信电压时，执行该步骤S541及其后续步骤，即根据第一补偿电压下的第一电路板的算力，调整第一温度对应的可信的第一校正补偿电压。
可选地，在本申请实施例中，步骤S541可以与图2中步骤S230相同，或者与图3中的步骤S340相同，或者可以包括图4中的步骤S341至步骤S3412，或者可以包括图5中的步骤S342至步骤S3422，或者还可以包括图6中的步骤S431至步骤S4512，或者还可以包括图7中的步骤S431至步骤S4712。因此，该步骤S541的相关技术特征可以参考以上图2至图7中任一种电压补偿方法中的相关步骤的描述，此处不再赘述。
S550：将第一校正补偿电压标识为可信电压。
具体地，经过电压校正调整，得到第一温度对应的第一校正补偿电压后，可以通过第一标志位将第一校正补偿电压标识为可信电压。
S560：将温度-补偿电压数据表中第一温度对应的第一补偿电压校正为第一校正补偿电压，得到校正后的温度-补偿电压数据表。
具体地，在初始的温度-补偿电压数据表中，第一电路板温度对应的补偿电压为第一补偿电压，在经过上述补偿校准过程后，将初始的温度-补偿电压数据表中第一温度对应的补偿电压设置为第一校正补偿电压，形成校正后的温度-电压补偿数据表，并将校正后的温度-补偿电压数据表进行存储。
可选地，当重新获取第一电路板的温度时(例如第二温度)，根据该重新获取的第一电路板的第二温度，在校正后的温度-补偿电压数据表中确定该第二温度对应的第二补偿电压值。然后，判断该第二温度以及第二补偿电压值是否为可信温度以及可信电压值，根据第二补偿电压下第一电路板的算力，调整第二补偿电压以得到第二温度对应的第二校正补偿电压，再将该温度-补偿电压数据表中的第二补偿电压值校正为第二校正补偿电压值。如此周而复始，可以不断对温度-补偿电压数据表中的数据进行更新和校正，使得温度-补偿电压数据表中的数据均为可信数据。
在步骤S530中，从温度-补偿电压数据表中获取第一温度对应的第一补偿电压后，该第一补偿电压可能为已经经过校正后的可信电压值，也可能为未经过校正的不可信电压值，此时，同样可以通过获取标志位判断第一补偿电压是否为可信电压，从而判断是否对该第一补偿电压进行补偿校正。
S570：对校正后的温度-补偿电压数据表中温度-补偿数据进行线性拟合，得到拟合后的温度-补偿电压数据表。
具体地，经过步骤S560中，初始的温度-补偿电压数据表中，第一温度对应的电压值由第一补偿电压值调整为第一校正补偿电压值，根据校正更新后的温度-补偿电压数据表，对表中的温度-补偿数据进行线性拟合，得到拟合后的温度-补偿电压数据表。
可选地，当重新获取第一电路板的温度时(例如第二温度)，根据该重新获取的第一电路板的第二温度，在拟合后的温度-补偿电压数据表中确定该第二温度对应的第二补偿电压值。然后，判断该第二温度以及第二补偿电压值是否为可信温度以及可信电压值，根据第二补偿电压下第一电路板的算力，调整第二补偿电压以得到第二温度对应的第二校正补偿电压，再将该温度-补偿电压数据表中的第二补偿电压值校正为第二校正补偿电压值，并对校正后的温度-补偿电压数据进行拟合。
可选地，在拟合后的温度-补偿电压数据表中，实际经过补偿校准过程的温度及其对应的补偿电压为可信温度或者为可信电压，而拟合得到的温度及其对应的补偿电压为非可信温度或者为非可信电压。
可选地，上述初始的温度-补偿电压数据表、校正后的温度-补偿电压数据表、以及拟合后的温度-补偿电压数据表均可以作为配置文件存储于存储单元中。该配置文件为动态实时更新的文件，其中的补偿电压数据随着补偿电压的校正过程不断更新。
在本申请实施例中，通过不断的获取第一电路板的不同温度，并对不同温度进行补偿电压校正，可以不断完善该拟合的温度-补偿电压数据表，使得其中越来越多的温度值均为可信温度，其对应的电压值为可信电压。
特别地，在上述申请实施例中，对于第一电路板的电压补偿方法，从第一电路板的温度-补偿电压数据表中获取第一温度对应的第一补偿电压，并根据第一补偿电压下所述第一电路板的算力，调整第一补偿电压以得到第一温度对应的第一校正补偿电压。
可选地，该温度-补偿电压数据表中包括多组温度-初始补偿电压数据，或者该温度-补偿电压数据表中包括多组温度-初始补偿电压数据以及多组温度-拟合补偿电压数据，其中，多组温度-拟合补偿电压数据由多组温度-初始电压补偿数据线性拟合得到。
可选地，该多组温度-初始补偿电压数据表可以为根据经验预设的数据，也可以为通过其它设备或者装置测试得到的数据。
当该温度-补偿电压数据表中的多组温度-初始补偿电压数据为通过其它设备或者装置测试得到的数据时，能够更为准确的对第一电路板的补偿电压进行校正，从而提高第一电路板的补偿电压校正的效率，减小校正时间。
具体地，下面结合图9详细说明如何通过测试得到温度-补偿电压数据表中的多组温度-初始补偿电压数据。该图9中的电压补偿方法600获取得到的温度-补偿电压数据表可以为上述电压补偿方法200至电压补偿方法500中的温度-补偿电压数据表。换言之，本申请实施例中的电压补偿方法600发生在上述电压补偿方法200至电压补偿方法500之前，其执行主体可以与上述电压补偿方法不同。例如，电压补偿方法200至500可以由第一电子设备中的第一控制模块执行，而本申请实施例中的电压补偿方法600由第二电子设备中的第二控制模块执行。该第一控制模块和第二控制模块均可以与图1中的控制模块130相同。
如图9所示，一种电压补偿方法600包括：
S610：获取第三温度，第三温度为第二电路板的温度；
可选地，该第二电路板可以为上述电子设备10中的一块算力板。
可选地，该第二电路板上可以设置有至少一个第二芯片，该第二芯片可以为处理器芯片，用于进行数据计算，例如进行哈希运算以获取数字凭证。可选地，该第二芯片可以与图1中电子设备10中的芯片相同。
可选地，第二电路板可以包括多个电压域，当第二电路板上设置多个第二芯片时，该多个第二芯片设置于第二电路板的多个电压域上。其中，第二电路板上的多个电压域相互并联，多个第二芯片的数据线相互串联。
可选地，该第二电路板为第二电子设备中的电路板，上述第一电路板为第一电子设备中的电路板，该第二电子设备和第一电子设备可以均为同一种类型、用于实现同一功能的电子设备，且该第二电路板和第一电路板同样为同一类型，用于实现同一功能的电路板。该第二电路板和第二电子设备可以称为第一电路板以及第一电子设备的样机。
可选地，将第二电路板设置于第三温度的温箱中，第三温度为温箱预设的温度，第二电路板的温度为其所在的环境温度。或者，还可以通过获取第二电路板上至少一个温度传感器的温度值，获取第二电路板的第三温度。该获取第二电路板的第三温度的过程可以与上述步骤S210中获取第一电路板的第一温度的过程类似，此处不再赘述。
可选地，当第三温度为第二电路板的环境温度时，可以将第三温度设置为任意温度值，例如，该第三温度可以为0℃至25℃之间的任意温度。当然，该第三温度也可以为25℃以下任意温度，本申请实施例对此不做具体限定。
S620：采用基准驱动电压驱动第二电路板，并对第二电路板的算力进行检测。
具体地，该基准驱动电压为第二电路板在常温时的工作电压，例如，该基准驱动电压为第二电路板在25℃时驱动第二电路板上至少一个第二芯片的电压值。
具体地，分别在低功耗模式以及高功耗模式下，或者在低功耗模式或者高功耗模式中的一个模式下，检测工作电压为基准驱动电压时，第二电路板上至少一个第二芯片中每个第二芯片在目标时间段产生的随机数数量，或者检测第二电路板上至少一个第二芯片中所有第二芯片在目标时间段产生的随机数数量之和，得到第二电路板的算力。
可选地，该目标时间段可以为任意时长的时间段，例如5min、10min等，本申请实施例对此不做具体限定。
S621：若该第二电路板的算力满足算力阈值条件，该第三温度对应的第三补偿电压值为0。
可选地，若第二电路板的工作电压为基准驱动电压时，第二电路板上至少一个第二芯片在目标时间段产生的随机数数量在第一阈值内，或者第二电路板上所有第二芯片在目标时间段产生的随机数数量之和在第二阈值内，第二电路板在目标时间段的算力满足算力阈值条件。此时，在第三温度下，不需要对第二电路板的工作电压进行补偿，该第三温度对应的第三补偿电压为0。
S622：若该第二电路板的算力不满足算力阈值条件，基于第一测试补偿电压对该第二电路板的工作电压进行补偿，其中，第一测试补偿电压大于0。
具体地，将该第一测试补偿电压与基准驱动电压求和，得到第一测试驱动电压，该第一测试驱动电压作为第二电路板的工作电压，驱动第二电路板上至少一个第二芯片工作。
具体地，该第一测试补偿电压可以为任意大于0的电压值，可选地，在一种可能的实施方式中，该第一测试补偿电压等于基准驱动电压增加0.05V，或者0.1V等小的电压值。可选地，在另一种可能的实施方式中，该第一测试补偿电压等于基准驱动电压增加1V或者0.5V等大的电压值。当第一测试补偿电压为小的电压值时，可以依次增加测试补偿电压进行算力检测，当第一测试补偿电压为大的电压值时，可以依次减小测试补偿电压进行算力检测，下文以第一测试补偿电压为小的电压值进行举例说明。
S630：检测第一测试补偿电压下该第二电路板在目标时间段的算力。
可选地，在第一测试补偿电压下，检测第二电路板工作在低功耗模式和/或高性能模式，两个模式下的算力。
具体地，分别在低功耗模式以及高功耗模式下，或者在低功耗模式或者高功耗模式中的一个模式下，检测第一测试补偿电压下第二电路板上至少一个第二芯片中每个第二芯片在目标时间段产生的随机数数量，或者检测第一测试补偿电压下第二电路板上至少一个第二芯片中所有第二芯片在目标时间段产生的随机数数量之和，得到第一测试补偿电压下第二电路板的算力。
S641：若第一测试补偿电压下该第二电路板在目标时间段的算力满足算力阈值条件，确定第一测试补偿电压为第三温度对应的第三补偿电压。
可选地，若第一测试补偿电压下第二电路板上至少一个第二芯片在目标时间段产生的随机数数量在第一阈值内，或者第二电路板上所有第二芯片在目标时间段产生的随机数数量之和在第二阈值内，第一测试补偿电压下该第二电路板在目标时间段的算力满足算力阈值条件。其中，该第一阈值和第二阈值均为预设的阈值，其可以为理论数值的98％或者其它任意数值。
在此情况下，可以确定第一测试补偿电压为第三温度对应的第三补偿电压，并且，该第三温度以及其对应的第三补偿电压作为第一电路板中温度-补偿电压数据表中的一组温度-初始补偿电压数据。
S642：若第一测试补偿电压下该第二电路板在目标时间段的算力不满足算力阈值条件，则将第一测试补偿电压增加为第二测试补偿电压，检测第二测试补偿电压下该第二电路板在目标时间段的算力。
可选地，若第一测试补偿电压下第二电路板上至少一个第二芯片在目标时间段产生的随机数数量在第一阈值外，或者第二电路板上所有第二芯片在目标时间段产生的随机数数量之和在第二阈值外，第一测试补偿电压下该第二电路板在目标时间段的算力不满足算力阈值条件。
可选地，将第一测试补偿电压增加单位电压得到第二测试补偿电压，可选地，该单位电压可以为0.01V、0.05V或者其它任意的小电压值，检测第二测试补偿电压下第二电路板的算力。
同样的，若该第二测试补偿电压下，第二电路板的算力不满足阈值条件，则继续将第二测试补偿电压增加为第三测试补偿电压，检测第三测试补偿电压的算力。而若第二测试补偿电压下，第二电路板的算力满足阈值条件，则确定第二测试补偿电压为第三温度对应的第三补偿电压。
通过上述方法，可以确定得到第二电路板在第三温度下对应的补偿电压。同样的，采用同样的方法，可以确定得到该第二电路板上多个温度下对应的补偿电压。
例如，如表1所示，可以通过上述方法确定得到0℃至40℃之间多个温度对应的初始补偿电压。
表1
可选地，除上述表1中多个温度以及初始补偿电压值以外，还可以采用上述方法对0℃至45℃之间的其它多个温度进行检测，得到对应的初始补偿电压，检测的温度越多，则得到的温度-补偿电压数据表的可靠性越高，后续的补偿电压校正过程的时间越短，效率越高。
进一步地，还可以采用上述方法对多块电路板进行检测，得到多个电路板对应的多个温度-补偿电压数据表，将该多个温度-补偿电压数据表中同一个温度对应的多个补偿电压进行平均处理，得到最终的温度-补偿电压数据表。
例如，采用上述方法，分别得到第二电路板、第三电路板以及第四电路板第三温度对应的三个补偿电压，将该三个补偿电压求平均值，将得到的补偿电压平均值作为该第三温度对应的第三补偿电压，并将该第三温度及其对应的第三补偿电压保存至第一电路板的温度-补偿电压数据表中。
可选地，将该温度-补偿电压数据表作为配置文件存储在存储单元中，该存储单元可以为电子设备的存储器，也可以为电路板上的存储单元，或者为电子设备控制器中的存储单元，本申请实施例对此不做限定。
按照该方法获取得到的温度-补偿电压数据表为经过实验校准的数据，可靠性较高，有利于提高电路板的电压校准速度。
进一步地，根据测试得到的多组温度-初始补偿电压，进行线性拟合处理得到一定温度范围内所有温度的温度-补偿电压数据表，该温度-补偿电压数据表中，除上述测试得到的多组温度-初始补偿电压外，还包括多组其它的温度-拟合补偿电压。
具体地，按照电压补偿方法600获取如表1所示的多组温度-初始补偿电压。以温度为横坐标，补偿电压为纵坐标，一个温度与补偿电压的数值对可以表示为该二维坐标系中的一个点，表1所示的初始的温度-补偿电压数据表中多组温度与补偿电压的数值对在如图10所示的二维坐标系中表示为多个点，将多个点中每两个点之间进行线性拟合，得到温度-补偿电压的拟合曲线，从而可以得到一定阈值范围内所有温度对应的补偿电压，形成一定阈值范围内所有温度的温度-补偿电压数据表。
基于该温度-补偿电压数据表，再进行补偿电压校准，同样能够节约实际的校正时间。
上文结合图2至图10，详细描述了本申请的电压补偿方法实施例，下文结合图11，详细描述本申请的电压补偿装置实施例，应理解，装置实施例与方法实施例相互对应，类似的描述可以参照方法实施例。可选地，该电压补偿装置可以为图1中的控制模块130。
图11是根据本申请实施例的电压补偿装置20的示意性框图。
如图11所示，该电压补偿装置20包括：获取单元21和处理单元22；
该获取单元21，用于获取第一温度，其中，该第一温度为第一电路板的温度；
从温度-补偿电压数据表中获取该第一温度对应的第一补偿电压，该第一补偿电压用于补偿该第一电路板的工作电压；
该处理单元22，用于根据该第一补偿电压下该第一电路板的算力，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压。
可选地，该处理单元22用于：基于该第一补偿电压对该第一电路板的工作电压进行电压补偿，根据该第一补偿电压下该第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压。
可选地，该处理单元22用于：若该第一补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力满足算力阈值条件，N次降低该第一补偿电压得到N个低补偿电压，根据该N个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力检测结果，得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，其中，N为正整数；
若该第一补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，M次增高该第一补偿电压为M个高补偿电压，根据该M个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力检测结果，得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，其中，M为正整数。
可选地，该处理单元22用于：若该N个低补偿电压中第i个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力满足算力阈值条件，且该N个低补偿电压中第i+1个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，确定该第i个低补偿电压为该第一校正补偿电压，其中，1≤i≤N-1，i为正整数；
若该M个高补偿电压中第j个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，且该M个高补偿电压中第j+1个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力满足算力阈值条件，确定该第j+1个高补偿电压为该第一校正补偿电压，其中，1≤j≤M-1，j为正整数。
可选地，该N个低补偿电压为基于该第一补偿电压依次递减的N个电压，该M个高补偿电压为基于该第一补偿电压依次递增的M个电压。
可选地，该处理单元22用于：若该N个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的温度满足温度阈值条件，根据该N个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力检测结果，得到该第一温度对应的第一校正补偿电压；
该根据该M个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力检测结果，得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若该M个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的温度满足温度阈值条件，根据该M个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的算力检测结果，得到该第一温度对应的第一校正补偿电压。
可选地，该处理单元22用于：若该N个低补偿电压中至少一个低补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的温度不满足温度阈值条件，重新获取该第一电路板的第一温度；或者，
若该M个高补偿电压中至少一个高补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的温度不满足温度阈值条件，重新获取该第一电路板的第一温度。
可选地，该处理单元22用于：若该第一补偿电压下该第一电路板在该目标时间段内的温度满足温度阈值条件，根据该第一补偿电压下该第一电路板的算力，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压。
可选地，该处理单元22还用于：将该第一温度标识为可信温度，和/或将该第一校正补偿电压标识为可信电压。
可选地，该处理单元22还用于：判断该第一温度是否为可信温度和/或判断该第一补偿电压是否为可信电压。
可选地，该处理单元22用于：若该第一温度为可信温度和/或该第一补偿电压为可信电压，基于该第一补偿电压对该第一电路板的工作电压进行补偿；或者，
若该第一温度为不可信温度以及该第一补偿电压为不可信电压，根据该第一补偿电压下该第一电路板的算力，调整该第一补偿电压以得到该第一温度对应的第一校正补偿电压，基于该第一校正补偿电压对该第一电路板的工作电压进行补偿。
可选地，若该第一温度为可信温度和/或该第一补偿电压为可信电压，该处理单元22还用于：检测该第一补偿电压下该第一电路板的实时算力；
若该第一补偿电压下该第一电路板的实时算力X次不满足阈值条件，将该第一温度标识为不可信温度，和/或将该第一补偿电压标识为不可信电压，其中，X为预设的正整数。
可选地，该处理单元22还用于：将该温度-补偿电压数据表中，该第一温度对应的补偿电压由该第一补偿电压校正为该第一校正补偿电压，得到校正后的温度-补偿电压数据表。
可选地，该处理单元22还用于：对该校正后的温度-补偿电压数据表中的温度-补偿电压数据进行线性拟合，得到拟合后的温度-补偿电压数据表。
可选地，该电压补偿装置20还包括存储单元23，该存储单元23用于存储温度-补偿电压数据表，和/或该校正后的温度-补偿电压数据表，和/或该拟合后的温度-补偿电压数据表。
可选地，该获取单元21还用于：获取第二温度，其中，该第二温度为第一电路板的温度；
该处理单元22还用于：从该校正后的温度-补偿电压数据表或者该拟合后的温度-补偿电压数据表中获取该第二温度对应的第二补偿电压，该第二补偿电压用于补偿该第一电路板的工作电压；
根据该第二补偿电压下该第一电路板的算力，调整该第二补偿电压以得到该第二温度对应的第二校正补偿电压。
可选地，该温度-补偿电压数据表中包括多组温度-初始补偿电压数据。
可选地，该温度-补偿电压数据表中包括多组温度-初始补偿电压数据以及多组温度-拟合补偿电压数据，其中，该多组温度-拟合补偿电压数据由该多组温度-初始电压补偿数据线性拟合得到。
可选地，该多组温度-初始补偿电压数据为根据第二电路板的算力，确定得到的温度-补偿电压数据。
可选地，该获取单元21还用于：获取该第三温度，其中，该第三温度为该第二电路板的温度；
该处理单元22还用于：在基准补偿电压下根据该第二电路板的算力，调整该基准补偿电压以确定该第三温度对应的第三补偿电压，其中，该第三温度以及该第三补偿电压为该多组温度-初始补偿电压数据中的一组。
可选地，该第一电路板包括多个处理器芯片，用于进行数据计算；
该多个处理器芯片设置于该第一电路板的多个电压域上。
可选地，该多个处理器芯片的数据线串联，该第一电路板上的多个电压域并联。
本申请实施例还提供了一种电子设备，该电子设备可以包括上述本申请各种实施例的电压补偿装置。可选地，在一种可能的实施方式中，该电子设备可以为图1中的电子设备10。
图12是根据本申请实施例的电子设备2的示意性框图。
如图12所示，该电子设备2包括：上述电压补偿装置20；
可选地，该电子设备2还包括：至少一个上述第一电路板21，该第一电路板21包括多个处理器芯片，用于进行数据计算；该多个处理器芯片设置于第一电路板的多个电压域上。
可选地，多个处理器芯片的数据线串联，该第一电路板上的多个电压域并联。
可选地，该第一电路板21可以为图1中的处理模块120。
本申请实施例还提供一种电压补偿装置，包括处理器和存储器，该存储器用于存储程序代码，该处理器用于调用该程序代码执行上述方法实施例的电压补偿方法。
本申请实施例还提供一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被计算机执行时使得该计算机执行上述方法实施例的方法。
本申请实施例还提供一种包含指令的计算机程序产品，该指令被计算机执行时使得计算机执行上述方法实施例的方法。
在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其他任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(digital subscriber line，DSL))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如数字视频光盘(digital video disc，DVD))、或者半导体介质(例如固态硬盘(solid state disk，SSD))等。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (47)
1.一种电压补偿的方法，其特征在于，包括：
获取第一温度，其中，所述第一温度为第一电路板的温度；
从温度-补偿电压数据表中获取所述第一温度对应的第一补偿电压，所述第一补偿电压用于补偿所述第一电路板的工作电压；
根据所述第一补偿电压下所述第一电路板的算力，调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，
所述根据所述第一补偿电压下所述第一电路板的算力，调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
基于所述第一补偿电压对所述第一电路板的工作电压进行电压补偿；
根据所述第一补偿电压下所述第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压；
所述根据所述第一补偿电压下所述第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若所述第一补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力满足算力阈值条件，降低N次所述第一补偿电压得到N个低补偿电压，并根据所述N个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，其中，N为正整数；
所述根据所述N个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若所述N个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的温度满足温度阈值条件，根据所述N个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一补偿电压下所述第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若所述第一补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，增高M次所述第一补偿电压为M个高补偿电压，并根据所述M个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，其中，M为正整数。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述N个低补偿电压为基于所述第一补偿电压依次递减的N个电压，所述M个高补偿电压为基于所述第一补偿电压依次递增的M个电压。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述N个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若所述N个低补偿电压中第i个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力满足算力阈值条件，且所述N个低补偿电压中第i+1个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，确定所述第i个低补偿电压为所述第一校正补偿电压，其中，1≤i≤N-1，i为正整数；
所述根据所述M个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若所述M个高补偿电压中第j个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，且所述M个高补偿电压中第j+1个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力满足算力阈值条件，确定所述第j+1个高补偿电压为所述第一校正补偿电压，其中，1≤j≤M-1，j为正整数。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其特征在于，
所述根据所述M个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若所述M个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的温度满足温度阈值条件，根据所述M个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
若所述N个低补偿电压中至少一个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的温度不满足温度阈值条件，重新获取所述第一电路板的第一温度；或者，
若所述M个高补偿电压中至少一个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的温度不满足温度阈值条件，重新获取所述第一电路板的第一温度。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一补偿电压下所述第一电路板的算力，调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，包括：
若所述第一补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的温度满足温度阈值条件，根据所述第一补偿电压下所述第一电路板的算力，调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，在调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压后，所述方法还包括：
将所述第一校正补偿电压标识为可信电压。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一补偿电压下所述第一电路板的算力，调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压之前，所述方法还包括：
判断所述第一补偿电压是否为可信电压。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
若所述第一补偿电压为可信电压，基于所述第一补偿电压对所述第一电路板的工作电压进行补偿；或者，
若所述第一补偿电压为不可信电压，根据所述第一补偿电压下所述第一电路板的算力，调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，基于所述第一校正补偿电压对所述第一电路板的工作电压进行补偿。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，若所述第一补偿电压为可信电压，所述方法还包括：检测所述第一补偿电压下所述第一电路板的实时算力；
若所述第一补偿电压下所述第一电路板的实时算力X次不满足阈值条件，将所述第一补偿电压标识为不可信电压，其中，X为预设的正整数。
12.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，在调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压后，所述方法还包括：
将所述温度-补偿电压数据表中，所述第一温度对应的补偿电压由所述第一补偿电压校正为所述第一校正补偿电压，得到校正后的温度-补偿电压数据表。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述校正后的温度-补偿电压数据表中的温度-补偿电压数据进行线性拟合，得到拟合后的温度-补偿电压数据表。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
存储所述校正后的温度-补偿电压数据表，和/或所述拟合后的温度-补偿电压数据表。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取第二温度，其中，所述第二温度为第一电路板的温度；
从所述校正后的温度-补偿电压数据表或者所述拟合后的温度-补偿电压数据表中获取所述第二温度对应的第二补偿电压，所述第二补偿电压用于补偿所述第一电路板的工作电压；
根据所述第二补偿电压下所述第一电路板的算力，调整所述第二补偿电压以得到所述第二温度对应的第二校正补偿电压；
将所述校正后的温度-补偿电压数据表或者所述拟合后的温度-补偿电压数据表中，所述第二温度对应的补偿电压由所述第二补偿电压校正为所述第二校正补偿电压。
16.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述温度-补偿电压数据表中包括多组温度-初始补偿电压数据。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述温度-补偿电压数据表中还包括多组温度-拟合补偿电压数据，其中，所述多组温度-拟合补偿电压数据由所述多组温度-初始电压补偿数据线性拟合得到。
18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述多组温度-初始补偿电压数据为根据第二电路板的算力，确定得到的温度-补偿电压数据。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取第三温度，其中，所述第三温度为所述第二电路板的温度；
在基准补偿电压下根据所述第二电路板的算力，调整所述基准补偿电压以确定所述第三温度对应的第三补偿电压，其中，所述第三温度以及所述第三补偿电压为所述多组温度-初始补偿电压数据中的一组。
20.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一电路板包括多个处理器芯片，用于进行数据计算；
所述多个处理器芯片设置于所述第一电路板的多个电压域上。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述多个处理器芯片的数据线串联，所述第一电路板上的多个电压域并联。
22.一种电压补偿的装置，其特征在于，包括：
获取单元，用于获取第一温度，其中，所述第一温度为第一电路板的温度；
从温度-补偿电压数据表中获取所述第一温度对应的第一补偿电压，所述第一补偿电压用于补偿所述第一电路板的工作电压；
处理单元，用于根据所述第一补偿电压下所述第一电路板的算力，调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，
所述处理单元用于：
基于所述第一补偿电压对所述第一电路板的工作电压进行电压补偿，根据所述第一补偿电压下所述第一电路板在目标时间段内的算力检测结果，调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压；
所述处理单元用于：
若所述第一补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力满足算力阈值条件，降低N次所述第一补偿电压得到N个低补偿电压，根据所述N个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，其中，N为正整数；
所述处理单元用于：
若所述N个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的温度满足温度阈值条件，根据所述N个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压。
23.根据权利要求22所述的装置，其特征在于，所述处理单元用于：
若所述第一补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，增高M次所述第一补偿电压为M个高补偿电压，根据所述M个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，其中，M为正整数。
24.根据权利要求23所述的装置，其特征在于，所述N个低补偿电压为基于所述第一补偿电压依次递减的N个电压，所述M个高补偿电压为基于所述第一补偿电压依次递增的M个电压。
25.根据权利要求24所述的装置，其特征在于，所述处理单元用于：
若所述N个低补偿电压中第i个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力满足算力阈值条件，且所述N个低补偿电压中第i+1个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，确定所述第i个低补偿电压为所述第一校正补偿电压，其中，1≤i≤N-1，i为正整数；
若所述M个高补偿电压中第j个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力不满足算力阈值条件，且所述M个高补偿电压中第j+1个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力满足算力阈值条件，确定所述第j+1个高补偿电压为所述第一校正补偿电压，其中，1≤j≤M-1，j为正整数。
26.根据权利要求23至25中任一项所述的装置，其特征在于，所述处理单元用于：
若所述M个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的温度满足温度阈值条件，根据所述M个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的算力检测结果，得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压。
27.根据权利要求26所述的装置，其特征在于，所述获取单元还用于：
若所述N个低补偿电压中至少一个低补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的温度不满足温度阈值条件，重新获取所述第一电路板的第一温度；或者，
若所述M个高补偿电压中至少一个高补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的温度不满足温度阈值条件，重新获取所述第一电路板的第一温度。
28.根据权利要求22至25中任一项所述的装置，其特征在于，所述处理单元用于：
若所述第一补偿电压下所述第一电路板在所述目标时间段内的温度满足温度阈值条件，根据所述第一补偿电压下所述第一电路板的算力，调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压。
29.根据权利要求22至25中任一项所述的装置，其特征在于，所述处理单元还用于：
将所述第一校正补偿电压标识为可信电压。
30.根据权利要求29所述的装置，其特征在于，所述处理单元还用于：
判断所述第一补偿电压是否为可信电压。
31.根据权利要求30所述的装置，其特征在于，所述处理单元还用于：
若所述第一补偿电压为可信电压，基于所述第一补偿电压对所述第一电路板的工作电压进行补偿；或者，
若所述第一补偿电压为不可信电压，根据所述第一补偿电压下所述第一电路板的算力，调整所述第一补偿电压以得到所述第一温度对应的第一校正补偿电压，基于所述第一校正补偿电压对所述第一电路板的工作电压进行补偿。
32.根据权利要求31所述的装置，其特征在于，若所述第一补偿电压为可信电压，所述处理单元还用于：
检测所述第一补偿电压下所述第一电路板的实时算力；
若所述第一补偿电压下所述第一电路板的实时算力X次不满足阈值条件，将所述第一温度标识为不可信温度，和/或将所述第一补偿电压标识为不可信电压，其中，X为预设的正整数。
33.根据权利要求22至25中任一项所述的装置，其特征在于，所述处理单元还用于：
将所述温度-补偿电压数据表中，所述第一温度对应的补偿电压由所述第一补偿电压校正为所述第一校正补偿电压，得到校正后的温度-补偿电压数据表。
34.根据权利要求33所述的装置，其特征在于，所述处理单元还用于：
对所述校正后的温度-补偿电压数据表中的温度-补偿电压数据进行线性拟合，得到拟合后的温度-补偿电压数据表。
35.根据权利要求34所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：存储单元，用于存储所述校正后的温度-补偿电压数据表，和/或所述拟合后的温度-补偿电压数据表。
36.根据权利要求34所述的装置，其特征在于，所述获取单元还用于：
获取第二温度，其中，所述第二温度为第一电路板的温度；
所述处理单元还用于：从所述校正后的温度-补偿电压数据表或者所述拟合后的温度-补偿电压数据表中获取所述第二温度对应的第二补偿电压，所述第二补偿电压用于补偿所述第一电路板的工作电压；
根据所述第二补偿电压下所述第一电路板的算力，调整所述第二补偿电压以得到所述第二温度对应的第二校正补偿电压；
将所述校正后的温度-补偿电压数据表或者所述拟合后的温度-补偿电压数据表中，所述第二温度对应的补偿电压由所述第二补偿电压校正为所述第二校正补偿电压。
37.根据权利要求22至25中任一项所述的装置，其特征在于，所述温度-补偿电压数据表中包括多组温度-初始补偿电压数据。
38.根据权利要求37所述的装置，其特征在于，所述温度-补偿电压数据表中还包括多组温度-拟合补偿电压数据，其中，所述多组温度-拟合补偿电压数据由所述多组温度-初始电压补偿数据线性拟合得到。
39.根据权利要求37所述的装置，其特征在于，所述多组温度-初始补偿电压数据为根据第二电路板的算力，确定得到的温度-补偿电压数据。
40.根据权利要求39所述的装置，其特征在于，所述获取单元还用于：
获取第三温度，其中，所述第三温度为所述第二电路板的温度；
所述处理单元还用于：在基准补偿电压下根据所述第二电路板的算力，调整所述基准补偿电压以确定所述第三温度对应的第三补偿电压，其中，所述第三温度以及所述第三补偿电压为所述多组温度-初始补偿电压数据中的一组。
41.根据权利要求22至25中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一电路板包括多个处理器芯片，用于进行数据计算；
所述多个处理器芯片设置于所述第一电路板的多个电压域上。
42.根据权利要求41所述的装置，其特征在于，所述多个处理器芯片的数据线串联，所述第一电路板上的多个电压域并联。
43.一种电子设备，其特征在于，包括：
如权利要求22至42中任一项所述的电压补偿的装置。
44.根据权利要求43所述的电子设备，其特征在于，所述电压补偿的装置还包括：所述第一电路板，所述第一电路板包括多个处理器芯片，用于进行数据计算；
所述多个处理器芯片设置于所述第一电路板的多个电压域上。
45.根据权利要求44所述的电子设备，其特征在于，所述多个处理器芯片的数据线串联，所述第一电路板上的多个电压域并联。
46.一种电压补偿的装置，包括处理器和存储器，所述存储器用于存储程序代码，所述处理器用于调用所述程序代码，执行权利要求1至21中任一项所述的方法。
47.一种计算机可读存储介质，用于存储程序代码，所述程序代码用于执行根据权利要求1至21中任一项所述的方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911166953.4A CN112834809B (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 电压补偿的方法、装置和电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911166953.4A CN112834809B (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 电压补偿的方法、装置和电子设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112834809A CN112834809A (zh) | 2021-05-25 |
| CN112834809B true CN112834809B (zh) | 2023-12-01 |
Family
ID=75922281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911166953.4A Active CN112834809B (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 电压补偿的方法、装置和电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112834809B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103197717A (zh) * | 2013-02-28 | 2013-07-10 | 华为技术有限公司 | 自适应电压调整方法、芯片以及系统 |
| CN103580616A (zh) * | 2012-07-30 | 2014-02-12 | 华为终端有限公司 | 一种功率放大器减耗装置、方法以及移动终端 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8051312B2 (en) * | 2008-05-20 | 2011-11-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus and method for reducing power consumption by an integrated circuit |
| US10338670B2 (en) * | 2016-06-10 | 2019-07-02 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Input voltage reduction for processing devices |
| KR102611839B1 (ko) * | 2017-01-04 | 2023-12-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩 및 이를 포함하는 전자 장치 |
-
2019
- 2019-11-25 CN CN201911166953.4A patent/CN112834809B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103580616A (zh) * | 2012-07-30 | 2014-02-12 | 华为终端有限公司 | 一种功率放大器减耗装置、方法以及移动终端 |
| CN103197717A (zh) * | 2013-02-28 | 2013-07-10 | 华为技术有限公司 | 自适应电压调整方法、芯片以及系统 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 基于近似计算的低功耗GPS捕获引擎匹配滤波器的设计;王敏;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 基础科学辑》(第5期);第48-49页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112834809A (zh) | 2021-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11709534B2 (en) | Method and apparatus for managing global chip power on a multicore system on chip | |
| US8265799B2 (en) | Circuit for controlling dynamic rotation speed of fan, method of controlling dynamic rotation speed of fan, and program for controlling dynamic rotation speed of fan | |
| US9348656B2 (en) | Apparatus and method for managing power among a plurality of processors sharing a thermal platform | |
| US8082454B2 (en) | Managing power consumption based on historical average | |
| US20120144215A1 (en) | Maximum current limiting method and apparatus | |
| US20150378407A1 (en) | Loading-Based Dynamic Voltage And Frequency Scaling | |
| US20200201408A1 (en) | Power monitoring for a processing platform | |
| US9395774B2 (en) | Total platform power control | |
| US20080136397A1 (en) | Operating integrated circuit logic blocks at independent voltages with single voltage supply | |
| US20170068309A1 (en) | Circuits and methods providing voltage adjustment as processor cores become active | |
| WO2017052901A1 (en) | Digital controller including embedded dual-loop feedback | |
| KR20170002388A (ko) | 온도 측정값의 변화율의 결정 | |
| WO2013095943A1 (en) | System, method and apparatus for energy efficiency and energy conservation by configuring power management parameters during run time | |
| US7640446B1 (en) | System-on-chip power reduction through dynamic clock frequency | |
| US9500714B2 (en) | Power consumption monitoring device for a power source | |
| US20220136909A1 (en) | Method and device for temperature detection and thermal management based on power measurement | |
| US8937511B2 (en) | Frequency scaling of variable speed systems for fast response and power reduction | |
| WO2022099477A1 (zh) | 一种功耗控制方法及装置 | |
| CN112834809B (zh) | 电压补偿的方法、装置和电子设备 | |
| US20220179706A1 (en) | Adaptive resource allocation system and method for a target application executed in an information handling system (ihs) | |
| US9514084B2 (en) | Power saving based on clock management claim of priority | |
| CN116557322A (zh) | 一种风扇控制方法和装置 | |
| US20160291680A1 (en) | Power monitor for an electronic device | |
| US20220374062A1 (en) | System management bus link, method and apparatus for determining pull-up resistance thereof, and device | |
| US20140159801A1 (en) | Performance Adaptive Voltage Scaling with Performance Tracking Sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |