CN112802539A - 失效分析方法、计算机设备和存储介质 - Google Patents

失效分析方法、计算机设备和存储介质 Download PDF

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CN112802539A CN202110105459.8A CN202110105459A CN112802539A CN 112802539 A CN112802539 A CN 112802539A CN 202110105459 A CN202110105459 A CN 202110105459A CN 112802539 A CN112802539 A CN 112802539A
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Abstract

本申请涉及一种失效分析方法、计算机设备和存储介质。失效分析方法包括：获取目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据，目标芯片颗粒包括m个物理模块，各物理模块包括若干IO通道，m为大于等于2正整数；将失效数据进行拆分，形成对应各物理模块的m组模块失效数据；根据各模块失效数据，判定各物理模块的局部失效类型；根据各物理模块的局部失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。本申请能够有效提高失效分析效率。

Description

失效分析方法、计算机设备和存储介质
技术领域
本申请涉及存储技术领域，特别是涉及一种失效分析方法、计算机设备和存储介质。
背景技术
存储系统是计算机的重要组成部分之一。存储系统提供写入和读出计算机工作需要的信息(程序和数据)的能力，实现计算机的信息记忆功能。
存储系统内的各个芯片颗粒的存储失效类型的判定通常是由人工进行的，因此其耗费大量的时间与人力成本，限制分析速度与效率。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高失效分析效率的失效分析方法、计算机设备和存储介质。
一种失效分析方法，包括：
获取目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据，所述目标芯片颗粒包括m个物理模块，各所述物理模块包括若干IO通道，m为大于等于2正整数；
将所述失效数据进行拆分，形成对应各所述物理模块的m组模块失效数据；
根据各所述模块失效数据，判定各所述物理模块的局部失效类型；
根据各所述物理模块的局部失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型。
在其中一个实施例中，
在所述根据各所述物理模块的局部失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型之前，且在所述获取目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据之后，还包括：
判断所述失效数据是否满足整体失效类型判据；
如果所述失效数据满足整体失效类型判据，则根据所述整体失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型；
如果所述失效数据不满足整体失效类型判据，则根据各所述物理模块的局部失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型。
在其中一个实施例中，所述失效分析方法应用于存储系统的失效分析，所述存储系统包括n个芯片颗粒，n为大于等于2正整数，所述整体失效类型判据包括系统级整体失效判据与颗粒级整体失效判据。
在其中一个实施例中，所述系统级整体失效判据包括接触失效类型判据，所述接触失效类型判据为与预设数量的其他芯片颗粒的IO通道的失效数据同时失效；
所述判断所述失效数据是否满足整体失效类型判据，包括：
判断所述失效数据是否满足接触失效类型判据；
所述如果所述失效数据满足整体失效类型判据，则根据所述整体失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型，包括：
如果所述失效数据满足接触失效类型判据，则判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型为接触失效类型。
在其中一个实施例中，所述颗粒级整体失效判据包括区块移动失效类型判据，所述区块移动失效类型判据为失效数据均是区块移动模式测试的测试数据；
所述判断所述失效数据是否满足整体失效类型判据，还包括：
如果所述失效数据不满足接触失效类型判据，则判断所述失效数据是否满足区块移动失效类型判据；
所述如果所述失效数据满足整体失效类型判据，则根据所述整体失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型，包括：
如果所述失效数据满足区块移动失效类型判据，则判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型为区块移动失效类型；
所述如果所述失效数据不满足整体失效类型判据，则根据各所述物理模块的局部失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型，包括：
如果所述失效数据不满足区块移动失效类型判据，则根据各所述物理模块的局部失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型。
在其中一个实施例中，所述根据各所述模块失效数据，判定各所述物理模块的局部失效类型，包括：
根据各所述物理模块的模块失效数据，判定所述各物理模块的模块失效类别，所述模块失效类别包括单通道失效类别以及多通道失效类别；
如果所述物理模块的模块失效类别为单通道失效类别，则根据所述单通道失效类别的判断方法，判定所述物理模块的局部失效类型；
如果所述物理模块的模块失效类别为多通道失效类别，则根据所述多通道失效类别的判断方法，判定所述物理模块的局部失效类型。
在其中一个实施例中，所述物理模块包括多个阵列排布的存储单元，各所述存储单元通过对应的所述IO通道进行数据输出；
所述单通道失效类别的判断方法，包括：
判断所述物理模块内的失效数据对应的存储单元的行数值以及列数值是否唯一；
如果所述物理模块内的失效数据对应的存储单元的行数值以及列数值唯一，则判定所述物理模块的局部失效类型为单比特失效类型；
如果所述物理模块内的失效数据对应的存储单元的行数值以及列数值不唯一，则根据所述物理模块的第一判断参量判定其局部失效类型。
在其中一个实施例中，所述第一判断参量包括各失效数据对应的各存储单元之间的最大行间距、最小行间距、最大列间距、最小列间距、行连续间隔比例以及列连续间隔比例，所述行连续间隔比例为对应的存储单元之间的行间距小于等于行间距阈值的失效数据的比例，所述列连续间隔比例为对应的存储单元之间的列间距小于等于列间距阈值的失效数据的比例，
所述如果所述物理模块内的失效数据对应的存储单元的行数值以及列数值不唯一，则根据所述物理模块的第一判断参量判定其局部失效类型，包括：
判断所述最大行间距以及所述最大列间距是否满足第一失效判据，所述第一失效判据为所述最大行间距小于等于行间距阈值，且所述最大列间距大于列间距阈值；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距满足第一失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为行失效类型；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距不满足第一失效判据，则判断所述最大行间距以及所述最大列间距是否满足第二失效判据，所述第二失效判据为所述最大行间距大于行间距阈值，且所述最大列间距小于等于列间距阈值；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距满足第二失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为列失效类型；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距不满足第二失效判据，则判断所述最小行间距以及所述最小列间距是否满足第三失效判据，所述第三失效判据为所述最小行间距小于等于行间距阈值，且所述最小列间距小于等于列间距阈值；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距满足第三失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为双比特失效类型；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距不满足第三失效判据，则判断行连续间隔比例以及列连续间隔比例是否大于比例阈值；
如果所述行连续间隔比例和/或列连续间隔比例大于比例阈值，则判定所述物理模块的局部失效类型为行失效类型和/或列失效类型；
如果所述行连续间隔比例以及所述列连续间隔比例均不大于比例阈值，则判断所述最小行间距以及所述最小列间距是否满足第四失效判据，所述第四失效判据为所述最小行间距大于行间距阈值，或者所述最小列间距大于列间距阈值；
如果所述最小行间距以及所述最小列间距满足第四失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为单比特失效类型；
如果所述最小行间距以及所述最小列间距不满足第四失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为未知类型。
在其中一个实施例中，所述物理模块包括多个阵列排布的存储单元，各所述存储单元通过对应的所述IO通道进行数据输出；
所述多通道失效类别的判断方法，包括：
根据所述物理模块的第二判断参量，判段其局部失效类型。
在其中一个实施例中，所述第二判断参量包括各失效数据对应的各存储单元之间的最小行间距、最大行间距、最大列间距以及行连续间隔比例，所述行连续间隔比例为对应的存储单元之间的行间距小于等于行间距阈值的失效数据的比例，
根据所述第二判断参量，判段所述物理模块的局部失效类型，包括：
判断行连续间隔比例是否大于比例阈值；
如果所述行连续间隔比例不大于比例阈值，则判断所述最大行间距与所述最大列间距是否满足第一失效判据，所述第一失效判据为所述最大行间距小于等于行间距阈值，且所述最大列间距大于列间距阈值；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距满足第一失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为行失效类型；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距不满足第一失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为行失效类型为未知类型；
如果所述行连续间隔比例大于比例阈值，则判断失效的物理模块的数量是否大于第一阈值；
如果失效的物理模块的数量不大于第一阈值，则判定所述物理模块的局部失效类型为行失效类型；
如果失效的物理模块的数量大于第一阈值，则判断失效的IO通道的数量是否大于第二阈值；
如果失效的IO通道的数量大于第二阈值，则判定所述物理模块的局部失效类型为突发失效类型；
如果失效的IO通道的数量不大于第二阈值，则判定所述物理模块的局部失效类型为随机失效类型。
在其中一个实施例中，所述根据各所述物理模块的局部失效类型，判断所述目标芯片颗粒的存储失效类型之后，包括：
根据所述目标芯片颗粒的存储失效类型，判断所述目标芯片颗粒的存储失效类型是否为可修复类型；
如果所述存储失效类型为可修复类型，则根据所述IO通道的失效数据修复所述目标芯片颗粒。
在其中一个实施例中，根据所述目标芯片颗粒的存储失效类型，判断所述目标芯片颗粒的存储失效类型是否为可修复类型之后，还包括：
如果所述存储失效类型不为可修复类型，则根据所述目标芯片颗粒的存储失效类型，获取所述目标芯片颗粒的良率控制方法。
在其中一个实施例中，所述如果所述存储失效类型不为可修复类型，则根据所述目标芯片颗粒的存储失效类型，获取所述目标芯片颗粒的良率控制方法，包括：
根据所述目标芯片颗粒的存储失效类型，分析所述目标芯片颗粒的失效原因；
根据所述目标芯片颗粒的失效原因，获取所述目标芯片颗粒的良率控制方法。
一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述的方法的步骤。
一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述的方法的步骤。
上述失效分析方法、计算机设备和存储介质，通过获取目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据，并根据物理模块对其进行拆分，从而可以根据各物理模块的特性，对目标芯片颗粒的存储失效类型进行快速而有效的自动化判定。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一个实施例中失效分析方法的流程示意图；
图2为另一个实施例中失效分析方法的流程示意图；
图3为又一个实施例中失效分析方法的流程示意图；
图4为一个实施例中各物理模块的局部失效类型的判定流程示意图；
图5为一个实施例中单通道失效类别的判断方法的流程示意图；
图6为另一个实施例中单通道失效类别的判断方法的流程示意图；
图7为一个实施例中多通道失效类别的判断方法的流程示意图；
图8为再一个实施例中失效分析方法的流程示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种特征，但这些特征不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个特征与另一个特征区分。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
本申请提供的失效分析方法、计算机设备和存储介质可适用于各种不同类型的存储系统的系统级失效数据的失效分析，例如其可以对双倍速率同步动态随机存储器(DDR)系统的系统级失效数据进行失效分析。
或者，本申请提供的失效分析方法、计算机设备和存储介质可也可以适用于各种不同类型的单片芯片颗粒的失效数据的失效分析。
在一个实施例中，请参阅图1，提供了一种失效分析方法，包括：
步骤S100，获取目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据，目标芯片颗粒具有m个物理模块，m为大于等于2正整数；
步骤S400，将失效数据进行拆分，形成对应各物理模块的m组模块失效数据；
步骤S500，根据各模块失效数据，判定各物理模块的局部失效类型；
步骤S600，根据各物理模块的局部失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。
作为示例，本实施例方法可以用于存储系统的系统级失效数据的失效分析。此时，存储系统可以包括n个芯片颗粒，n为大于等于2正整数。即，存储系统可以包括多个芯片颗粒。
具体地，每个芯片颗粒上可以包括多个物理模块，物理模块即存储块(Bank)。每个物理模块可以形成一个存储块。并且，每个物理模块可以包括多个存储单元。每个存储单元导通一次可以输出一位(比特)测试数据。可以理解的是，在对芯片颗粒进行测试时，所有存储单元的测试数据中，有正常的数据，也有失效的数据。本文中提到的“失效数据”为测试数据中的失效的数据。
同时，每个物理模块内可以包括若干IO通道。每个IO通道与对应连接一部分存储单元，进而使得各存储单元通过对应的IO通道进行数据输出。
可以理解的是，这里“若干”可以为一个，也可以为“一个以上”。当物理模块内的IO通道数量为一个时，该物理模块内的各存储单元连接至同一IO通道。
此时，在步骤S100中的目标芯片颗粒为存储系统中的各个芯片颗粒。获取目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据之前，可以首先读取存储系统的原始测试文档。存储系统的原始测试文档可以为存储系统内所有失效数据的原始文档。然后，将存储系统的原始测试文档进行拆分，从而可以获取各个芯片颗粒的失效数据。
可以理解的是，存储系统的原始测试文档里包含了一次测试中的所有芯片颗粒的失效数据。将存储系统的原始测试文档进行拆分，获取一个芯片颗粒的失效数据，可以为从原始测试文档里提取出该芯片颗粒的失效数据。
当然，本实施例方法可以用于单片芯片颗粒的失效数据的失效分析。
在步骤S400中，可以根据目标芯片颗粒内部的物理模块，将目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据进行拆分，从而形成对应各物理模块的m组模块失效数据。
同样可以理解的是，这里目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据包含了一次测试中的所有物理模块的失效数据。将目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据进行拆分，形成对应一个物理模块的一组模块失效数据，可以为从目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据中提取该物理模块的一组失效数据。
由于目标芯片颗粒包括多个物理模块，相关关联的存储单元通常位于同一物理模块内。因此，将目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据根据物理模块进行拆分，从而可以更加准确地进行失效分析。
同时，对目标芯片颗粒进行测试时，有可能会有重复测试的情况。因此，将目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据进行拆分的同时，还可以去除重复的失效数据。
在步骤S500中，可以根据相应的模块失效数据，对所有物理模块进行局部失效类型的判定。
在步骤S600中，当完成所有物理模块的局部失效类型的判定后，可以根据所有物理模块的局部失效类型，对目标芯片颗粒的存储失效类型进行综合判定。
作为示例，此时可以根据各个物理模块中出现的各种局部失效类型的优先级别，判定目标芯片颗粒的最终的存储失效类型，并进行输出。
具体地，各种局部失效类型的优先级别可以根据实际情况进行确定。例如，失效的面积越大、失效数据与IO通道问题相关、失效的物理模块的数量较多等均为较严重的失效。因此，可以根据失效面积大小、失效数据是否与IO通道问题相关、失效的物理模块的数量多少等综合确定各种局部失效类型的优先级别。
在本实施例方法中，通过获取目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据，并根据物理模块对其进行拆分，从而可以根据各物理模块的特性，对目标芯片颗粒的存储失效类型进行快速而有效的自动化判定。
在一个实施例中，请参阅图2，在步骤S600之前，且在步骤S100之后，还包括：
步骤S200，判断失效数据是否满足整体失效类型判据；
步骤S300，如果失效数据满足整体失效类型判据，则根据整体失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。
如果失效数据不满足整体失效类型判据，则根据各物理模块的局部失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。
具体地，如果失效数据不满足整体失效类型判据，则可以进入步骤S400，且依次经过步骤S400、步骤S500以及步骤S600。
当然，步骤S200、步骤S300与步骤S400、步骤S500并不是必然按照该顺序依次执行，其并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它合理的顺序执行，本申请对此并没有限制。
在步骤S200中，整体失效类型判据为判定目标芯片颗粒的各IO通道的失效数据是否整体上具有某些规律性特征，从而可以据此快速判定目标芯片颗粒的存储失效类型的判据。
在本实施例方法中，当目标芯片颗粒内的各IO通道失效数据满足整体失效类型判据时，则根据整体失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。
当目标芯片颗粒内的各IO通道失效数据不满足整体失效类型判据，则根据各物理模块的局部失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。
因此，本实施例可以通过整体与局部分析相结合方式准确而高效的判定目标芯片颗粒的存储失效类型。
在一个实施例中，失效分析方法应用于存储系统的失效分析，存储系统包括n个芯片颗粒，n为大于等于2正整数。整体失效类型判据包括系统级整体失效判据与颗粒级整体失效判据。
系统级整体失效判据即存储系统内的包括目标芯片颗粒在内的各个芯片颗粒上的IO通道的失效数据呈现整体性失效的依据，例如呈现整体接触失效的依据。
颗粒级整体失效判据即目标颗粒内的IO通道的失效数据呈现整体性失效的依据，例如呈现整体区块移动失效的依据。
此时，可以结合系统性特征与颗粒性特征，而更加全面准备的进行失效分析。
在一个实施例中，系统级整体失效判据包括接触失效类型判据。
存储系统在进行测试时，通常将其放入测试载具，使其上的各个芯片颗粒与载具电接触从而进行测试。接触失效具体可以为芯片颗粒与载具接触不良从而导致的失效。
接触失效类型判据为与预设数量的其他芯片颗粒的IO通道的失效数据同时失效。
此时，请参阅图3，步骤S200包括：
步骤S210，判断失效数据是否满足接触失效类型判据；
步骤S300包括：
步骤S310，如果失效数据满足接触失效类型判据，则判定目标芯片颗粒的存储失效类型为接触失效类型。
即如果目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据中，大于预设数量的IO通道的失效数据均为失效数据，则判定目标芯片颗粒的存储失效类型为接触失效类型。
在一个实施例中，在上述实施例的基础上，在步骤S210之后，如果失效数据不满足接触失效类型判据，则进行颗粒级整体失效类型判定。颗粒级整体失效判据包括区块移动失效类型判据。
具体地，在对存储系统进行测试时，通常要进行各种模式的测试，在各种模式测试中，可以包括区块移动模式(block move pattern)的测试。block move pattern为不同芯片颗粒间的数据区块移动。
因此，存储系统内的各个芯片颗粒的IO通道失效数据通常包含各种类型的失效数据。而各种类型的失效数据中包括区块移动模式测试的失效数据。
区块移动失效类型判据为失效数据均是区块移动模式测试的测试数据。
此时，请参阅图3，步骤S200还包括：
步骤S220，如果失效数据不满足接触失效类型判据，则判断失效数据是否满足区块移动失效类型判据；
步骤S300包括：
步骤S320，如果失效数据满足区块移动失效类型判据，则判定目标芯片颗粒的存储失效类型为区块移动失效类型；
此时，如果失效数据不满足区块移动失效类型判据，则根据各物理模块的局部失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。
可以理解的是，在本申请实施例中，整体失效类型并不限于上述实施例中的接触失效类型与区块移动失效类型。其也可以为或者还可以包括其他形式的整体失效类型。相应地，步骤S200、步骤S300等也并不限于上述实施例中的形式。
在一个实施例中，请参阅图4，步骤S500包括：
步骤S510，根据各物理模块的模块失效数据，判定各物理模块的模块失效类别，模块失效类别包括单通道失效类别以及多通道失效类别；
步骤S520，如果物理模块的模块失效类别为单通道失效类别，则根据单通道失效类别的判断方法，判定物理模块的局部失效类型；
步骤S530，如果物理模块的模块失效类别为多通道失效类别，则根据多通道失效类别的判断方法，判定物理模块的局部失效类型。
作为示例，在步骤S510中，对于每个物理模块，其模块失效类别的判断方法可以包括：
在步骤S511，根据模块失效数据，判断物理模块内的全部失效数据是否均为对应同一IO通道的数据；
在步骤S512，如果物理模块内的全部失效数据均为对应同一IO通道的数据，则判定物理模块的模块失效类别为单通道失效类别；
在步骤S513，如果物理模块内的全部失效数据不均为对应同一IO通道的数据(即物理模块内的全部失效数据对应多个IO通道的数据)，则判定物理模块的模块失效类别为多通道失效类别。
本实施例首先根据物理模块内的失效数据对应的IO通道的情况，判定物理模块的模块失效类别。然后根据对应模块失效类别的不同的判断方法，判定各个物理模块的局部失效类型，从而使得各个物理模块的局部失效类型的判断更加准确。
在一个实施例中，物理模块包括多个阵列排布的存储单元。各存储单元通过对应的IO通道进行数据输出。
请参阅图5，步骤S520中的单通道失效类别的判断方法，包括：
步骤S11，判断物理模块内的失效数据对应的存储单元的行数值以及列数值是否唯一；
步骤S12，如果物理模块内的失效数据对应的存储单元的行数值以及列数值唯一，则判定物理模块的局部失效类型为单比特失效类型；
步骤S13，如果物理模块内的失效数据对应的存储单元的行数值以及列数值不唯一，则根据物理模块的第一判断参量判定其局部失效类型。
在一个实施例中，第一判断参量至少包括各失效数据对应的各存储单元之间的最大行间距、最小行间距、最大列间距、最小列间距、行连续间隔比例以及列连续间隔比例，行连续间隔比例为对应的存储单元之间的行间距小于等于行间距阈值的失效数据的比例，列连续间隔比例为对应的存储单元之间的列间距小于等于列间距阈值的失效数据的比例。
第一判断参量可以在步骤S13之前获取。例如，其可以但不限于在步骤S4之后且在步骤S520之前获取。
在本实施例中，请参阅图6，具体地，步骤S13包括：
步骤S131，判断最大行间距以及最大列间距是否满足第一失效判据，第一失效判据为最大行间距小于等于行间距阈值，且最大列间距大于列间距阈值；
步骤S132，如果最大行间距以及最大列间距满足第一失效判据，则判定物理模块的局部失效类型为行失效类型；
步骤S133，如果最大行间距以及最大列间距不满足第一失效判据，则判断最大行间距以及最大列间距是否满足第二失效判据，第二失效判据为最大行间距大于行间距阈值，且最大列间距小于等于列间距阈值；
步骤S134，如果最大行间距以及最大列间距满足第二失效判据，则判定物理模块的局部失效类型为列失效类型；
步骤S135，如果最大行间距以及最大列间距不满足第二失效判据，则判断最小行间距以及最小列间距是否满足第三失效判据，第三失效判据为最小行间距小于等于行间距阈值，且最小列间距小于等于列间距阈值；
步骤S136，如果最大行间距以及最大列间距满足第三失效判据，则判定物理模块的局部失效类型为双比特失效类型；
步骤S137，如果最大行间距以及最大列间距不满足第三失效判据，则判断行连续间隔比例以及列连续间隔比例是否大于比例阈值；
步骤S138，如果行连续间隔比例和/或列连续间隔比例大于比例阈值，则判定物理模块的局部失效类型为行失效类型和/或列失效类型；
步骤S139，如果行连续间隔比例以及列连续间隔比例均不大于比例阈值，则判断最小行间距以及最小列间距是否满足第四失效判据，第四失效判据为最小行间距大于行间距阈值，或者最小列间距大于列间距阈值；
步骤S1310，如果最小行间距以及最小列间距满足第四失效判据，则判定物理模块的局部失效类型为单必特失效类型；
步骤S1311，如果最小行间距以及最小列间距不满足第四失效判据，则判定物理模块的局部失效类型为未知类型。
可以理解的是，这里各步骤中的“行间距阈值”、“列间距阈值”、“比例阈值”可以根据实际情况进行设定。作为示例，“行间距阈值”可以统一设为2，“列间距阈值”可以统一设为8。
本实施例以最大行间距、最小行间距、最大列间距、最小列间距作为第一判断参量，可以对物理模块的局部失效类型进行有效判断。
当然，在其他实施例中，第一判断参量并不限于本实施例所到的判断参量。相应地，物理模块的局部失效类型的判断过程也并不限于本实施例的形式。
在一个实施例中，物理模块包括多个阵列排布的存储单元。各存储单元通过对应的IO通道进行数据输出。
步骤S530中的多通道失效类别的判断方法，包括：
步骤S21，根据物理模块的第二判断参量，判断其局部失效类型。
第二判断参量可以在步骤S21之前获取。例如，其可以但不限于在步骤S4之后且在步骤S520之前获取。
在一个实施例中，第二判断参量至少包括各失效数据对应的各存储单元之间的最小行间距、最大行间距、最大列间距以及行连续间隔比例，行连续间隔比例为对应的存储单元之间的行间距小于等于行间距阈值的失效数据的比例。
此时，请参阅图7，步骤S21具体可以包括：
步骤S211，判断行连续间隔比例是否大于比例阈值；
步骤S212，如果行连续间隔比例不大于比例阈值，则判断最大行间距与最大列间距是否满足第一失效判据，第一失效判据为最大行间距小于等于行间距阈值，且最大列间距大于列间距阈值；
步骤S213，如果最大行间距以及最大列间距满足第一失效判据，则判定物理模块的局部失效类型为行失效类型；
步骤S214，如果最大行间距以及最大列间距不满足第一失效判据，则判定物理模块的局部失效类型为行失效类型为未知类型；
步骤S215，如果行连续间隔比例大于比例阈值，则判断失效的物理模块的数量是否大于第一阈值；
步骤S216，如果失效的物理模块的数量不大于第一阈值，则判定物理模块的局部失效类型为行失效类型；
步骤S217，如果失效的物理模块的数量大于第一阈值，则判断失效的IO通道的数量是否大于第二阈值；
步骤S218，如果失效的IO通道的数量大于第二阈值，则判定物理模块的局部失效类型为突发失效类型；
步骤S219，如果失效的IO通道的数量不大于第二阈值，则判定物理模块的局部失效类型为随机失效类型。
这里的突发失效类型与随机失效类型中的失效数据为与IO通道问题相关的数据。
可以理解的是，这里各步骤中的“行间距阈值”、“列间距阈值”、“比例阈值”、“第一阈值”、“第二阈值”可以根据实际情况进行设定。作为示例，“行间距阈值”可以统一设为2，“列间距阈值”可以统一设为8。
本实施例以最大行间距、最小行间距、最大列间距作为第二判断参量，可以对物理模块的局部失效类型进行有效判断。
当然，在其他实施例中，第二判断参量并不限于本实施例所到的判断参量。相应地，物理模块的局部失效类型的判断过程也并不限于本实施例的形式。
在一个实施例中，请参阅图8，步骤S600之后，还包括：
步骤S700，根据目标芯片颗粒的存储失效类型，判断目标芯片颗粒的存储失效类型是否为可修复类型；
步骤S800，如果存储失效类型为可修复类型，则根据IO通道的失效数据修复目标芯片颗粒。
此时，可以通过修复，有效提高目标芯片颗粒的良率。
可修复类型例如可以包括单比特失效类型。目标芯片颗粒内可以设有若干替换单元，当单比特失效类型对应的存储单元出现错误时，可以利用替换单元代替错误的存储单元，从而实现根据IO通道的失效数据修复目标芯片颗粒。
在一个实施例中，步骤S700之后，还包括：
步骤S900，如果存储失效类型不为可修复类型，则根据目标芯片颗粒的存储失效类型，获取目标芯片颗粒的良率控制方法。
作为示例，步骤S900可以包括：
步骤S910，根据目标芯片颗粒的存储失效类型，分析目标芯片颗粒的失效原因；
步骤S920，根据目标芯片颗粒的失效原因，获取目标芯片颗粒的良率控制方法。
此时，可以通过失效原因分析，发现目标芯片颗粒可能存在的问题，并由此获取芯片颗粒的良率控制方法，进而可以有效实现之后生产的芯片颗粒的良率提升。
具体地，分析系统中可以存储有多种失效原因以及多种良率控制方法。并且，可以存储有失效原因与良率控制方法的对应关系。由此，可以根据目标芯片颗粒的失效原因，获取目标芯片颗粒的良率控制方法。
这里，在实际应用中，在通过分析系统自动获取良率控制方法的同时，工程人员也可以进行工程分析，从而结合工程分析结果与分析系统获取结果，而更加有效的提高芯片颗粒的良率。
应该理解的是，虽然图1-图8的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1-图8中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
步骤S100，获取目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据，目标芯片颗粒包括m个物理模块，各物理模块包括若干IO通道，m为大于等于2正整数；
步骤S400，将失效数据进行拆分，形成对应各物理模块的m组模块失效数据；
步骤S500，根据各模块失效数据，判定各物理模块的局部失效类型；
步骤S600，根据各物理模块的局部失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
步骤S200，判断失效数据是否满足整体失效类型判据；
步骤S300，如果失效数据满足整体失效类型判据，则根据整体失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。
如果失效数据不满足整体失效类型判据，则根据各物理模块的局部失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
步骤S100，获取目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据，目标芯片颗粒包括m个物理模块，各物理模块包括若干IO通道，m为大于等于2正整数；
步骤S400，将失效数据进行拆分，形成对应各物理模块的m组模块失效数据；
步骤S500，根据各模块失效数据，判定各物理模块的局部失效类型；
步骤S600，根据各物理模块的局部失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
步骤S200，判断失效数据是否满足整体失效类型判据；
步骤S300，如果失效数据满足整体失效类型判据，则根据整体失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。
如果失效数据不满足整体失效类型判据，则根据各物理模块的局部失效类型，判定目标芯片颗粒的存储失效类型。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“其他实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (15)

1.一种失效分析方法，其特征在于，包括：
获取目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据，所述目标芯片颗粒包括m个物理模块，各所述物理模块包括若干IO通道，m为大于等于2正整数；
将所述失效数据进行拆分，形成对应各所述物理模块的m组模块失效数据；
根据各所述模块失效数据，判定各所述物理模块的局部失效类型；
根据各所述物理模块的局部失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型。
2.根据权利要求1所述的失效分析方法，其特征在于，
在所述根据各所述物理模块的局部失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型之前，且在所述获取目标芯片颗粒内的各IO通道的失效数据之后，还包括：
判断所述失效数据是否满足整体失效类型判据；
如果所述失效数据满足整体失效类型判据，则根据所述整体失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型；
如果所述失效数据不满足整体失效类型判据，则根据各所述物理模块的局部失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型。
3.根据权利要求2所述的失效分析方法，其特征在于，所述失效分析方法应用于存储系统的失效分析，所述存储系统包括n个芯片颗粒，n为大于等于2正整数，所述整体失效类型判据包括系统级整体失效判据与颗粒级整体失效判据。
4.根据权利要求3所述的失效分析方法，其特征在于，所述系统级整体失效判据包括接触失效类型判据，所述接触失效类型判据为与预设数量的其他芯片颗粒的IO通道的失效数据同时失效；
所述判断所述失效数据是否满足整体失效类型判据，包括：
判断所述失效数据是否满足接触失效类型判据；
所述如果所述失效数据满足整体失效类型判据，则根据所述整体失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型，包括：
如果所述失效数据满足接触失效类型判据，则判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型为接触失效类型。
5.根据权利要求4所述的失效分析方法，其特征在于，所述颗粒级整体失效判据包括区块移动失效类型判据，所述区块移动失效类型判据为失效数据均是区块移动模式测试的测试数据；
所述判断所述失效数据是否满足整体失效类型判据，还包括：
如果所述失效数据不满足接触失效类型判据，则判断所述失效数据是否满足区块移动失效类型判据；
所述如果所述失效数据满足整体失效类型判据，则根据所述整体失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型，包括：
如果所述失效数据满足区块移动失效类型判据，则判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型为区块移动失效类型；
所述如果所述失效数据不满足整体失效类型判据，则根据各所述物理模块的局部失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型，包括：
如果所述失效数据不满足区块移动失效类型判据，则根据各所述物理模块的局部失效类型，判定所述目标芯片颗粒的存储失效类型。
6.根据权利要求1所述的失效分析方法，其特征在于，所述根据各所述模块失效数据，判定各所述物理模块的局部失效类型，包括：
根据各所述物理模块的模块失效数据，判定所述各物理模块的模块失效类别，所述模块失效类别包括单通道失效类别以及多通道失效类别；
如果所述物理模块的模块失效类别为单通道失效类别，则根据所述单通道失效类别的判断方法，判定所述物理模块的局部失效类型；
如果所述物理模块的模块失效类别为多通道失效类别，则根据所述多通道失效类别的判断方法，判定所述物理模块的局部失效类型。
7.根据权利要求6所述的失效分析方法，其特征在于，所述物理模块包括多个阵列排布的存储单元，各所述存储单元通过对应的所述IO通道进行数据输出；
所述单通道失效类别的判断方法，包括：
判断所述物理模块内的失效数据对应的存储单元的行数值以及列数值是否唯一；
如果所述物理模块内的失效数据对应的存储单元的行数值以及列数值唯一，则判定所述物理模块的局部失效类型为单比特失效类型；
如果所述物理模块内的失效数据对应的存储单元的行数值以及列数值不唯一，则根据所述物理模块的第一判断参量判定其局部失效类型。
8.根据权利要求7所述的失效分析方法，其特征在于，所述第一判断参量至少包括各失效数据对应的各存储单元之间的最大行间距、最小行间距、最大列间距、最小列间距、行连续间隔比例以及列连续间隔比例，所述行连续间隔比例为对应的存储单元之间的行间距小于等于行间距阈值的失效数据的比例，所述列连续间隔比例为对应的存储单元之间的列间距小于等于列间距阈值的失效数据的比例，
所述如果所述物理模块内的失效数据对应的存储单元的行数值以及列数值不唯一，则根据所述物理模块的第一判断参量判定其局部失效类型，包括：
判断所述最大行间距以及所述最大列间距是否满足第一失效判据，所述第一失效判据为所述最大行间距小于等于行间距阈值，且所述最大列间距大于列间距阈值；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距满足第一失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为行失效类型；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距不满足第一失效判据，则判断所述最大行间距以及所述最大列间距是否满足第二失效判据，所述第二失效判据为所述最大行间距大于行间距阈值，且所述最大列间距小于等于列间距阈值；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距满足第二失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为列失效类型；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距不满足第二失效判据，则判断所述最小行间距以及所述最小列间距是否满足第三失效判据，所述第三失效判据为所述最小行间距小于等于行间距阈值，且所述最小列间距小于等于列间距阈值；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距满足第三失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为双比特失效类型；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距不满足第三失效判据，则判断行连续间隔比例以及列连续间隔比例是否大于比例阈值；
如果所述行连续间隔比例和/或列连续间隔比例大于比例阈值，则判定所述物理模块的局部失效类型为行失效类型和/或列失效类型；
如果所述行连续间隔比例以及所述列连续间隔比例均不大于比例阈值，则判断所述最小行间距以及所述最小列间距是否满足第四失效判据，所述第四失效判据为所述最小行间距大于行间距阈值，或者所述最小列间距大于列间距阈值；
如果所述最小行间距以及所述最小列间距满足第四失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为单比特失效类型；
如果所述最小行间距以及所述最小列间距不满足第四失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为未知类型。
9.根据权利要求6所述的失效分析方法，其特征在于，所述物理模块包括多个阵列排布的存储单元，各所述存储单元通过对应的所述IO通道进行数据输出；
所述多通道失效类别的判断方法，包括：
根据所述物理模块的第二判断参量，判断其局部失效类型。
10.根据权利要求9所述的失效分析方法，其特征在于，所述第二判断参量至少包括各失效数据对应的各存储单元之间的最小行间距、最大行间距、最大列间距以及行连续间隔比例，所述行连续间隔比例为对应的存储单元之间的行间距小于等于行间距阈值的失效数据的比例，
根据所述第二判断参量，判断所述物理模块的局部失效类型，包括：
判断行连续间隔比例是否大于比例阈值；
如果所述行连续间隔比例不大于比例阈值，则判断所述最大行间距与所述最大列间距是否满足第一失效判据，所述第一失效判据为所述最大行间距小于等于行间距阈值，且所述最大列间距大于列间距阈值；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距满足第一失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为行失效类型；
如果所述最大行间距以及所述最大列间距不满足第一失效判据，则判定所述物理模块的局部失效类型为行失效类型为未知类型；
如果所述行连续间隔比例大于比例阈值，则判断失效的物理模块的数量是否大于第一阈值；
如果失效的物理模块的数量不大于第一阈值，则判定所述物理模块的局部失效类型为行失效类型；
如果失效的物理模块的数量大于第一阈值，则判断失效的IO通道的数量是否大于第二阈值；
如果失效的IO通道的数量大于第二阈值，则判定所述物理模块的局部失效类型为突发失效类型；
如果失效的IO通道的数量不大于第二阈值，则判定所述物理模块的局部失效类型为随机失效类型。
11.根据权利要求1所述的失效分析方法，其特征在于，所述根据各所述物理模块的局部失效类型，判断所述目标芯片颗粒的存储失效类型之后，包括：
根据所述目标芯片颗粒的存储失效类型，判断所述目标芯片颗粒的存储失效类型是否为可修复类型；
如果所述存储失效类型为可修复类型，则根据所述IO通道的失效数据修复所述目标芯片颗粒。
12.根据权利要求11所述的失效分析方法，其特征在于，根据所述目标芯片颗粒的存储失效类型，判断所述目标芯片颗粒的存储失效类型是否为可修复类型之后，还包括：
如果所述存储失效类型不为可修复类型，则根据所述目标芯片颗粒的存储失效类型，获取所述目标芯片颗粒的良率控制方法。
13.根据权利要求12所述的失效分析方法，其特征在于，所述如果所述存储失效类型不为可修复类型，则根据所述目标芯片颗粒的存储失效类型，获取所述目标芯片颗粒的良率控制方法，包括：
根据所述目标芯片颗粒的存储失效类型，分析所述目标芯片颗粒的失效原因；
根据所述目标芯片颗粒的失效原因，获取所述目标芯片颗粒的良率控制方法。
14.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至13中任一项所述的方法的步骤。
15.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至13中任一项所述的方法的步骤。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113505344A (zh) * 2021-07-16 2021-10-15 长鑫存储技术有限公司 机台插槽的异常侦测方法、修复方法和异常侦测系统
WO2022160574A1 (zh) * 2021-01-26 2022-08-04 长鑫存储技术有限公司 失效分析方法、计算机设备和存储介质
CN118133778A (zh) * 2024-05-07 2024-06-04 杭州广立微电子股份有限公司 失效点分析方法、装置、计算机设备和存储介质

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117147608B (zh) * 2023-10-27 2024-01-26 万向钱潮股份公司 一种轴承表面剥落失效检测方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030028342A1 (en) * 2001-07-20 2003-02-06 Frank Adler Method for the defect analysis of memory modules
CN101290901A (zh) * 2007-04-17 2008-10-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆质量分析方法及装置
CN101908382A (zh) * 2009-06-04 2010-12-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 芯片失效的数据分类分析方法及其装置
CN105206304A (zh) * 2015-09-12 2015-12-30 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法及系统
CN110970085A (zh) * 2018-09-30 2020-04-07 长鑫存储技术有限公司 Dram良率分析系统

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6553521B1 (en) * 2000-02-24 2003-04-22 Infineon Technologies, Richmond L.P. Method for efficient analysis semiconductor failures
US7543198B2 (en) * 2005-10-21 2009-06-02 International Business Machines Corporation Test data reporting and analyzing using data array and related data analysis
JP2011129218A (ja) * 2009-12-18 2011-06-30 Toshiba Corp 不良解析方法、不良解析装置および不良解析プログラム
US9558093B2 (en) * 2014-07-30 2017-01-31 Microsoft Technology Licensing, Llc Visual tools for failure analysis in distributed systems
CN107610738A (zh) * 2017-09-29 2018-01-19 北京中电华大电子设计有限责任公司 一种高效的存储器失效分析方法
CN112802539B (zh) * 2021-01-26 2022-04-19 长鑫存储技术有限公司 失效分析方法、计算机设备和存储介质

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030028342A1 (en) * 2001-07-20 2003-02-06 Frank Adler Method for the defect analysis of memory modules
CN101290901A (zh) * 2007-04-17 2008-10-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆质量分析方法及装置
CN101908382A (zh) * 2009-06-04 2010-12-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 芯片失效的数据分类分析方法及其装置
CN105206304A (zh) * 2015-09-12 2015-12-30 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法及系统
CN110970085A (zh) * 2018-09-30 2020-04-07 长鑫存储技术有限公司 Dram良率分析系统

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022160574A1 (zh) * 2021-01-26 2022-08-04 长鑫存储技术有限公司 失效分析方法、计算机设备和存储介质
CN113505344A (zh) * 2021-07-16 2021-10-15 长鑫存储技术有限公司 机台插槽的异常侦测方法、修复方法和异常侦测系统
WO2023284099A1 (zh) * 2021-07-16 2023-01-19 长鑫存储技术有限公司 机台插槽的异常侦测方法、修复方法和异常侦测系统
CN113505344B (zh) * 2021-07-16 2023-08-29 长鑫存储技术有限公司 机台插槽的异常侦测方法、修复方法和异常侦测系统
CN118133778A (zh) * 2024-05-07 2024-06-04 杭州广立微电子股份有限公司 失效点分析方法、装置、计算机设备和存储介质

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