CN112787609A - 一种消除直流失调的单转差放大电路 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种消除直流失调的单转差放大电路，涉及电子电路技术领域，包括：差分放大电路，其被配置为由其一个输入端接收一个输入信号INP，并通过放大该输入信号INP输出差分信号OUTP和差分信号OUTN；比较放大电路，其被配置为接收所述差分信号OUTP和差分信号OUTN，通过比较该差分信号OUTP和差分信号OUTN的直流电平得到直流电平的参考信号INN，并将所述参考信号INN反馈至所述差分放大电路的另一个输入端。本申请消除单转差放大电路输出的直流偏差，以输出直流电平相同的差分信号OUTP和差分信号OUTN，提升信号的传输质量。

Description

一种消除直流失调的单转差放大电路

技术领域

本申请涉及电子电路技术领域，特别涉及一种消除直流失调的单转差放大电路。

背景技术

在电子通信中，常需要将信号放大处理，而差分信号以其抗干扰强，且能够有效抑制电磁辐射被广泛应用。而在单端输入、双端输出的差分电路中，单端信号转换为差分信号时容易出现输出的双端信号之间阻抗不平衡而导致直流失调的情况，从而影响后端的信号分析处理，降低信号的传输效率和系统的灵敏度、线性度等特性。

相关技术中，公开了一种单端输入双端输出的增益可调的低噪声放大器，包括：单端输入端、单转差放大电路、第一级缓冲电路、第二级缓冲电路、第一差分输出端和第二差分输出端。所述单端输入端用于输入单端输入信号；所述单转差放大电路用于对所述单端输入信号进行差分放大；所述第一级缓冲电路用于对所述单转差放大器输出的差分信号进行滤波和放大；所述第二级缓冲电路用于对所述第一级缓冲电路输出的差分信号进行进一步的放大以及相位和幅度调整；所述第一和第二差分输出端用于可选择地输出所述低噪声放大器的差分输出信号。

从该相关技术中，我们可以看出低噪声放大器的差分输出信号由单转差放大电路差分放大后，再通过第一级缓冲电路或第二级缓冲电路进一步放大降噪后输出，其具有输出信号平衡性的特点，然而仍然无法解决单转差放大电路中在输入交直流混合信号后产生的直流失调的问题。

发明内容

本申请实施例提供一种消除直流失调的单转差放大电路，以解决相关技术中单端转差分的电路中出现的直流失调引起的信号失真的问题。

本申请实施例提供了一种消除直流失调的单转差放大电路，包括：

差分放大电路，其被配置为由其一个输入端接收一个输入信号INP，并通过放大该输入信号INP输出差分信号OUTP和差分信号OUTN；

比较放大电路，其被配置为接收所述差分信号OUTP和差分信号OUTN，通过比较该差分信号OUTP和差分信号OUTN的直流电平得到直流电平的参考信号INN，并将所述参考信号INN反馈至所述差分放大电路的另一个输入端。

一些实施例中，所述差分放大电路包括单级或多级差分放大电路。

一些实施例中，所述单级或多级放大差分电路中的第一级差分放大电路包括差分对管，所述差分对管中的一个晶体管的基极被配置为接收所述输入信号INP，另一个晶体管的基极被配置为接收所述参考信号INN。

一些实施例中，所述比较放大电路包括两端输入单端输出的两级比较放大电路。

一些实施例中，所述两级比较放大电路包括：

第一级比较放大电路，其包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M9、第一负载M3和第二负载M4，所述第一晶体管M1的第一端与所述差分放大电路的一个输出端相连，所述第二晶体管M2的第一端与所述差分放大电路的另一个输出端相连，所述第一晶体管M1的第三端和所述第二晶体管M2的第三端均与所述第三晶体管M9的第二端相连，所述第三晶体管M9的第一端接地，所述第三晶体管M9的第三端被配置为接收偏置电压Bias1，所述第一晶体管M1的第二端与所述第一负载M3的一端相连，所述第二晶体管M2的第二端与所述第二负载M4的一端相连，所述第一负载M3和所述第二负载M4的另一端相连；

第二级比较放大电路，其包括第四晶体管M8和第五晶体管M5，所述第四晶体管M8的第一端与所述第二晶体管M2的第二端相连，所述第四晶体管M8的第二端与所述第二负载M4的另一端相连，所述第四晶体管M8的第三端与所述第五晶体管M5的第二端和所述差分放大电路的另一个输入端均相连，所述第五晶体管M5的第三端接地，所述第五晶体管M5的第一端被配置为接收所述偏置电压Bias1。

一些实施例中，所述第二级比较放大电路还包括第六晶体管M7和第七晶体管M6，所述第六晶体管M7和第七晶体管M6依次串接在所述第四晶体管M8和第五晶体管M5之间，所述第六晶体管M7的第一端被配置为接收所述偏置电压Bias3，所述第七晶体管M6的第一端被配置为接收所述偏置电压Bias2，所述第六晶体管M7的第三端和所述第七晶体管M6的第二端均与所述差分放大电路的另一个输入端相连。

一些实施例中，所述第一负载M3为第八晶体管M3，所述第二负载M4为第九晶体管M4，所述第八晶体管M3的第三端和第一端均与所述第一晶体管M1的第二端相连，所述第八晶体管M3的第二端与所述第九晶体管M4的第二端和所述第四晶体管M8的第二端均相连，且所述第八晶体管M3的第二端被配置为接入正向电源Vcc，所述第九晶体管M4的第三端与所述第四晶体管M8的第一端和所述第二晶体管M2的第二端均相连。

一些实施例中，所述第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M9和第五晶体管M5均为P沟道场效应管，所述第四晶体管M8为N沟道场效应管。

一些实施例中，所述单转差放大电路还包括：

RC电路，其耦接于所述差分放大电路的差分输出端与所述比较反馈电路的差分输入端之间。

一些实施例中，所述RC电路包括两个RC支路，所述RC支路包括负载R和电容C，所述负载R的一端连于所述差分放大电路的一个输出端，另一端与所述电容C和所述比较放大电路的一个输入端相连，所述电容C的另一端接地。

本申请提供的技术方案带来的有益效果包括：消除单转差放大电路输出的直流偏差，以输出直流电平相同的差分信号OUTP和差分信号OUTN，提升信号的传输质量。

本申请实施例提供了一种消除直流失调的单转差放大电路，在差分放大电路的输入端和输出端之间接入一个比较放大电路，差分放大电路一端输入一个输入信号INP和双端输出差分信号OUTP和差分信号OUTN，比较放大电路通过比较差分信号OUTP与差分信号OUTN的直流电平得到直流电平的参考信号INN，并将该参考信号反馈至所述差分放大电路的另一个输入端，该参考信号INN和输入信号INP作为差分放大电路的差分输入，能够使得单转差放大电路形成一个闭环的控制回路，不断迭代调整输出的差分信号OUTP和差分信号OUTN，直至差分放大电路双端输出差分信号OUTP与差分信号OUTN的直流电平相同。在本实施例中，比较放大电路根据差分放大电路输出的差分信号不断地动态调整与输入信号INP一同作为差分输入的参考信号INN，能够有效补偿输出的差分信号的直流失调，消除单转差放大电路输出的直流偏差，以输出直流电平相同的差分信号OUTP和差分信号OUTN，进而校正由直流失调引起的信号失真，提升信号的传输质量。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种消除直流失调的单转差放大电路的原理示意图；

图2为单级差分放大电路的电路结构图；

图3为第一种比较放大电路的电路结构图；

图4为本申请实施例提供的一种消除直流失调的单转差放大电路的具体电路结构图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例提供了一种消除直流失调的单转差放大电路，其能消除单转差放大电路输出的直流偏差，以输出直流电平相同的差分信号OUTP和差分信号OUTN，提升信号的传输质量。

参见图1所示，本申请实施例提供了一种消除直流失调的单转差放大电路，包括：

差分放大电路，其被配置为由其一个输入端接收一个输入信号INP，并通过放大该输入信号INP输出差分信号OUTP和差分信号OUTN；

比较放大电路，其被配置为接收所述差分信号OUTP和差分信号OUTN，通过比较该差分信号OUTP和差分信号OUTN的直流电平得到直流电平的参考信号INN，并将所述参考信号INN反馈至所述差分放大电路的另一个输入端。

本申请实施例提供的一种消除直流失调的单转差放大电路，其工作原理为：

差分放大电路的正向输入端接收一个交直流混合的的输入信号INP(直流电平未知)，并通过放大该输入信号INP输出差分信号OUTP和差分信号OUTN，在没有外接电路的干涉中，差分放大电路的输出的差分信号OUTP和差分信号OUTN的直流电平是不同的，若要使得信号的传输质量高，则差分信号OUTP和差分信号OUTN的直流电平是需要相同的；比较放大电路接收差分放大电路的输出的差分信号OUTP和差分信号OUTN，通过比较该差分信号OUTP和差分信号OUTN的直流电平得到直流电平的参考信号INN，并将该参考信号INN反馈至所述差分放大电路的负向输入端，因此，该差分放大电路的正向输入端和负向输入端分别接收输入信号INP和参考信号INN，那么，参考信号INN和输入信号INP作为该差分放大电路的差分输入，能够使得单转差放大电路形成一个闭环的控制回路，通过不断迭代调整输出的差分信号OUTP和差分信号OUTN，直至差分放大电路双端输出差分信号OUTP和差分信号OUTN的直流电平相同。在本实施例中，比较放大电路根据差分放大电路输出的差分信号不断地动态调整与输入信号INP一同作为差分输入的参考信号INN，能够有效补偿输出的差分信号的直流失调，消除单转差放大电路输出的直流偏差，以输出直流电平相同的差分信号OUTP和差分信号OUTN，进而校正由直流失调引起的信号失真，提升信号的传输质量。

在本实施例中，所述比较放大电路是对差分放大电路最终输出的差分信号进行调整，对于不同的放大增益，可以通过设置不同级数的放大电路的实现不同的增益输出，那么优选地，所述差分放大电路包括单级或多级差分放大电路。

进一步地，所述单级或多级放大差分电路中的第一级差分放大电路包括差分对管，如图2所示，所述差分对管中的一个晶体管的基极被配置为接收所述输入信号INP，另一个晶体管的基极被配置为接收所述参考信号INN。

优选地，所述比较放大电路包括两端输入单端输出的两级比较放大电路。在本实施例中，所述比较放大电路为两级比较放大电路，结构组成简单也可满足调整补偿差分放大电路输出的差分信号OUTP和差分信号OUTN之间的直流失调。

如图3所示，所述两级比较放大电路包括第一级比较放大电路和第二级比较放大电路。

所述第一级比较放大电路包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M9、第一负载M3和第二负载M4，所述第一晶体管M1的第一端与所述差分放大电路的一个输出端相连，所述第二晶体管M2的第一端与所述差分放大电路的另一个输出端相连，所述第一晶体管M1的第三端和所述第二晶体管M2的第三端均与所述第三晶体管M9的第二端相连，所述第三晶体管M9的第一端接地，所述第三晶体管M9的第三端被配置为接收偏置电压Bias1，所述第一晶体管M1的第二端与所述第一负载M3的一端相连，所述第二晶体管M2的第二端与所述第二负载M4的一端相连，所述第一负载M3和所述第二负载M4的另一端相连。

所述第二级比较放大电路包括第四晶体管M8和第五晶体管M5，所述第四晶体管M8的第一端与所述第二晶体管M2的第二端相连，所述第四晶体管M8的第二端与所述第二负载M4的另一端相连，所述第四晶体管M8的第三端与所述第五晶体管M5的第二端和所述差分放大电路的另一个输入端均相连，所述第五晶体管M5的第三端接地，所述第五晶体管M5的第一端被配置为接收所述偏置电压Bias1。

进一步地，所述第二级比较放大电路还包括第六晶体管M7和第七晶体管M6，所述第六晶体管M7和第七晶体管M6依次串接在所述第四晶体管M8和第五晶体管M5之间，所述第六晶体管M7的第一端被配置为接收所述偏置电压Bias3，所述第七晶体管M6的第一端被配置为接收所述偏置电压Bias2，所述第六晶体管M7的第三端和所述第七晶体管M6的第二端均与所述差分放大电路的另一个输入端相连。

优选地，所述第一负载M3为第八晶体管M3，所述第二负载M4为第九晶体管M4，所述第八晶体管M3的第三端和第一端均与所述第一晶体管M1的第二端相连，所述第八晶体管M3的第二端与所述第九晶体管M4的第二端和所述第四晶体管M8的第二端均相连，且所述第八晶体管M3的第二端被配置为接入正向电源Vcc，所述第九晶体管M4的第三端与所述第四晶体管M8的第一端和所述第二晶体管M2的第二端均相连。在本实施例中，采用晶体管作为所述第一负载M3、第二负载M4，能够更为快速地调整差分放大电路输出的直流失调。

进一步地，上述的第一端为栅极，第二端为漏级，第三端为源极。

进一步地，所述第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M9和第五晶体管M5均为P沟道场效应管，所述第四晶体管M8为N沟道场效应管。

优选地，所述单转差放大电路还包括：

RC电路，其耦接于所述差分放大电路的差分输出端与所述比较反馈电路的差分输入端之间。

具体地，所述RC电路包括两个RC支路，所述RC支路包括负载R和电容C，所述负载R的一端连于所述差分放大电路的一个输出端，另一端与所述电容C和所述比较放大电路的一个输入端相连，所述电容C的另一端接地。

在本实施例中，所述负载R分压，所述电容C过滤掉差分放大电路输出的射频信号以使得输出到构成差分对的第一晶体管M1和第二晶体管M2的栅极的电平进一步确保是直流的。

如图4所示，本申请实施例具体提供了一种消除直流失调的单转差放大电路，单转差放大电路包括差分放大电路、LC电路和比较放大电路，在本实施例中，差分放大电路和比较放大电路均为两级放大电路。在所述差分放大电路中，包括第一级差分放大电路和第二级差分放大电路，第一级差分放大电路包括晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q5、负载R1和负载R2，尺寸相同的晶体管Q1与晶体管Q2相对设置形成一个差分对管，晶体管Q1的基极接收输入信号，晶体管Q2的基极接收参考信号，晶体Q1的集电极与正向电源Vcc之间串接一个负载R1，晶体管Q2的集电极与正向电源Vcc之间串接一个负载R2，晶体管Q1的发射极和晶体管Q2的发射极均与晶体管Q5的集电极相连，晶体管Q5的发射极接地，且晶体管Q5的基极接收偏置电压Bias以使该第一级差分放大电路在饱和状态下工作；

所述第二级差分放大电路包括晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q6、负载R3和负载R4，尺寸相同的晶体管Q3与晶体管Q4相对设置形成一个差分对管，晶体管Q3的基极与晶体管Q2的集电极相连，晶体管Q4的基极与晶体管Q1的集电极相连，晶体Q3的集电极与正向电源Vcc之间串接一个负载R3，并输出一个差分信号OUTP，晶体管Q4的集电极与正向电源Vcc之间串接一个负载R4，并输出另一个差分信号OUTN，晶体管Q3的发射极和晶体管Q4的发射极均与晶体管Q6的集电极相连，晶体管Q6的发射极接地，且晶体管Q6的基极接收偏置电压Bias以使该第二级差分放大电路在饱和状态下工作；

所述LC电路包括两个LC支路，一个LC支路包括负载R5和电容C1，另一个LC支路包括负载R6和电容C2；负载R5的一端接入输出差分端OUTP，另一端与晶体管M1的栅极相连，且电容C1的一端接入负载R5与晶体管M1的栅极之间，电容C1的另一端接地；负载R6的一端接入输出差分端OUTN，另一端与晶体管M2的栅极相连，且电容C2的一端接入负载R6与晶体管M2的栅极之间，电容C2的另一端接地；

所述比较放大电路包括第一级比较放大电路和第二级比较放大电路，第一级比较放大电路包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M9、晶体管M3和晶体管M4，第级比较放大电路包括晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8；

晶体管M1的栅极与负载R5和电容C1均相连，晶体管M2的栅极与负载R6和电容C2均相连，晶体管M1的源极和晶体管M2的源极均与晶体管M9的漏级相连，晶体管M9的栅极接地，晶体管M9的源极接收偏置电压Bias1，晶体管M3的源极和栅极均与晶体管M1的漏级相连，晶体管M4的源极与晶体管M8的栅极和晶体管M2的漏级均相连，晶体管M3的漏级与晶体管M4的漏级和晶体管M8的漏级均接入正向电源Vcc；

晶体管M8的源极与晶体管M7漏级相连，晶体管M7的栅极接入偏置电压Bias3，晶体管M7的源极与晶体管Q2的基极和晶体管M6的漏级均相连，晶体管M6的栅极接入偏置电压Bias2，晶体管M6的源极与晶体管M5的漏级相连，晶体管M5的源极接地，晶体管M5的栅极接入偏置电压Bias1。

本申请实施例具体提供的一种消除直流失调的单转差放大电路，其工作原理为：

当差分信号OUTP的直流电平低于差分信号OUTN时，晶体管M1的栅极处直流电平降低，晶体管M2的栅极处直流电平升高，晶体管M2的漏极处直流电平降低，晶体管M8的栅极处直流电平降低，晶体管M8的漏极处直流电平升高，晶体管M7的漏极处直流电平升高，即比较放大电路输出的参考电压的直流电平升高；在参考电压的直流电平升高时，晶体管Q2的基极处直流电平升高，晶体管Q2集电极处直流电平降低，晶体管Q3的基极处直流电平降低，晶体管Q3的集电极处直流电平升高，即输出差分端OUTP输出的差分信号OUTP的直流电平升高，如此反复迭代直至差分信号OUTP和OUTN的直流电平相等，从而消除了差分放大电路输出的直流失调。

同样地，当差分信号OUTP的直流电平高于差分信号OUTN时，通过比较放大电路降低晶体管Q3的集电极处的直流电平直至差分信号OUTP和OUTN的直流电平相等，从而消除了差分放大电路输出的直流失调。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

需要说明的是，在本申请中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅是本申请的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，包括：

差分放大电路，其被配置为由其一个输入端接收一个输入信号INP，并通过放大该输入信号INP输出差分信号OUTP和差分信号OUTN；

比较放大电路，其被配置为接收所述差分信号OUTP和差分信号OUTN，通过比较该差分信号OUTP和差分信号OUTN的直流电平得到直流电平的参考信号INN，并将所述参考信号INN反馈至所述差分放大电路的另一个输入端。

2.如权利要求1所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述差分放大电路包括单级或多级差分放大电路。

3.如权利要求2所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述单级或多级放大差分电路中的第一级差分放大电路包括差分对管，所述差分对管中的一个晶体管的基极被配置为接收所述输入信号INP，另一个晶体管的基极被配置为接收所述参考信号INN。

4.如权利要求1所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述比较放大电路包括两端输入单端输出的两级比较放大电路。

5.如权利要求4所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述两级比较放大电路包括：

第一级比较放大电路，其包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M9、第一负载M3和第二负载M4，所述第一晶体管M1的第一端与所述差分放大电路的一个输出端相连，所述第二晶体管M2的第一端与所述差分放大电路的另一个输出端相连，所述第一晶体管M1的第三端和所述第二晶体管M2的第三端均与所述第三晶体管M9的第二端相连，所述第三晶体管M9的第一端接地，所述第三晶体管M9的第三端被配置为接收偏置电压Bias1，所述第一晶体管M1的第二端与所述第一负载M3的一端相连，所述第二晶体管M2的第二端与所述第二负载M4的一端相连，所述第一负载M3和所述第二负载M4的另一端相连；

第二级比较放大电路，其包括第四晶体管M8和第五晶体管M5，所述第四晶体管M8的第一端与所述第二晶体管M2的第二端相连，所述第四晶体管M8的第二端与所述第二负载M4的另一端相连，所述第四晶体管M8的第三端与所述第五晶体管M5的第二端和所述差分放大电路的另一个输入端均相连，所述第五晶体管M5的第三端接地，所述第五晶体管M5的第一端被配置为接收所述偏置电压Bias1。

6.如权利要求5所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述第二级比较放大电路还包括第六晶体管M7和第七晶体管M6，所述第六晶体管M7和第七晶体管M6依次串接在所述第四晶体管M8和第五晶体管M5之间，所述第六晶体管M7的第一端被配置为接收所述偏置电压Bias3，所述第七晶体管M6的第一端被配置为接收所述偏置电压Bias2，所述第六晶体管M7的第三端和所述第七晶体管M6的第二端均与所述差分放大电路的另一个输入端相连。

7.如权利要求5所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述第一负载M3为第八晶体管M3，所述第二负载M4为第九晶体管M4，所述第八晶体管M3的第三端和第一端均与所述第一晶体管M1的第二端相连，所述第八晶体管M3的第二端与所述第九晶体管M4的第二端和所述第四晶体管M8的第二端均相连，且所述第八晶体管M3的第二端被配置为接入正向电源Vcc，所述第九晶体管M4的第三端与所述第四晶体管M8的第一端和所述第二晶体管M2的第二端均相连。

8.如权利要求5所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M9和第五晶体管M5均为P沟道场效应管，所述第四晶体管M8为N沟道场效应管。

9.如权利要求1所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述单转差放大电路还包括：

RC电路，其耦接于所述差分放大电路的差分输出端与所述比较反馈电路的差分输入端之间。

10.如权利要求9所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述RC电路包括两个RC支路，所述RC支路包括负载R和电容C，所述负载R的一端连于所述差分放大电路的一个输出端，另一端与所述电容C和所述比较放大电路的一个输入端相连，所述电容C的另一端接地。

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