CN112787057A - 一种新型E-Band波导双工器 - Google Patents
一种新型E-Band波导双工器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112787057A CN112787057A CN202011627973.XA CN202011627973A CN112787057A CN 112787057 A CN112787057 A CN 112787057A CN 202011627973 A CN202011627973 A CN 202011627973A CN 112787057 A CN112787057 A CN 112787057A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- band waveguide
- frequency
- low
- band
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 36
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 36
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 36
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/207—Hollow waveguide filters
- H01P1/208—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
本发明提供一种新型E‑Band波导双工器内部腔体包括：7个RX低频段波导单腔、7个TX高频段波导单腔和ANT天线口；7个RX低频段波导单腔位于ANT天线口的一侧；7个TX高频段波导单腔位于ANT天线口的另一侧。其优点在于装配操作一致性好，插入损耗低，隔离高，成本低等优点；可在很多领域具有巨大的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种E-Band波导双工器，属于通信设备技术领域。
背景技术
从实际的测试情况来看，E-BAND微波可以稳定的工作在2-3km的传输距离范围内。相对于传统频段，E-BAND频率资源丰富，支持比传统频段更大的带宽，单频电带宽达到了2.5Gbps，可同时轻松承载基站/Wi-Fi,大客户，宽带等多种业务。
E-BAND微波非常适合大宽带传输应用场景，满足LTE对回传网络带宽需求。在城市密集地区，单基站带宽需求达900Mbps以上，在1-3Km短距场景下，E-BAND微波拥有丰富的频谱资源，可以用来解决传统微波频段资源紧张，传输带宽小的问题，作为末端LTE基站业务接入，解决部分新建站址光纤缺失的问题，实现LTE基站快速部署。
但传统的E-BAND微波的本征模Q值不高，插入损耗高，加工难度大，成本高等缺陷。
发明内容
本发明的提供的一种新型E-Band波导双工器，装配操作一致性好，插入损耗低，隔离高，成本低等优点；可在很多领域具有巨大的应用前景；以克服现有技术的缺陷。
本发明提供一种新型E-Band波导双工器内部腔体包括：7个RX低频段波导单腔2、7个TX高频段波导单腔3和ANT天线口1；7个RX低频段波导单腔2位于ANT天线口1的一侧；7个TX高频段波导单腔位3于ANT天线口1的另一侧。
进一步，本发明提供一种新型E-Band波导双工器，还可以具有这样的特征：其中，7个RX低频段波导单腔2中的一个为感性耦合腔21；7个RX低频段波导单腔2与ANT天线口1的位置由近及远的排列为：三个RX低频段波导单腔2、感性耦合腔21、两个RX低频段波导单腔2；三个RX低频段波导单腔2紧邻ANT天线口1的一侧。
进一步，本发明提供一种新型E-Band波导双工器，还可以具有这样的特征：还包括RX低频段匹配腔22；RX低频段匹配腔22紧邻两个RX低频段波导单腔2的另一侧。
进一步，本发明提供一种新型E-Band波导双工器，还可以具有这样的特征：还包括低频时延耦合腔23；低频时延耦合腔23紧邻RX低频段匹配腔22的另一侧；低频时延耦合腔23的端口为RX接收端口。
进一步，本发明提供一种新型E-Band波导双工器，还可以具有这样的特征：7个TX高频段波导单腔3中的一个为容性耦合腔31；7个TX高频段波导单腔3与ANT天线口1的位置由近及远的排列为：三个TX高频段波导单腔3、容性耦合腔31、两个TX高频段波导单腔3；三个TX高频段波导单腔3紧邻ANT天线口1的另一侧。
进一步，本发明提供一种新型E-Band波导双工器，还可以具有这样的特征：还包括TX高频段匹配腔32；TX高频段匹配腔32紧邻两个TX高频段波导单腔3的另一侧。
进一步，本发明提供一种新型E-Band波导双工器，还可以具有这样的特征：还包括高频时延耦合腔33；高频时延耦合腔33紧邻TX高频段匹配腔32的另一侧；高频时延耦合腔33的端口为TX发射端口。
进一步，本发明提供一种新型E-Band波导双工器，还可以具有这样的特征：7个RX低频段波导单腔2、7个TX高频段波导单腔3采用2次模腔。
进一步，本发明提供一种新型E-Band波导双工器，还可以具有这样的特征：ANT天线口1旋转45度。
进一步，本发明提供一种新型E-Band波导双工器，还可以具有这样的特征：包括两个壳体4，7个RX低频段波导单腔2、7个TX高频段波导单腔3和ANT天线口1在两个壳体4内加工而成。
附图说明
图1是实施例中的新型E-Band波导双工器的主视图。
图2是实施例中的新型E-Band波导双工器的立体图。
图3是实施例中的新型E-Band波导双工器的内部腔体结构的立体图。
图4是实施例中的新型E-Band波导双工器的内部腔体结构的仰视图。
图5是实施例中的新型E-Band波导双工器的内部腔体结构的俯视图。
图6是实施例中的ANT天线口的结构示意图。
图7是实施例中的仿真结果曲线图。
图8实施例中的测试曲线。
图9实施例中的测试曲线。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的描述。
实施例
图1是实施例中的新型E-Band波导双工器的主视图。
图2是实施例中的新型E-Band波导双工器的立体图。
如图1和图2所示，本实施例中的新型E-Band波导双工器，包括：两个壳体4。在两个壳体4内部加工腔体后，再将两个壳体4固定连接，构成新型E-Band波导双工器。
如图3、图4和图5所示，新型E-Band波导双工器的内部腔体包括：ANT天线口1、7个RX低频段波导单腔2、RX低频段匹配腔22、低频时延耦合腔23、7个TX高频段波导单腔3、TX高频段匹配腔32和高频时延耦合腔33。
ANT天线口1位于腔体中间位置，如图3所示，7个RX低频段波导单腔2、RX低频段匹配腔22、低频时延耦合腔23位于ANT天线口1的左侧。7个TX高频段波导单腔3、TX高频段匹配腔32和高频时延耦合腔33位于ANT天线口1的右侧。
7个RX低频段波导单腔2中的一个为感性耦合腔21。7个RX低频段波导单腔2与ANT天线口1的位置由近及远的排列为：三个RX低频段波导单腔2、感性耦合腔21、两个RX低频段波导单腔2。三个RX低频段波导单腔2紧邻ANT天线口1的左侧。RX低频段匹配腔22紧邻两个RX低频段波导单腔2的左侧。低频时延耦合腔23紧邻RX低频段匹配腔22的左侧；低频时延耦合腔23的端口为RX接收端口。
7个TX高频段波导单腔3中的一个为容性耦合腔31。同样的，7个TX高频段波导单腔3与ANT天线口1的位置由近及远的排列为：三个TX高频段波导单腔3、容性耦合腔31、两个TX高频段波导单腔3。三个TX高频段波导单腔3紧邻ANT天线口1的右侧。TX高频段匹配腔32紧邻两个TX高频段波导单腔3的右侧。高频时延耦合腔33紧邻TX高频段匹配腔32的右侧；高频时延耦合腔33的端口为TX发射端口。
如图6所示，ANT天线口1旋转45度，中间用一个匹配过渡段来实现。所以在ANT口处采用一个波导H面旋转45度再匹配回原来角度的波导匹配，为了方便加工，去掉了旋转角度的波导口，可以用测试波同替代，如果安装在系统里，就用系统的连接波导口替代。先仿真ANT天线口旋转45度匹配，为了使微波信号尽可能的全部通过天线口，匹配段回波要达到30dB左右，仿真结果曲线如图7所示，
本实施例中，7个RX低频段波导单腔2、7个TX高频段波导单腔3采用2次模腔，增加了单腔Q值，产品损耗也随之变小，腔体内部产生零点的电容和电感用双模形式的电容腔和电感腔来实现，同时也降低了产品的敏感度，利于批量加工生产；且电容电感都采用2次模谐振变换后的方式实现的，解决了E-BAND双工器谐振腔体积小加工敏感的问题，提高了产品的一致性，增强了产品的稳定性。
新型E-Band波导双工器的工作过程：
微波信号从ANT天线口(1)输入，经过ANT时延T形结，沿着二次模腔，感性耦合腔21，二次模腔、RX低频段匹配腔，低频时延耦合腔23、到达RX接收端口输出。
微波信号从TX发射端口输入，经过时延耦合腔33、TX高频段匹配腔32，二次模腔，容性耦合腔31，二次模腔、ANT时延T形结，经ANT天线口1输出，测试曲线如图8和图9所示。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种新型E-Band波导双工器，其特征在于：
其中，所述新型E-Band波导双工器内部腔体包括7个RX低频段波导单腔(2)、7个TX高频段波导单腔(3)和ANT天线口(1)；
其中，7个所述RX低频段波导单腔(2)位于所述ANT天线口(1)的一侧；
所述7个TX高频段波导单腔位(3)于所述ANT天线口(1)的另一侧。
2.如权利要求1所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：
其中，7个所述RX低频段波导单腔(2)中的一个为感性耦合腔(21)；
7个所述RX低频段波导单腔(2)与所述ANT天线口(1)的位置由近及远的排列为：三个所述RX低频段波导单腔(2)、感性耦合腔(21)、两个所述RX低频段波导单腔(2)；
三个所述RX低频段波导单腔(2)紧邻所述ANT天线口(1)的一侧。
3.如权利要求2所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：
还包括RX低频段匹配腔(22)；
所述RX低频段匹配腔(22)紧邻两个所述RX低频段波导单腔(2)的另一侧。
4.如权利要求3所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：
还包括低频时延耦合腔(23)；
所述低频时延耦合腔(23)紧邻所述RX低频段匹配腔(22)的另一侧；
所述低频时延耦合腔(23)的端口为RX接收端口。
5.如权利要求1所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：
其中，7个所述TX高频段波导单腔(3)中的一个为容性耦合腔(31)；
7个所述TX高频段波导单腔(3)与所述ANT天线口(1)的位置由近及远的排列为：三个所述TX高频段波导单腔(3)、容性耦合腔(31)、两个所述TX高频段波导单腔(3)；
三个所述TX高频段波导单腔(3)紧邻所述ANT天线口(1)的另一侧。
6.如权利要求5所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：
其中，还包括TX高频段匹配腔(32)；
所述TX高频段匹配腔(32)紧邻两个所述TX高频段波导单腔(3)的另一侧。
7.如权利要求6中所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：
还包括高频时延耦合腔(33)；
所述高频时延耦合腔(33)紧邻所述TX高频段匹配腔(32)的另一侧；
所述高频时延耦合腔(33)的端口为TX发射端口。
8.如权利要求1所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：
其中，7个RX低频段波导单腔(2)、7个TX高频段波导单腔(3)采用2次模腔。
9.如权利要求1所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：
其中，所述ANT天线口(1)旋转45度。
10.如权利要求1至9中任意一项所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：
包括两个壳体(4)，所述7个RX低频段波导单腔(2)、7个TX高频段波导单腔(3)和ANT天线口(1)在两个壳体(4)内加工而成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011627973.XA CN112787057A (zh) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | 一种新型E-Band波导双工器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011627973.XA CN112787057A (zh) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | 一种新型E-Band波导双工器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112787057A true CN112787057A (zh) | 2021-05-11 |
Family
ID=75754567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011627973.XA Pending CN112787057A (zh) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | 一种新型E-Band波导双工器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112787057A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117393980A (zh) * | 2023-12-12 | 2024-01-12 | 成都世源频控技术股份有限公司 | 一种卯榫结构的四工器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010239612A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-10-21 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | デュプレクサの低域側フィルタ、デュプレクサの高域側フィルタ及びデュプレクサ |
| CN102386463A (zh) * | 2011-08-24 | 2012-03-21 | 京信通信系统（中国）有限公司 | 通信腔体器件及其合分路结构 |
| CN109860965A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-06-07 | 深圳市金科泰通信设备有限公司 | 高选择性小型化梳状和交指混合腔结构双工器 |
| CN110380171A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-10-25 | 苏州市协诚五金制品有限公司 | 一种高抑制低插损E-band双工器 |
| US20200373644A1 (en) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | Com Dev Ltd. | Waveguide band-pass filter |
-
2020
- 2020-12-30 CN CN202011627973.XA patent/CN112787057A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010239612A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-10-21 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | デュプレクサの低域側フィルタ、デュプレクサの高域側フィルタ及びデュプレクサ |
| CN102386463A (zh) * | 2011-08-24 | 2012-03-21 | 京信通信系统（中国）有限公司 | 通信腔体器件及其合分路结构 |
| CN109860965A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-06-07 | 深圳市金科泰通信设备有限公司 | 高选择性小型化梳状和交指混合腔结构双工器 |
| US20200373644A1 (en) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | Com Dev Ltd. | Waveguide band-pass filter |
| CN110380171A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-10-25 | 苏州市协诚五金制品有限公司 | 一种高抑制低插损E-band双工器 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117393980A (zh) * | 2023-12-12 | 2024-01-12 | 成都世源频控技术股份有限公司 | 一种卯榫结构的四工器 |
| CN117393980B (zh) * | 2023-12-12 | 2024-04-02 | 成都世源频控技术股份有限公司 | 一种卯榫结构的四工器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101919456B1 (ko) | 일체형 유전체 세라믹 도파관 듀플렉서 | |
| CN108598703A (zh) | 一种宽带c波段圆极化四端口馈源网络 | |
| CN104681900B (zh) | 电磁分路耦合的高隔离度双工器 | |
| CN106410355A (zh) | 一种l波段四脊正交模耦合器 | |
| US9478854B2 (en) | Devices and methods for reducing interference between closely collocated antennas | |
| CN110165347A (zh) | 一种加载开路枝节的高隔离度微带双工器 | |
| CN112787057A (zh) | 一种新型E-Band波导双工器 | |
| CN206422210U (zh) | 一种高隔离度多路径向功率分配/合成器 | |
| CN106410354B (zh) | 一种q波段隔板型正交模耦合器 | |
| CN106898851A (zh) | 基于半模基片集成波导的混合电磁耦合双工器 | |
| CN104425859A (zh) | 一种基于基片集成波导和互补螺旋谐振环的双工器 | |
| EP2345099B1 (en) | A waveguide antenna front end | |
| CN105489980A (zh) | 高隔离度低通带通三工器 | |
| CN103311630A (zh) | C波段超宽带多倍频程微型定向耦合器 | |
| CN107293832A (zh) | 一种四端口微带线双工器 | |
| US11978940B2 (en) | Dielectric duplexer | |
| CN109860965A (zh) | 高选择性小型化梳状和交指混合腔结构双工器 | |
| CN107887709A (zh) | 一种双极化电磁波转换装置 | |
| CN205621822U (zh) | 高隔离度低通带通三工器 | |
| CN204706621U (zh) | 小型化微带耦合器 | |
| Santiko et al. | Filtering power divider composed of SIW-based bandpass filter for WLAN application | |
| Pumee et al. | Compact Diplexer Based on Stub-loaded Dual-mode Resonator | |
| Tan et al. | Design & Simulation of Waveguide Filter for 5G Application | |
| CN114124243B (zh) | 一种易加工的高隔离度太赫兹正交模式隔离双工器 | |
| CN203644909U (zh) | 一种全腔体式四工器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |