CN112782894B - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种显示装置。根据本发明构思的示例性实施例的显示装置包括:信号线,在与第一方向垂直的方向上延伸;晶体管,电连接到信号线;以及像素电极,电连接到晶体管并且包括分支部分,其中,分支部分包括第一部分和第二部分,第二部分从第一部分延伸并且在与第一部分的延伸方向不同的方向上延伸,第二部分的延伸方向与第一方向之间形成的锐角小于第一部分的延伸方向与第一方向之间形成的锐角,并且信号线在平面图中与第二部分叠置。
Description
本申请要求于2019年11月1日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0138741号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
一种显示装置包括显示面板,该显示面板包括能够显示图像的多个像素。每个像素可以包括接收数据信号的像素电极,并且像素电极连接到至少一个晶体管以接收数据电压。
在各种显示装置中,液晶显示器包括包含像素电极和共电极的场产生电极以及置于像素电极与共电极之间的液晶层。液晶显示器向场产生电极施加电压以向液晶层产生电场,使得液晶层中的液晶分子的方向被改变,并且可以通过控制入射光的偏振来显示期望的图像。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对发明构思的背景的理解,因此,它可以包含不构成对本领域普通技术人员来讲在该国家已经公知的现有技术的信息。
发明内容
随着具有高分辨率的显示装置被开发,由于像素的尺寸变得较小并且每个像素的透射区域变得较小,所以信号线会设置在每个像素的透射区域中。在这种情况下,如果在形成信号线的工艺中在信号线的宽度、位置等中发生分散,这也影响像素的透射率的分散。本公开旨在使其中信号线设置在像素的透射区域中的显示装置中的像素的透射率的分散最小化。
根据本发明构思的示例性实施例的显示装置包括:信号线,在与第一方向垂直的方向上延伸;晶体管,电连接到信号线;以及像素电极,电连接到晶体管并且包括分支部分,其中,分支部分包括第一部分和第二部分,所述第二部分从第一部分延伸并且在与第一部分的延伸方向不同的方向上延伸,第二部分的延伸方向与第一方向之间形成的锐角小于第一部分的延伸方向与第一方向之间形成的锐角,并且信号线在平面图中与第二部分叠置。
可以包括多个像素,每个像素可以包括光能够透射通过的透射区域和光不能够透射通过的光阻挡区域,晶体管可以设置在光阻挡区域中,并且信号线可以在透射区域处沿与第一方向垂直的方向延伸。
信号线的两个平行的边缘可以与第二部分叠置。
第二部分在第一方向上的宽度可以大于或等于信号线在第一方向上的宽度。
信号线可以是向晶体管传输数据电压的数据线。
分支部分还可以包括从第二部分延伸的第三部分,第二部分可以设置在第一部分与第三部分之间,并且第二部分的延伸方向与第一方向之间形成的锐角可以小于第三部分的延伸方向与第一方向之间形成的锐角。
第一部分的延伸方向与第三部分的延伸方向可以相同。
第一部分的宽度与第三部分的宽度可以是恒定的。
像素电极还可以包括:横向主干,在与第一部分的延伸方向不同的方向上延伸;以及纵向主干,在与横向主干的延伸方向垂直的方向上延伸并且与横向主干相交,并且分支部分可以从横向主干或纵向主干倾斜地延伸。
显示装置还可以包括与像素电极相对的共电极以及包括液晶分子并且置于像素电极与共电极之间的液晶层。
根据示例性实施例的显示装置包括:像素,包括透射区域和光阻挡区域;信号线,在透射区域中沿第一方向延伸;像素电极,设置在透射区域处;以及晶体管,设置在光阻挡区域处,其中,像素电极包括分支部分,该分支部分包括在彼此不同的方向上延伸的第一部分和第二部分,第一部分在与第一方向和垂直于第一方向延伸的第二方向不同的方向上延伸,并且信号线在平面图中与第二部分叠置。
根据示例性实施例的显示装置包括:基底;信号线和晶体管,设置在基底上;以及像素电极,设置在晶体管和信号线上,其中,像素电极包括分支部分,该分支部分包括在平面图中沿彼此不同的方向延伸的第一部分和第二部分,在平面图中,垂直于信号线的延伸方向的方向与第二部分的延伸方向之间形成的锐角小于垂直于信号线的延伸方向的方向与第一部分的延伸方向之间形成的锐角,并且信号线在平面图中与第二部分叠置。
根据本发明构思的示例性实施例,在其中信号线设置在像素的透射区域中的显示装置中,像素的透射率的分散可以被最小化。
附图说明
图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的示意性布局图;
图2是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的一个像素的布局图;
图3是沿着线IIIa-IIIb截取的图2中所示的显示装置的剖视图;
图4是沿着线IVa-IVb截取的图2中所示的显示装置的剖视图;
图5是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的一个像素的一部分的俯视平面图;
图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的像素电极的一部分的俯视平面图;
图7是沿着线VIIa-VIIb截取的图5中所示的显示装置的剖视图;
图8是示出根据比较示例的显示装置的一个像素的一部分的俯视平面图;
图9是沿着线IXa-IXb截取的图8中所示的显示装置的剖视图;
图10是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的一个像素的一部分的俯视平面图;
图11是示出根据比较示例和本发明构思的示例性实施例的显示装置中的像素的透射率根据信号线的未对准的变化的变化率的图表;
图12是示出根据比较示例和本发明构思的示例性实施例的显示装置中的像素的透射率根据信号线的宽度变化的变化率的图表;
图13、图14和图15分别是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的像素电极的俯视平面图;
图16是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的一个像素的一部分的俯视平面图;
图17是沿着线IIIa-IIIb截取的图2中所示的显示装置的剖视图的变化;
图18是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的一个像素的布局图;
图19是沿着线XIXa-XIXb截取的图18中所示的显示装置的剖视图;并且
图20是沿着线XXa-XXb截取的图18中所示的显示装置的剖视图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更充分地描述本发明构思,在附图中示出了发明构思的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的,在不脱离本发明构思的精神或范围的情况下,可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
省略了与本发明构思不相关的部分的描述,并且在整个说明书中同样的附图标记表示同样的元件。
此外,在附图中,为了更好地理解和易于描述,任意地表示每个元件的尺寸和厚度,并且本发明构思不限于此。在附图中,为了清楚,夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中,为了更好地理解和易于描述,夸大了一些层和区域的厚度。
将理解的是,当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时,所述元件可以直接在另一元件上,或者也可以存在中间元件。相反,当元件被称为“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。此外,在说明书中,词语“在……上”或“在……上方”表示位于目标部分上或下方,而不一定表示基于重力方向位于目标部分的上侧上。
另外,除非明确地相反地描述,否则词语“包含”及其变型将被理解为意指包含所述元件但不排除任何其他元件。
在整个该说明书中,平面图意味着当观察与彼此交叉的两个方向(例如,第一方向DR1和第二方向DR2)平行的表面时的视图,剖视图意味着当观察在与平行于第一方向DR1和第二方向DR2的表面垂直的方向(例如,第三方向DR3)上切割的表面时的视图。此外,叠置两个构成元件意味着两个构成元件在第三方向DR3(例如,垂直于基底的上表面的方向)上叠置,除非另有说明。
现在,参照图1描述根据本发明构思的示例性实施例的显示装置。
图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的示意性布局图。
参照图1,根据本发明构思的示例性实施例的显示装置1000包括显示面板300,显示面板300包括显示区域DA和设置在显示区域DA的外部以围绕显示区域DA的外围区域PA。显示面板300包括第一基底110。
显示区域DA是能够根据输入图像信号显示图像的区域,并且包括多个像素PX、多条栅极线121和多条数据线171。
像素PX是用于显示图像的基本单元,并且每个像素PX可以包括至少一个晶体管和电连接到晶体管的至少一个像素电极。每个像素PX可以具有透射区域和光阻挡区域,光可以透射通过透射区域,光可以相对低地通过光阻挡区域或者光不能透射通过光阻挡区域。
多个像素PX可以例如以矩阵形式规则地布置。
为了表示各种颜色,每个像素PX可以显示原色中的一种,并且可以通过这些原色的时空总和来识别期望颜色的图像。原色可以包括以诸如红色、绿色和蓝色为例的三原色,并且还可以包括白色。
栅极线121可以传输包括栅极导通电压和栅极截止电压的栅极信号。多条栅极线121大体上可以在第二方向DR2上彼此平行地布置,并且栅极线121中的每条可以在第一方向DR1上延伸。
数据线171可以传输对应于输入图像信号的数据电压。多条数据线171大体上可以在平行于第一方向DR1的方向上布置,并且数据线171中的每条大体上可以在第二方向DR2上延伸。
参照图1,设置在沿第二方向DR2延伸的一个像素列中的多个像素PX可以交替地电连接到两条相邻的数据线171。例如,如图1中所示,每个像素列的多个像素PX可以在一个像素行的基础上交替地(或周期性地)连接到两条数据线171。根据另一示例性实施例,每个像素列的多个像素PX可以在两个或更多个像素行的基础上交替地连接到两条相邻的数据线171。
外围区域PA可以是大部分不显示图像的区域并且是与显示区域DA相邻的区域。例如,外围区域PA可以围绕显示区域DA。然而,在一些情况下,外围区域PA的至少一部分可以显示图像。
外围区域PA可以包括栅极驱动器400a和400b。
栅极驱动器400a和400b可以电连接到多条栅极线121以施加栅极信号。图1中示出了其中第一栅极驱动器400a设置在设置于显示区域DA的左侧上的外围区域PA中,并且第二栅极驱动器400b设置在设置于显示区域DA的右侧上的外围区域PA中的示例。栅极驱动器400a和400b可以产生包括栅极导通电压和栅极截止电压的栅极信号,并且可以在平行于第二方向DR2的方向上向多条栅极线121顺序地施加栅极信号。
栅极驱动器400a和400b可以在同一工艺中与显示区域DA的诸如晶体管的电元件一起直接形成在外围区域PA中。可以省略第一栅极驱动器400a和第二栅极驱动器400b中的一者。
根据本发明构思的示例性实施例的显示装置1000还可以包括数据驱动器500和信号控制器600。
数据驱动器500电连接到多条数据线171。数据驱动器500可以在信号控制器600的控制下向对应的数据线171选择性地施加作为与输入图像信号对应的灰度电压的数据电压。
信号控制器600可以通过向栅极驱动器400a和400b以及数据驱动器500发送控制信号GCS和DCS来控制栅极驱动器400a和400b以及数据驱动器500。
数据驱动器500和/或信号控制器600可以以多个驱动芯片的形式安装在显示面板300的外围区域PA中,或者可以安装在电连接到显示面板300的柔性印刷电路膜或印刷电路板上。
接下来,参照图2至图7以及上述图1描述根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的详细结构。
图2是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的一个像素的布局图,图3是沿着线IIIa-IIIb截取的图2中所示的显示装置的剖视图,图4是沿着线IVa-IVb截取的图2中所示的显示装置的剖视图,图5是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的一个像素的一部分的俯视平面图,图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的像素电极的一部分的俯视平面图,以及图7是沿着线VIIa-VIIb截取的图5中所示的显示装置的剖视图。
首先,参照图3和图4,根据本发明构思的示例性实施例的显示装置可以包括彼此面对的第一显示面板100和第二显示面板200以及设置在两个显示面板100和200之间的液晶层3。第一显示面板100包括第一基底110,并且第二显示面板200包括第二基底210。这里,关于第一基底110的术语“上”意味着面对液晶层3的表面的上侧,并且关于第二基底210的术语“下”表示面对液晶层3的表面的下侧。
参照第一显示面板100,多条栅极线121和多条存储电极线131可以设置在第一基底110上。栅极线121和存储电极线131可以由同一栅极导电层形成。
参照图2,每条栅极线121可以传输栅极信号,并且可以在基本上平行于第一方向DR1的方向上延伸。每条栅极线121可以包括多个栅电极124。栅极线121可以具有在第一方向DR1上设置在栅电极124的两侧上的开口24。
存储电极线131设置为与栅极线121分隔开,并且可以传输恒定电压。每条存储电极线131可以包括横向部分131a和纵向部分131b。
横向部分131a可以在基本上平行于第一方向DR1的方向上延伸。横向部分131a可以包括设置在每个像素PX中的扩展部分137。
纵向部分131b可以在第二方向DR2上从横向部分131a突出,并且可以在第二方向DR2上延伸。纵向部分131b可以设置于在第一方向DR1上相邻的两个像素PX之间。
栅极绝缘层140可以设置在栅极导电层上。栅极绝缘层140可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅等的绝缘材料。
包括多个半导体图案154的半导体层可以设置在栅极绝缘层140上。半导体层可以包括诸如非晶硅、多晶硅或金属氧化物的半导体材料。
每个半导体图案154可以设置在每个栅电极124上,以在平面图中(或在垂直于第一基底110的顶表面的方向上)与栅电极124叠置。
欧姆接触层163和165可以设置在半导体层上。欧姆接触层163和165可以包括硅化物或其中重掺杂有诸如磷的n型杂质的n+氢化非晶硅。
包括多条数据线171、多个源电极173和多个漏电极175的数据导电层可以设置在欧姆接触层163和165以及栅极绝缘层140上。
每条数据线171可以传输数据电压,并且大体上可以在平行于第二方向DR2的方向上延伸以与栅极线121和存储电极线131交叉。
设置在每个像素PX中的源电极173可以电连接到对应的数据线171以接收数据电压。每个源电极173可以包括与栅电极124叠置并且弯曲成具有近似字母“U”形状的部分。然而,源电极173的形状不限于图2中公开的特征。
漏电极175与数据线171和源电极173分隔开。
每个漏电极175可以包括在与栅电极124和半导体图案154叠置的区域中面对源电极173且被源电极173的弯曲部分围绕的一个端部。漏电极175可以包括设置在其另一端处的扩展部分177。扩展部分177可以在平面图中设置在栅极线121上方。
在平面图中,扩展部分177可以与存储电极线131的扩展部分137叠置。彼此叠置的漏电极175的扩展部分177和存储电极线131的扩展部分137以及置于其间的栅极绝缘层140可以形成保持像素PX的充电电压的存储电容器。
栅极线121的开口24与和栅极线121交叉的数据线171叠置,从而减小由于形成在栅极线121和数据线171之间的寄生电容而造成的信号延迟。
欧姆接触层163和165仅存在于半导体图案154和数据导电层之间,并且可以降低半导体图案154与数据导电层之间的接触电阻。
栅极导电层和数据导电层可以包括从由铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)及其的合金组成的组中选择的至少一种金属。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体图案154一起形成作为开关元件的薄膜晶体管Q。薄膜晶体管Q的沟道在源电极173与漏电极175之间形成在半导体图案154中。
绝缘层180a可以设置在数据导电层上并且多个滤色器230可以设置在绝缘层180a上。滤色器230可以代表诸如红色、绿色和蓝色的三原色或四原色的原色中的一种。代表不同原色的多个滤色器可以在平面图中交替地设置在第一方向DR1上。
滤色器230可以具有设置在漏电极175的扩展部分177之上的开口235。
绝缘层180b可以设置在滤色器230上。
绝缘层180a和绝缘层180b可以包括诸如氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如,绝缘层180a可以包括无机绝缘材料,而绝缘层180b可以包括有机绝缘材料。在这种情况下,绝缘层180b的顶表面可以是基本上平坦的。绝缘层180b用作滤色器230的覆盖,以防止滤色器230被暴露并且防止包括在滤色器230中的诸如颜料的杂质渗透到液晶层3中。
绝缘层180a和绝缘层180b可以具有设置在漏电极175的扩展部分177上并且与扩展部分177叠置的开口185。开口185可以设置在滤色器230的开口235中。
包括多个像素电极191和屏蔽电极199的像素电极层可以设置在绝缘层180b上。
每个像素电极191的整体形状可以是诸如四边形的多边形,并且像素电极191的至少一部分可以被去除。
详细地,像素电极191的部分可被去除以包括多个分支部分194。分支部分194可以包括在相对于第一方向DR1和第二方向DR2的倾斜方向上延伸的部分。设置在相邻的分支部分194之间的像素电极191被去除以形成多个狭缝。
除了分支部分194之外,像素电极191还可以包括横向主干192、纵向主干193和扩展部分197。
横向主干192大体上在平行于第一方向DR1的方向上延伸,并且纵向主干193在基本上平行于第二方向DR2的方向上延伸以与横向主干192相交。彼此交叉并且彼此连接的横向主干192和纵向主干193可以一起形成十字形状。
分支部分194可以连接到横向主干192或纵向主干193,或者从横向主干192或纵向主干193延伸。
扩展部分197可以在平面图中与漏电极175的扩展部分177叠置。扩展部分197通过绝缘层180a和180b的开口185电连接到漏电极175的扩展部分177,从而像素电极191从漏电极175接收数据电压。
扩展部分197可以与数据线171叠置。
像素电极191的左边缘部分和右边缘部分可以如所示出的与存储电极线131的纵向部分131b叠置或不叠置。
屏蔽电极199与像素电极191分隔开,并且大体上可以在第一方向DR1上延伸以与栅极线121叠置。参照图2,屏蔽电极199与栅极线121的下边缘叠置,以防止设置在栅极线121下方的另一像素PX的像素电极191与栅极线121之间的结合,从而防止栅极线的信号延迟并且防止像素电极191与栅极线121之间的光泄漏。
屏蔽电极199可以包括与另一数据线171叠置的突起199a,另一数据线171不与像素电极191的扩展部分197叠置。
像素电极层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)的透明导电材料和金属薄膜。
参照第二显示面板200,光阻挡构件220可以如图4中所示设置在第二基底210下方。
参照图2,在平面图中,光阻挡构件220可以设置于在第二方向DR2上相邻的像素电极191之间,以防止相邻像素PX之间的光泄漏。在平面图中,光阻挡构件220可以主要在平行于第一方向DR1的方向上延伸。光阻挡构件220可以通过与定位有薄膜晶体管Q、栅极线121和漏电极175的区域的大部分叠置来防止光泄漏。
同时,如上所述,存储电极线131的纵向部分131b与在第一方向DR1上相邻的两个像素电极191之间的空间的大部分叠置,以防止在第一方向DR1上相邻的像素PX之间的光泄漏。
每个像素PX的光阻挡区域包括光阻挡构件220和存储电极线131的纵向部分131b,并且每个像素PX的透射区域可以由被光阻挡构件220和存储电极线131的纵向部分131b包围的区域限定。薄膜晶体管Q可以设置在其中设置有光阻挡构件220的光阻挡区域中以与光阻挡构件220叠置。
根据本示例性实施例,数据线171可包括设置在像素PX的透射区域中以与像素电极191叠置的部分。如图2中所示,数据线171可以在光阻挡区域中或在与光阻挡区域相邻的区域中弯曲至少一次。参照图2,两条数据线171可以穿过一个像素PX内的透射区域,但实施例不限于此。
再次,参照图3和图4,绝缘层250可以设置在光阻挡构件220下方,并且共电极270可以设置在绝缘层250下方。
绝缘层250可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。绝缘层250可以防止光阻挡构件220被暴露到外部,并且可以防止包括在光阻挡构件220中的诸如炭黑的材料渗透到液晶层3中。
共电极270可以连续地形成在与显示区域DA对应的区域的大部分中。共电极270可以包括诸如ITO或IZO的透明导电材料,或者诸如铝、银、铬及其合金的金属。
与以上描述不同,滤色器230可以设置在第二显示面板200中。
液晶层3可以包括具有介电各向异性的液晶分子31。液晶分子31可以取向为使得在液晶层3中没有施加电场的情况下,它们的主轴相对于基底110和210的表面近似垂直或成锐角地布置。
取向层11可以设置在像素电极191和绝缘层180b上,并且取向层21可以设置在共电极270下方。两个取向层11和21中的每个可以是垂直取向层。
如果数据电压被施加到像素电极191并且共电压被施加到共电极270,则对液晶层3产生电场。电场可包括在与两个基底110和210的表面基本上垂直的方向上的垂直分量,并且可具有由诸如像素电极191的多个分支部分194的图案的边缘形成的边缘场分量。响应于电场,液晶分子31可以在与基底110和210的表面基本上平行的方向上倾斜并且可以在与分支部分194延伸所沿着的方向基本上平行的方向上倾斜。由于一个像素PX的像素电极191包括在四个不同的方向上延伸的多个分支部分194,因此与每个像素电极191对应的液晶层3可以包括其中液晶分子31的倾斜方向彼此不同的四个不同的区域。
参照图5和图6描述像素电极191的分支部分194的详细结构。
参照图5和图6,根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的像素电极191的分支部分194具有至少弯曲一次的形状。具体地,分支部分194可以包括倾斜部分194a和194c以及横向部分194b,倾斜部分194a和194c在相对于第一方向DR1和第二方向DR2的倾斜方向上延伸,横向部分194b在与倾斜部分194a和194c延伸的方向不同的方向上延伸。
当与其中数据线171在像素PX的透射区域中延伸的方向基本上垂直的方向被称为第四方向DR4时,横向部分194b中的每个与第四方向DR4形成比倾斜部分194a和194c与第四方向DR4形成的锐角小的锐角。换言之,倾斜部分194a和194c与数据线171的延伸方向可以具有比横向部分194b与数据线171的延伸方向的锐角小的锐角。第四方向DR4可以与设置在像素PX的透射区域中的数据线171的宽度方向相同。
具体地,参照图6,当由倾斜部分194a与第四方向DR4形成的锐角被称为角A1,由倾斜部分194c与第四方向DR4形成的锐角被称为角A2,并且由横向部分194b与第四方向DR4形成的锐角被称为角A3时,角A3小于角A1和/或角A2。这里,角A1和角A2可以彼此不同或者可以相同。在下文中,主要描述其中两个角A1和A2相同的示例。角A3可以大于或等于0度且小于45度。
因为根据示例性实施例的数据线171在像素PX的透射区域内平行于第二方向DR2延伸,所以第四方向DR4可以是与第一方向DR1相同的方向。
根据示例性实施例,横向部分194b可以近似在第一方向DR1上延伸。
在平面图中,数据线171可以与像素电极191的横向部分194b叠置。换言之,数据线171在平面图中可以被像素电极191的横向部分194b的至少局部部分覆盖。在图5中,数据线171的彼此平行的左边缘和右边缘两者都可以与横向部分194b叠置。然而,在平面图中,数据线171的左边缘和右边缘中的仅一者可以与横向部分194b叠置,并且数据线171的左边缘和右边缘中的另一者可以不与横向部分194b叠置。
参照图5,横向部分194b在第四方向DR4(或第一方向DR1)上的宽度W2可以等于或大于数据线171在第四方向DR4(或第一方向DR1)上的宽度W1。图5示出了其中宽度W1和宽度W2基本上彼此相等的示例。
横向部分194b的第一方向DR1的宽度W2可以为例如约1微米至约10微米。
根据本发明构思的实施例,横向部分194b可以设置在两个倾斜部分194a和194c之间,并且可以连接到两个倾斜部分194a和194c或者从两个倾斜部分194a和194c延伸。
倾斜部分194a和194c的垂直于倾斜部分194a和194c的延伸方向的宽度可以是恒定的。倾斜部分194a和194c的垂直于倾斜部分194a和194c的延伸方向的宽度与横向部分194b的垂直于横向部分194b的延伸方向的宽度可以彼此不同。倾斜部分194a和194c的垂直于包括倾斜部分194a和194c的分支部分194的延伸方向的宽度可以基本上恒定,并且横向部分194b的垂直于横向部分194b的延伸方向的宽度也可以基本上恒定。
在数据线171的制造工艺中,由于数据线171在与数据线171延伸所沿的方向垂直的第四方向DR4(例如,第一方向DR1)上的未对准或刻蚀结果(例如,数据线171的蚀刻不足或过蚀刻),数据线171的宽度可能偏离预期。其中数据线171可以根据数据线171的未对准和/或数据线171的蚀刻结果而设置的范围被称为分散范围DTR。分散范围DTR可以小于像素电极191在第一方向DR1上的长度的一半。
根据本示例性实施例的横向部分194b可以设置在分散范围DTR内。
参照图6,在分散范围DTR中,还可以包括倾斜部分194a和194c的连接到横向部分194b或从横向部分194b延伸的部分。即,设置在分散范围DTR中的倾斜部分194a的长度L1和倾斜部分194c的长度L2可以等于或大于0。基于穿过横向部分194b的在第二方向DR2上的中心并且基本上在第一方向DR1上延伸的假想中心线,横向部分194b在第四方向DR4上的宽度W2、L1×cosA1和L2×cosA2的总和可以大于或等于分散范围DTR。
根据本示例性实施例,在数据线171的制造工艺中,即使数据线171的位置和/或宽度W1偏离预期,数据线171与像素电极191的分支部分194之间的叠置区域的变化也可以被最小化。因此,像素PX的透射率的变化以及由于数据线171的电位对液晶层3的布置的影响在很大程度上不产生。
参照作为比较示例的图8和图9与上述附图一起描述该效果。
图8是示出根据比较示例的显示装置的一个像素的一部分的俯视平面图,并且图9是沿着线IXa-IXb截取的图8中所示的显示装置的剖视图。
参照图8,根据本比较示例的显示装置与根据本发明构思的上述示例性实施例的显示装置的大部分类似,然而像素电极191的分支部分194仅包括一个倾斜部分194d而不像在本发明构思的示例性实施例中那样包括横向部分194b,并且数据线171与倾斜部分194d叠置。倾斜部分194d可具有与上述根据本发明构思的示例性实施例的像素电极191的倾斜部分194a和194c的结构和特征类似的结构和特征。
参照图9,在数据线171的制造工艺中发生数据线171的未对准或蚀刻不足或过蚀刻,使得数据线171在第四方向DR4上移动或变得比数据线171的预定宽度宽。
误差数据线171S可以设置在数据线171的分散范围DTR内。
参照图8和图9,因为像素电极191的分支部分194的与数据线171叠置的倾斜部分194d相对于第四方向DR4倾斜,所以误差数据线171S具有由于数据线171的未对准或蚀刻不足或过蚀刻而不与像素电极191的倾斜部分194d叠置的部分。因此,如图9中所示,出现在第三方向DR3上在误差数据线171S与液晶层3之间未设置像素电极191的部分,从而根据误差数据线171S的电势的电场E1影响液晶层3的液晶分子31的布置。作为结果,像素PX的透射率可能由于误差数据线171S而改变。
与此相比,参照本发明构思的示例性实施例的图5至图7,描述了在数据线171的制造工艺中,发生数据线171的未对准和/或蚀刻不足或过蚀刻,使得数据线171如图7中的箭头所示在第四方向DR4(参见图5)上移动和/或变得比预定宽度宽。
根据本示例性实施例,误差数据线171S在第四方向DR4上的大部分可以与像素电极191的分支部分194叠置。因此,如图7中所示,像素电极191的分支部分194仍然在第三方向DR3上设置在误差数据线171S与液晶层3之间,因此由于误差数据线171S的电势引起的电场E2可以被分支部分194屏蔽并且因此不会到达液晶层3。因此,即使存在数据线171的未对准和/或蚀刻不足或过蚀刻,也不会发生像素PX的透射率的大的变化。
接下来,参照图10以及上述附图描述根据示例性实施例的显示装置。
图10是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的一个像素的一部分的俯视平面图。
参照图10,除了像素电极191的分支部分194的横向部分194b在第四方向DR4(或第一方向DR1)上的宽度W2可以大于数据线171在第四方向DR4(或第一方向DR1)上的宽度W1之外,根据本示例性实施例的显示装置与根据上述示例性实施例的显示装置相同。像素电极191的分支部分194的横向部分194b的宽度W2可以大于或等于数据线171的分散范围DTR。
接下来,参照图11和图12以及上述附图描述根据上述几个示例性实施例的效果。
图11是示出根据比较示例和本发明构思的示例性实施例的显示装置中的像素的透射率根据信号线的未对准的变化的变化率的图表,并且图12是示出根据比较示例和本发明构思的示例性实施例的显示装置中的像素的透射率根据信号线的宽度变化的变化率的图表。
图11示出了当根据本发明构思的示例性实施例的数据线171中出现大约1微米的未对准时像素PX的透射率对于像素电压的各种电压值的变化率,所述像素电压是像素电极191与共电极270之间的电压差。
图12示出了当根据本发明构思的示例性实施例的数据线171的宽度在第四方向DR4(或第一方向DR1)上增加或减小大约0.4微米时像素PX的透射率对于像素电压的各种电压值的变化率。
在图11和图12中,比较示例是针对上述图8和图9中示出的比较示例的图表,示例性实施例1是针对上述图5至图7中示出的本发明构思的示例性实施例的图表,其中数据线171在第四方向DR4(或第一方向DR1)上的宽度和横向部分194b在第四方向DR4(或第一方向DR1)上的宽度分别为大约5微米,并且示例性实施例2是针对图10中示出的本发明构思的示例性实施例的图表,其中数据线171在第四方向DR4(或第一方向DR1)上的宽度为例如大约5微米,并且横向部分194b在第四方向DR4(或第一方向DR1)上的宽度为例如大约7.8微米。
参照图11和图12的图表,与作为包括没有横向部分194b的像素电极191的显示装置的比较示例的情况相比,在根据本发明构思的示例性实施例的显示装置中,可以确认的是,即使当发生未对准和/或蚀刻不足或过蚀刻时,像素PX的透射率的变化率也不大。因此,根据本发明构思的示例性实施例,即使当发生未对准和/或蚀刻不足或过蚀刻时,像素PX的透射率的变化也可以被最小化,从而提高显示质量。
接下来,参照图13至图15以及上述附图描述根据本发明构思的示例性实施例的显示装置。省略了与上述示例性实施例相同的部分的相同描述,并且相同的附图标记用于相同的组件。
图13、图14和图15是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的像素电极的俯视平面图。
首先,参照图13,包括在根据本示例性实施例的显示装置中的像素电极191A具有与上述像素电极191的大部分的结构和特征相同的结构和特征,然而像素电极191A还可以包括边缘部分195,该边缘部分195连接到分支部分194的端部和/或纵向主干193的端部或者从分支部分194的端部和/或纵向主干193的端部延伸。
边缘部分195可以沿着像素电极191A的上端和下端的边缘与第一方向DR1平行地延伸。边缘部分195的第一方向DR1的长度可以小于像素电极191的第一方向DR1的长度的一半。
边缘部分195可以连接到分别设置在由像素电极191A的横向主干192和纵向主干193限定的四个域D1、D2、D3和D4中的多个分支部分194之中的两个或更多个分支部分194的端部,或者从所述两个或更多个分支部分194的端部延伸。每隔一个分支部分194可以具有设置在四个域D1、D2、D3和D4中的边缘部分195。四个域D1、D2、D3和D4中的最外侧的边缘部分195可以延伸到像素电极191A在第一方向DR1上的边缘。
接下来,参照图14,由于像素电极191B包括连接到分支部分194的端部和/或纵向主干193的端部或者从分支部分194的端部和/或纵向主干193的端部延伸的边缘部分196,包括在根据本示例性实施例的显示装置中的像素电极191B与根据图13中所示的示例性实施例的像素电极191A的大部分相同。边缘部分196可以沿着像素电极191B的上端和下端的边缘近似平行于第一方向DR1延伸。边缘部分196的第一方向DR1的长度可以小于像素电极191的第一方向DR1的长度。
然而,边缘部分196可以仅连接到分别设置在由像素电极191B的横向主干192和纵向主干193限定的四个域D1、D2、D3和D4中的多个分支部分194之中的一个分支部分194的端部,或者从一个分支部分194的端部延伸。边缘部分196的端部可以在第一方向DR1上延伸到像素电极191B的边缘。
接下来,参照图15,包括在根据本示例性实施例的显示装置中的像素电极191C与根据图13或图14中所示的示例性实施例的像素电极191A或191B的大部分相同,然而像素电极191C还可以包括设置在边缘部分195和196的外侧的边缘部分198。
边缘部分198可以连接到纵向主干193的延伸部分或从纵向主干193的延伸部分延伸,并且特别地可以沿着像素电极191C的下端和上端的边缘近似平行于第一方向DR1延伸。边缘部分198的第一方向DR1的长度可以与像素电极191的第一方向DR1的长度基本上相同。
接下来,参照图16以及上述图5描述根据本发明构思的示例性实施例的显示装置。
图16是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的一个像素的一部分的俯视平面图。
参照图16,根据本示例性实施例的显示装置可以与根据上述示例性实施例的显示装置的大部分基本上相同,但是像素电极的形状可以不同。
详细地,像素电极的分支部分194可以包括倾斜部分194a和连接到倾斜部分194a的端部或从倾斜部分194a的端部延伸的横向部分194e。横向部分194e的形状和特性可以与上述实施例的横向部分194b相同。根据本实施例的横向部分194e可以设置为与像素电极的边缘相邻。
在平面图中,数据线171可以与像素电极191的横向部分194e叠置。如图16中所示,数据线171的彼此平行的左边缘和右边缘可以与横向部分194e叠置,或者可选地,数据线171的左边缘和右边缘中的仅一者可以与横向部分194e叠置。
另外,数据线171与分支部分194之间的关系和效果可以与上述示例性实施例中的关系和效果相同。
接下来,参照图17以及上述图2至图4描述根据本发明构思的示例性实施例的显示装置。
图17是沿着线IIIa-IIIb截取的图2中所示的显示装置的剖视图的变型。
参照图17,根据本示例性实施例的显示装置大部分与根据上述示例性实施例的显示装置相同,但是滤色器230可以设置在第二显示面板200中而不是第一显示面板100中。即,多个滤色器230可以设置在第二基底210下方,并且绝缘层250可以设置在多个滤色器230下方。上述光阻挡构件220可以设置在第二基底210与绝缘层250之间。
根据另一示例性实施例,光阻挡构件220也可以设置在第一显示面板100中。
接下来,参照图18至图20以及上述图2至图4描述根据本发明构思的示例性实施例的显示装置。
图18是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的一个像素的布局图,图19是沿着线XIXa-XIXb截取的图18中所示的显示装置的剖视图,并且图20是沿着线XXa-XXb截取的图18中所示的显示装置的剖视图。
本示例性实施例大部分与上述实施例相同,但是半导体层可以是不同的。详细地,半导体层可以包括设置在栅极绝缘层140与包括数据线171、源电极173、多个漏电极175的数据导电层之间的半导体151。半导体151包括设置在源电极173和漏电极175之间的沟道部分154a作为薄膜晶体管Q的沟道。即,沟道部分154a不被数据导电层覆盖。
欧姆接触层161可以设置在半导体151与数据导电层之间。欧姆接触层161可以包括设置在源电极173和漏电极175下方的欧姆接触层163和165。
除了沟道部分154a之外的半导体151和除了沟道部分154a之外的欧姆接触层161的平面形状可以基本上类似于数据导电层的平面形状。即,半导体151的除了沟道部分154a之外的边缘或欧姆接触层161的除了沟道部分154a之外的边缘可以基本上平行于数据导电层的边缘延伸。
在以上描述中,已经将其中穿过像素电极的透射区域的信号线是数据线171的情况描述为主要示例,但是实施例不限于此,并且本发明构思可以等同地应用于其中数据线171和/或其他信号线穿过像素电极的透射区域的情况。
虽然已经结合当前被认为是实践性的示例性实施例描述了本发明构思,但是将理解的是,发明构思不限于公开的实施例。相反,发明旨在覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
Claims (13)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
多个像素,每个像素包括光能够透射通过的透射区域和光不能够透射通过的光阻挡区域;
信号线,在所述透射区域处在与第一方向垂直的方向上延伸;
晶体管,电连接到所述信号线,并且设置在所述光阻挡区域中;以及
像素电极,电连接到所述晶体管并且包括多个分支部分,
其中,所述多个分支部分中的至少两个分支部分均包括第一部分、在所述第一方向上从所述第一部分延伸的第二部分以及从所述第二部分延伸的第三部分,
其中,所述第二部分的延伸方向与所述第一方向之间形成的锐角小于所述第一部分的延伸方向与所述第一方向之间形成的锐角和所述第三部分的延伸方向与所述第一方向之间形成的锐角,
其中,所述信号线在平面图中与所述第二部分叠置,
其中,在所述平面图中,所述多个分支部分中的所述至少两个分支部分的所述第二部分在与所述信号线叠置的区域中彼此间隔开,
其中,所述信号线的两个平行的边缘与所述第二部分叠置,并且
其中,所述第二部分设置在所述第一部分与所述第三部分之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二部分在所述第一方向上的宽度大于或等于所述信号线在所述第一方向上的宽度。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述信号线是向所述晶体管传输数据电压的数据线。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一部分的所述延伸方向与所述第三部分的所述延伸方向相同。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一部分的宽度与所述第三部分的宽度是恒定的。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述像素电极还包括:
横向主干,在与所述第一部分的所述延伸方向不同的方向上延伸;以及
纵向主干,在与所述横向主干的延伸方向垂直的方向上延伸并且与所述横向主干相交,并且
其中,所述多个分支部分中的所述至少两个分支部分均从所述横向主干或所述纵向主干倾斜地延伸。
7.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
共电极,与所述像素电极相对;以及
液晶层,包括液晶分子并且置于所述像素电极与所述共电极之间。
8.一种显示装置,所述显示装置包括:
像素,包括透射区域和光阻挡区域;
信号线,在所述透射区域中在第一方向上延伸;
像素电极,设置在所述透射区域处;以及
晶体管,设置在所述光阻挡区域处,
其中,所述像素电极包括多个分支部分,所述多个分支部分中的至少两个分支部分均包括第一部分、第二部分和第三部分,在平面图中,所述第一部分相对于所述第一方向倾斜地延伸,所述第二部分在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸,所述第三部分从所述第二部分延伸,
其中,所述第三部分与所述第二方向之间具有锐角,
其中,所述信号线在所述平面图中与所述第二部分叠置,
其中,在所述平面图中,所述多个分支部分中的所述至少两个分支部分的所述第二部分在与所述信号线叠置的区域中彼此间隔开,
其中,所述信号线的两个平行的边缘与所述第二部分叠置,
其中,所述信号线是向所述晶体管传输数据电压的数据线,并且
其中,所述第二部分设置在所述第一部分与所述第三部分之间。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述第二部分在所述第二方向上的宽度大于或等于所述信号线在所述第二方向上的宽度。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述第一部分的延伸方向与所述第三部分的所述延伸方向相同。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,
所述第一部分的宽度与所述第三部分的宽度是恒定的。
12.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述像素电极还包括:
横向主干,在所述第二方向上延伸;以及
纵向主干,在与所述横向主干的延伸方向垂直的方向上延伸并且与所述横向主干相交,并且
其中,所述多个分支部分从所述横向主干或所述纵向主干倾斜地延伸。
13.一种显示装置,所述显示装置包括:
像素,包括透射区域和光阻挡区域;
基底;
信号线和晶体管,所述信号线在所述透射区域处沿着第一方向延伸,所述晶体管在所述光阻挡区域中设置在所述基底上;以及
像素电极,设置在所述晶体管和所述信号线上,
其中,所述像素电极包括多个分支部分,所述多个分支部分中的至少两个分支部分均包括第一部分、第二部分和第三部分,在平面图中,所述第一部分相对于所述第一方向倾斜地延伸,所述第二部分在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸,所述第三部分从所述第二部分延伸,
其中,所述第三部分与所述第二方向之间具有锐角,
其中,所述信号线在所述平面图中与所述第二部分叠置,
其中,在所述平面图中,所述多个分支部分中的所述至少两个分支部分的所述第二部分在与所述信号线叠置的区域中彼此间隔开,
其中,所述信号线的两个平行的边缘与所述第二部分叠置,
其中,所述信号线是向所述晶体管传输数据电压的数据线,并且
其中,所述第二部分设置在所述第一部分与所述第三部分之间。
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