CN112768895A - 天线、低频振子及辐射单元 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种天线、低频振子及辐射单元，辐射单元包括辐射基板、导电枝节及至少两个耦合件。其中，辐射基板设有正面和反面；导电枝节固设在辐射基板的正面上，并且，导线枝节沿辐射基板的长度方向延伸设置；至少两个耦合件固设在辐射基板的反面上，并且，至少两个耦合件沿辐射基板的长度方向排列，而且，相邻的两个耦合件之间相互耦合，每个耦合件均与导电枝节电性连接。高频振子的电磁波辐射至低频振子的辐射单元上时，通过相邻的两个耦合件及相邻的两个耦合件与导电枝节的电性连接，从而在导电枝节上形成方向相反的高频电场回路，进而使得高频振子辐射至低频振子的辐射单元上的电磁场相互抵消，从而达到滤波效果。

Description

天线、低频振子及辐射单元

技术领域

本发明涉及移动通信技术领域，特别是涉及一种天线、低频振子及辐射单元。

背景技术

随着移动通信技术的高速发展，天线的使用数量也日益增多。5G技术的日益成熟，能够集成4G通信系统与5G通信系统的天线成为了发展趋势。4G通信系统与5G通信系统集成过程中，滤波效果较差。

发明内容

基于此，有必要针对滤波效果较差的问题，提供一种天线、低频振子及辐射单元。

其技术方案如下：

一方面，提供了一种辐射单元，包括：

辐射基板，所述辐射基板设有相对间隔设置的正面和反面；

导电枝节，所述导电枝节设置于所述正面，且所述导电枝节沿所述辐射基板的长度方向设置；及

耦合件，所述耦合件至少为两个，至少两个所述耦合件间隔设置于所述反面，相邻的两个所述耦合件相互耦合，且至少两个所述耦合件均与所述导电枝节电性连接。

上述实施例的辐射单元，应用于低频振子上，当低频振子与高频振子集成在天线的反射板上，高频振子的电磁波辐射至低频振子的辐射单元上时，通过相邻的两个耦合件及相邻的两个耦合件与导电枝节的电性连接，从而在导电枝节上形成方向相反的高频电场回路，进而使得高频振子辐射至低频振子的辐射单元上的电磁场相互抵消，从而达到滤波效果。并且，耦合件之间的间隔设置，还能减少对高频振子的遮挡，透波效应好，能够有效减少对高频振子阵列方向图的影响。

下面进一步对技术方案进行说明：

在其中一个实施例中，所述辐射基板设有至少两个金属化通孔，所述金属化通孔与所述耦合件一一对应设置，所述金属化通孔用于将所述耦合件与所述导电枝节电性连接。

在其中一个实施例中，所述耦合件为三个，三个所述耦合件沿所述辐射基板的长度方向布置，所述辐射基板设有三个所述金属化通孔，三个所述耦合件分别通过三个所述金属化通孔与所述导电枝节电性连接。

在其中一个实施例中，所述金属化通孔对应所述导电枝节的中心轴线设置。

在其中一个实施例中，相邻两个所述金属化通孔的距离等于高频振子的中心频率的四分之一波长。

在其中一个实施例中，相邻两个所述耦合件之间的距离等于高频振子的中心频率的八分之一波长。

在其中一个实施例中，所述耦合件的长度小于高频振子的中心频率的四分之一波长大于高频振子的中心频率的五分之一波长。

在其中一个实施例中，所述导电枝节包括与所述耦合件对应设置的第一枝节部、及与相邻两个所述耦合件之间的间隙对应设置的第二枝节部，所述第一枝节部与所述第二枝节部连接，相邻两个所述第一枝节部之间设有一个所述第二枝节部，所述耦合件与对应的所述第一枝节部电性连接，且所述第一枝节部的宽度大于所述第二枝节部的宽度。

在其中一个实施例中，一个所述辐射基板、一个所述导电枝节及至少两个所述耦合件配合形成一个辐射臂，两个相对间隔设置的所述辐射臂配合形成一个偶极子，所述辐射单元包括两个极化正交的偶极子、及与两个所述偶极子均耦合连接的耦合结构，所述耦合结构设置于两个相对间隔设置的所述辐射臂之间，所述耦合结构与对应的所述导电枝节及对应的所述耦合件均耦合连接。

在其中一个实施例中，一个所述偶极子中，两个所述导电枝节的最远端之间的距离等于高频振子的工作频段波长的二分之一。

另一方面，提供了一种低频振子，包括馈电结构及所述的辐射单元，所述馈电结构用于对所述辐射单元进行馈电。

上述实施例的低频振子，利用馈电结构对辐射单元进行馈电，从而将电信号传输至辐射单元并通过辐射单元进行信号的辐射。同时，当低频振子与高频振子集成在天线的反射板上，高频振子的电磁波辐射至低频振子的辐射单元上时，能够将高频振子辐射至低频振子的辐射单元上的电磁场进行相互抵消，从而达到滤波效果。并且，低频振子对高频振子的遮挡少，透波效应好，能够有效减少对高频振子阵列方向图的影响。

在其中一个实施例中，所述辐射基板设有卡槽，所述馈电结构包括馈电基板、及设置于所述馈电基板上的馈电带线，所述馈电基板设有用于与所述卡槽卡接配合的凸起，所述馈电带线与所述导电枝节及所述耦合件均耦合连接。

再一方面，提供了一种天线，包括至少两个呈阵列设置的高频振子、及至少两个所述的低频振子，所述低频振子呈阵列设置，且所述低频振子与所述高频振子间隔设置。

上述实施例的天线，使用过程中，高频振子的电磁波辐射至低频振子的辐射单元上时，能够在低频振子的导电枝节上形成方向相反的高频电场回路，进而使得高频振子辐射至低频振子的辐射单元上的电磁场相互抵消，从而达到滤波效果。并且，低频振子的耦合件之间的间隔设置，还能减少对高频振子的遮挡，透波效应好，能够有效减少对高频振子阵列方向图的影响。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一个实施例的天线的高频振子与低频振子的布局示意图；

图2为图1的天线的低频振子的结构示意图；

图3为图2的天线的低频振子的辐射单元的正面结构示意图；

图4为图2的天线的低频振子的辐射单元的反面结构示意图；

图5为图1的天线的高频振子的方向图；

图6为图1的天线的低频振子的方向图。

附图标记说明：

10、辐射单元，11、辐射臂，12、耦合结构，20、馈电结构，21、馈电基板，100、辐射基板，110、正面，120、反面，130、金属化通孔，200、导电枝节，210、中心轴线，220、第一枝节部，230、第二枝节部，300、耦合件，1000、低频振子，2000、高频振子，3000、反射板。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

如图1及图2所示，在一个实施例中，提供了一种辐射单元10，可以应用于集成了4G通信系统与5G通信系统的天线上，保证天线的滤波效果。

如图3及图4所示，在一个实施例中，辐射单元10包括辐射基板100、导电枝节200及至少两个耦合件300。其中，辐射基板100设有背离反射板3000的正面110和朝向反射板3000的反面120；导电枝节200采取电镀、粘附等方式固设在辐射基板100的正面110上，并且，导线枝节沿辐射基板100的长度方向(如图3及图4的A方向所示)延伸设置；至少两个耦合件300采用电镀、粘附等方式固设在辐射基板100的反面120上，并且，至少两个耦合件300沿辐射基板100的长度方向排列，而且，相邻的两个耦合件300之间相互耦合，每个耦合件300均与导电枝节200电性连接。如此，通过导电枝节200、相互耦合的耦合件300、以及耦合件300与导电枝节200的电性连接，从而将传输至辐射单元10的电信号辐射出去。

上述实施例的辐射单元10，应用于低频振子1000上，当低频振子1000与高频振子2000集成在天线的反射板3000上，高频振子2000的电磁波辐射至低频振子1000的辐射单元10上时，通过相邻的两个耦合件300及相邻的两个耦合件300与导电枝节200的电性连接，从而在导电枝节200上形成方向相反的高频电场回路，进而使得高频振子2000辐射至低频振子1000的辐射单元10上的电磁场相互抵消，从而达到滤波效果。并且，耦合件300之间的间隔设置，还能减少对高频振子2000的遮挡，透波效应好，能够有效减少对高频振子2000阵列方向图的影响。

可选地，耦合件300可以是金属片，耦合件300的形状可以是矩形、正方形或其他满足使用要求的形状。

可选地，相邻两个耦合件300之间的间距能够根据实际使用情况进行灵活的设计或调整。

如图4所示，在一个实施例中，相邻两个耦合件300之间的距离(如图4的距离D所示)等于高频振子2000的中心频率的八分之一波长。如此，不仅保证相邻两个耦合件300之间能够相互耦合；也保证高频振子2000的电磁波辐射至低频振子1000的辐射单元10上时，在导电枝节200上形成方向相反的高频电场回路，进而使得高频振子2000辐射至低频振子1000的辐射单元10上的电磁场相互抵消，滤波效果好。

可选地，耦合件300的尺寸能够根据实际使用情况进行灵活的设计或调整。

如图4所示，在一个实施例中，耦合件300的长度(如图4的长度L所示)小于高频振子2000的中心频率的四分之一波长大于高频振子2000的中心频率的五分之一波长。如此，不仅保证相邻两个耦合件300之间能够相互耦合；也保证高频振子2000的电磁波辐射至低频振子1000的辐射单元10上时，在导电枝节200上形成方向相反的高频电场回路，进而使得高频振子2000辐射至低频振子1000的辐射单元10上的电磁场相互抵消，滤波效果好。

可选地，耦合件300与导电枝节200的电性连接方式可以通过金属化通孔进行连接，也可以通过导电柱进行短接实现。

如图3及图4所示，在一个实施例中，辐射基板100设有至少两个金属化通孔130。金属化通孔130与耦合件300一一对应设置。如此，利用金属化通孔130将耦合件300与导电枝节200实现电性连接，简单、方便，易于加工。并且，利用相邻的两个耦合件300和相邻的两个金属化通孔130，从而在导电枝节200上形成方向相反的高频电场回路，进而使得高频振子2000辐射至低频振子1000的辐射单元10上的电磁场相互抵消，滤波效果好。

如图3所示，进一步地，金属化通孔130对应导电枝节200的中心轴线210设置。如此，便于在辐射基板100上进行加工；也能够在导电枝节200的中心轴线210所在的部位形成方向相反的高频电场回路，进而使得高频振子2000辐射至低频振子1000的辐射单元10上的电磁场相互抵消，滤波效果好。其中，导电枝节200的中心轴线210是指沿辐射基板100长度方向设置的中心轴线210。

可选地，相邻两个金属化通孔130之间的间距能够根据实际使用情况进行灵活的设计或调整。其中，相邻两个金属化通孔130之间的间距是指相邻两个金属化通孔130的中心轴线210之间的间距。

如图4所示，在一个实施例中，相邻两个金属化通孔130的距离(如图4的距离B所示)等于高频振子2000的中心频率的四分之一波长。如此，利用相邻的两个耦合件300和相邻的两个金属化通孔130，从而在导电枝节200上形成方向相反的高频电场回路，进而使得高频振子2000辐射至低频振子1000的辐射单元10上的电磁场相互抵消，滤波效果好。

可选地，耦合件300的数量能够根据实际使用情况进行灵活的设计或调整。

具体地，耦合件300的数量与高频振子2000的工作频段的宽度呈正相关。如此，当高频振子2000的工作频段较宽时，耦合件300的数量可以相应增大，保证高频振子2000辐射至低频振子1000的辐射单元10上的电磁场相互抵消，保证滤波效果；当高频振子2000的工作频段较窄时，耦合件300的数量可以相应减少，节省成本。

如图4所示，在一个实施例中，耦合件300为三个，三个耦合件300沿辐射基板100的长度方向布置。辐射基板100设有三个金属化通孔130。三个耦合件300分别通过三个金属化通孔130与导电枝节200电性连接。如此，利用三个耦合件300和三个金属化通孔130，从而在导电枝节200上形成方向相反的高频电场回路，进而使得高频振子2000辐射至低频振子1000的辐射单元10上的电磁场相互抵消。

可选地，导电枝节200可以采用长条形，导电枝节200的宽度可以根据实际使用情况进行灵活的局部设计或调整，从而能够对阻抗进行调节。

如图3所示，在一个实施例中，导电枝节200包括与耦合件300对应设置的第一枝节部220、及与相邻两个耦合件300之间的间隙对应设置的第二枝节部230。第一枝节部220与第二枝节部230连接，相邻两个第一枝节部220之间设有一个第二枝节部230。耦合件300与对应的第一枝节部220电性连接，且第一枝节部220的宽度大于第二枝节部230的宽度。如此，能够通过调节第一枝节部220和第二枝节部230的设计宽度，从而能够灵活的对阻抗进行调节。并且，将第二枝节部230的宽度设计的较小，能够减少对高频振子2000的遮挡，透波效应好，能够有效减少对高频振子2000阵列方向图的影响；将第一枝节部220的宽度设计的较大，便于利用金属化通孔130实现导电枝节200与耦合件300的电性连接。其中，金属化通孔130可以对应第一枝节部220的中间部位设置，能够在第一枝节部220的中间部位形成方向相反的高频电场回路，进而使得高频振子2000辐射至低频振子1000的辐射单元10上的电磁场相互抵消，滤波效果好。第一枝节部220的中间部位可以是靠近第一枝节部220的几何中心的一个区域，也可以是第一枝节部220的几何中心。

进一步地，为了进一步提高阻抗调节的灵活性，各个第一枝节部220之间的宽度可以相同或不同；各个第二枝节部230之间的宽度可以相同或不同。从而能够灵活的设计第一枝节部220和第二枝节部230的宽度，从而实现阻抗匹配的效果。

如图2至图4所示，可选地，辐射单元10包括两个极化相互正交的偶极子，每个偶极子包括两个相对间隔设置的辐射臂11。其中，一个辐射基板100、一个导电枝节200及至少两个耦合件300配合形成一个辐射臂11。同时，辐射单元10还包括设置于每个偶极子中两个辐射臂11之间的耦合结构12，通过耦合结构12与对应的导电枝节200和耦合件300的耦合连接，实现电信号的传递。其中，耦合结构12可以是现有的设置在辐射基板100上的耦合馈电片或耦合电路结构，只需满足能够对导电枝节200和耦合件300进行耦合馈电即可。

如图3及图4所示，具体地，辐射单元10包括四个辐射臂11，四个辐射臂11的中间部位设有耦合结构12，耦合结构12能够与馈电结构通过电性连接或耦合连接的方式进行电信号的传递。

如图3所示，其中，在一个偶极子中，两个导电枝节200的最远端之间的距离(如图3的距离C所示)等于高频振子2000的工作频段波长的二分之一。如此，保证辐射单元10的辐射性能的同时，辐射单元10的体积较小，结构紧凑。其中，导电枝节200的最远端是指导电枝节200远离耦合结构12的一端。

如图2所示，在一个实施例中，还提供了一种低频振子1000，包括馈电结构20及上述任一实施例的辐射单元10，馈电结构20用于对辐射单元10进行馈电。

上述实施例的低频振子1000，利用馈电结构20对辐射单元10进行馈电，从而将电信号传输至辐射单元10并通过辐射单元10进行信号的辐射。同时，当低频振子1000与高频振子2000集成在天线的反射板3000上，高频振子2000的电磁波辐射至低频振子1000的辐射单元10上时，能够将高频振子2000辐射至低频振子1000的辐射单元10上的电磁场进行相互抵消，从而达到滤波效果。并且，低频振子1000对高频振子2000的遮挡少，透波效应好，能够有效减少对高频振子2000阵列方向图的影响。

其中，馈电结构20可以是任意的能够对辐射单元10的耦合件300和导电枝节200进行馈电的结构，例如，可以采取馈电巴伦的形式。当然，馈电结构20也可以先对中间元件进行馈电，再间接的对耦合件300和导电枝节200进行馈电，例如馈电结构20先对耦合结构12进行馈电，再通过耦合结构12对耦合件300和导电枝节200进行馈电。

在一个实施例中，辐射基板100靠近耦合结构12的部分设有卡槽(未标注)。如图2所示，馈电结构20包括馈电基板21、及设置于馈电基板21上的馈电带线(未图示)。馈电基板21设有用于与卡槽卡接配合的凸起(未标注)，馈电带线与导电枝节200及耦合件300均耦合连接。如此，只需将馈电基板21上的凸起插入辐射基板100的卡槽内，即可使得馈电带线与导电枝节200和耦合件300耦合连接，从而能够对导电枝节200和耦合件300进行馈电。当然，馈电带线也可以先对耦合结构12进行馈电，再通过耦合结构12对导电枝节200和耦合件300进行馈电。

如图1所示，在一个实施例中，还提供了一种天线，包括至少两个呈阵列设置的高频振子2000、及至少两个上述任一实施例的低频振子1000，低频振子1000呈阵列设置，且低频振子1000与高频振子2000间隔设置。

上述实施例的天线，使用过程中，高频振子2000的电磁波辐射至低频振子1000的辐射单元10上时，能够在低频振子1000的导电枝节200上形成方向相反的高频电场回路，进而使得高频振子2000辐射至低频振子1000的辐射单元10上的电磁场相互抵消，从而达到滤波效果。并且，低频振子1000的耦合件300之间的间隔设置，还能减少对高频振子2000的遮挡，透波效应好，能够有效减少对高频振子2000阵列方向图的影响。

需要进行说明的是，天线还可以包括现有的移相部件、驱动移相部件的驱动电机和校准网络等附属部件，由于其不属于本发明实施例的改进点，在此不进行赘述。高频振子2000可以是现有的任意一种能够与低频振子1000进行集合使用的振子结构。

高频振子2000和低频振子1000的数量可以根据实际使用需要进行灵活的调节，高频振子2000与低频振子1000的布置方式也可以根据实际使用情况进行灵活的设计或调整。

如图1所示，在一个实施例中，天线包括十二行八列高频振子2000，每三行高频振子2000形成一个子阵列。其中，在第四行与第五行之间设有两个低频振子1000，且两个低频振子1000分别设置在第一列与第二列之间、及第七列与第八列之间；在第十行与第十一行之间设有两个低频振子1000，且两个低频振子1000分别设置在第一列与第二列之间、及第七列与第八列之间。

具体地，如图5所示，为高频振子2000在3.4GHz-3.6GHz频段的水平面方向图，波束宽度近似为120°，增益达到12dB且旁瓣电平较低，具有良好的远场辐射特性。低频振子1000对高频振子2000的方向图影响不大，具有良好的透波性能。

具体地，如图6所示，为低频振子1000在820MHz-960MHz频段的水平面方向图，波束宽度近似为70°，增益达到14dB，旁瓣较少且电平较低。高频振子2000对低频振子1000的方向图影响较小。

需要说明的是，“某体”、“某部”可以为对应“构件”的一部分，即“某体”、“某部”与该“构件的其他部分”一体成型制造；也可以与“构件的其他部分”可分离的一个独立的构件，即“某体”、“某部”可以独立制造，再与“构件的其他部分”组合成一个整体。本申请对上述“某体”、“某部”的表达，仅是其中一个实施例，为了方便阅读，而不是对本申请的保护的范围的限制，只要包含了上述特征且作用相同应当理解为是本申请等同的技术方案。

需要说明的是，本申请“单元”、“组件”、“机构”、“装置”所包含的构件亦可灵活进行组合，即可根据实际需要进行模块化生产，以方便进行模块化组装。本申请对上述构件的划分，仅是其中一个实施例，为了方便阅读，而不是对本申请的保护的范围的限制，只要包含了上述构件且作用相同应当理解是本申请等同的技术方案。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。本发明中使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”、“设置于”、“固设于”或“安设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。进一步地，当一个元件被认为是“固定传动连接”另一个元件，二者可以是可拆卸连接方式的固定，也可以不可拆卸连接的固定，能够实现动力传递即可，如套接、卡接、一体成型固定、焊接等，在现有技术中可以实现，在此不再累赘。当元件与另一个元件相互垂直或近似垂直是指二者的理想状态是垂直，但是因制造及装配的影响，可以存在一定的垂直误差。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

还应当理解的是，在解释元件的连接关系或位置关系时，尽管没有明确描述，但连接关系和位置关系解释为包括误差范围，该误差范围应当由本领域技术人员所确定的特定值可接受的偏差范围内。例如，“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着一个或多个标准偏差内，在此不作限定。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (13)

1.一种辐射单元，其特征在于，包括：

辐射基板，所述辐射基板设有相对间隔设置的正面和反面；

导电枝节，所述导电枝节设置于所述正面，且所述导电枝节沿所述辐射基板的长度方向设置；及

耦合件，所述耦合件至少为两个，至少两个所述耦合件间隔设置于所述反面，相邻的两个所述耦合件相互耦合，且至少两个所述耦合件均与所述导电枝节电性连接。

2.根据权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，所述辐射基板设有至少两个金属化通孔，所述金属化通孔与所述耦合件一一对应设置，所述金属化通孔用于将所述耦合件与所述导电枝节电性连接。

3.根据权利要求2所述的辐射单元，其特征在于，所述耦合件为三个，三个所述耦合件沿所述辐射基板的长度方向布置，所述辐射基板设有三个所述金属化通孔，三个所述耦合件分别通过三个所述金属化通孔与所述导电枝节电性连接。

4.根据权利要求2所述的辐射单元，其特征在于，所述金属化通孔对应所述导电枝节的中心轴线设置。

5.根据权利要求2所述的辐射单元，其特征在于，相邻两个所述金属化通孔的距离等于高频振子的中心频率的四分之一波长。

6.根据权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，相邻两个所述耦合件之间的距离等于高频振子的中心频率的八分之一波长。

7.根据权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，所述耦合件的长度小于高频振子的中心频率的四分之一波长大于高频振子的中心频率的五分之一波长。

8.根据权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，所述导电枝节包括与所述耦合件对应设置的第一枝节部、及与相邻两个所述耦合件之间的间隙对应设置的第二枝节部，所述第一枝节部与所述第二枝节部连接，相邻两个所述第一枝节部之间设有一个所述第二枝节部，所述耦合件与对应的所述第一枝节部电性连接，且所述第一枝节部的宽度大于所述第二枝节部的宽度。

9.根据权利要求1至8任一项所述的辐射单元，其特征在于，一个所述辐射基板、一个所述导电枝节及至少两个所述耦合件配合形成一个辐射臂，两个相对间隔设置的所述辐射臂配合形成一个偶极子，所述辐射单元包括两个极化正交的偶极子、及与两个所述偶极子均耦合连接的耦合结构，所述耦合结构设置于两个相对间隔设置的所述辐射臂之间，所述耦合结构与对应的所述导电枝节及对应的所述耦合件均耦合连接。

10.根据权利要求9所述的辐射单元，其特征在于，一个所述偶极子中，两个所述导电枝节的最远端之间的距离等于高频振子的工作频段波长的二分之一。

11.一种低频振子，其特征在于，包括馈电结构及如权利要求1至10任一项所述的辐射单元，所述馈电结构用于对所述辐射单元进行馈电。

12.根据权利要求11所述的低频振子，其特征在于，所述辐射基板设有卡槽，所述馈电结构包括馈电基板、及设置于所述馈电基板上的馈电带线，所述馈电基板设有用于与所述卡槽卡接配合的凸起，所述馈电带线与所述导电枝节及所述耦合件均耦合连接。

13.一种天线，其特征在于，包括至少两个呈阵列设置的高频振子、及至少两个如权利要求11或12所述的低频振子，所述低频振子呈阵列设置，且所述低频振子与所述高频振子间隔设置。

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