CN112764316A - 步进曝光机的控制设备与控制方法 - Google Patents

步进曝光机的控制设备与控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112764316A
CN112764316A CN201910999042.3A CN201910999042A CN112764316A CN 112764316 A CN112764316 A CN 112764316A CN 201910999042 A CN201910999042 A CN 201910999042A CN 112764316 A CN112764316 A CN 112764316A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sample
stepper
generation
focal length
values
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910999042.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112764316B (zh
Inventor
林志明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
United Microelectronics Corp
Original Assignee
United Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by United Microelectronics Corp filed Critical United Microelectronics Corp
Priority to CN201910999042.3A priority Critical patent/CN112764316B/zh
Priority to US16/691,894 priority patent/US10983446B1/en
Publication of CN112764316A publication Critical patent/CN112764316A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112764316B publication Critical patent/CN112764316B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
    • G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
    • G06N3/02—Neural networks
    • G06N3/04—Architecture, e.g. interconnection topology
    • G06N3/045—Combinations of networks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
    • G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
    • G06N3/02—Neural networks
    • G06N3/08—Learning methods

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Computational Linguistics (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

一种步进曝光机的控制设备与控制方法。步进曝光机的控制设备包括输入装置、生成装置及处理装置。输入装置用以输入多个样本显影图。这些样本显影图由多个样本焦距值所获得。生成装置用以通过深度学习算法，产生对应于多个生成焦距值的多个生成分类。处理装置用以根据这些生成分类，分析在线显影图的估测焦距值。

Description

步进曝光机的控制设备与控制方法
技术领域
本发明是关于一种控制设备与控制方法，且特别是关于一种步进曝光机的控制设备与控制方法。
背景技术
随着半导体技术的发展，各式电子装置不断推陈出新。在芯片的制造过程中，需要经过曝光、显影、蚀刻等制程。光阻经由曝光制程后，于显影制程中呈现出遮罩图样，并通过此遮罩图样蚀刻金属层，以形成层线路。
因此，曝光制程的控制精准度将严重影响到蚀刻后的线路。传统上，操作人员可以调整步进曝光机的曝光能量，以期光阻能够显影出精准的图样。然而，在线宽尺寸要求越来越精细的情况下，步进曝光机需要更精准的调整，才能够形成更精密的线路。
发明内容
本发明是有关于一种步进曝光机的控制设备与控制方法，其利用人工智能技术来调校步进曝光机的光束焦距和/或曝光能量，以增进步进曝光机的精准度。
根据本发明的一方面，提出一种步进曝光机的控制设备。步进曝光机的控制设备包括输入装置、生成装置及处理装置。输入装置用以输入多个样本显影图。这些样本显影图由多个样本焦距值所获得。生成装置用以通过深度学习算法，产生对应于多个生成焦距值的多个生成分类。处理装置用以根据这些生成分类，分析在线显影图的估测焦距值。
根据本发明的另一方面，提出一种步进曝光机的控制方法。步进曝光机的控制方法包括以下步骤。根据多个样本焦距值，获得多个样本显影图。通过深度学习算法，产生对应于多个生成焦距值的多个生成分类。获得在线显影图。根据这些生成分类，分析在线显影图的估测焦距值。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下：
附图说明
图1示出根据一实施例的步进曝光机的控制设备的示意图。
图2示出根据一实施例的步进曝光机的控制方法的流程图。
图3说明图2的各步骤的示意图。
图4示出根据另一实施例的步进曝光机的控制方法的流程图。
图5说明图4的各步骤的示意图。
图6示出根据另一实施例的步进曝光机的控制方法的流程图。
图7说明图6的各步骤的示意图。
具体实施方式
请参照图1，其示出根据一实施例的步进曝光机(stepper)700的控制设备100的示意图。控制设备100包括输入装置110、生成装置120及处理装置130。输入装置110用以输入各种数据，例如是有线网络端口、无线网络收发模块、传输线、或USB端口。生成装置120用以进行数据的训练/生成等程序。处理装置130用以进行各种处理/分析的程序。生成装置120与处理装置130例如是电路、电路板、芯片、数组程序代码或储存程序代码的记录装置。
在本实施例中，生产线上的步进曝光机700对光阻完成曝光且进行显影后，由扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)800采集在线(On-line)显影图P70，并输入至控制设备100。控制设备100利用人工智能技术进行分析，即可获得估测焦距值F7。如此一来，可以通过估测焦距值F7来调校步进曝光机700的光束焦距，以使步进曝光机700的光束准确聚焦于光阻上，增进步进曝光机700的精准度。以下还通过流程图详细说明上述各项元件的运作。
请参照图2及图3，图2示出根据一实施例的步进曝光机700的控制方法的流程图，图3说明图2的各步骤的示意图。在步骤S110中，根据多个样本焦距值F1(示出于图3)，输入装置110获得多个样本显影图P10。样本焦距值F1为步进曝光机700所设定的，根据不同的样本焦距值F1，可以获得不同的样本显影图P10。这些样本显影图P10是由步进曝光机700对光阻实际进行曝光，且显影后由扫描电子显微镜800实际进行影像采集所获得。步进曝光机700对于样本焦距值F1的调准尺度有限，故样本焦距值F1与其对应的样本显影图P10数量有限。
接着，在步骤S120中，生成装置120通过深度学习算法，产生对应于多个生成焦距值F1’的多个生成分类CF1。深度学习算法包括自编码器算法(auto-encoder algorithm)及生成对抗网络算法(Generative Adversarial Network,GAN)。如图3所示，在此步骤中，样本显影图P10经由自编码器算法及生成对抗网络算法转换为已编码图P11，在产生已编码图P11的过程中，归类出对应于不同生成焦距值F1’的生成分类CF1。这些生成分类CF储存于数据库900中。
也就是说，生成焦距值F1’并非步进曝光机700所设定的，而是经由自编码器算法及生成对抗网络算法所生成。生成焦距值F1’的尺度比样本焦距值F1的尺度还要细，即生成焦距值F1’的数量多于样本焦距值F1的数量。
举例来说，步进曝光机700的设定有限，仅能以10组样本焦距值F1进行设定，而于步骤S110仅获得10张样本显影图P10。在步骤S120中，可以经由生成装置120来生成对应于100组生成焦距值F1’的100个生成分类CF1。
在步骤S130中，输入装置110在生产线运作时，获得待测的在线显影图P70。在线显影图P70是由步进曝光机700对生产线上的光阻实际进行曝光，且于显影后由扫描电子显微镜800实际进行影像采集所获得。
然后，在步骤S140中，处理装置130根据生成分类CF1，分析在线显影图P70的估测焦距值F7。如图3所示，在此步骤中，处理装置130依据在线显影图P70与各个生成分类CF1的隐藏层近似度进行分析。也就是说，在线显影图P70经过由编码器算法及生成对抗网络算法转换为已编码图P71，在此过程中的隐藏层特征HL71得以与生成分类CF1的隐藏层特征进行比对，找出最近似的一组生成分类CF1。得知最近似的一组生成分类CF1后，则可将对应的生成焦距值F1’视为估测焦距值F7。
接着，在步骤S150中，处理装置130即可根据估测焦距值F7输出控制指令CS1至步进曝光机700，以调校步进曝光机700的光束焦距。
如此一来，通过上述人工智能技术，步进曝光机700的光束焦距得以调校至最精准的数值，使得步进曝光机700的精准度能够大幅提升。
此外，本公开的人工智能技术除了能够调校步进曝光机700的光束焦距，还可一并调校步进曝光机700的曝光能量。请参照图4及图5，图4示出根据另一实施例的步进曝光机700的控制方法的流程图，图5说明图4的各步骤的示意图。在步骤S210中，根据多个样本焦距值F1及样本能量值E1，输入装置110获得多个样本显影图P10。样本焦距值F1与样本能量值E1为步进曝光机700所设定。根据不同的样本焦距值F1与样本能量值E1，可以获得不同的样本显影图P10。这些样本焦距值F1与这些样本能量值E1组成一矩阵。步进曝光机700对于样本焦距值F1与样本能量值E1的调准尺度有限，故样本焦距值F1、样本能量值E1与其对应的样本显影图P10的数量有限。
接着，在步骤S220中，生成装置120通过深度学习算法，产生对应于多个生成焦距值F1’与多个生成能量值E1’的多个生成分类CF2。在此步骤中，样本显影图P10经由自编码器算法及生成对抗网络算法转换为已编码图P12，在产生已编码图P12的过程中，归类出对应于生成焦距值F1’与生成能量值E1’的多个生成分类CF2。也就是说，生成焦距值F1’与生成能量值E1’并非步进曝光机700所设定的，而是经由自编码器算法及生成对抗网络算法所生成。生成焦距值F1’的尺度比样本焦距值F1的尺度还要细，即生成焦距值F1’的数量多于样本焦距值F1的数量。生成能量值E1’的尺度比样本能量值E1的尺度还要细，即生成能量值E1’的数量多于样本能量值E1的数量。
举例来说，步进曝光机700的设定有限，仅能以10组样本焦距值F1与10组样本能量值E1(组成10*10的矩阵)进行设定，而于步骤S210仅能获得100张样本显影图P10。在步骤S120中，可以经由生成装置120来生成对应于100组生成焦距值F1’与100组生成能量值E1’(组成100*100的矩阵)的10000个生成分类CF2。
在步骤S230中，输入装置110在生产线运作时，获得待测的在线显影图P70。在线显影图P70是由步进曝光机700对生产线上的光阻实际进行曝光，且于显影后由扫描电子显微镜800实际进行影像采集所获得。
然后，在步骤S240中，处理装置130根据生成分类CF2，分析在线显影图P70的估测焦距值F7与估测能量值E7。如图5所示，在此步骤中，处理装置130依据在线显影图P70与各个生成分类CF2的隐藏层近似度进行分析。也就是说，在线显影图P70经过由编码器算法及生成对抗网络算法转换为已编码图P72，在此过程中的HL71得以与生成分类CF2的隐藏层特征进行比对，找出最近似的一组生成分类CF2。得知最近似的一组生成分类CF2后，则可将对应的生成焦距值F1’与生成能量值E1’分别视为估测焦距值F7与估测能量值E7。
接着，在步骤S250中，处理装置130即可根据估测焦距值F7与估测能量值E7输出控制指令CS2至步进曝光机700，以调校步进曝光机700的光束焦距与曝光能量。
如此一来，通过上述人工智能技术，步进曝光机700的光束焦距与曝光能量得以调校至最精准的数值，使得步进曝光机700的精准度能够大幅提升。
此外，本公开的人工智能技术亦可应用于仅调校步进曝光机700的曝光能量的情况。请参照图6及图7，图6示出根据另一实施例的步进曝光机700的控制方法的流程图，图7说明图6的各步骤的示意图。在步骤S310中，根据多个样本能量值E1，输入装置110获得多个样本显影图P10。样本能量值E1为步进曝光机700预先设定的，根据不同的样本能量值E1，可以获得不同的样本显影图P10。步进曝光机700对于样本能量值E1的调准尺度有限，故样本能量值E1与其对应的样本显影图P10数量有限。
接着，在步骤S320中，生成装置120通过深度学习算法，产生对应于多个生成能量值E1’的多个生成分类CF3。在此步骤中，样本显影图P10经由自编码器算法及生成对抗网络算法转换为已编码图P13，在产生已编码图P13的过程中，归类出对应于生成能量值E1’的多个生成分类CF3。也就是说，生成能量值E1’并非步进曝光机700所设定的，而是经由自编码器算法及生成对抗网络算法所生成。生成能量值E1’的尺度比样本能量值E1的尺度还要细，即生成能量值E1’的数量多于样本能量值E1的数量。
举例来说，步进曝光机700的设定有限，仅能以10组样本能量值E1进行设定，而于步骤S310获得10张样本显影图P10。在步骤S320中，可以经由生成装置120来生成对应于100组生成能量值E1’的100个生成分类CF3。
在步骤S330中，输入装置110在生产线运作时，获得待测的在线显影图P70。在线显影图P70是由步进曝光机700对生产线上的光阻实际进行曝光，且于显影后由扫描电子显微镜800实际进行影像采集所获得。
然后，在步骤S340中，处理装置130根据生成分类CF3，分析在线显影图P70的估测能量值E7。如图5所示，在此步骤中，处理装置130依据在线显影图P70与各个生成分类CF3的隐藏层近似度进行分析。也就是说，在线显影图P70经过由编码器算法及生成对抗网络算法转换为已编码图P73，在此过程中的隐藏层特征HL71得以与生成分类CF3的隐藏层特征进行比对，找出最近似的一组生成分类CF3。得知最近似的一组生成分类CF3后，则可将对应的生成能量值E1’视为估测能量值E7。
接着，在步骤S350中，处理装置130即可根据估测能量值E7输出控制指令CS3至步进曝光机700，以调校步进曝光机700的光束焦距与曝光能量。
如此一来，通过上述人工智能技术，步进曝光机700的曝光能量得以调校至最精准的数值，使得步进曝光机700的精准度能够大幅提升。
综上所述，虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

Claims (20)

1.一种步进曝光机的控制设备，包括：
输入装置，用以输入多个样本显影图，所述样本显影图由多个样本焦距值所获得；
生成装置，用以通过深度学习算法，产生对应于多个生成焦距值的多个生成分类；以及
处理装置，用以根据所述生成分类，分析在线显影图的估测焦距值。
2.如权利要求1所述的步进曝光机的控制设备，其中所述样本显影图根据所述样本焦距值及多个样本能量值所获得。
3.如权利要求2所述的步进曝光机的控制设备，其中所述样本焦距值与所述样本能量值组成一矩阵。
4.如权利要求1所述的步进曝光机的控制设备，其中所述生成分类对应于所述样本焦距值及多个生成能量值。
5.如权利要求4所述的步进曝光机的控制设备，其中所述生成能量值的数量多于所述样本能量值的数量。
6.如权利要求5所述的步进曝光机的控制设备，其中该处理装置还根据所述生成分类，分析该在线显影图的估测能量值。
7.如权利要求1所述的步进曝光机的控制设备，其中该深度学习算法包括自编码器算法。
8.如权利要求1所述的步进曝光机的控制设备，其中该深度学习算法包括生成对抗网络算法。
9.如权利要求1所述的步进曝光机的控制设备，其中所述生成焦距值的数量多于所述样本焦距值的数量。
10.如权利要求1所述的步进曝光机的控制设备，其中该处理装置依据该在线显影图与每个生成分类的隐藏层近似度进行分析。
11.一种步进曝光机的控制方法，包括：
根据多个样本焦距值，获得多个样本显影图；
通过深度学习算法，产生对应于多个生成焦距值的多个生成分类；
获得在线显影图；以及
根据所述生成分类，分析该在线显影图的估测焦距值。
12.如权利要求11所述的步进曝光机的控制方法，其中在根据所述样本焦距值，获得所述样本显影图的步骤中，所述样本显影图是由所述样本焦距值及多个样本能量值所获得。
13.如权利要求12所述的步进曝光机的控制方法，其中所述样本焦距值与所述样本能量值组成一矩阵。
14.如权利要求12所述的步进曝光机的控制方法，其中在通过该深度学习算法，产生对应于所述生成焦距值的所述生成分类的步骤中，所述生成分类对应于所述生成焦距值及多个生成能量值。
15.如权利要求14所述的步进曝光机的控制方法，其中所述生成能量值的数量多于所述样本能量值的数量。
16.如权利要求15所述的步进曝光机的控制方法，其中在根据所述生成分类，分析该在线显影图的该估测焦距值的步骤中，还分析该在线显影图的估测能量值。
17.如权利要求11所述的步进曝光机的控制方法，其中在通过该深度学习算法，产生对应于所述生成焦距值的所述生成分类的步骤中，该深度学习算法包括自编码器算法。
18.如权利要求11所述的步进曝光机的控制方法，其中在通过该深度学习算法，产生对应于所述生成焦距值的所述生成分类的步骤中，该深度学习算法包括生成对抗网络算法。
19.如权利要求11所述的步进曝光机的控制方法，其中所述生成焦距值的数量多于所述样本焦距值的数量。
20.如权利要求11所述的步进曝光机的控制方法，其中在根据所述生成分类，分析该在线显影图的该估测焦距值的步骤中，依据该在线显影图与每个生成分类的隐藏层近似度进行分析。
CN201910999042.3A 2019-10-21 2019-10-21 步进曝光机的控制设备与控制方法 Active CN112764316B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910999042.3A CN112764316B (zh) 2019-10-21 2019-10-21 步进曝光机的控制设备与控制方法
US16/691,894 US10983446B1 (en) 2019-10-21 2019-11-22 Control equipment and control method of stepper

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910999042.3A CN112764316B (zh) 2019-10-21 2019-10-21 步进曝光机的控制设备与控制方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112764316A true CN112764316A (zh) 2021-05-07
CN112764316B CN112764316B (zh) 2024-05-14

Family

ID=75490851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910999042.3A Active CN112764316B (zh) 2019-10-21 2019-10-21 步进曝光机的控制设备与控制方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10983446B1 (zh)
CN (1) CN112764316B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021214139A1 (de) * 2021-12-10 2023-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einem Korrekturermittlungsmodul

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6501534B1 (en) * 2001-04-30 2002-12-31 Advanced Micro Devices, Inc. Automated periodic focus and exposure calibration of a lithography stepper
CN1459670A (zh) * 2002-05-23 2003-12-03 矽统科技股份有限公司 微影制程的焦距检测方法
US20040030420A1 (en) * 2002-07-30 2004-02-12 Ulyanov Sergei V. System and method for nonlinear dynamic control based on soft computing with discrete constraints
CN1969370A (zh) * 2004-04-28 2007-05-23 尼康股份有限公司 解析方法、曝光装置及曝光装置系统
US20080292977A1 (en) * 2007-05-23 2008-11-27 Toshihide Kawachi Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
JP2008292916A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Fujifilm Corp 画像露光装置及びマイクロレンズユニット並びにその製造方法
US20090284722A1 (en) * 2008-05-19 2009-11-19 International Business Machines Corporation Method for monitoring focus on an integrated wafer
CN101630126A (zh) * 2008-07-15 2010-01-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和系统
CN102272678A (zh) * 2008-12-30 2011-12-07 Asml荷兰有限公司 检验方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和器件制造方法
CN108351600A (zh) * 2015-11-19 2018-07-31 科磊股份有限公司 从设计信息产生模拟图像
US10043109B1 (en) * 2017-01-23 2018-08-07 A9.Com, Inc. Attribute similarity-based search

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7103439B1 (en) * 2001-04-02 2006-09-05 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for initializing tool controllers based on tool event data
US7171047B2 (en) 2002-12-20 2007-01-30 Lsi Logic Corporation Adaptive Sem edge recognition algorithm
US7749666B2 (en) 2005-08-09 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. System and method for measuring and analyzing lithographic parameters and determining optimal process corrections
US10593042B1 (en) * 2017-04-11 2020-03-17 Zoox, Inc. Perspective conversion for multi-dimensional data analysis
CN109978812A (zh) * 2017-12-24 2019-07-05 奥林巴斯株式会社 摄像系统、学习装置、摄像装置和学习方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6501534B1 (en) * 2001-04-30 2002-12-31 Advanced Micro Devices, Inc. Automated periodic focus and exposure calibration of a lithography stepper
CN1459670A (zh) * 2002-05-23 2003-12-03 矽统科技股份有限公司 微影制程的焦距检测方法
US20040030420A1 (en) * 2002-07-30 2004-02-12 Ulyanov Sergei V. System and method for nonlinear dynamic control based on soft computing with discrete constraints
CN1969370A (zh) * 2004-04-28 2007-05-23 尼康股份有限公司 解析方法、曝光装置及曝光装置系统
US20080292977A1 (en) * 2007-05-23 2008-11-27 Toshihide Kawachi Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
JP2008292916A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Fujifilm Corp 画像露光装置及びマイクロレンズユニット並びにその製造方法
US20090284722A1 (en) * 2008-05-19 2009-11-19 International Business Machines Corporation Method for monitoring focus on an integrated wafer
CN101630126A (zh) * 2008-07-15 2010-01-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和系统
CN102272678A (zh) * 2008-12-30 2011-12-07 Asml荷兰有限公司 检验方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和器件制造方法
CN108351600A (zh) * 2015-11-19 2018-07-31 科磊股份有限公司 从设计信息产生模拟图像
US10043109B1 (en) * 2017-01-23 2018-08-07 A9.Com, Inc. Attribute similarity-based search

Also Published As

Publication number Publication date
CN112764316B (zh) 2024-05-14
US10983446B1 (en) 2021-04-20
US20210116822A1 (en) 2021-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11587225B2 (en) Pattern inspection system
US10720367B2 (en) Process window analysis
KR100832660B1 (ko) 포토마스크의 평가 방법, 평가 장치, 및 반도체 장치의제조 방법
US20040225488A1 (en) System and method for examining mask pattern fidelity
US8316328B2 (en) Apparatus for manufacturing a photomask
US10831116B2 (en) Pattern forming apparatus, deciding method, storage medium, information processing apparatus, and article manufacturing method
JP2007102153A (ja) 画像補正装置、パターン検査装置、画像補正方法、及びレチクル
CN112485976A (zh) 基于逆向刻蚀模型确定光学临近修正光刻目标图案的方法
JP2023002652A (ja) 画像処理プログラム、画像処理装置および画像処理方法
CN111430261A (zh) 一种工艺检测方法及装置
US20200034511A1 (en) Methods and systems for wafer image generation
CN112764316B (zh) 步进曝光机的控制设备与控制方法
US10558127B2 (en) Exposure condition evaluation device
US20230036630A1 (en) Aligning a distorted image
KR102454701B1 (ko) 디바이스 제조 방법
CN107703720B (zh) 一种完善光刻模型数据对测试图形覆盖范围的方法
US10282509B2 (en) Non-transitory computer readable storage medium, mask evaluation method and inspection apparatus
CN112529833B (zh) 一种用于确定半导体工艺的工艺极限的方法和装置
JP6945601B2 (ja) パターン形成装置、決定方法、プログラム、情報処理装置及び物品の製造方法
CN112578646B (zh) 一种基于图像的离线的光刻工艺稳定性控制方法
CN113917790B (zh) 一种信息处理方法、装置、介质、校正器、模组及设备
TW202328821A (zh) 用於轉換度量衡資料之方法
CN118096693A (zh) 一种集成电路晶圆针印图像缺陷检测方法
CN117518723A (zh) 光学临近修正模型的评估方法、评估系统及其工作方法
Matsuoka et al. Development of the automatic recipe generation system for CD-SEM using design data

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant