CN112747821B - 一种集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器，包括二维光子晶体平板、L1型光子微腔和太赫兹探测器，其中：二维光子晶体平板上晶格周期排列形成三角晶格结构，二维光子晶体平板上设置L1型光子微腔，L1型光子微腔上微纳加工制备太赫兹探测器。本发明光子晶体微腔耦合结构相比于天线耦合结构，损耗更小，效率更高，谐振的品质因素更高，消除了太赫兹探测器衬底效应的干扰，提高了探测器的灵敏度。

Description

一种集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器
技术领域
本发明涉及太赫兹探测技术，具体涉及一种集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器。
背景技术
太赫兹频谱通常是指0.1THz到10THz之间的频谱区域，对应波长在30-3000μm，它的特殊光谱位置决定了其在生物成像和高速无线通信具有相比其他波段的优越性。目前太赫兹技术的进步亟需高功率的源和高灵敏度的探测器。对于提高探测器的灵敏度，除了直接提升探测器本征性能外，还可以从太赫兹探测器与信号的耦合强度入手。传统的解决方案采用集成平面天线耦合结构，通过天线接受固定频率信号，传输到天线馈电点，再耦合到馈电位置的探测器中。但是天线耦合结构存在诸多限制，比如衬底干涉效应会恶化天线性能，天线集成往往需要考虑与探测器的阻抗匹配问题，更重要的是天线耦合结构的探测器受衬底FP腔的限制，谐振选频效果不理想，谐振频率操控很困难。为了实现探测器与信号的高效耦合并提升器件的选频性能，需要寻求新的结构和方法代替天线耦合。
光子晶体是一种介电常数随空间位置周期变化的新型材料，其最基本的特征就是具有光子带隙，落入该带隙内的光子无法传播。光子晶体的应用主要依赖于加入缺陷来干扰周期性，从而引入局域光子模来捕捉和增强信号。基于光子晶体具有小型化、传输损耗小以及耦合效率高等优点，因此，可以将光子晶体的谐振调控特性用于太赫兹探测器，提高太赫兹探测器对入射信号的耦合，同时实现多频段谐振探测。硅是介质中色散最小的材料，当频率低于3THz时，同一频段的硅折射率变化小于0.0001，同时高纯度硅的吸收常数小于0.1cm-1。由于硅对太赫兹波的色散小和吸收损耗小，同时价格低廉，制备方便，因此硅无疑是在太赫兹波段制作光子晶体的首选材料。因此设计并制备集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器有望解决太赫兹探测中的高效耦合和多波段谐振选频的难题。
发明内容
本发明的目的在于提出了一种集成光子晶体微腔的太赫兹探测器，以解决上述太赫兹波段高耦合效率、多波段谐振选频的难题。
实现本发明目的的技术解决方案为：一种集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器，包括二维光子晶体平板、L1型光子微腔和太赫兹探测器，其中：二维光子晶体平板上晶格周期排列形成三角晶格结构，二维光子晶体平板上设置L1型光子微腔，L1型光子微腔上微纳加工制备太赫兹探测器。
进一步的，所述二维光子晶体平板通过在高阻硅片上打圆形空气通孔形成，各圆形空气通孔的半径相同。
进一步的，所述L1型光子微腔在光子晶体平板上移除一个晶格形成微腔，且微腔的周围至少有六层晶格包裹。
进一步的，所述L1型光子微腔调整微腔两端晶格的偏移量，实现双频段太赫兹波的探测，其中偏移量为0.1-0.3a，a是三角晶格常数。
进一步的，所述L1型光子微腔位于二维光子晶体平板中心。
进一步的，所述太赫兹探测器包括微测热辐射计、场效应管、热释电二极管和肖特基二极管。
进一步的，所述太赫兹探测器设置在L1型光子微腔中心。
进一步的，所述二维光子晶体平板的三角晶格常数与谐振频率有关，具体方法为：
首先根据禁带的中心频率ωc，结合
Figure BDA0002856277480000021
计算与目标频段波长λ对应的三角晶格常数a，然后通过CST仿真调整，其中a是通常意义的晶格常数，由此得到等边三角周期排列的晶体结构。
一种太赫兹探测方法，基于任一项所述的集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器对TE模式的太赫兹信号进行探测。
本发明与现有技术相比，其显著优点为：1)光子晶体耦合结构相比于天线耦合结构，损耗更小，效率更高，谐振的品质因素更高(Q值更高)，消除了太赫兹探测器衬底效应的干扰，提高了探测器的灵敏度。2)通过光子晶体的晶格常数设计更容易实现对谐振频率的操控。同时这种光子晶体平面结构可以由成熟的硅工艺实现，可以和各种太赫兹探测器进行集成，比如微测热辐射计、场效应管和肖特基二极管等，适用于多场景下的太赫兹波探测。
附图说明
图1是本发明实例二维光子晶体的平面结构示意图；
图2是本发明实例的集成硅光子晶体探测方式示意图；
图3是本发明实例中L1型微腔谐振时的稳态电场分布图。
图4是本发明实例L1型微腔的结构参数示意图；
图5是本发明实例二维光子晶体的三角晶格TE模式能带图；
图6是本发明实例光子晶体晶格常数a和谐振频率的关系；
图7是本发明实例中微腔两侧空气通孔偏移距离与谐振频率的关系图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
一种集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器，包括二维光子晶体平板1、L1型光子微腔3和太赫兹探测器，其中：二维光子晶体平板1上晶格周期排列形成三角晶格结构，二维光子晶体平板1上设置L1型光子微腔3，L1型光子微腔3上微纳加工制备太赫兹探测器。
作为一种优选实施方式，所述二维光子晶体平板1通过在高阻硅片上打圆形空气通孔形成，各晶体单元上圆形空气通孔的半径相同。
作为一种优选实施方式，所述L1型光子微腔3在光子晶体平板上移除一个晶格形成微腔，且微腔的周围至少有六层晶格包裹。进一步优选的，所述L1型光子微腔3调整微腔两端晶格的偏移量，实现双频段太赫兹波的探测，其中偏移量为0.1-0.3a，a是三角晶格常数。所述L1型光子微腔3位于二维光子晶体平板1中心。
作为一种优选实施方式，所述太赫兹探测器为微测热辐射计、场效应管、热释电二极管或者肖特基二极管。进一步优选的，所述太赫兹探测器设置在L1型光子微腔3中心。
作为一种优选实施方式，所述二维光子晶体平板1的三角晶格常数与谐振频率有关，具体方法为：
首先根据禁带的中心频率ωc，结合
Figure BDA0002856277480000031
计算与目标频段波长λ对应的三角晶格常数a，然后通过CST仿真调整，其中a是通常意义的晶格常数，由此得到等边三角周期排列的晶体结构，λ是目标频段波长。
本发明还提出一种太赫兹探测方法，基于任一项所述的集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器对TE模式的太赫兹信号进行探测。
本发明实现太赫兹信号探测的技术原理：
根据光子晶体的带隙理论，当入射的太赫兹波符合频率谐振条件就会被缺陷约束，并且在微腔中发生谐振增强，提高探测器对太赫兹信号的电压响应，从而提高太赫兹探测器的灵敏度。这种探测器不同于以往的集成系统，是利用光子晶体的滤波和局部增强作用。其中，探测的信号为TE太赫兹波。而且由于二维光子晶体结构参数可调，谐振峰的位置也会随之改变，从而实现任意频率的太赫兹信号探测。
实施例
为了验证本发明方案的有效性，进行如下仿真实验。
如图1所示，本实施例提供一种集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器，包括：
二维光子晶体平板1，通过在高阻硅片上打圆形空气通孔形成，各周期排列形成三角晶格结构，且圆形空气通孔的半径相同。
位于光子晶体平板上的L1型光子微腔3，所述L1型光子微腔3在光子晶体平板上移除一个空气通孔形成微腔，且微腔的周围至少有六层晶格包裹。微腔两侧的偏移空气通孔2，以及位于微腔中心的太赫兹探测器4。上述二维光子晶体平板厚度设置为h＝0.6a，空气通孔半径设置为r＝0.3a，其中a为二维光子晶体平板的三角晶格常数。太赫兹信号探测方式如图2所示，太赫兹信号垂直入射在二维硅光子晶体平板1，符合谐振频率的太赫兹信号将会被束缚在平板中心的缺陷位置，即L1型光子微腔3。信号局限在微腔中并发生谐振增强，同时提高了位于微腔中心的探测器探测吸收效率，也即提高了探测器的灵敏度。为了展示这种二维光子晶体1在太赫兹波段的电场的局域增强作用，用电磁仿真软件计算了二维光子晶体1在L1型微腔3发生谐振时的电场分布，如图3所示。由图可以直观看出当太赫兹信号与微腔谐振频率吻合时能很好地束缚在缺陷处，并且具有较低的损耗，这就给限制和存储太赫兹光波提供了机会，减缓了太赫兹光波在介质中的传播速度，为高灵敏太赫兹探测奠定了基础。
本发明实施例中L1型微腔的具体结构参数如图4所示，不在同一直线的任意相邻三个空气通孔中心构成等边三角形。调节偏移的空气通孔2位于图示水平方向的微腔左右两端。为了确定二维硅光子晶体微腔3的结构参数，同时说明这种结构的谐振增强和频率操控特性，从光子晶体的带隙理论计算出发，设计方法和结果分析如下：
(1)计算光子晶体的能带结构。
从Maxwell方程组出发，用平面波展开法(PWM)推导出电磁波在光子晶体的本证方程。在二维情况下，假设该结构在xy方向上具有周期性，沿着z方向是同性的，可以推导出TE模式和TM模式下的本征方程组为：
Figure BDA0002856277480000051
Figure BDA0002856277480000052
其中，hZ(k+G)是TE波的磁场强度在倒空间展开的傅里叶系数，∈Z(k+G)是TM波的电场强度在倒空间展开的傅里叶系数，k为空间波矢量，f是介质的周期性函数，G是周期介质函数映射到倒空间的位置矢量。本实例着重讨论三角晶格，在晶体板的几何结构和介质参数确定的情况下得到对应的能带图，步骤如下：首先输入本实施例的介质介电常数、几何参数，晶格常数与半径的比值(如r＝0.3a比值确定即可，r和a等比缩放不影响)，接着计算其倒格子空间的基矢，把实空间的晶体结构映射到倒空间得到简约布里渊区。然后令波矢k沿着简约布里渊区边界扫描一周，不同的k值得到不同的本征矩阵和本征值，也就得到了k-w的色散关系，即光子晶体的能带结构。在TM偏振模式下没有出现带隙，因此本发明设计的光子晶体仅讨论TE偏振模式下的谐振特性。完整三角晶格光子晶体的TE模式下的能带如图5所示，横坐标是波矢空间，Γ、M、K是第一布里渊区的高对称点，它们形成的三角形称为简约布里渊区，Γ-M-K-Γ所围成的三角形表示波矢k的方向，阴影部分为光子带隙，在该频率的信号不能传播。
光子晶体能带具有无标度性，在讨论光子晶体能带结构时常用归一化频率
Figure BDA0002856277480000053
作为单位，其中ω为电磁波频率，a为光子晶体晶格常数，c为光在真空中的传播速度。
2)对光子晶体的结构参数进行逆向推算
需要指出，正是由于光子晶体能带的无标度性这一特点，才能根据能带结构，反过来对光子晶体的结构参数进行逆向推算。也就是说两个光子晶体如果其余参数都相同，只是尺寸不同，那么他们具有相同的光子能带结构，仅仅是带隙的波长范围不同。能带结构的归一化频率可表示为
Figure BDA0002856277480000054
其中a是光子晶体晶格常数，λ是带隙波长。可以结合能带图的带隙ωc值和公式
Figure BDA0002856277480000055
求出目标频率下对应的晶格常数。比如目标频段为0.4THz(400GHz)左右，选择图3中较宽的阴影部分作为禁带，ωc大概在0.25附近，根据带隙图确定晶格常数为187.5μm。需要指出的是，能带理论只能找到一个目标晶格常数的范围，精确的参数需要通过CST仿真确定，禁带中心频率在0.4THz频段下对应的实际晶格参数是188μm(非常接近能带理论值)。
由上述光子晶体的能带理论易知，仅仅调节光子晶体的晶格常数，光子晶体平板的其他参数保持不变，那么光子晶体的禁带频率会随晶格常数a的变化而发生改变。实施例的仿真结果如图6所示，L1型微腔只有一个谐振峰，且谐振峰的位置随晶格常数即光子晶体尺寸的增大发生红移。从a1到a6晶格常数在不断增大，而f1到f6谐振频率在不断减小，实现了通过调节晶格参数调控单频率谐振点的效果。从图示谐振峰的形状还可以看出半高宽很小，对应的Q值很高，因此具有比天线耦合更好的选频性能和信号耦合效率。
为了突破光子晶体微腔耦合只能单频共振的限制，调节光子晶体微腔3两侧的空气通孔2参数，理论上通过改变微腔结构可以改变谐振峰的幅度和位置。实施例的空气通孔2偏移调节仿真结果如图7所示。在光子晶体晶格参数、空气通孔半径等其他参数不变的情况下，仅仅调节了空气通孔偏移距离，使光子微腔的缺陷状态发生改变，谐振峰由单个分裂成两个，且两个谐振峰位置随偏移距离而发生移动，从而达到双频段探测的效果。同样双峰对应的Q值很高，因此具有比天线耦合更好的选频性能和信号耦合效率。
上述步骤从光子晶体能带理论出发，结合本发明实施例，通过调节光子晶体的晶格常数、微腔周围空气通孔的偏移距离，实现任意单频和双频的高灵敏度太赫兹波探测的效果。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (5)

1.一种集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器，其特征在于，包括二维光子晶体平板(1)、L1型光子微腔(3)和太赫兹探测器，其中：二维光子晶体平板(1)上晶格周期排列形成三角晶格结构，二维光子晶体平板(1)上设置L1型光子微腔(3)，L1型光子微腔(3)上微纳加工制备太赫兹探测器；
所述二维光子晶体平板(1)通过在高阻硅片上打圆形空气通孔形成，各圆形空气通孔的半径相同；
所述二维光子晶体平板(1)的三角晶格常数与谐振频率有关，具体方法为：
首先根据禁带的中心频率ωc，结合
Figure FDA0003469242920000011
计算与目标频段波长λ对应的三角晶格常数a，然后通过CST仿真调整，其中a是通常意义的晶格常数，由此得到等边三角周期排列的晶体结构；
所述L1型光子微腔(3)在光子晶体平板上移除一个晶格形成微腔，且微腔的周围至少有六层晶格包裹；
所述L1型光子微腔(3)调整微腔两端晶格的偏移量，实现双频段太赫兹波的探测，其中偏移量为0.1-0.3a，a是三角晶格常数。
2.根据权利要求1所述的集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器，其特征在于，所述L1型光子微腔(3)位于二维光子晶体平板(1)中心。
3.根据权利要求1所述的集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器，其特征在于，所述太赫兹探测器包括微测热辐射计、场效应管、热释电二极管和肖特基二极管。
4.根据权利要求1所述的集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器，其特征在于，所述太赫兹探测器设置在L1型光子微腔(3)中心。
5.一种太赫兹探测方法，其特征在于，基于权利要求1-4任一项所述的集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器对TE模式的太赫兹信号进行探测。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1996682A (zh) * 2006-08-31 2007-07-11 欧阳征标 二维光子晶体微谐振腔
CN101499622A (zh) * 2008-01-30 2009-08-05 中国科学院半导体研究所 高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构
CN102636842A (zh) * 2012-04-19 2012-08-15 中国振华集团云科电子有限公司 三频点光子晶体滤波器
CN103529513A (zh) * 2013-09-24 2014-01-22 浙江工业大学 一种光子晶体微腔共振波长的调节方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1996682A (zh) * 2006-08-31 2007-07-11 欧阳征标 二维光子晶体微谐振腔
CN101499622A (zh) * 2008-01-30 2009-08-05 中国科学院半导体研究所 高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构
CN102636842A (zh) * 2012-04-19 2012-08-15 中国振华集团云科电子有限公司 三频点光子晶体滤波器
CN103529513A (zh) * 2013-09-24 2014-01-22 浙江工业大学 一种光子晶体微腔共振波长的调节方法

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Hasan et al. Design of graphene-based tunable plasmonic antenna for multiband terahertz application systems
Shoieb et al. A six-band terahertz absorber based on symmetrical split rings
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Sorathiya et al. Graphene metasurface based tunable double split-ring resonator for far infrared frequency region

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