CN112672243A - 麦克风及其制造方法 - Google Patents

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CN112672243A CN202011592383.8A CN202011592383A CN112672243A CN 112672243 A CN112672243 A CN 112672243A CN 202011592383 A CN202011592383 A CN 202011592383A CN 112672243 A CN112672243 A CN 112672243A
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王琳琳
屠兰兰
钟晓辉
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Abstract

本发明提供了一种麦克风及其制造方法。麦克风包括具有空腔的基底以及设置在基底上方的振膜、背板、背板电极和金属焊盘,背板电极和金属焊盘均设置于背板上方,金属焊盘围绕背板电极设置,背板电极和金属焊盘由同一金属层刻蚀形成,本发明在制造麦克风时,可以减少耗时时长。

Description

麦克风及其制造方法
【技术领域】
本发明涉及声电转换技术领域,尤其涉及一种麦克风及其制造方法。
【背景技术】
随着无线通讯的发展,全球移动电话用户越来越多,用户对移动电话的要求已不仅满足于通话,而且要能够提供高质量的通话效果,尤其是目前移动多媒体技术的发展,移动电话的通话质量更显重要,移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置,其设计好坏直接影响通话质量。
现有技术中,在形成麦克风的焊盘和背板电极时,通常需要进行两道工序,第一道工序为:在背板下方沉积多晶硅层,并刻蚀多晶硅层,以形成背板电极;第二道工序为:在背板上方沉积金属层,并刻蚀金属层,以形成焊盘,从而使得麦克风的制造过程耗时较长。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种麦克风及其制造方法,可以减少制造麦克风所需要消耗的时长。
本发明的技术方案如下:
第一方面,本发明实施例提供一种麦克风,包括具有空腔的基底以及设置在所述基底上方的振膜、背板、背板电极和金属焊盘,所述背板电极和所述金属焊盘均设置于所述背板上方,所述金属焊盘围绕所述背板电极设置,所述背板电极和所述金属焊盘由同一金属层刻蚀形成。
在本发明实施例所提供的麦克风中,所述背板电极和所述金属焊盘的材料为金和铝合金中的任一种。
在本发明实施例所提供的麦克风中,所述振膜的材料为多晶硅。
在本发明实施例所提供的麦克风中,所述背板的材料为氮化硅。
第二方面,本发明实施例提供一种麦克风的制造方法,包括:
提供一基底层;
在所述基底层上方形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上方形成振膜;
在所述振膜和所述第一绝缘层上方形成第二绝缘层;
在所述振膜和所述第二绝缘层上方形成背板;
在所述背板上方形成金属层;
刻蚀所述金属层,以形成位于所述背板上方的背板电极和围绕背板电极设置的金属焊盘;
刻蚀所述基底层,以形成具有空腔的基底;以及
释放空腔上方的所述第二绝缘层和所述第一绝缘层,以得到位于所述基底上方的绝缘层。
在本发明实施例所提供的麦克风的制造方法中,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料为氧化硅。
本发明的有益效果在于:本发明提供一种麦克风,包括具有空腔的基底以及设置在所述基底上方的振膜、背板、背板电极和金属焊盘,所述背板电极和所述金属焊盘均设置于所述背板上方,所述金属焊盘围绕所述背板电极设置,所述背板电极和所述金属焊盘由同一金属层刻蚀形成,由于本发明在制造上述麦克风时,仅需要刻蚀一金属层即可同时形成设置于背板上方的背板电极和金属焊盘,相对于现有技术的麦克风制造方法来说,可以节省工序,可以减少制造麦克风所需要消耗的时长。
【附图说明】
图1为本发明的麦克风的制造方法的流程示意图;
图2至图9为本发明的麦克风的制造流程示意图;
图10为本发明的麦克风的结构示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
请参阅图1,图1为本发明的麦克风的制造方法的流程示意图。该麦克风的制造方法可以包括:
101、提供一基底层10。
基底层10如图2所示。
102、在基底层10上方形成第一绝缘层20。
第一绝缘层20如图3所示。该第一绝缘层20的材料为氧化硅。
103、在第一绝缘层20上方形成振膜30。
振膜30如图4所示。振膜30的材料为多晶硅。具体的,可先在第一绝缘层20上形成多晶硅层。然后,刻蚀该多晶硅层,以形成振膜30。
104、在振膜30和第一绝缘层20上方形成第二绝缘层40。
第二绝缘层40可如图5所示。第二绝缘层40与第一绝缘层20的材质相同。也即是说,该第二绝缘层40的材料为氧化硅。
105、在振膜30和第二绝缘层40上方形成背板50。
背板50可如图6所示。其中,该背板50还可位于基底层10上方。背板50的材料可以为氮化硅。
106、在背板50上方形成金属层60。
金属层60可如图7所示。金属层60可采用铝合金或金等材料制成。
107、刻蚀金属层60,以形成位于背板50上方的背板电极61和围绕背板电极61设置的金属焊盘62。
背板电极61和围绕背板电极61设置的金属焊盘62可如图8所示。由于背板电极61和金属焊盘62由金属层60刻蚀形成,金属层60采用铝合金或金等材料制成,相应的,背板电极61和金属焊盘62也均采用铝合金或金等材料制成。
108、刻蚀基底层10,以形成具有空腔111的基底11。
具有空腔111的基底11如图9所示。
109、释放空腔111上方的第二绝缘层40和第一绝缘层20,以得到位于基底11上方的绝缘层21。
经由上述流程101至109可形成如图10所示的麦克风100。
位于基底11上方的绝缘层21如图10所示。绝缘层21的材料可以为氧化硅。
如图10所示,可以理解的是,当释放空腔111上方的第二绝缘层40之后,背板50和振膜30相对、且间隔一定距离。当释放空腔111上方的第一绝缘层20之后,振膜30与空腔111相对、且间隔一定距离。
本发明实施例提供一种麦克风的制造方法,包括:提供一基底层;在基底层上方形成第一绝缘层;在第一绝缘层上方形成振膜;在振膜和第一绝缘层上方形成第二绝缘层;在振膜和第二绝缘层上方形成背板;在背板上方形成金属层;刻蚀金属层,以形成位于背板上方的背板电极和围绕背板电极设置的金属焊盘;刻蚀基底层,以形成具有空腔的基底;以及释放空腔上部的第二绝缘层和第一绝缘层,以得到位于基底上方的绝缘层,本发明仅需要在背板上方形成金属层,并刻蚀该金属层即可同时形成背板电极和围绕背板电极设置的金属焊盘,相对于现有技术的麦克风制造方法来说,可以节省工序,可以减少制造麦克风所需要消耗的时长。
请参阅图10,图10为本发明的麦克风的结构示意图。该麦克风100可以由上述麦克风的制造方法制造而成。
该麦克风100包括:具有空腔111的基底11、设置在基底11上方的振膜30、背板50、背板电极61和金属焊盘62。
其中,背板电极61、金属焊盘62均设置于背板50上方。金属焊盘62围绕背板电极61设置。背板电极61和金属焊盘62由同一金属层刻蚀形成。背板电极61和金属焊盘62的材料可以为金和铝合金中的任一种。
其中,背板50可与振膜30相对、且间隔一定距离。振膜30可与空腔11相对,且间隔一定距离。背板50的材料为氮化硅。振膜30的材料为多晶硅。在一些实施例中,麦克风100还可包括设置于基底11上方的绝缘层21。绝缘层21的材料为氧化硅。
本发明实施例提供一种麦克风,包括具有空腔的基底以及设置在基底上方的振膜、背板、背板电极和金属焊盘,背板电极和金属焊盘均设置于背板上方,金属焊盘围绕背板电极设置,背板电极和金属焊盘由同一金属层刻蚀形成,由于本发明在制造上述麦克风时,仅需要刻蚀一金属层即可同时形成设置于背板上方的背板电极和金属焊盘,相对于现有技术的麦克风制造方法来说,可以节省工序,可以减少制造麦克风所需要消耗的时长。
以上所述的仅是本发明的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种麦克风,包括具有空腔的基底以及设置在所述基底上方的振膜、背板、背板电极和金属焊盘,其特征在于,所述背板电极和所述金属焊盘均设置于所述背板上方,所述金属焊盘围绕所述背板电极设置,所述背板电极和所述金属焊盘由同一金属层刻蚀形成。
2.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于:所述背板电极和所述金属焊盘的材料为金和铝合金中的任一种。
3.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于:所述振膜的材料为多晶硅。
4.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于:所述背板的材料为氮化硅。
5.一种麦克风的制造方法,其特征在于,包括:
提供一基底层;
在所述基底层上方形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上方形成振膜;
在所述振膜和所述第一绝缘层上方形成第二绝缘层;
在所述振膜和所述第二绝缘层上方形成背板;
在所述背板上方形成金属层;
刻蚀所述金属层,以形成位于所述背板上方的背板电极和围绕所述背板电极设置的金属焊盘;
刻蚀所述基底层,以形成具有空腔的基底;以及
释放所述空腔上方的所述第二绝缘层和所述第一绝缘层,以得到位于所述基底上方的绝缘层。
6.根据权利要求5所述的麦克风的制造方法,其特征在于:所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料为氧化硅。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010032982A2 (ko) * 2008-09-19 2010-03-25 주식회사 씨에스티 음/전 변환 소자 및 그 제조방법
CN101808263A (zh) * 2010-04-06 2010-08-18 瑞声声学科技(深圳)有限公司 硅电容麦克风及制造硅电容麦克风的方法
CN102264025A (zh) * 2011-01-12 2011-11-30 瑞声声学科技(深圳)有限公司 麦克风制作方法
CN103561376A (zh) * 2013-10-15 2014-02-05 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风及其制造方法
CN105472515A (zh) * 2014-09-25 2016-04-06 欧姆龙株式会社 声换能器以及麦克风
CN111866686A (zh) * 2020-08-19 2020-10-30 杭州士兰微电子股份有限公司 Mems麦克风

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010032982A2 (ko) * 2008-09-19 2010-03-25 주식회사 씨에스티 음/전 변환 소자 및 그 제조방법
CN101808263A (zh) * 2010-04-06 2010-08-18 瑞声声学科技(深圳)有限公司 硅电容麦克风及制造硅电容麦克风的方法
CN102264025A (zh) * 2011-01-12 2011-11-30 瑞声声学科技(深圳)有限公司 麦克风制作方法
CN103561376A (zh) * 2013-10-15 2014-02-05 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风及其制造方法
CN105472515A (zh) * 2014-09-25 2016-04-06 欧姆龙株式会社 声换能器以及麦克风
CN111866686A (zh) * 2020-08-19 2020-10-30 杭州士兰微电子股份有限公司 Mems麦克风

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