CN112651111B - 一种超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法 - Google Patents
一种超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112651111B CN112651111B CN202011495112.0A CN202011495112A CN112651111B CN 112651111 B CN112651111 B CN 112651111B CN 202011495112 A CN202011495112 A CN 202011495112A CN 112651111 B CN112651111 B CN 112651111B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- superconducting
- nanowire
- resistance
- time
- photons
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004088 simulation Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 241000220317 Rosa Species 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J11/00—Measuring the characteristics of individual optical pulses or of optical pulse trains
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
本发明公开了一种超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法，包括如下步骤：步骤1：超导纳米单光子热模型构建，步骤2：超导纳米单光子电模型构建，步骤3：超导纳米单光子的电热仿真，步骤4：超导纳米单光子的热模型方程求解，步骤5：超导纳米单光子的电模型方程求解，步骤6：基本条件的确定，步骤7：分析电路元件参数对响应时间的影响。本发明通过对超导纳米单光子热模型和电模型的综合探索，积极有效的构建简约型的热电微分方程，不仅求解方式简单，而且整体构建逻辑清除，方便理解和验证，大大的缩短了操作时间，并且在后期方便对响应时间进行较为精确的检测。
Description
技术领域
本发明涉及超导技术领域，尤其涉及一种超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法。
背景技术
光是与人类日常生命活动密切相关的信息的主要载体之一。将光转换成电信号对于理解其固有特性并更好地利用它是至关重要的。随着大量的工作致力于开发新的光子探测方法，探测极限已经发展到单个光子的水平。在过去的几十年里，许多有足够灵敏度的技术已经迅速发展到在室温下具备探测少个光子甚至单个光子的能力，并且也不需要复杂的读出电路。超导体的能隙(meV)比半导体能隙(eV)低三个数量级，且工作在超低温的制冷环境下，基于超导体的单光子探测器在探测灵敏度、信噪比和响应速度等方面具有无与伦比的优势
超导纳米线单光子探测器能够探测单个电子，已经成为当今应用热点，为了分析超导纳米单光子探测器的探测机理和厘清超导纳米单光子探测器的光子响应机制，需要建立超导纳米单光子探测器的电热探测模型，但是电热模型的响应时间精度较低。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于针对现有技术中的缺陷，提供一种超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法，解决了超导纳米单光子探测器电热探测模型响应时间精度较低的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
本发明提供一种超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法，该方法包括以下步骤：
步骤1：构建超导纳米单光子热模型方程：超导纳米线单光子探测器工作时被偏置在低于其超导临界电流的位置，吸收层采用超导薄膜材料制备成的纳米线蜿蜒型的曲折结构，当吸收光子后，纳米线吸收区域的超导状态被破坏，形成电阻态热点，热点区域在流经的电流焦耳热的协同作用下扩大到一定范围，然后由于纳米线自身的热传导以及向基底的散热，热点区域逐渐减小直至消失，纳米线恢复到初始超导状态，由此构建热模型方程；
步骤2：构建超导纳米单光子电模型方程：超导纳米线看作一个电感与时变电阻串联接入读出电路中，由此构建等效电路微分方程；
步骤3：超导纳米单光子的电热仿真：超导纳米线吸收入射光子后，形成阻区，以此为初始状态，求出下一时间步长的温度分布，进而算出纳米线上的临界电流密度分布，比较温度与临界温度，以及电流密度与临界电流密度，确定纳米线的状态，更新电阻率分布求出电阻值，再将电阻带入电路微分方程中，求出下一时刻的电流；
步骤4：根据下一时间步长的温度与当前温度的关系对超导纳米单光子的热模型方程进行求解；
步骤5：超导纳米单光子的电模型方程求解：电路微分方程基于龙格-库塔法求解，得到求解的初值；
步骤6：基本条件的确定：根据求解的初值，确定初始条件和边界条件，包括：临界电流、电阻率、比热容、热导率和热交换系数；
步骤7：根据得到的基本条件，分析电路元件参数对响应时间的影响。
进一步地，本发明的所述步骤1中，超导光导电子探测器包括超导边缘转变探测器、超导隧道结、超导动态电感探测器和超导热电子辐射热计。
进一步地，本发明的所述步骤1中，热模型方程为：
其中，
为单位时间、单位体积内流出的热量，
为单位时间、单位体积内产生的热量，ρ为纳米线上微元的密度，cp为纳米线上微元的定压比热容，
为单位体积、单位时间内的温升。
进一步地，本发明的所述步骤2中，等效电路微分方程为：
其中，Ibias表示偏置电流；I是超导纳米线上的电流，Lk为纳米线的动态电感，计算中取为定值，Rn为纳米线随时间变化的电阻值，cbt为读出电路的耦合电容，Z0为读出电路的负载，Ib即为偏置电流。
进一步地，本发明的所述步骤4中，求解方程的方法为：
下一时间步长的温度与当前温度的关系如下：
其中，τ、h分别为时间步长和空间步长，κ表示纳米线热导率、
表示n+1时刻i+1位置纳米线的温度、c表示纳米线电容、J2ρ表示电流在阻态区域形成的热量，时间步长τ＝1ps，空间步长h＝1nm，利用n时刻的温度分布来求解n+1时刻的温度分布。
进一步地，本发明的所述步骤5中，对电模型方程求解的方法为：
电路微分方程基于龙格-库塔法求解，即当解的变化小于一定阈值时采用较大的步长；当解的变化大于一定阈值时步长会自动地变小，将电路方程改写为：
其中，Uc表示纳米线电容两端的电压。
进一步地，本发明的所述步骤6中，确定的初始条件和边界条件为：
初始值为偏置电流，为16.7μA，然后由于电阻值快速增大，纳米线中的电流开始快速下降，在307ps时达到最小值3.487μA，之后缓慢上升；显示的是纳米线两端电压随时间的变化情况，电压则先快速上升，同样在307ps时达到最大值0.66mV，然后缓慢下降；纳米线中阻态区域先不断增大，188ps时电阻达到最大值，为5.2kΩ，307ps时阻值变为0。
进一步地，本发明的所述步骤7中，分析电路元件参数对响应时间的影响的方法为：
光子入射后，由于Sidewalk效应的存在，宽度方向被阻态贯通需要一定的时间，时间大小会受到入射光子的能量、入射位置的因素影响，在阻态能够贯通宽度方向的情况下，能量越大、入射位置越靠近纳米线中心点，所需要的贯通时间越小，对于波长较长的光子，其不对称性和偏离高斯形状的程度越大。
进一步地，本发明的所述步骤1中，当光子入射到纳米线上时，会形成一个局部的有阻热电子云，并触发一个电压脉冲信号；超导纳米线吸收光子后形成光子感生电阻势垒，偏置电流流经这个电阻产生热量；超导纳米线吸收入射光子，入射区域会形成一个表现为电阻态的局部热点；随着热点的直径增大，热点外围的电流密度最终超过临界电流密度，从而整个横截面区域转变为电阻状态。
进一步地，本发明的所述步骤3中，入射光子的辐射强度达到量子极限最大值；纳米化的NbN超导薄膜吸收入射光子后形成电阻态区域。
本发明产生的有益效果是：
(1)通过步骤1和步骤2的联合设置，实验过程对超导纳米单光子热模型和电模型的综合探索，积极有效的构建简约型的热电微分方程，不仅求解方式简单，而且整体构建逻辑清除，方便理解和验证，大大的缩短了操作时间，并且在后期方便对响应时间进行较为精确的检测；
(2)通过步骤4和步骤5的联合设置，仿真过程通过对光子的整体运行轨迹、电路变化和能量转换进行分析，方便后期构建简约的热模型方程，同时工作人员利用电脑程序快速精准求解，大大的提升了相关响应时间的精准程度；
(3)通过步骤6和步骤7的联合设置，通过对相关方程中的基本条件的确立，进一步提高了实验方程中相关数据的准确程度，提高了实验整体结果的置信度，进一步提高了相关响应时间的精确度。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是本发明实施例的超导纳米单光子热模型结构示意图；
图2是本发明实施例的超导纳米单光子电模型结构示意图；
图中：1-基底，2-吸收层，3-纳米线。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图1所示，本发明实施例的超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法，具体包括如下步骤：
步骤1：超导纳米单光子热模型探索：超导纳米线单光子探测器工作时被偏置在稍低于其超导临界电流的位置，吸收层采用超导薄膜材料制备成的纳米线蜿蜒型的曲折结构，当吸收光子后，纳米线吸收区域的超导状态被破坏，形成电阻态热点，热点区域在流经的电流焦耳热的协同作用下扩大到一定范围，然后由于纳米线自身的热传导以及向基底的散热，热点区域逐渐减小直至消失，纳米线恢复到初始超导状态，由此构建热方程；
步骤2：超导纳米单光子电模型探索：工作时，将超导纳米线单光子探测器偏置在稍低于其超导临界电流的位置，超导纳米线看作一个电感与时变电阻串联接入读出电路中，由此构建等效电路方程；
步骤3：超导纳米单光子的电热仿真：超导纳米线吸收入射光子后，形成阻区，以此为初始状态，求出下一时间步长的温度分布，进而算出纳米线上的临界电流密度分布，比较温度与临界温度，以及电流密度与临界电流密度，确定纳米线的状态，更新电阻率分布求出电阻值，再将电阻带入电路方程中，求出下一时刻的电流；
步骤4：超导纳米单光子的热模型方程求解：下一时间步长的温度与当前温度的关系如下：
其中，τ、h分别为时间步长和空间步长，后文计算中如无特别说明，则时间步长τ＝1ps，空间步长h＝1nm，利用n时刻的温度分布来求解n+1时刻的温度分布；
步骤5：超导纳米单光子的电模型方程求解：电路微分方程基于龙格-库塔法，求解，即当解的变化较慢时采用较大的步长，从而使得计算的速度很快；当解的变化较快时步长会自动地变小，从而使得计算的精度很高，
将电路方程改写为：
最后求解初值即可；
步骤6：基本条件的确定：初始条件和边界条件的确定，临界电流、电阻率、比热容、热导率和热交换系数，初始值为偏置电流，约为16.7μA，然后由于电阻值快速增大，纳米线中的电流开始快速下降，在约307ps时达到最小值3.487μA，之后缓慢上升；显示的是纳米线两端电压随时间的变化情况，电压则先快速上升，同样在约307ps时达到最大值0.66mV，然后缓慢下降；纳米线中阻态区域先不断增大，约188ps时电阻达到最大值，约为5.2kΩ，307ps时阻值变为0；吸收光子能量后，在热扩散与焦耳热的双重影响下，纳米线热岛区域中心温度最高可到达约12K；
步骤7：分析电路元件参数对响应时间的影响：光子入射后，由于Sidewalk效应的存在，宽度方向被阻态贯通需要一定的时间，时间大小会受到入射光子的能量、入射位置等因素影响，在阻态能够贯通宽度方向的情况下，能量越大、入射位置越靠近纳米线中心点，所需要的贯通时间越小，对于波长较长的光子，其不对称性和偏离高斯形状的程度越大。
同时本说明书中未作详细描述的内容均属于本领域技术人员公知的现有技术。
上述实验中模拟结果可以定性地解释改变偏置电流和激励波长所引起的时间延迟变化，这是由于光子远离纳米线中心位置照射时，延迟时间增加得更快的结果，考虑减小纳米线的宽度，或者增加入射光子的能量，使阻态区域能够更快速、更容易贯通宽度方向，降低截面效应对时间抖动的影响。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (6)
1.一种超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤1：构建超导纳米单光子热模型方程：超导纳米线单光子探测器工作时被偏置在低于其超导临界电流的位置，吸收层采用超导薄膜材料制备成的纳米线蜿蜒型的曲折结构，当吸收光子后，纳米线吸收区域的超导状态被破坏，形成电阻态热点，热点区域在流经的电流焦耳热的协同作用下扩大到一定范围，然后由于纳米线自身的热传导以及向基底的散热，热点区域逐渐减小直至消失，纳米线恢复到初始超导状态，由此构建热模型方程；
步骤2：构建超导纳米单光子电模型方程：超导纳米线看作一个电感与时变电阻串联接入读出电路中，由此构建等效电路微分方程；
步骤3：超导纳米单光子的电热仿真：超导纳米线吸收入射光子后，形成阻区，以此为初始状态，求出下一时间步长的温度分布，进而算出纳米线上的临界电流密度分布，比较温度与临界温度，以及电流密度与临界电流密度，确定纳米线的状态，更新电阻率分布求出电阻值，再将电阻带入电路微分方程中，求出下一时刻的电流；
步骤4：根据下一时间步长的温度与当前温度的关系对超导纳米单光子的热模型方程进行求解；
步骤5：超导纳米单光子的电模型方程求解：电路微分方程基于龙格-库塔法求解，得到求解的初值；
步骤6：基本条件的确定：根据求解的初值，确定初始条件和边界条件，包括：临界电流、电阻率、比热容、热导率和热交换系数；
步骤7：根据得到的基本条件，分析电路元件参数对响应时间的影响；
所述步骤1中，热模型方程为：
其中，
为单位时间、单位体积内流出的热量，
为单位时间、单位体积内产生的热量，ρ为纳米线上微元的密度，cp为纳米线上微元的定压比热容，
为单位体积、单位时间内的温升；
所述步骤2中，等效电路微分方程为：
其中，Ibias表示偏置电流；I是超导纳米线上的电流，Lk为纳米线的动态电感，计算中取为定值，Rn为纳米线随时间变化的电阻值，Cbt为读出电路的耦合电容，Z0为读出电路的负载；
所述步骤4中，求解方程的方法为：
下一时间步长的温度与当前温度的关系如下：
其中，τ、h分别为时间步长和空间步长，κ表示纳米线热导率、
表示n+1时刻i+1位置纳米线的温度、c表示纳米线电容、J2ρ表示电流在阻态区域形成的热量，时间步长τ＝1ps，空间步长h＝1nm，利用n时刻的温度分布来求解n+1时刻的温度分布；
所述步骤5中，对电模型方程求解的方法为：
电路微分方程基于龙格-库塔法求解，即当解的变化小于一定阈值时采用较大的步长；当解的变化大于一定阈值时步长会自动地变小，将电路方程改写为：
其中，Uc表示纳米线电容两端的电压。
2.根据权利要求1所述的超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法，其特征在于，所述步骤1中，超导光导电子探测器包括超导边缘转变探测器、超导隧道结、超导动态电感探测器和超导热电子辐射热计。
3.根据权利要求1所述的超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法，其特征在于，所述步骤6中，确定的初始条件和边界条件为：
初始值为偏置电流，为16.7μA，然后由于电阻值快速增大，纳米线中的电流开始快速下降，在307ps时达到最小值3.487μA，之后缓慢上升；纳米线两端电压随时间的变化情况为，电压则先快速上升，同样在307ps时达到最大值0.66mV，然后缓慢下降；纳米线中阻态区域先不断增大，188ps时电阻达到最大值，为5.2kΩ，307ps时阻值变为0。
4.根据权利要求1所述的超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法，其特征在于，所述步骤7中，分析电路元件参数对响应时间的影响的方法为：
光子入射后，由于Sidewalk效应的存在，宽度方向被阻态贯通需要一定的时间，时间大小会受到入射光子的能量、入射位置的因素影响，在阻态能够贯通宽度方向的情况下，能量越大、入射位置越靠近纳米线中心点，所需要的贯通时间越小，对于波长较长的光子，其不对称性和偏离高斯形状的程度越大。
5.根据权利要求1所述的超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法，其特征在于，所述步骤1中，当光子入射到纳米线上时，会形成一个局部的有阻热电子云，并触发一个电压脉冲信号；超导纳米线吸收光子后形成光子感生电阻势垒，偏置电流流经这个电阻产生热量；超导纳米线吸收入射光子，入射区域会形成一个表现为电阻态的局部热点；随着热点的直径增大，热点外围的电流密度最终超过临界电流密度，从而整个横截面区域转变为电阻状态。
6.根据权利要求1所述的超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法，其特征在于，所述步骤3中，入射光子的辐射强度达到量子极限最大值；纳米化的NbN超导薄膜吸收入射光子后形成电阻态区域。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011495112.0A CN112651111B (zh) | 2020-12-17 | 2020-12-17 | 一种超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011495112.0A CN112651111B (zh) | 2020-12-17 | 2020-12-17 | 一种超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112651111A CN112651111A (zh) | 2021-04-13 |
| CN112651111B true CN112651111B (zh) | 2022-09-09 |
Family
ID=75355394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011495112.0A Active CN112651111B (zh) | 2020-12-17 | 2020-12-17 | 一种超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112651111B (zh) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106124046A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-11-16 | 天津大学 | 一种超导纳米线单光子探测器的时域抖动仿真方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150149132A1 (en) * | 2013-11-27 | 2015-05-28 | Battelle Memorial Institute | Time-stacking method for dynamic simulations |
| CN106484928B (zh) * | 2015-08-26 | 2019-05-14 | 北京卫星环境工程研究所 | 基于多软件联合的开关电源电热耦合仿真方法 |
| CN107317331A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-11-03 | 华北电力大学 | 一种特高压变压器轴对称直流偏磁仿真模型 |
| CN110135031A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-16 | 东南大学 | 基于半隐式龙格库塔法的电力系统暂态稳定计算方法 |
| CN111079299B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-03-25 | 哈尔滨工业大学 | 容性负载下电磁继电器闭合弹跳电接触力学特性计算方法 |
| CN111241676A (zh) * | 2020-01-08 | 2020-06-05 | 广东电网有限责任公司电力科学研究院 | 基于限流型超导电缆的建模方法、装置设备及存储介质 |
-
2020
- 2020-12-17 CN CN202011495112.0A patent/CN112651111B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106124046A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-11-16 | 天津大学 | 一种超导纳米线单光子探测器的时域抖动仿真方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112651111A (zh) | 2021-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Annunziata et al. | Reset dynamics and latching in niobium superconducting nanowire single-photon detectors | |
| Yang et al. | Modeling the electrical and thermal response of superconducting nanowire single-photon detectors | |
| Timofeev et al. | Recombination-limited energy relaxation in a Bardeen-Cooper-Schrieffer superconductor | |
| Rosenberg et al. | Performance of photon-number resolving transition-edge sensors with integrated 1550 nm resonant cavities | |
| EP2619813B1 (en) | Detector of single microwave photons propagating in a guide | |
| Baghdadi et al. | Multilayered heater nanocryotron: A superconducting-nanowire-based thermal switch | |
| CN112651111B (zh) | 一种超导纳米线单光子探测器电热过程仿真方法 | |
| McKitterick et al. | Graphene microbolometers with superconducting contacts for terahertz photon detection | |
| RU2346357C1 (ru) | Сверхпроводниковый фотонный детектор видимого и инфракрасного диапазонов излучения, различающий число фотонов | |
| Heath et al. | Capacitance Spectroscopy of Thin‐Film Solar Cells | |
| Manova et al. | Superconducting photon counter for nanophotonics applications | |
| CN111191403A (zh) | 优化bib探测器响应率的方法及bib探测器 | |
| Gansen et al. | Temperature dependence of the single-photon sensitivity of a quantum dot, optically gated, field-effect transistor | |
| Lemaire et al. | Open‐circuit voltage decay: moving to a flexible method of characterisation | |
| Paolucci | Nonlocal Superconducting Single-Photon Detector | |
| Harrabi et al. | Characterization of the current-induced resistive spots in superconducting YBa _ 2 Cu _ 3 O _ 7 YBa 2 Cu 3 O 7 strips | |
| Segall et al. | Dynamics and energy distribution of nonequilibrium quasiparticles in superconducting tunnel junctions | |
| Yan et al. | Physical modeling of hot-electron superconducting single-photon detectors | |
| Barkhordari et al. | Numerical and experimental study of a Back-Gated metal-semiconductor-metal photodetector using finite element method | |
| Taralli et al. | Reduced active area in transition-edge sensors for visible-NIR photon detection: A comparison of experimental data and two-fluid model | |
| Dietlein et al. | Performance comparison of Nb and NbN antenna-coupled microbolometers | |
| Gasper et al. | Radio frequency carbon nanotube thin-film bolometer | |
| CN103427013A (zh) | 一种原子层热电堆材料及其应用 | |
| Haldar et al. | Modelling response time contrasts in superconducting nanowire single photon detectors | |
| Akimov et al. | Terahertz detectors based on Pb 1− x Sn x Te: In films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |