CN112636726B - 一种航天用锁存复位电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种航天用锁存复位电路，属于空间电源控制器技术领域，其特征在于，至少包括第一三极管、第二三极管和第三三极管；所述第一三极管为PNP型，所述第二三极管和第三三极管为NPN型；其中：触发端子通过第一二极管与第二三极管的栅极连接；第二三极管的源极接地；触发端子通过第二电容、第三电阻接地；电源通过第一电阻与第一三极管的源极连接；电源依次通过第一电阻、第二电阻与第一三极管的栅极连接；第一三极管的源极通过第一电容与第二三极管的漏极、第一三极管的栅极连接；第一三极管的栅极与第二二极管的阴极连接；复位端子与第三三极管的栅极连接；复位端子通过第三电容、第四电阻接地；第三三极管的源极接地。

Description

一种航天用锁存复位电路
技术领域
本发明属于空间电源控制器技术领域，具体涉及一种航天用锁存复位电路。
背景技术
由于空间电源技术的应用场景特殊，电源控制器的控制电路不同于传统的电子电路设计，其在空间的稳定性和可靠性是首要考虑因素。随着空间电源技术的发展，空间电源的功能需求日益丰富，电力电子系统的器件总量逐渐增大，与空间产品可靠性准则，少器件实现同样功能相违背。这一趋势对电子电路系统设计提出了新的要求，在满足可靠性和稳定性需求的前提下，简洁高效的功能实现方式是空间电源电子电路设计的更高标准。
锁存复位电路在空间电源控制技术中应用广泛。本专利提出了一种新的简洁高效的锁存复位电路，相比以往的锁存电路和复位电路本专利所涉及实现方式更为经济、占用面积更小，响应速度更快。
发明内容
本发明为解决公知技术中存在的技术问题，提供一种航天用锁存复位电路，能够适用于空间电源控制器和地面高辐射环境下的控制电路以及保护电路设计，具有占用面积小、响应速度快、稳定可靠的特点。
本发明的目的是提供一种航天用锁存复位电路，至少包括第一三极管、第二三极管和第三三极管；所述第一三极管为PNP型，所述第二三极管和第三三极管为NPN型；其中：
触发端子通过第一二极管与第二三极管的栅极连接；第二三极管的源极接地；触发端子通过第二电容、第三电阻接地；
电源通过第一电阻与第一三极管的源极连接；电源依次通过第一电阻、第二电阻与第一三极管的栅极连接；第一三极管的源极通过第一电容与第二三极管的漏极、第一三极管的栅极连接；第一三极管的栅极与第二二极管的阴极连接；
复位端子与第三三极管的栅极连接；复位端子通过第三电容、第四电阻接地；第三三极管的源极接地。
本发明具有的优点和积极效果是：
1，本专利采用两个三级管实现了锁存电路的功能，实现方式简单可靠，响应速度快。该实现方式所用器件数量少，降低了锁存电路的面积。
2，本专利采用附加三级管实现了复位锁存电路功能，为空间电源控制系统提供了一种新的复位方式。该实现方式简单可靠，响应速度快。
3，本专利采用二极管的输出电压钳位功能实现了锁存功能。
4，本专利采用脉冲触发方式，具有高可靠性。
附图说明
图1 是本发明优选实施例的电路图；
图2 是本发明优选实施例初始工作状态电路图；
图3是本发明优选实施例锁存工作状态电路图；
图4 是本发明优选实施例复位工作状态电路图。
其中：Q1为PNP型三极管，Q2、Q3为NPN型三极管；D1、D2为二极管； Vsat为锁存触发信号，Vrst为复位信号，VCC为电源，GND为接地。其中，Q1、Q2、D2及周边电阻电容实现锁存功能，Q3实现复位功能。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下：
如图1所示：
一种航天用锁存复位电路，适用于空间电源控制器和地面高辐射环境下的控制电路以及保护电路设计；包括：
第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3；所述第一三极管Q1为PNP型，所述第二三极管Q2和第三三极管Q3为NPN型；其中：
触发端子通过第一二极管D1与第二三极管Q2的栅极连接；第二三极管Q2的源极接地；触发端子通过第二电容C2、第三电阻R3接地；
电源通过第一电阻R1与第一三极管Q1的源极连接；电源VCC依次通过第一电阻R1、第二电阻R2与第一三极管Q1的栅极连接；第一三极管Q1的源极通过第一电容C1与第二三极管Q2的漏极、第一三极管Q1的栅极连接；第一三极管Q1的栅极与第二二极管D2的阴极连接；
复位端子与第三三极管Q3的栅极连接；复位端子通过第三电容C3、第四电阻R4接地；第三三极管Q3的源极接地。
如图2所示，该控制电路初始状态，此时，触发端子的Vsat、复位端子的Vrst为低电平，第二三极管Q2、第三三极管Q3为OFF，电源VCC ，第一电阻R1，第二电阻R2，第二三极管Q2，接地GND通路断开，二极管D2阴极为高，第一三极管Q1为OFF。此时，第二二极管D2阴极电压为高且状态稳定，第二二极管D2阳极状态不受钳位。
如图3所示，当锁存指令Vsat触发一个高脉冲，Vrst保持低电平，此时第二三极管Q2开通，第三三极管Q3保持关断状态。当第二三极管Q2开通，电源VCC ，第一电阻R1，第二电阻R2，第二三极管Q2，接地GND形成通路。第二电阻R2上流过电流形成压降，此时第一三极管Q1导通，电源VCC，第一电阻R1，第一三极管Q1，第三电阻R3，接地GND形成通路。第二三极管Q2 栅极为高，第二三极管Q2保持导通，电路达到稳定状态。Vsat触发脉冲结束，Vsat保持低电平，电路状态不发生变化，电路保持稳定状态。第二二极管D2阴极接地，第二二极管D2阳极状态被钳位到零。该电路完成了锁存功能。
如图4所示，Vsat保持低电平，Vrst触发高脉冲，此时第三三极管Q3导通，第二三极管Q2栅极被拉低，第二三极管Q2关断，电源VCC ，第一电阻R1，第二电阻R2，第二三极管Q2，接地GND通路断开，第一三极管Q1关断，此时电路达到稳定状态，第二二极管D2阴极为高，恢复为初始状态。当Vrst脉冲结束，第三三极管Q3关断，电路状态无变化，第二二极管D2阴极电压为高且状态稳定，第二二极管D2阳极状态不受钳位。
以上所述仅是对本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改，等同变化与修饰，均属于本发明技术方案的范围内。

Claims (1)

1.一种航天用锁存复位电路，其特征在于，至少包括第一三极管、第二三极管和第三三极管；所述第一三极管为PNP型，所述第二三极管和第三三极管为NPN型；其中：
触发端子通过第一二极管与第二三极管的栅极连接；第二三极管的源极接地；触发端子通过第二电容、第三电阻接地；所述第二电容和第三电阻相互并联；电源依次通过第一电阻、第一电容与第二三极管的漏极连接；
电源通过第一电阻与第一三极管的源极连接；电源依次通过第一电阻、第二电阻与第一三极管的栅极连接；第一三极管的源极通过第一电容与第二三极管的漏极、第一三极管的栅极连接；第一三极管的栅极与第二二极管的阴极连接；
复位端子与第三三极管的栅极连接；复位端子通过第三电容、第四电阻接地；第三三极管的源极接地；所述第三电容、第四电阻相互并联；触发端子通过第一二极管分别与第一三极管的漏极、第三三极管的漏极连接。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5852374A (en) * 1997-05-16 1998-12-22 Texas Instruments Incorporated Resettable latched voltage comparator
CN201383668Y (zh) * 2009-02-24 2010-01-13 中山大洋电机股份有限公司 一种过电流保护电路及其应用的电机控制器
CN102412565A (zh) * 2011-11-22 2012-04-11 常熟市董浜镇华进电器厂 具有过流保护功能的隔离式igbt驱动电路
CN203675080U (zh) * 2013-12-31 2014-06-25 深圳市易能电气技术有限公司 一种触发信号锁定电路
CN211180610U (zh) * 2020-01-16 2020-08-04 广西职业技术学院 一种故障信息锁存电路

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