CN112636304A - 一种过流保护装置、方法和pfc电路 - Google Patents

一种过流保护装置、方法和pfc电路 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种过流保护装置、方法和PFC电路，该装置包括：采样单元和控制单元；其中，所述采样单元，被配置为采样待保护的电子器件的当前温度，并采样待保护的电子器件的当前电流；所述控制单元，被配置为根据采样到的所述当前温度，确定所述待保护的电子器件的当前电流保护值；以及，根据所述当前电流和所述当前电流保护值，对所述待保护的电子器件进行过流保护。该方案，通过根据温度变化改变PFC电路的电流保护值，提升PFC电路的电流保护可靠性。

Description

一种过流保护装置、方法和PFC电路
技术领域
本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种过流保护装置、方法和PFC电路，尤其涉及一种基于温度调节的PFC动态电流保护装置、方法和PFC电路。
背景技术
PFC(功率因数校正)电路需要在不同的温度条件下工作。温度变化，可能会导致PFC电路的最大耐电流值也会相应变化，PFC电路的原本电流保护值将失去保护作用。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种过流保护装置、方法和PFC电路，以解决温度变化会导致PFC电路的固定电流保护值失去保护作用，影响PFC电路的电流保护的可靠性的问题，达到通过根据温度变化改变PFC电路的电流保护值，提升PFC电路的电流保护可靠性的效果。
本发明提供一种过流保护装置，包括：采样单元和控制单元；其中，所述采样单元，被配置为采样待保护的电子器件的当前温度，并采样待保护的电子器件的当前电流；所述控制单元，被配置为根据采样到的所述当前温度，确定所述待保护的电子器件的当前电流保护值；以及，根据所述当前电流和所述当前电流保护值，对所述待保护的电子器件进行过流保护。
在一些实施方式中，所述待保护的电子器件，包括：PFC电路中的功率器件；所述采样单元，包括：温度采样模块和电流采样模块；其中，所述采样单元，采样待保护的电子器件的当前温度，包括：通过所述温度采样模块，采样所述PFC电路中的功率器件的当前温度；所述采样单元，采样待保护的电子器件的当前电流，包括：通过所述电流采样模块，采样所述PFC电路中的功率器件的当前电流。
在一些实施方式中，所述控制单元，根据采样到的所述当前温度，确定所述待保护的电子器件的当前电流保护值，包括：将设定温度与设定电流保护值之间的对应关系中，与所述当前温度相同的设定温度所对应的设定电流保护值确定为所述当前电流保护值。
在一些实施方式中，其中，若所述当前温度小于设定温度范围的下限，则与所述当前温度对应的当前电流保护值小于与所述设定温度范围的下限对应的设定电流保护值；若所述当前温度大于设定温度范围的上限，则与所述当前温度对应的当前电流保护值小于与所述设定温度范围的上限对应的设定电流保护值。
在一些实施方式中，所述控制单元，根据所述当前电流和所述当前电流保护值，对所述待保护的电子器件进行过流保护，包括：确定所述当前电流是否超过所述当前电流保护值，若所述当前电流超过所述当前电流保护值，则启动预设的保护机制，以对所述待保护的电子器件进行过流保护。
与上述装置相匹配，本发明再一方面提供一种PFC电路，包括：以上所述的过流保护装置。
与上述PFC电路相匹配，本发明再一方面提供一种过流保护方法，包括：采样待保护的电子器件的当前温度，并采样待保护的电子器件的当前电流；根据采样到的所述当前温度，确定所述待保护的电子器件的当前电流保护值；以及，根据所述当前电流和所述当前电流保护值，对所述待保护的电子器件进行过流保护。
在一些实施方式中，所述待保护的电子器件，包括：PFC电路中的功率器件；采样待保护的电子器件的当前温度，包括：通过所述温度采样模块，采样所述PFC电路中的功率器件的当前温度；采样待保护的电子器件的当前电流，包括：通过所述电流采样模块，采样所述PFC电路中的功率器件的当前电流。
在一些实施方式中，根据采样到的所述当前温度，确定所述待保护的电子器件的当前电流保护值，包括：将设定温度与设定电流保护值之间的对应关系中，与所述当前温度相同的设定温度所对应的设定电流保护值确定为所述当前电流保护值。
在一些实施方式中，其中，若所述当前温度小于设定温度范围的下限，则与所述当前温度对应的当前电流保护值小于与所述设定温度范围的下限对应的设定电流保护值；若所述当前温度大于设定温度范围的上限，则与所述当前温度对应的当前电流保护值小于与所述设定温度范围的上限对应的设定电流保护值。
在一些实施方式中，根据所述当前电流和所述当前电流保护值，对所述待保护的电子器件进行过流保护，包括：确定所述当前电流是否超过所述当前电流保护值，若所述当前电流超过所述当前电流保护值，则启动预设的保护机制，以对所述待保护的电子器件进行过流保护。
由此，本发明的方案，通过采集待保护的电子器件的当前温度，根据设定温度与设定电流保护值之间的对应关系，调整该电子器件与当前温度对应的电流保护值，通过根据温度变化改变PFC电路的电流保护值，提升PFC电路的电流保护可靠性。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明的过流保护装置的一实施例的结构示意图；
图2为基于温度调节的PFC动态电流保护电路的一实施例的结构示意图；
图3为最大电流点与温度关系的一实施例的曲线示意图；
图4为最大电流点与温度关系的另一实施例的曲线示意图；
图5为本发明的过流保护方法的一实施例的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
根据本发明的实施例，提供了一种过流保护装置。参见图1所示本发明的装置的一实施例的结构示意图。该过流保护装置可以包括：采样单元和控制单元。
其中，所述采样单元，被配置为采样待保护的电子器件的当前温度，并采样待保护的电子器件的当前电流。
在一些实施方式中，所述待保护的电子器件，包括：PFC电路中的功率器件(即功率半导体器件如MOS管Q1)。
所述采样单元，包括：温度采样模块(如温度传感器)和电流采样模块(如采样电阻R1)。
其中，所述采样单元，采样待保护的电子器件的当前温度，包括：通过所述温度采样模块，采样所述PFC电路中的功率器件的当前温度。
具体地，温度传感器，能够将功率器件(如功率半导体器件)周围的温度转化为电压信号，并传递给MCU电路，用于实现不同温度下保护电流的实时调节。
所述采样单元，采样待保护的电子器件的当前电流，包括：通过所述电流采样模块，采样所述PFC电路中的功率器件的当前电流，如采样MOS管Q1的源极电流。
具体地，电流检测及保护电路，通过采集与其连接的一个电阻(即采样电阻，如电阻R1)中的电流信号，实时获取流过功率器件(如功率半导体器件)的电流值，得到采样信号。并将该采样信号传递到MCU电路，用于实现过流保护。
所述控制单元，被配置为根据采样到的所述当前温度，确定所述待保护的电子器件的当前电流保护值。
在一些实施方式中，所述控制单元，根据采样到的所述当前温度，确定所述待保护的电子器件的当前电流保护值，包括：将设定温度与设定电流保护值之间的对应关系中，与所述当前温度相同的设定温度所对应的设定电流保护值确定为所述当前电流保护值。
具体地，在功率器件周边增加温度采样电路，通过此温度采样电路进行实时采集，MCU监控当前功率器件温度情况，并通过离线表格(如表一)查询方式，获取功率器件当前温度允许通过最大电流。根据得到功率半导体器件温度的情况，实时调整过流保护基准值，以确保功率器件在所有温度工况下都能得到有效保护。
在一些实施方式中，其中，若所述当前温度小于设定温度范围的下限，则与所述当前温度对应的当前电流保护值小于与所述设定温度范围的下限对应的设定电流保护值；若所述当前温度大于设定温度范围的上限，则与所述当前温度对应的当前电流保护值小于与所述设定温度范围的上限对应的设定电流保护值。
具体地，当工作温度为T2时，允许最大电流为I1。最大电流保护值为I1时，可工作温度范围为T2至T3。若设置I1为固定电流保护值，当温度小于T2为T1，或大于T3为T4时，允许最大电流变小为I2，当实际电流小于I1大于I2时，固定电流保护值I1将无法提供可靠保护，电流保护功能失效。
所述控制单元，还被配置为根据所述当前电流和所述当前电流保护值，对所述待保护的电子器件进行过流保护。
具体地，利用温度采样反馈收集温度数据，可根据不同温度变化，同步更改选择电流保护值。这样，通过提供动态电流保护值，在使用环境温度变化的情况下，动态改变电流保护值，提高了PFC电路在不同温度工作的可靠性。
在一些实施方式中，所述控制单元，根据所述当前电流和所述当前电流保护值，对所述待保护的电子器件进行过流保护，包括：确定所述当前电流是否超过所述当前电流保护值，若所述当前电流超过所述当前电流保护值，则启动预设的保护机制，以对所述待保护的电子器件进行过流保护。如在所述当前电流超过所述当前电流保护值的情况下，则启动预设的保护机制以控制所述功率器件停止工作，实现对所述待保护的电子器件进行过流保护。
具体地，在功率器件周边增加合适的温度采样电路，需要敏感度高的采样电路，且采集响应速度快，确保采集的数据实时可靠。MCU通过温度传感器实时采集功率半导体器件温度Tx，收集温度数据的变化。MCU根据采集的温度Tx，通过离线表格查询方式，选择表一中Tx对应的保护电流值Ix，再通过保护电路中比较器的过流保护基准值改为Ix，如此，实时更改电流检测及保护电路中电流保护值。从而，达到实际电流保护值随着温度的变化而变化的效果，且在温度急剧变化的工作环境中，电路也可以快速响应，快速随温度的改变来改变电流保护值。
经大量的试验验证，采用本发明的技术方案，通过采集待保护的电子器件的当前温度，根据设定温度与设定电流保护值之间的对应关系，调整该电子器件与当前温度对应的电流保护值，通过根据温度变化改变PFC电路的电流保护值，提升PFC电路的电流保护可靠性。
根据本发明的实施例，还提供了对应于过流保护装置的一种PFC电路。该PFC电路可以包括：以上所述的过流保护装置。
主动式PFC(功率因数校正)电路，由电感、电容及其它电子元器件组成，体积小、通过专用IC芯片(即微型电子器件)去调整电流的波形，对电流、电压间的相位差进行补偿。主动式PFC电路，可以达到较高的功率因数，通常可达98％以上，但成本也相对较高。此外，主动式PFC电路，还可用作辅助电源，因此在使用主动式PFC电路中，往往不需要待机变压器，而且主动式PFC电路输出直流电压的纹波很小，这种电源不必采用很大容量的滤波电容。
不同温度下，电子元器件的带载能力出现变化，电子元器件允许通过的最大电流值可能变小，将低于设置保护电流值，原本固定值的电流保护方式将无法有效对电路进行保护，电流保护值需要根据温度变化改变。
相关方案中，固定值的电流保护，无法在温度变化情况下提供有效保护。本发明的方案，提供一种基于温度调节的PFC动态电流保护方案，通过提供动态电流保护值，在使用环境温度变化的情况下，动态改变电流保护值，提高了PFC电路在不同温度工作的可靠性。
本发明的方案，提供一种电流保护方法，利用温度采样反馈收集温度数据，可根据不同温度变化，同步更改选择电流保护值。
图2为基于温度调节的PFC动态电流保护电路的一实施例的结构示意图。如图2所示，基于温度调节的PFC动态电流保护电路，包括：滤波整流电路、功率电感(如电感L1)、功率器件(即功率半导体器件如MOS管Q1)、驱动电路、电流检测及保护电路、温度传感器及MCU。
交流电源输入至滤波整流电路的输入端，滤波整流电路的第一输出端经功率电感后连接至功率半导体器件的漏极，功率半导体器件的栅极经驱动电路后连接至MCU。功率半导体器件的源极经一个电阻(如电阻R1)后连接至滤波整流电路的第二输出端。电流检测及保护电路的第一端和电流检测及保护电路的第二端连接在该一个电阻的两端，电流检测及保护电路的第三端和电流检测及保护电路的第四端连接至MCU，MCU还连接至温度传感器。电容(如电容C1)和另一电阻(如电阻R2)并联，并联后连接在功率半导体器件的漏极、以及与功率半导体器件的源极连接的一个电阻的一端。
在图2所示的例子中，整流滤波模块，能够将交流市电整流为直流电。
温度传感器，能够将功率器件(如功率半导体器件)周围的温度转化为电压信号，并传递给MCU电路，用于实现不同温度下保护电流的实时调节。
电流检测及保护电路，通过采集与其连接的一个电阻(即采样电阻，如电阻R1)中的电流信号，实时获取流过功率器件(如功率半导体器件)的电流值，得到采样信号；并将该采样信号传递到MCU电路，用于实现过流保护。
驱动电路，用于驱动功率器件(即功率半导体器件如MOS管Q1)，以实现功率因数校正目的。
MCU，用于控制驱动电路、温度传感器、电流检测及保护电路，是实现算法的核心。
其中，功率半导体器件(如MOS管Q1)。该功率半导体器件对温度敏感，温度偏高或偏低，会使其载流能力变弱。又由于功率器件(即功率半导体器件如MOS管Q1)工作电流大，导致温度升高，在不同的工作负载情况下，功率器件(即功率半导体器件如MOS管Q1)的温度会有所不同。因此需要在电路中设置相应的保护，确保不同温度下，功率器件均能正常运行及保护。
由于产品需要负载端功耗及应用环境不确定，可能会出现负载或温度急剧变化。
在相关方案中保护电路中通常使用比较器实现，对采样的电流进行比较，当电流值大于预设的一个固定基准值时，比较器触发保护。在室温情况下，比较器可有效地保护功率器件(即功率半导体器件如MOS管Q1)不损坏。
当温度变化时，功率器件(即功率半导体器件如MOS管Q1)载流能力变弱，当出现异常电流(大于载流能力的电流)时，相关方案中的保护电路已经无法有效保护。
基于上述原因，在功率器件周边增加温度采样电路，通过此温度采样电路进行实时采集，MCU监控当前功率器件温度情况，并通过离线表格(如表一)查询方式，获取功率器件当前温度允许通过最大电流。根据得到功率半导体器件温度的情况，实时调整过流保护基准值，以确保功率器件在所有温度工况下都能得到有效保护。
表一：温度与保护电流值
温度℃ 保护电流值A
T1 I2
T2 I1
T3 I1
T4 I2
T5 I3
T6 I4
Tx Ix
图3为PFC中功率半导体器件环境温度T与对应最大工作电流为I的关系图。
在图3所示的例子中，当工作温度为T2时，允许最大电流为I1。最大电流保护值为I1时，可工作温度范围为T2至T3。若设置I1为固定电流保护值，当温度小于T2为T1，或大于T3为T4时，允许最大电流变小为I2，当实际电流小于I1大于I2时，固定电流保护值I1将无法提供可靠保护，电流保护功能失效。
在一些实施方式中，本发明的方案提供的一种基于温度调节的PFC动态电流保护方法，包括：
步骤1、在功率器件周边增加合适的温度采样电路，需要敏感度高的采样电路，且采集响应速度快，确保采集的数据实时可靠。MCU通过温度传感器实时采集功率半导体器件温度Tx，收集温度数据的变化。
步骤2、MCU根据采集的温度Tx，通过离线表格查询方式，选择表一中Tx对应的保护电流值Ix，再通过保护电路中比较器的过流保护基准值改为Ix，如此，实时更改电流检测及保护电路中电流保护值，可以参见图4所示的例子。从而，达到实际电流保护值随着温度的变化而变化的效果，且在温度急剧变化的工作环境中，电路也可以快速响应，快速随温度的改变来改变电流保护值。
在一些实施方式中，本发明的方案中的模型，可根据实际需求，增加多路温度传感器，采集功率半导体器件温度数据、PCB板温度数据、设备机壳温度、外部环境温度数据等所需温度参考点数据。
由于本实施例的PFC电路所实现的处理及功能基本相应于前述图1所示的装置的实施例、原理和实例，故本实施例的描述中未详尽之处，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不做赘述。
经大量的试验验证，采用本发明的技术方案，通过提供动态电流保护值，在使用环境温度变化的情况下，动态改变电流保护值，提高了PFC电路在不同温度工作的可靠性，提升PFC电路的电流保护可靠性。
根据本发明的实施例，还提供了对应于PFC电路的一种过流保护方法，如图5所示本发明的方法的一实施例的流程示意图。该过流保护方法可以包括：步骤S110至步骤S130。
在步骤S110处，采样待保护的电子器件的当前温度，并采样待保护的电子器件的当前电流。
在一些实施方式中，所述待保护的电子器件，包括：PFC电路中的功率器件(即功率半导体器件如MOS管Q1)。
其中，步骤S110中采样待保护的电子器件的当前温度，包括：通过所述温度采样模块，采样所述PFC电路中的功率器件的当前温度。
具体地，温度传感器，能够将功率器件(如功率半导体器件)周围的温度转化为电压信号，并传递给MCU电路，用于实现不同温度下保护电流的实时调节。
步骤S110中采样待保护的电子器件的当前电流，包括：通过所述电流采样模块，采样所述PFC电路中的功率器件的当前电流，如采样MOS管Q1的源极电流。
具体地，电流检测及保护电路，通过采集与其连接的一个电阻(即采样电阻，如电阻R1)中的电流信号，实时获取流过功率器件(如功率半导体器件)的电流值，得到采样信号。并将该采样信号传递到MCU电路，用于实现过流保护。
在步骤S120处，根据采样到的所述当前温度，确定所述待保护的电子器件的当前电流保护值。
在一些实施方式中，步骤S120中根据采样到的所述当前温度，确定所述待保护的电子器件的当前电流保护值，包括：将设定温度与设定电流保护值之间的对应关系中，与所述当前温度相同的设定温度所对应的设定电流保护值确定为所述当前电流保护值。
具体地，在功率器件周边增加温度采样电路，通过此温度采样电路进行实时采集，MCU监控当前功率器件温度情况，并通过离线表格(如表一)查询方式，获取功率器件当前温度允许通过最大电流。根据得到功率半导体器件温度的情况，实时调整过流保护基准值，以确保功率器件在所有温度工况下都能得到有效保护。
在一些实施方式中，其中，若所述当前温度小于设定温度范围的下限，则与所述当前温度对应的当前电流保护值小于与所述设定温度范围的下限对应的设定电流保护值；若所述当前温度大于设定温度范围的上限，则与所述当前温度对应的当前电流保护值小于与所述设定温度范围的上限对应的设定电流保护值。
具体地，当工作温度为T2时，允许最大电流为I1。最大电流保护值为I1时，可工作温度范围为T2至T3。若设置I1为固定电流保护值，当温度小于T2为T1，或大于T3为T4时，允许最大电流变小为I2，当实际电流小于I1大于I2时，固定电流保护值I1将无法提供可靠保护，电流保护功能失效。
在步骤S130处，根据所述当前电流和所述当前电流保护值，对所述待保护的电子器件进行过流保护。
具体地，利用温度采样反馈收集温度数据，可根据不同温度变化，同步更改选择电流保护值。这样，通过提供动态电流保护值，在使用环境温度变化的情况下，动态改变电流保护值，提高了PFC电路在不同温度工作的可靠性。
在一些实施方式中，步骤S130中根据所述当前电流和所述当前电流保护值，对所述待保护的电子器件进行过流保护，包括：确定所述当前电流是否超过所述当前电流保护值，若所述当前电流超过所述当前电流保护值，则启动预设的保护机制，以对所述待保护的电子器件进行过流保护。如在所述当前电流超过所述当前电流保护值的情况下，则启动预设的保护机制以控制所述功率器件停止工作，实现对所述待保护的电子器件进行过流保护。
具体地，在功率器件周边增加合适的温度采样电路，需要敏感度高的采样电路，且采集响应速度快，确保采集的数据实时可靠。MCU通过温度传感器实时采集功率半导体器件温度Tx，收集温度数据的变化。MCU根据采集的温度Tx，通过离线表格查询方式，选择表一中Tx对应的保护电流值Ix，再通过保护电路中比较器的过流保护基准值改为Ix，如此，实时更改电流检测及保护电路中电流保护值。从而，达到实际电流保护值随着温度的变化而变化的效果，且在温度急剧变化的工作环境中，电路也可以快速响应，快速随温度的改变来改变电流保护值。
由于本实施例的方法所实现的处理及功能基本相应于前述PFC电路的实施例、原理和实例，故本实施例的描述中未详尽之处，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不做赘述。
经大量的试验验证，采用本实施例的技术方案，通过利用温度采样反馈收集温度数据，可根据不同温度变化，同步更改选择电流保护值，提升PFC电路的电流保护可靠性。
综上，本领域技术人员容易理解的是，在不冲突的前提下，上述各有利方式可以自由地组合、叠加。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (11)

1.一种过流保护装置，其特征在于，包括：采样单元和控制单元；其中，
所述采样单元，被配置为采样待保护的电子器件的当前温度，并采样待保护的电子器件的当前电流；
所述控制单元，被配置为根据采样到的所述当前温度，确定所述待保护的电子器件的当前电流保护值；以及，根据所述当前电流和所述当前电流保护值，对所述待保护的电子器件进行过流保护。
2.根据权利要求1所述的过流保护装置，其特征在于，所述待保护的电子器件，包括：PFC电路中的功率器件；
所述采样单元，包括：温度采样模块和电流采样模块；其中，
所述采样单元，采样待保护的电子器件的当前温度，包括：
通过所述温度采样模块，采样所述PFC电路中的功率器件的当前温度；
所述采样单元，采样待保护的电子器件的当前电流，包括：
通过所述电流采样模块，采样所述PFC电路中的功率器件的当前电流。
3.根据权利要求1所述的过流保护装置，其特征在于，所述控制单元，根据采样到的所述当前温度，确定所述待保护的电子器件的当前电流保护值，包括：
将设定温度与设定电流保护值之间的对应关系中，与所述当前温度相同的设定温度所对应的设定电流保护值确定为所述当前电流保护值。
4.根据权利要求3所述的过流保护装置，其特征在于，其中，若所述当前温度小于设定温度范围的下限，则与所述当前温度对应的当前电流保护值小于与所述设定温度范围的下限对应的设定电流保护值；
若所述当前温度大于设定温度范围的上限，则与所述当前温度对应的当前电流保护值小于与所述设定温度范围的上限对应的设定电流保护值。
5.根据权利要求3或4所述的过流保护装置，其特征在于，所述控制单元，根据所述当前电流和所述当前电流保护值，对所述待保护的电子器件进行过流保护，包括：
确定所述当前电流是否超过所述当前电流保护值，若所述当前电流超过所述当前电流保护值，则启动预设的保护机制，以对所述待保护的电子器件进行过流保护。
6.一种PFC电路，其特征在于，包括：如权利要求1至5中任一项所述的过流保护装置。
7.一种过流保护方法，其特征在于，包括：
采样待保护的电子器件的当前温度，并采样待保护的电子器件的当前电流；
根据采样到的所述当前温度，确定所述待保护的电子器件的当前电流保护值；以及，
根据所述当前电流和所述当前电流保护值，对所述待保护的电子器件进行过流保护。
8.根据权利要求7所述的过流保护方法，其特征在于，所述待保护的电子器件，包括：PFC电路中的功率器件；
采样待保护的电子器件的当前温度，包括：
通过所述温度采样模块，采样所述PFC电路中的功率器件的当前温度；
采样待保护的电子器件的当前电流，包括：
通过所述电流采样模块，采样所述PFC电路中的功率器件的当前电流。
9.根据权利要求7所述的过流保护方法，其特征在于，根据采样到的所述当前温度，确定所述待保护的电子器件的当前电流保护值，包括：
将设定温度与设定电流保护值之间的对应关系中，与所述当前温度相同的设定温度所对应的设定电流保护值确定为所述当前电流保护值。
10.根据权利要求9所述的过流保护方法，其特征在于，其中，若所述当前温度小于设定温度范围的下限，则与所述当前温度对应的当前电流保护值小于与所述设定温度范围的下限对应的设定电流保护值；
若所述当前温度大于设定温度范围的上限，则与所述当前温度对应的当前电流保护值小于与所述设定温度范围的上限对应的设定电流保护值。
11.根据权利要求9或10所述的过流保护方法，其特征在于，根据所述当前电流和所述当前电流保护值，对所述待保护的电子器件进行过流保护，包括：
确定所述当前电流是否超过所述当前电流保护值，若所述当前电流超过所述当前电流保护值，则启动预设的保护机制，以对所述待保护的电子器件进行过流保护。
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