CN112615564B - 纳米发电机的制备方法及装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种纳米发电机的制备方法，该方法包括：对导电硅片表面进行预处理；将分子膜接枝到经处理过的所述导电硅片表面；清洗所述导电硅片；将导线与所述导电硅片连接，以获得纳米发电机，其中，所述纳米发电机通过所述导电硅片与溶液相互作用进行发电。由此，本申请通过方法简单且成本低廉的分子膜接枝技术，在导电硅片的表面进行分子膜修饰，从而可以制备成本低、发电能力强的纳米发电机。

Description

纳米发电机的制备方法及装置

技术领域

本申请涉及纳米器件技术领域，尤其涉及一种纳米发电机的制备方法及装置。

背景技术

现有技术中，纳米发电机的主体材料大多采用以石墨烯、二硫化钼等二维材料搭配聚合物基底。然而，石墨烯、二硫化钼等二维材料涂层的制备和保存，主要存在以下问题：基于化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)技术制备出的大尺寸石墨烯薄膜，质量参差不齐，很难保证大尺寸情况下的均一性；CVD技术对沉积设备和环境的要求极高，且只适用于沉积单层或者少层的石墨烯；以及，二维材料薄膜耐久性差，易损坏，损坏后导致发电机的发电效果不理想。

上述问题极大限制了纳米发电机的发展与推广。因此，如何降低纳米发电机的制备成本，并将可大规模制备且耐久性强的材料用于纳米发电机的制备，已成为亟待解决的问题。

发明内容

本申请的目的旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本申请的第一个目的在于提出一种纳米发电机的制备方法，用于解决现有纳米发电机的制备过程中存在的成本较高、无法将可大规模制备且耐久性强的材料用于纳米发电机的制备的技术问题。

本申请的第二个目的在于提出一种纳米发电机的制备装置。

为达到上述目的，本申请一方面实施例提出了纳米发电机的制备方法，所述方法包括：对导电硅片表面进行预处理；将分子膜接枝到经处理过的所述导电硅片表面；清洗所述导电硅片；将导线与所述导电硅片连接，以获得纳米发电机，其中，所述纳米发电机通过所述导电硅片与所述溶液相互作用进行发电。

另外，根据本申请上述实施例的纳米发电机的制备方法还可以具有如下附加的技术特征：

根据本申请的一个实施例，采用如下方式中的一种方式使所述纳米发电机进行发电：将所述溶液滴至接枝所述分子膜的所述导电硅片表面；或者，将所述导电硅片置于波动的所述溶液中；或者，利用所述导电硅片制成容器，在所述容器内加入所述溶液，晃动所述容器。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的类型为P型掺杂或N型掺杂。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的厚度为0.01～10000μm。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的氧化层的厚度为0～100μm。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的电阻率范围为0.00015～200000Ω*cm。

根据本申请的一个实施例，所述对导电硅片表面进行预处理，包括以下一项：利用浓硫酸和过氧化氢的混合液进行处理；或者，利用等离子体进行处理；或者，利用紫外线照射处理。

根据本申请的一个实施例，所述分子膜的种类为主链为碳，含氟元素或主链为碳，含氢元素的分子膜；所述分子膜的链长为0.1～100nm。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的形状包括平面片状、圆弧形片状、方形管状或圆柱体中的任意一种。

根据本申请的一个实施例，用于发电的所述溶液包括氯化钠和氯化钾的盐溶液、电阻率为18.2MΩ·cm的超纯水、酸、碱性溶液、烯烃、PAO油或者液态烷烃中的任意一种。

为了实现上述目的，本申请第二方面实施例提供了一种纳米发电机的制备装置，包括：预处理单元，用于对导电硅片表面进行预处理；接枝单元，用于将分子膜接枝到经处理过的所述导电硅片表面；清洗单元，用于清洗所述导电硅片；连接单元，用于将导线与所述导电硅片连接，以获得纳米发电机，其中，所述纳米发电机通过所述导电硅片与所述溶液相互作用进行发电。

另外，根据本申请上述实施例的纳米发电机的制备装置还可以具有如下附加的技术特征：

根据本申请的一个实施例，所述连接单元，进一步用于：将所述溶液滴至接枝所述分子膜的所述导电硅片表面；或者，将所述导电硅片置于波动的所述溶液中；或者，利用所述导电硅片制成容器，在所述容器内加入所述溶液，晃动所述容器。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的类型为P型掺杂或N型掺杂。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的类型为P型掺杂或N型掺杂。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的氧化层的厚度为0～100μm。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的电阻率范围为0.00015～200000Ω*cm。

根据本申请的一个实施例，所述预处理单元，进一步用于：利用浓硫酸和过氧化氢的混合液进行处理；或者，利用等离子体进行处理；或者，利用紫外线照射处理。

根据本申请的一个实施例，所述分子膜的种类为主链为碳，含氟元素或主链为碳，含氢元素的分子膜；所述分子膜的链长为0.1～100nm。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的形状包括平面片状、圆弧形片状、方形管状或圆柱体中的任意一种。

根据本申请的一个实施例，用于发电的所述溶液包括氯化钠和氯化钾的盐溶液、电阻率为18.2MΩ·cm的超纯水、酸、碱性溶液、烯烃、PAO油或者液态烷烃中的任意一种。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

根据本申请提出的纳米发电机的制备方法，可以通过对导电硅片表面进行预处理，并将分子膜接枝到经处理过的导电硅片表面，然后清洗导电硅片，将导线与导电硅片连接，以获得纳米发电机，其中，纳米发电机通过导电硅片与溶液相互作用进行发电。由此，本申请通过方法简单且成本低廉的分子膜接枝技术，在导电硅片的表面进行分子膜修饰，从而可以制备成本低、发电能力强的纳米发电机。

附图说明

本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请一个实施例公开的纳米发电机的制备方法的流程示意图；

图2为本申请一个实施例公开的纳米发电机的导线连接示意图；

图3为本申请一个实施例公开的导电硅片疏水性能比较的示意图；

图4为本申请一个实施例公开的一种纳米发电机的示意图；

图5为本申请一个实施例公开的导电硅片产生的电压和电流的示意图；

图6为本申请一个实施例公开的一种纳米发电机的示意图；

图7为本申请一个实施例公开的纳米发电机的制备装置的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

下面参考附图描述本申请实施例的纳米发电机的制备方法及装置。

图1为本申请一个实施例公开的纳米发电机的制备方法的流程示意图。

如图1所示，该纳米发电机的制备方法包括以下步骤：

S101、对导电硅片表面进行预处理。

需要说明的是，本申请对于导电硅片表面进行预处理的具体方式不作限定，可以根据实际情况进行选择。

可选地，可以利用浓硫酸和过氧化氢的混合液，对导电硅片表面进行预处理。其中，混合液中浓硫酸和过氧化氢的配置比例可以根据实际情况进行选择。例如，可以使用以7:3的浓硫酸和过氧化氢制成的混合液，对导电硅片表面进行预处理；可选地，可以利用等离子体，对导电硅片表面进行预处理。

在实际应用中，开始纳米发电机的制备过程后，也可以不对导电硅片表面进行预处理，而是直接执行步骤S102。

S102、将分子膜接枝到经处理过的导电硅片表面。

其中，接枝，指的是大分子链上，通过化学键结合适当的支链或功能性侧基的反应。

需要说明的是，本申请对于将分子膜接枝到经处理过的导电硅片表面的具体方式不作限定，可以根据实际情况进行选择。可选地，可以采用自组装方式将分子膜接枝到经处理过的导电硅片表面。

需要说明的是，若导电硅片表面未经过预处理，也可以直接将分子膜接枝到未经处理过的导电硅片表面。

S103、清洗导电硅片。

需要说明的是，本申请对于清洗导电硅片的具体方式不作限定，可以根据实际情况进行选择。可选地，可以使用酒精，在超声清洗机中对导电硅片进行超声清洗，以去除残余杂质。

S104、将导线与导电硅片连接，以获得纳米发电机，其中，纳米发电机通过导电硅片与溶液相互作用进行发电。

作为一种可能的实现方式，如图2(a)所示，可以将两根导线连接到导电硅片未接枝分子膜的一面的两端，此种情况下，溶液与接枝分子膜的导电硅片可以相互作用，并在两根导线上产生电压和电流，以进行发电。

作为另一种可能的实现方式，如图2(b)所示，可以将一根导线连接到导电硅片未接枝分子膜的一面，另一根导线连接到导电硅片接枝分子膜的一面，此种情况下，溶液与接枝分子膜的导电硅片可以相互作用，并在两根导线上产生电压和电流，以进行发电。需要说明的是，本申请对于产生电压和电流，即发电的具体方式不作限定，可以根据实际情况进行选择。

可选地，可以将溶液或者导电液滴滴至接枝分子膜的导电硅片表面，以模拟下雨等形式进行发电；可选地，可以将导电硅片置于波动的溶液中，例如，可以将导电硅片置于水中，通过水表面波动产生电能进行发电；可选地，可以利用导电硅片制成容器，在容器内加入溶液，并晃动容器，例如，可以将溶液在由接枝分子膜的导电硅片做成的容器中晃动，溶液的运动可以产生电能进行发电。

根据本申请提出的纳米发电机的制备方法，可以通过对导电硅片表面进行预处理，并将分子膜接枝到经处理过的导电硅片表面，然后清洗导电硅片，将导线与导电硅片连接，以获得纳米发电机，其中，纳米发电机通过导电硅片与溶液相互作用进行发电。由此，本申请通过方法简单且成本低廉的分子膜接枝技术，在导电硅片的表面进行分子膜修饰，从而可以制备成本低、发电能力强的纳米发电机。

需要说明的是，本申请提出的纳米发电机的制备方法适用于所有液体-固体纳米发电机，且针对疏水液固耦合纳米发电机具有更明显的效果。

举例而言，利用现有纳米发电机制备方法制备纳米发电机，其导电硅片的疏水性(Hydrophobicity)如图3(a)所示；利用本申请提出的纳米发电机制备方法制成如图4所示的疏水液固耦合纳米发电机，其导电硅片的疏水性能如图3(b)所示，显然地，此种情况下纳米发电机的疏水性更高，使得导电硅片表面能够尽可能地不沾水分子。

由此，本申请通过分子膜修饰的方式，可以极大地提高导电硅片的疏水性能，从而解决了疏水液固耦合纳米发电机因溶液在固体表面残留造成的发电能力下降的固有问题。同时，有效地改善了疏水液固耦合纳米发电机的发电能力，极大程度上降低了疏水液固耦合纳米发电机成本，提高了疏水液固耦合纳米发电机的发电性能。

进一步地，采用接枝分子膜的导电硅片制成的疏水液固耦合纳米发电机，能够收集溶液能量，产生电压和电流，有利于能量收集。

举例而言，如图5所示，接枝分子膜的导电硅片产生的电压(如图5(a)所示)和电流(如图5(b)所示)，明显高于现有技术中石墨烯产生的电压。同时分子膜可以在相当低的成本下大规模合成到导电硅片表面，相比于同体系的石墨烯发电机，具有极强的经济优势。此外，同体系的石墨烯纳米发电机无法做到大面积制备，且无法保证良品率。然而，导电硅片基于其技术优势，可以轻易的得到大面积并且均一的产品，同时表面接枝分子膜的导电硅片稳定性很好，相较于石墨烯的易损坏等，具有极高的应用价值。

下面分别针对导电硅片、分子膜、导线及溶液的选型进行解释说明。

针对导电硅片，导电硅片的厚度可以为0.01～10000μm，例如100μm；导电硅片氧化层的厚度可以为0～100μm，例如10μm；导电硅片的电阻率优选大于或者等于0.00015Ω*cm，例如0.00016Ω*cm；导电硅片的类型可以为P型掺杂或者N型掺杂，包括但不限于硼、磷、砷等元素掺杂；导电硅片的晶向可以为(100)或者(111)。

例如，导电硅片可以为厚度为100μm、氧化层厚度为10μm、电阻率优选为0.00016Ω*cm、晶向为(100)的P型掺杂导电硅片；又例如，导电硅片可以为厚度为100μm、氧化层厚度为10μm、电阻率优选为0.00016Ω*cm、晶向为(111)的N型掺杂导电硅片。

进一步地，本申请中，对于导电硅片的形状及其最终结构的形式不作限定，可以为平面片状、圆弧形片状，方形管状，圆柱体等形状中的任意一种。优选地，导电硅片的形状为平面片状。

针对分子膜，分子膜的链长优选为0.1～100nm，例如10nm；分子膜的种类可以为主链为碳，含氟元素，或者主链为碳，含氢元素的分子膜。优选地，可以选用主链为碳，含氟元素的分子膜。

例如，分子膜可以为链长为10nm的主链为碳并含氟元素的分子膜；又例如，分子膜可以为链长为1nm的主链为碳并含氢元素的分子膜。

针对导线，导线的材质包括但不限于铜、银、金、碳等导电良好的导体。

针对溶液，溶液包括但不限于氯化钠和氯化钾的盐溶液、电阻率为18.2MΩ·cm的超纯水、酸、碱性溶液、烯烃、PAO油或者液态烷烃等。优选地，可以选择氯化钠和氯化钾的盐溶液或者电阻率为18.2MΩ·cm的超纯水作为溶液。

综上所述，作为一种可能的实现方式，如图6所示，可以选用厚度为100μm、氧化层厚度为10μm、电阻率优选为0.00016Ω*cm、晶向为(100)的P型掺杂导电硅片，使用比例为7:3的浓硫酸和过氧化氢的混合液对导电硅片表面进行预处理，并使用酒精在超声清洗机中对该P型掺杂导电硅片进行超声清洗，然后在该P型掺杂导电硅片表面接枝链长为10nm、主链为碳含氟元素的分子膜，并清洗接枝分子膜后的该P型掺杂导电硅片，进而将液滴滴落至接枝分子膜的导电硅片表面进行发电。

根据本申请提出的纳米发电机的制备方法，可以通过对导电硅片表面进行预处理，并将分子膜接枝到经处理过的导电硅片表面，然后清洗导电硅片，将导线与导电硅片连接，以获得纳米发电机，其中，纳米发电机通过导电硅片与溶液相互作用进行发电。由此，本申请通过方法简单且成本低廉的分子膜接枝技术，在导电硅片的表面进行分子膜修饰，从而可以制备成本低、发电能力强的纳米发电机。

基于同一申请构思，本申请实施例还提供了一种纳米发电机的制备方法对应的装置。

图7为本申请实施例提供的纳米发电机的制备装置的结构示意图。如图7所示，该纳米发电机的制备装置1000，包括：预处理单元110，用于对导电硅片表面进行预处理；接枝单元120，用于将分子膜接枝到经处理过的所述导电硅片表面；清洗单元130，用于清洗所述导电硅片；连接单元140，用于将导线与所述导电硅片连接，以获得纳米发电机，其中，所述纳米发电机通过所述导电硅片与溶液相互作用进行发电。

另外，根据本申请上述实施例的纳米发电机的制备装置还可以具有如下附加的技术特征：

根据本申请的一个实施例，所述连接单元140，进一步用于：将所述溶液滴至接枝所述分子膜的所述导电硅片表面；或者，将所述导电硅片置于波动的所述溶液中；或者，利用所述导电硅片制成容器，在所述容器内加入所述溶液，晃动所述容器。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的类型为P型掺杂或N型掺杂。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的类型为P型掺杂或N型掺杂。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的氧化层的厚度为0～100μm。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的电阻率范围为0.00015～200000Ω*cm。

根据本申请的一个实施例，所述预处理单元110，进一步用于：利用浓硫酸和过氧化氢的混合液进行处理；或者，利用等离子体进行处理；或者，利用紫外线照射处理。

根据本申请的一个实施例，所述分子膜的种类为主链为碳，含氟元素或主链为碳，含氢元素的分子膜；所述分子膜的链长为0.1～100nm。

根据本申请的一个实施例，所述导电硅片的形状包括平面片状、圆弧形片状、方形管状或圆柱体中的任意一种。

根据本申请的一个实施例，用于发电的所述溶液包括氯化钠和氯化钾的盐溶液、电阻率为18.2MΩ·cm的超纯水、酸、碱性溶液、烯烃、PAO油或者液态烷烃中的任意一种。

根据本申请提出的纳米发电机的制备方法，可以通过对导电硅片表面进行预处理，并将分子膜接枝到经处理过的导电硅片表面，然后清洗导电硅片，将导线与导电硅片连接，以获得纳米发电机，其中，纳米发电机通过导电硅片与溶液相互作用进行发电。由此，本申请通过方法简单且成本低廉的分子膜接枝技术，在导电硅片的表面进行分子膜修饰，从而可以制备成本低、发电能力强的纳米发电机。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本申请的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本申请的实施例所属技术领域的技术人员所理解。

在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，"计算机可读介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。

应当理解，本申请的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。

本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，该程序在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。

此外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。

上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (9)

1.一种纳米发电机的制备方法，其特征在于，包括：

对导电硅片表面进行预处理；

将分子膜接枝到经处理过的所述导电硅片表面；

清洗所述导电硅片；

将导线与所述导电硅片连接，以获得纳米发电机，其中，所述纳米发电机通过所述导电硅片与溶液相互作用进行发电；

将两根所述导线连接到所述导电硅片未接枝分子膜的一面的两端或者将一根所述导线连接到所述导电硅片未接枝分子膜的一面，另一根所述导线连接到所述导电硅片接枝分子膜的一面；

所述对导电硅片表面进行预处理，包括以下一项：利用浓硫酸和过氧化氢的混合液进行处理；或者，利用等离子体进行处理；或者，利用紫外线照射处理；

所述分子膜的种类为主链为碳，含氟元素或主链为碳，含氢元素的分子膜；所述分子膜的链长为0.1～100nm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用如下方式中的一种方式使所述纳米发电机进行发电：

将所述溶液滴至接枝所述分子膜的所述导电硅片表面；或者，

将所述导电硅片置于波动的所述溶液中；或者，

利用所述导电硅片制成容器，在所述容器内加入所述溶液，晃动所述容器。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述导电硅片的厚度为0.01～10000μm。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述导电硅片的类型为P型掺杂或N型掺杂。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述导电硅片的氧化层的厚度为0～100μm。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述导电硅片的电阻率范围为0.00015～200000Ω*cm。

7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述导电硅片的形状包括平面片状、圆弧形片状、方形管状或圆柱体中的任意一种。

8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，用于发电的所述溶液包括氯化钠和氯化钾的盐溶液、电阻率为18.2MΩ·cm的超纯水、酸、碱性溶液、烯烃、PAO油或者液态烷烃中的任意一种。

9.一种纳米发电机的制备装置，其特征在于，包括：

预处理单元，用于对导电硅片表面进行预处理；

接枝单元，用于将分子膜接枝到经处理过的所述导电硅片表面；

清洗单元，用于清洗所述导电硅片；

连接单元，用于将导线与所述导电硅片连接，以获得纳米发电机，其中，所述纳米发电机通过所述导电硅片与溶液相互作用进行发电；

将两根所述导线连接到所述导电硅片未接枝分子膜的一面的两端或者将一根所述导线连接到所述导电硅片未接枝分子膜的一面，另一根所述导线连接到所述导电硅片接枝分子膜的一面；

所述对导电硅片表面进行预处理，包括以下一项：利用浓硫酸和过氧化氢的混合液进行处理；或者，利用等离子体进行处理；或者，利用紫外线照射处理；

所述分子膜的种类为主链为碳，含氟元素或主链为碳，含氢元素的分子膜；所述分子膜的链长为0.1～100nm。

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