CN112582805B - 阵列透镜、透镜天线和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种阵列透镜、透镜天线和电子设备，阵列透镜包括：多层第一介质层；多层第一阵列结构，第一阵列结构与第一介质层沿第一方向交替层叠设置，每一层第一阵列结构包括一个或多个呈阵列设置的第一阵列单元，多层第一阵列结构中位于同一相对位置的多个第一阵列单元在第一方向上同轴设置；包括多个第一阵列单元的第一阵列结构中，至少两个第一阵列单元在其阵列方向上具有渐变的阵列单元尺寸，或/和，多层第一阵列结构中的至少两层在第一方向上具有数量渐变的第一阵列单元，阵列透镜结构实现对电磁波波束的汇聚作用，阵列透镜的焦距短、尺寸小利于小型化。

Description

阵列透镜、透镜天线和电子设备
技术领域
本申请涉及天线技术领域，特别是涉及一种阵列透镜、透镜天线和电子设备。
背景技术
透镜天线，一种能够通过电磁波，将点源或线源的球面波或柱面波转换为平面波从而获得笔形、扇形或其他形状波束的天线。通过合适设计透镜表面形状和折射率，调节电磁波的相速以获得辐射口径上的平面波前。一般的透镜天线通常需要较大的焦距、体积大而且笨重，不利于天线的小型化。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列透镜、透镜天线和电子设备，可以缩短透镜天线的焦距，尺寸小，利于透镜天线的小型化。
一种阵列透镜，应用于透镜天线，包括：
多层第一介质层；
多层第一阵列结构，所述第一阵列结构与所述第一介质层沿第一方向交替层叠设置，每一层所述第一阵列结构包括一个或多个呈阵列设置的第一阵列单元，多层所述第一阵列结构中位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元在所述第一方向上同轴设置；
包括多个所述第一阵列单元的所述第一阵列结构中，至少两个所述第一阵列单元在其阵列方向上具有渐变的阵列单元尺寸，或/和，多层所述第一阵列结构中的至少两层在所述第一方向上具有数量渐变的所述第一阵列单元。
此外，还提供一种透镜天线，包括：馈源阵列，与所述馈源阵列平行设置的上述的阵列透镜。
此外，还提供一种电子设备，包括上述的透镜天线。
上述阵列透镜、透镜天线和电子设备，其阵列透镜包括多个所述第一阵列单元的所述第一阵列结构中，至少两个所述第一阵列单元在其阵列方向上具有渐变的阵列单元尺寸，或/和，多层所述第一阵列结构中的至少两层在所述第一方向上具有数量渐变的所述第一阵列单元，所述阵列透镜能够实现对电磁波波束的汇聚作用，阵列透镜的焦距短、尺寸小利于小型化。
上述透镜天线，包括如上所述的阵列天线，该透镜天线的焦距短，且尺寸小，利于透镜天线的小型化。
上述电子设备，包括如上所述的透镜天线，由于透镜天线的焦距短、尺寸小，且能实现波束扫描，因而电子设备能够实现高效率、高增益、低成本波束扫描。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一个实施例中电子设备的立体图；
图2为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图3a为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图3b为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图4为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图5为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图6a为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图6b为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图6c为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图7a为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图7b为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图7c为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图8a为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图8b为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图8c为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图9a为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图9b为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图9c为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图10a为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图10b为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图10c为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图11a为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图11b为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图11c为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图12a为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图12b为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图12c为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图13a为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图13b为其中一个实施例中透阵列透镜的结构示意图；
图13c为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图14a为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图14b为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图14c为其中一个实施例中阵列透镜的结构示意图；
图15为其中一个实施例中增加匹配层和未增加匹配层的阵列透镜的透射系数和反射系数示意图；
图16a为其中一个实施例中透镜天线的结构示意图；
图16b为其中一个实施例中透镜天线的结构示意图；
图17为其中一个实施例中电子设备的框图；
图18为其中一个实施例中波束扫描方向图；
图19为一个实施例中包括透镜天线的电子设备的示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
需要说明的是，当元件被称为“贴合于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
本申请一实施例的天线装置应用于电子设备，在一个实施例中，电子设备可以为包括手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、移动互联网设备(Mobile Internet Device，MID)、可穿戴设备(例如智能手表、智能手环、计步器等)或其他可设置阵列天线装置的通信模块。
如图1所示，在本申请实施例中，电子设备10可包括壳体组件110、中板120、显示屏组件130和控制器。显示屏组件130固定于壳体组件110上，与壳体组件110一起形成电子设备的外部结构。壳体组件110可以包括中框111和后盖113。中框111可以为具有通孔的框体结构。其中，中框111可以收容在显示屏组件与后盖113形成的收容空间中。后盖113用于形成电子设备的外部轮廓。后盖113可以一体成型。在后盖113的成型过程中，可以在后盖113上形成后置摄像头孔、指纹识别模组、天线装置安装孔等结构。其中，后盖113可以为非金属后盖113，例如，后盖113可以为塑胶后盖113、陶瓷后盖113、3D玻璃后盖113等。中板120固定在壳体组件内部，中板120可以为PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)或FPC(Flexible Printed Circuit，柔性电路板)。在该中板120上可集成用于收发毫米波信号的天线模组，还可以集成能够控制电子设备的运行的控制器等。显示屏组件可用来显示画面或字体，并能够为用户提供操作界面。
本申请实施例提供一种阵列透镜。在本实施例中，阵列透镜应用于透镜天线。根据透镜天线的具体应用场景，阵列透镜设置有不同的折射率分布规律，从而实现对电磁波的汇聚功能。透镜天线可实现对5G毫米波的收发，毫米波是指波长在毫米数量级的电磁波，其频率大约在20GHz～300GHz之间。3GP已指定5G NR支持的频段列表，5G NR频谱范围可达100GHz，指定了两大频率范围：Frequency range 1(FR1)，即6GHz以下频段和Frequencyrange 2(FR2)，即毫米波频段。Frequency range 1的频率范围：450MHz-6.0GHz，其中，最大信道带宽100MHz。Frequency range 2的频率范围为24.25GHz-52.6GHz，最大信道带宽400MHz。用于5G移动宽带的近11GHz频谱包括：3.85GHz许可频谱，例如：28GHz(24.25-29.5GHz)、37GHz(37.0-38.6GHz)、39GHz(38.6-40GHz)和14GHz未许可频谱(57-71GHz)。5G通信系统的工作频段有28GHz，39GHz，60GHz三个频段。
如图2所示，在其中一个实施例中，阵列透镜包括多个第一阵列结构211和多个第一介质层212，第一介质层212与第一阵列结构211沿第一方向交替堆叠设置。也即，阵列透镜沿第一方向的第一层至第M层依次可为第一介质层212、第一阵列结构211、第一介质层212、第一阵列结构211、…，依次类推，或阵列透镜沿第一方向的第一层至第M层依次可为第一阵列结构211、第一介质层212、第一阵列结构211、第一介质层212、…，依次类推。也即阵列透镜的单数层为第一阵列结构211，阵列透镜的双数层为第一介质层212，或阵列透镜的单数层为第一介质层212，阵列透镜的双数层为第一阵列结构211。
需要说明的是，第一方向可以理解为该阵列透镜的纵向方向(Z轴方向)，也可以理解为阵列透镜的堆叠方向。在本申请实施例中，阵列透镜210包括相背设置的顶层和底层。第一阵列结构211与第一介质层212的层数可以相等也可以不同。其中，顶层可以第一阵列结构211或第一介质层212，底层也可以为第一阵列结构211或第一介质层212，在本申请实施例中，对阵列透镜210顶层和底层的具体层状结构不做进一步的限定。
在其中一个实施例中，第一介质层212是能用于支撑固定第一阵列结构211的非金属功能层，通过第一介质层212与第一阵列结构211的交替叠层，可以实现多层第一阵列结构211的间隔分布。可选地，当多个第一介质层212在第一方向上的厚度相等时，多个第一阵列结构211等间距分布。
在其中一个实施例中，第一介质层212的材料为电绝缘性材料，不会对电磁波的电场产生干扰。例如，第一介质层212的材质可以为PET(Polyethylene terephthalate)材质，ARM合成材质，其一般是硅胶、PET和其他的经过特殊处理的材质合成等。可选地，每层第一介质层212相同，例如，厚度、材质等。
其中，第一阵列结构211是能用于传输电磁波的导电功能层，多层第一阵列结构211和多层第一介质层212构成了具有折射率渐变规律的阵列透镜，可以将入射的电磁波平行出射，或者将平行入射的电磁波汇聚到焦点处。
在其中一个实施例中，该第一阵列单元211a的材料可以为导电材料，例如金属材料、合金材料、导电硅胶材料、石墨材料等，该第一阵列单元211a的材料还可以为具有高介电常数的材料，例如具有高介电常数的玻璃、塑料、陶瓷等。
第一阵列结构211所在平面为X轴、Y轴所构成的平面，其中，X轴方向为第二方向，Y轴为第三方向。其中，每一层所述第一阵列结构211包括多个呈阵列设置的第一阵列单元211a。每一层所述第一阵列结构211包括的多个第一阵列单元211a可呈一维阵列。
可选的，每一层所述第一阵列结构211包括的多个第一阵列单元211a可呈二维阵列。
在其中一个实施例中，该第一阵列单元211a的材料可以为导电材料，例如金属材料、合金材料、导电硅胶材料、石墨材料等，该第一阵列单元211a的材料还可以为具有高介电常数的材料，例如具有高介电常数的玻璃、塑料、陶瓷等。
多层所述第一阵列结构211中位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元211a在所述第一方向上同轴设置。也即，多层所述第一阵列结构211中位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元211a均位于同一轴线L上。轴线为穿过任意所述第一阵列单元211a且平行于所述第一方向(Z轴方向)的直线。进一步的，轴线L的数量与同一层第一阵列结构211中第一阵列单元211a的数量相等，且每条轴线L均穿过该第一阵列单元211a的形心。形心可以理解为该第一阵列单元211a几何形状的中心，若第一阵列单元211a的几何形状为矩形，则该形心为该矩形对角线的交点，若第一阵列单元211a的几何形状为圆形，则个形心为该圆形的圆心。
其中，位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元211a及其对应的第一介质层212共同构成一波导结构P。波导结构P可以理解为人工表面等离激元波导结构P。
在本申请中，多层所述第一阵列结构211中位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元211a可以理解为多层所述第一阵列结构211中位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元211a在第一方向上的投影存在重叠。
在本申请中，每层所述第一阵列结构211所在平面可构建相同的直角坐标系，其该直角坐标系的原点可均在第一阵列结构211的阵列中心、阵列边缘或其他任意点。在该直角坐标系中每个第一阵列单元所在位置可以用坐标(x,y)进行表示。多层所述第一阵列结构211中位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元211a的坐标均相同。也即，坐标相同则为同一相对位置。
在本申请中，针对每层所述第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a按照相同的规则设置阵列序号，其多个第一阵列单元211a按照阵列序号进行排序。其中，设置阵列序号时以具有最多第一阵列单元211a的第一阵列结构211为依据，例如，第一层第一阵列结构211包括一个第一阵列单元211a，第二层第一阵列结构211包括三个第一阵列单元211a，在第一层第一阵列结构211的一个居中设置的情况下，其排序序号为2。也即，多层所述第一阵列结构211中位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元211a的阵列序号相同。
在本申请实施例中，波导结构P的数量与同一层第一阵列结构211中第一阵列单元211a的数量相等，也即，阵列透镜210由多个波导结构P排列构成。当第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a呈一维阵列时，则该透镜中构成的波导结构P也呈一维阵列；当第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a呈二维阵列时，则该透镜中构成的波导结构P也呈二维阵列。
在本申请实施例中，电磁波沿第一方向入射至阵列透镜，每个波导结构P可产生人工表面等离激元，使得电磁波可延波导结构P边缘继续传播，且传播常数比自由空间大，即实现大于1的等效折射率。当包括多个所述第一阵列单元的所述第一阵列结构中，至少两个所述第一阵列单元在其阵列方向上具有渐变的阵列单元尺寸，或/和，多层所述第一阵列结构中的至少两层在所述第一方向上具有数量渐变的所述第一阵列单元时，阵列透镜结构实现对电磁波波束的汇聚作用，且不受该第一介质层212的介电常数的影响(即使第一介质层212的介电常数较小，也可实现很大的介电常数)，这样可以有效减小焦距使得阵列透镜焦距更短，从而减小透镜天线整体的纵向尺寸，利于透镜天线的小型化。
在其中一实施例中，当包括多个所述第一阵列单元211a的所述第一阵列结构211中，至少两个所述第一阵列单元211a在其阵列方向上具有渐变的阵列单元尺寸时，阵列透镜能够实现对电磁波波束的汇聚作用。
在其中一实施例中，每一层所述第一阵列结构211中的多个所述第一阵列单元211a沿第二方向呈一维阵列，且至少两个所述第一阵列单元211a在其阵列方向上具有渐变的阵列单元尺寸。其中，阵列单元尺寸可以理解为第一阵列单元在第二方向的宽度尺寸w。
在其中一实施例中，第一阵列结构211包括多个呈1*M(一维阵列)设置的第一阵列单元211a，且所述第一阵列单元211a为矩形导电片。当M为3、5、7或大于7的奇数时，位于所述第一阵列结构211的阵列中心O(中心位置)的矩形导电片的宽度尺寸w最大，从中心位置向两侧的矩形导电片的宽度尺寸w逐渐减小。其中，当M为4、6、8或大于8的偶数时，距离所述第一阵列结构211的阵列中心O(中心位置)最近的矩形导电片的宽度尺寸w最大，从中心位置向两侧的矩形导电片的宽度尺寸w逐渐减小，即越远离该阵列中心O的第一阵列单元211a的宽度尺寸w越小。
进一步的，多个所述第一阵列单元211a的宽度尺寸w由阵列中心O向阵列边缘对称减小，且每个所述第一阵列单元211a的长度尺寸l均相等。其中，所述宽度尺寸w为沿第二方向(X轴)的尺寸，所述长度尺寸l为沿第三方向(Y轴)的尺寸。
需要说明的是，本申请各实施例中的减小可以为梯度减小或随机减小，例如，梯度减小可以理解为按等比数列、等差数列的梯度或根据特定规律进行减小。
在其中一实施例中，第一阵列结构211中多个所述第一阵列单元211a彼此独立设置，且相邻两个所述第一阵列单元211a的中心距离p相等。其中，中心距离p可以理解为两个相邻第一阵列单元211a的形心之间的距离。
在本申请实施例中，阵列透镜通过合理设计中心距离p和矩形导电片的宽度尺寸w，可以实现不同的等效介电常数。当中心距离p不变时，矩形导电片的宽度尺寸越大，等效介电常数越大。在波束扫描面中，保持中心距离p不变，波导结构P在第二方向上具有渐变的宽度尺寸w(例如，矩形导电片的宽度尺寸向由阵列中心O向阵列边缘对称减小)，即可实现折射率的渐变分布，进而实现对电磁波波束的汇聚作用。
在其中一实施例中，第一阵列单元211a还可以为椭圆导电片。第一阵列单元211a的宽度尺寸w可以理解为该椭圆的短轴，长度尺寸l可以理解为该矩形的长轴。相应的，在波束扫描面中，保持中心距离p不变，波导结构P在第二方向上具有渐变的宽度尺寸w(椭圆导电片的短轴尺寸w向由阵列中心O向阵列边缘对称减小)，即可实现折射率的渐变分布，进而实现对电磁波波束的汇聚作用。
当第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a沿第二方向呈一维阵列时，由该阵列透镜210构成的透镜天线为单极化天线，其中，单极化的极化方向为X轴方向。
在其中一个实施例中，如图3a-3b所示，所述第一阵列结构211中的多个所述第一阵列单元211a呈二维阵列，例如，可呈N*M(3*9)的二维阵列，即包括N行M列(3行9列)第一阵列单元211a。其中，二维阵列包括行方向和列方向，包括多个所述第一阵列单元211a的所述第一阵列结构211中，至少两个所述第一阵列单元211a在所述行方向上具有渐变的阵列单元尺寸。
具体的，包括多个所述第一阵列单元211a的所述第一阵列结构211中，至少两个所述第一阵列单元211a在所述行方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第一中心线s1向阵列边缘对称减小，且所述在所述列方向的阵列单元尺寸不变。其中，阵列单元尺寸的可以理解为在第二方向上的尺寸，也即该第一阵列单元的宽度尺寸w。也即，至少两个第一阵列单元211a的宽度尺寸w由所述二维阵列的第一中心线s1向阵列边缘对称减小，且第一阵列单元211a的长度尺寸l不变。
其中，所述第一中心线s1与所述二维阵列的列方向相同，且多个第一阵列单元211a关于第一中心线s1对称设置。
参考图3a，在所述二维阵列中，第一阵列单元211a为正方形导电片，多个所述第一阵列单元211a的宽度尺寸w由所述二维阵列的第一中心线s1向阵列边缘对称减小，且每个所述第一阵列单元211a的宽尺寸w在列方向上均相等。
参考图3b，在所述二维阵列中，第一阵列单元211a为矩形(非正方形)导电片，多个所述第一阵列单元211a的宽度尺寸w由所述二维阵列的第一中心线s1向阵列边缘对称减小，且每个所述第一阵列单元211a的宽度尺寸w在列方向上均相等。
在其中一实施例中，第一阵列单元211a还可为椭圆导电片。
在其中一实施例中，在所述行方向上，相邻两个所述第一阵列单元211a的第一中心距离p1相等；在所述列方向上，相邻两个所述第一阵列单元211a的第二中心距离p2相等。
可选的，第一中心距离p1与第二中心距离p2相等，或第一中心距离p1与第二中心距离p2不相等。
在本实施例中，第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a在所述行方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第一中心线s1向阵列边缘对称减小，且所述在所述列方向的阵列单元尺寸不变，即可实现折射率的渐变分布，进而实现在X轴方向对电磁波波束的汇聚作用。当第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a呈二维阵列时，该由该阵列透镜210构成的透镜天线为双极化天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
在其中一个实施例中，如图4所示，所述第一阵列结构211中的多个所述第一阵列单元211a呈二维阵列，例如，可呈N*M(5*9)的二维阵列，即包括N行M列(5行9列)第一阵列单元211a。其中，二维阵列包括行方向和列方向，同一第一阵列结构211中至少两个所述第一阵列单元211a在所述行方向上具有渐变的阵列单元尺寸，同时，同一第一阵列结构211中至少两个所述第一阵列单元211a在所述列方向上具有渐变的阵列单元尺寸。
具体的，同一第一阵列结构211中至少两个所述第一阵列单元211a所述行方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第一中心线s1向阵列边缘对称减小，且所述在所述列方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第二中心线s2向阵列边缘对称减小。其中，阵列单元尺寸的可以理解为在第二方向上的尺寸，也即该第一阵列单元的宽度尺寸w。也即，至少两个所述波导结构P的宽度尺寸w由所述二维阵列的第一中心线s1向阵列边缘对称减小，且波导结构P的长度尺寸l由所述二维阵列的第二中心线s2向阵列边缘对称减小。
其中，所述第一中心线s1与所述二维阵列的列方向相同，且多个第一阵列单元211a关于第一中心线s1对称设置；所述第二中心线s2与所述二维阵列的行方向相同，且多个第一阵列单元211a关于第二中心线s2对称设置。
在所述二维阵列中，第一阵列单元211a为正方形导电片，多个所述第一阵列单元211a的宽度尺寸w由所述二维阵列的第一中心线s1向阵列边缘对称减小，且每个所述第一阵列单元211a的长度尺寸l由所述二维阵列的第二中心线s2向阵列边缘对称减小。
在其中一实施例中，第一阵列单元211a还可为矩形导电片(非正方形)、椭圆导电片或圆形导电片。
在其中一实施例中，在所述行方向上，相邻两个所述第一阵列单元211a的第一中心距离p1相等；在所述列方向上，相邻两个所述第一阵列单元211a的第二中心距离p2相等。
可选的，第一中心距离p1与第二中心距离p2相等，或第一中心距离p1与第二中心距离p2不相等。
在本实施例中，同一第一阵列结构211中至少两个所述第一阵列单元211a在所述行方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第一中心线s1向阵列边缘对称减小，且在所述列方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第二中心线s2向阵列边缘对称减小，即可实现折射率的渐变分布，进而实现在X轴方向和在Y轴对电磁波波束的汇聚作用。当第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a呈二维阵列时，该由该阵列透镜210构成的透镜天线为双极化天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
在其中一实施例中，至少一个所述波导结构在所述第一方向上具有渐变的所述阵列单元尺寸。
如图5所示，在其中一个实施例中，每一层所述第一阵列结构211中的多个所述第一阵列单元211a沿第二方向呈一维阵列，且至少两个所述波导结构P在所述一维阵列的延伸方向(第二方向)上具有渐变的阵列单元尺寸。同时波导结构P在第一方向上也具有渐变的阵列单元尺寸。其中，波导结构P在所述一维阵列的延伸方向(第二方向)的阵列单元尺寸可以理解为第一阵列单元在第二方向的宽度尺寸w。也即，至少两个所述波导结构P在第二方向上具有渐变的宽度尺寸w。
每层第一阵列结构211包括多个呈1*M(一维阵列)设置的第一阵列单元211a，且所述第一阵列单元211a为矩形导电片。每层第一阵列结构211中的多个所述第一阵列单元211a的宽度尺寸w由阵列中心O向阵列边缘对称减小，且每个所述第一阵列单元211a的长度尺寸l均相等，同时，多层第一阵列结构211中位于同一相对位置的多个第一阵列单元211a的宽度尺寸w由该波导结构P的中心位置向阵列透镜210的顶层和底层对称减小。例如，阵列透镜210包括9层第一阵列结构211和8层第一介质层212。在至少一个波导结构中，第一阵列结构(M5)中的第一阵列单元211a的宽度尺寸w最大，第一阵列结构(M6-M9、M4-M1)中的第一阵列单元211a的宽度尺寸w依次对称减小。
在波束扫描面中，保持中心距离p不变，波导结构P在第一方向和第二方向上均具有渐变的宽度尺寸w，即可实现折射率的渐变分布，进而实现对电磁波波束的汇聚作用。
在其中一个实施例中，每一层所述第一阵列结构211中的多个所述第一阵列单元211a沿呈二维阵列，所述二维阵列包括行方向s1和列方向s2，至少两个所述波导结构在所述行方向s1上具有渐变的阵列单元尺寸，同时，至少一个所述波导结构P在第一方向上具有渐变的阵列单元尺寸。在波束扫描面中，保持中心距离p不变，波导结构P在具有渐变的宽度尺寸w，即可实现折射率的渐变分布，进而实现在X轴方向对电磁波波束的汇聚作用。同时，由该阵列透镜210构成的透镜天线为双极化天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
在其中一个实施例中，每一层所述第一阵列结构211中的多个所述第一阵列单元211a沿呈二维阵列，所述二维阵列包括行方向s1和列方向s2，至少两个所述波导结构在所述行方向s1和在列方向s2上均具有渐变的阵列单元尺寸，同时，至少一个所述波导结构P在第一方向上具有渐变的阵列单元尺寸。在波束扫描面中，保持中心距离p不变，波导结构P具有渐变的宽度尺寸w，即可实现折射率的渐变分布，进而实现在X轴方向和Y轴方向对电磁波波束的汇聚作用。同时，由该阵列透镜210构成的透镜天线为双极化天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
在其中一实施例中，当多层所述第一阵列结构211中的至少两层在所述第一方向上具有数量渐变的所述第一阵列单元211a时，阵列透镜结构实现对电磁波波束的汇聚作用。
在其中一实施例中，所述阵列透镜包括相背设置的顶层和底层，多层所述第一阵列结构中的至少两层中的所述第一阵列单元的数量在所述第一方向上由所述阵列透镜中间层向所述顶层或/底层减少；其中，所述中间层为具有最多所述第一阵列单元211a的第一阵列结构211。
需要说明的是，本申请实施例中，中间层为具有最多第一阵列单元211a的第一阵列结构211；顶层为阵列透镜向外辐射电磁波的出射面，底层为阵列透镜向接收来自馈源阵列发出电磁波的入射面。阵列边缘可以理解为该第一阵列结构211中最外侧边缘的第一阵列单元211a所在的位置，阵列中心可以理解为该第一阵列结构211的中心位置O。
多层所述第一阵列结构211中的至少两层中的所述第一阵列单元211a的数量在所述第一方向上由所述阵列透镜中间层向所述底层减少。
如图6a所示，每一层所述第一阵列结构211中的至少一个所述第一阵列单元211a沿第二方向呈一维阵列设置。例如，该阵列透镜包括9层第一阵列结构(M1-M9)和8层第一介质层212。其中，第一阵列结构(M4-M9)中的第一阵列单元211a的数量最多且相同，均为7个，因此阵列透镜可以构成7个波导。第一阵列结构(M4-M9)中的第一阵列单元211a呈一维线性阵列，也即，7个波导也呈一维线性阵列。
在其中一个实施例中，每一层第一阵列结构211中的第一阵列单元211a沿第二方向呈一维线性阵列，且第一阵列单元211a的形状相同且为矩形导电片。呈一维线性阵列的第一阵列结构211中相邻两个第一阵列单元211a的中心距离p相等，也即，相邻两个波导结构P的中心距离也相等，其中心距离为p。其中，中心距离p可以理解为两个相邻第一阵列单元211a的形心之间的距离。
这7个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿中间层的阵列边缘向底层的阵列中心逐层对称递减，也即，7个波导结构P(P1-P7)中第一阵列单元211a的数量可分别记为6、7、8、9、8、7、6。其中，第一阵列结构(M1)包括1个第一阵列单元211a；第一阵列结构(M2)包括3个第一阵列单元211a；第一阵列结构(M3)包括5个第一阵列单元211a；第一阵列结构(M4-M9)包括3个第一阵列单元211a。
可选的，第一阵列单元211a还可以为圆形导电片。
在波束扫描面保持中心距离p和矩形导电片尺寸w不变，通过调整位于同一轴线上第一阵列单元211a的数量，即可在保持等效介电常数不变的情况下，实现不同的相位延迟，设计出满足要求的相位延迟分布，实现对电磁波波束的汇聚作用。当第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a沿第二方向呈一维线性阵列时，该透镜天线为单极化均匀折射率天线，其中，单极化的极化方向为X轴方向。
在其中一个实施例中，如图6b所示，每一层所述第一阵列结构211中的多个所述第一阵列单元211a沿呈二维阵列设置。该阵列透镜包括8层第一介质层和9层第一阵列结构(M1-M9)。第一阵列结构211中的具有最多数量的多个第一阵列单元211a呈二维阵列，例如，可呈N*M(3*7)的二维阵列，即包括N行M列(3行7列)第一阵列单元211a。也即，该透镜中的多个波导结构P也呈N*M(3*7)的二维阵列。
具体的，每一层第一阵列结构211中的第一阵列单元211a呈二维阵列，且第一阵列单元211a的形状相同且为矩形导电片。每行相邻两个波导结构P的第一中心距离p1相等，每列相邻两个波导结构P的第二中心距离p2相等。其中，第一中心距离p1还可以为每行相邻两个第一阵列单元211a的中心距离，第二中心距离p2还可以为每列相邻两个第一阵列单元211a的中心距离。每行波导结构P中的第一阵列单元211a的数量由第一中心线向两侧边缘对称减小(第一行至第七行中第一阵列单元211a的数量可分别记为6、7、8、9、8、7、6)，每列波导结构P中的第一阵列单元211a的数量相等。
例如，第一阵列结构(M1)包括3*1个第一阵列单元211a；第一阵列结构(M2)包括3*3个第一阵列单元211a；第一阵列结构(M3)包括3*5个第一阵列单元211a；第一阵列结构(M4-M9)包括3*7个第一阵列单元211a。
其中，第一中心线s1与二维阵列的列方向相同，且多个波导结构P关于第一中心线s1对称设置。需要说明的是，第一阵列结构211中多个第一阵列单元211a的二维阵列方式与该透镜的多个波导结构P的二维阵列方式相同。
可选的，第一阵列单元211a还可以为圆形导电片。
在其中一个实施例中，第一中心距离p1与第二中心距离p2相等。
在其中一个实施例中，第一中心距离p1与第二中心距离p2不相等。
当多个波导结构P上的第一阵列单元211a之间具有第二渐变规律时，在波束扫描面保持第一阵列单元211a的形状不变且第一中心距离p1相等、第二中心距离p2相等，通过调整位于同一轴线上第一阵列单元211a的数量，即可在保持等效介电常数不变的情况下，实现不同的相位延迟，设计出满足要求的相位延迟分布，实现在第二方向(X轴方向)上对电磁波波束的汇聚作用。当第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a沿呈二维阵列时，该透镜天线为双极化均匀折射率天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
在其中一个实施例中，如图6c所示，每一层所述第一阵列结构211中的多个所述第一阵列单元211a沿呈二维阵列设置。该阵列透镜包括8层第一介质层和9层第一阵列结构(M1-M9)。第一阵列结构211中的具有最多数量的多个第一阵列单元211a呈二维阵列，例如，例如，可呈N*M(6*7)的二维平面阵列，即包括N行M列(6行7列)第一阵列单元211a。也即，该透镜中的多个波导结构P也呈N*M(6*7)的二维阵列。
具体的，每一层第一阵列结构211中的第一阵列单元211a呈二维阵列，且第一阵列单元211a的形状相同且为矩形导电片。每行相邻两个波导结构P的第一中心距离p1相等，每列相邻两个波导结构P的第二中心距离p2相等。其中，第一中心距离p1还可以为每行相邻两个第一阵列单元211a的中心距离，第二中心距离p2还可以为每列相邻两个第一阵列单元211a的中心距离。每行波导结构P中的第一阵列单元211a的数量由第一中心线向两侧边缘对称减小，每列波导结构P中的第一阵列单元211a的数量由第二中心线向两侧边缘对称减小。
例如，第一阵列结构(M1)包括2*1个第一阵列单元211a；第一阵列结构(M2)包括2*3个第一阵列单元211a；第一阵列结构(M3)包括3*5个第一阵列单元211a；第一阵列结构(M4-M9)包括6*7个第一阵列单元211a。
其中，第一中心线s1与二维阵列的列方向相同，且多个波导结构P关于第一中心线s1对称设置。需要说明的是，第一阵列结构211中多个第一阵列单元211a的二维阵列方式与该透镜的多个波导结构P的二维阵列方式相同。
需要说明的是，波导结构P中的第一阵列单元211a的数量在行方向和列方向上对称减小的幅度可以相同也可以不同。
可选的，第一阵列单元211a还可以为圆形导电片。
在其中一个实施例中，第一中心距离p1与第二中心距离p2相等。
在其中一个实施例中，第一中心距离p1与第二中心距离p2不相等。
当多个波导结构P上的第一阵列单元211a之间具有第二渐变规律时，在波束扫描面保持第一阵列单元211a的形状不变且第一中心距离p1相等、第二中心距离p2相等，通过调整位于同一轴线上第一阵列单元211a的数量，即可在保持等效介电常数不变的情况下，实现不同的相位延迟，设计出满足要求的相位延迟分布，实现在第二方向(X轴方向)和第三方向(Y轴方向)上对电磁波波束的汇聚作用。当第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a沿呈二维阵列时，该透镜天线为双极化均匀折射率天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
多层所述第一阵列结构211中的至少两层中的所述第一阵列单元211a的数量在所述第一方向上由所述阵列透镜中间层向所述顶层减少。
在其中一个实施例中，如图7a所示，该阵列透镜包括8层第一介质层和9层第一阵列结构(M1-M9)。第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a可以呈一维线性阵列。多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿透镜中间层的阵列边缘向透镜底层的阵列中心逐层对称递减。
本实施例中的阵列透镜可在保持等效介电常数不变的情况下，实现不同的相位延迟，设计出满足要求的相位延迟分布，实现对电磁波波束的汇聚作用。当第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a沿第二方向呈一维线性阵列时，该透镜天线为单极化均匀折射率天线，其中，单极化的极化方向为X轴方向。
在其中一个实施例中，如图7b所示，例如，该阵列透镜包括8层第一介质层和9层第一阵列结构(M1-M9)。第一阵列结构211中的具有最多数量的多个第一阵列单元211a呈二维平面阵列。每行波导结构P中的第一阵列单元211a的数量由第一中心线向两侧边缘对称减小，每列波导结构P中的第一阵列单元211a的数量相等。本实施例中的透镜可在保持等效介电常数不变的情况下，实现不同的相位延迟，设计出满足要求的相位延迟分布，在第二方向(X轴)实现对电磁波波束的汇聚作用。同时，该透镜天线为双极化均匀折射率天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
在其中一个实施例中，如图7c所示，例如，该阵列透镜包括8层第一介质层和9层第一阵列结构(M1-M9)。第一阵列结构211中的具有最多数量的多个第一阵列单元211a呈二维平面阵列。每行波导结构P中的第一阵列单元211a的数量由第一中心线向两侧边缘对称减小，每列波导结构P中的第一阵列单元211a的数量由第二中心线向两侧边缘对称减小。
本实施例中的透镜可在保持等效介电常数不变的情况下，实现不同的相位延迟，设计出满足要求的相位延迟分布，在第三方向(Y轴)实现对电磁波波束的汇聚作用。同时，该透镜天线为双极化均匀折射率天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
多层所述第一阵列结构211中的至少两层中的所述第一阵列单元211a的数量在所述第一方向上由所述阵列透镜中间层同时向所述顶层和底层减少。
在其中一个实施例中，如图8a所示，该阵列透镜包括8层第一介质层和9层第一阵列结构(M1-M9)。其中，第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a可以呈一维线性阵列。多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿透镜中间层的阵列边缘向透镜底层的阵列中心逐层对称递减。本实施例中的透镜可在保持等效介电常数不变的情况下，实现不同的相位延迟，设计出满足要求的相位延迟分布，实现对电磁波波束的汇聚作用。当第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a沿第二方向呈一维线性阵列时，该透镜天线为单极化均匀折射率天线，其中，单极化的极化方向为X轴方向。
在其中一个实施例中，如图8b所示，例如，该阵列透镜包括8层第一介质层和9层第一阵列结构(M1-M9)。第一阵列结构211中的具有最多数量的多个第一阵列单元211a呈二维平面阵列。每行波导结构P中的第一阵列单元211a的数量由第一中心线s1向两侧边缘对称减小，每列波导结构P中的第一阵列单元211a的数量相等。本实施例中的阵列透镜可在保持等效介电常数不变的情况下，实现不同的相位延迟，设计出满足要求的相位延迟分布，在第二方向(X轴)实现对电磁波波束的汇聚作用。同时，该透镜天线为双极化均匀折射率天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
在其中一个实施例中，如图8c所示，例如，该阵列透镜包括8层第一介质层和9层第一阵列结构(M1-M9)。第一阵列结构211中的具有最多数量的多个第一阵列单元211a呈二维平面阵列。每行波导结构P中的第一阵列单元211a的数量由第一中心线s1向两侧边缘对称减小，每列波导结构P中的第一阵列单元211a的数量由第二中心线s2向两侧边缘对称减小。本实施例中的透镜可在保持等效介电常数不变的情况下，实现不同的相位延迟，设计出满足要求的相位延迟分布，在第三方向(Y轴)实现对电磁波波束的汇聚作用。同时，该透镜天线为双极化均匀折射率天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
当包括多个所述第一阵列单元211a的所述第一阵列结构211中，至少两个所述第一阵列单元211a在其阵列方向上具有渐变的阵列单元尺寸，和，多层所述第一阵列结构211中的至少两层在所述第一方向上具有数量渐变的所述第一阵列单元211a时，阵列透镜结构实现对电磁波波束的汇聚作用。
在其中一实施例中，第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a呈一维线性阵列，且相邻两个第一阵列单元211a的中心距离相等。同时，多个波导结构P也呈一维线性阵列，且相邻两个波导结构P的中心距离相等。同一所述第一阵列结构211中至少两个所述第一阵列单元211a在所述一维阵列的延伸方向的阵列单元尺寸由所述一维阵列的阵列中心向阵列边缘对称减小，且在多个波导结构P上的第一阵列单元211a的数量由一维阵列的阵列中心向两侧对称减小。
如图9a所示，多个第一阵列单元211a的宽度尺寸w由阵列中心向阵列边缘对称减小，且每个第一阵列单元211a的长度尺寸l均相等，且多层所述第一阵列结构211中的至少两层中的所述第一阵列单元211a的数量在所述第一方向上由所述阵列透镜中间层向所述底层减少。
如图9b所示，多个第一阵列单元211a的宽度尺寸w由阵列中心向阵列边缘对称减小，且每个第一阵列单元211a的长度尺寸l均相等，且多层所述第一阵列结构211中的至少两层中的所述第一阵列单元211a的数量在所述第一方向上由所述阵列透镜中间层向所述顶层减少。
如图9c所示，多个第一阵列单元211a的宽度尺寸w由阵列中心向阵列边缘对称减小，且每个第一阵列单元211a的长度尺寸l均相等，且多层所述第一阵列结构211中的至少两层中的所述第一阵列单元211a的数量在所述第一方向上由所述阵列透镜中间层向所述底层和顶层同时减少。
在波束扫描中，阵列透镜可实现折射率的渐变分布，进而实现在第二方向上(X轴)对电磁波波束的汇聚作用。当第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a呈一维线性时，该透镜天线为单极化折射率渐变天线，其中，单极化的极化方向为X轴方向。
在其中一实施例中，第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a呈二维阵列，且每行相邻两个第一阵列单元211a的第一中心距离p1相等，每列相邻两个第一阵列单元211a的第二中心距离p2相等。其中，至少两个所述第一阵列单元211a在所述行方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第一中心线s1向阵列边缘对称减小，且所述在所述列方向的阵列单元尺寸不变，且每行所述波导结构P中的所述第一阵列单元211a的数量由第一中心线s1向阵列边缘对称减小，每列所述波导结构P中的所述第一阵列单元的数量相等。
如图10a所示，多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿中间层的阵列边缘向底层的阵列中心逐层对称减少。
如图10b所示，多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿中间层的阵列边缘向顶层的阵列中心逐层对称减少。
如图10c所示，多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿中间层的阵列边缘同时向底层和顶层的阵列中心逐层对称减少。
本实施例中的阵列透镜在波束扫描中，即可实现折射率的渐变分布，进而实现在第二方向上(X轴)对电磁波波束的汇聚作用。同时，该透镜天线为双极化折射率渐变天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
在其中一实施例中，第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a呈二维阵列，且每行相邻两个第一阵列单元211a的第一中心距离相等，每列相邻两个第一阵列单元211a的第二中心距离相等。其中，至少两个所述第一阵列单元211a在所述行方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第一中心线s1向阵列边缘对称减小，且所述在所述列方向的阵列单元尺寸不变，且每行所述波导结构P中的所述第一阵列单元211a的数量由第一中心线s1向阵列边缘对称减小，每列所述波导结构P中的所述第一阵列单元211a的数量由第二中心线s2向阵列边缘对称减小。
如图11a所示，多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿中间层的阵列边缘向底层的阵列中心逐层对称减少。
如图11b所示，多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿中间层的阵列边缘向顶层的阵列中心逐层对称减少。
如图11c所示，多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿中间层的阵列边缘同时向底层和顶层的阵列中心逐层对称减少。
本实施例中的阵列透镜在波束扫描中，即可实现折射率的渐变分布，进而实现在第二方向(X轴方向)和第三方向上(Y轴方向)对电磁波波束的汇聚作用。同时，该透镜天线为双极化折射率渐变天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
在其中一实施例中，第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a呈二维阵列，且每行相邻两个第一阵列单元211a的第一中心距离相等，每列相邻两个第一阵列单元211a的第二中心距离相等。其中，至少两个所述第一阵列单元211a在所述行方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第一中心线s1向阵列边缘对称减小,在所述列方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第二中心线s1向阵列边缘对称减小，且每行所述波导结构P中的所述第一阵列单元211a的数量由第一中心线s1向阵列边缘对称减小，每列波导结构P中的第一阵列单元211a的数量相等。
如图12a所示，多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿中间层的阵列边缘向底层的阵列中心逐层对称减少。
如图12b所示，多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿中间层的阵列边缘向顶层的阵列中心逐层对称减少。
如图12c所示，多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿中间层的阵列边缘同时向底层和顶层的阵列中心逐层对称减少。
本实施例中的阵列透镜在波束扫描中，即可实现折射率的渐变分布，进而实现在第二方向(X轴方向)和第三方向上(Y轴方向)对电磁波波束的汇聚作用。同时，该透镜天线为双极化折射率渐变天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
在其中一实施例中，第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a呈二维阵列，且每行相邻两个第一阵列单元211a的第一中心距离相等，每列相邻两个第一阵列单元211a的第二中心距离相等。其中，至少两个所述第一阵列单元211a在所述行方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第一中心线s1向阵列边缘对称减小,在所述列方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第二中心线s1向阵列边缘对称减小，且每行所述波导结构P中的所述第一阵列单元211a的数量由第一中心线s1向阵列边缘对称减小，每列所述波导结构P中的所述第一阵列单元211a的数量由第二中心线s2向阵列边缘对称减小。
如图13a所示，多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿中间层的阵列边缘向底层的阵列中心逐层对称减少。
如图13b所示，多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿中间层的阵列边缘向顶层的阵列中心逐层对称减少。
如图13c所示，多个波导结构P中第一阵列单元211a的数量沿中间层的阵列边缘同时向底层和顶层的阵列中心逐层对称减少。
本实施例中的阵列透镜在波束扫描中，即可实现折射率的渐变分布，进而实现在第二方向(X轴方向)和第三方向上(Y轴方向)对电磁波波束的汇聚作用。同时，该透镜天线为双极化折射率渐变天线，其中，双极化的极化方向为X轴方向和Y轴方向。
如图14a所示，在其中一个实施例中，阵列透镜还包括匹配层230。多层所述第一阵列结构211中的至少两层中的所述第一阵列单元211a的数量在所述第一方向上由所述阵列透镜中间层向所述顶层减少时，匹配层230贴合于顶层。
可选的，多层所述第一阵列结构211中的至少两层中的所述第一阵列单元211a的数量在所述第一方向上由所述阵列透镜中间层向所述底层减少时，匹配层230贴合于底层。
如图14b所示在其中一个实施例中，包括多个所述第一阵列单元211a的所述第一阵列结构211中，至少两个所述第一阵列单元211a在其阵列方向上具有渐变的阵列单元尺寸时，匹配层230贴合于顶层或底层。
当匹配层230的数量为两个时，两个匹配层230分别贴合于阵列透镜顶层、阵列透镜底层。
在其中一个实施例中，匹配层230包括至少一第二阵列结构231和至少一第二介质层232，第二介质层232与第二阵列结构231沿第一方向交替堆叠设置。
例如，匹配层230可包括两层第二介质层232和两层第二阵列结构231。其中，阵列透镜和匹配层230沿第一方向的堆叠方式为：第一阵列结构211、第二介质层232、第二阵列结构231、第二介质层232、第二阵列结构231。
第二阵列结构231包括多个个呈阵列设置的匹配单元231a，位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元211a与位于所述同一相对位置的至少一所述匹配单元231a在所述第一方向上同轴设置。也即，匹配单元231a的数量及阵列方式与第一阵列结构211中的多个第一阵列单元211a相同。例如，若第一阵列单元211a为矩形，则该匹配单元231a也为与第一阵列单元211a相似的矩形；若第一阵列单元211a为1*M的一维线性阵列，则该匹配单元231a也为1*M的线性阵列；若第一阵列单元211a为N*M的一维线性阵列，则该匹配单元231a也为N*M的线性阵列。
当透镜天线包括匹配层230时，所构成的波导结构P还包括位于同一轴线L上的至少一匹配单元231a，同轴设置的至少一所述匹配单元231a和多个所述第一阵列单元211a在所述阵列方向上的尺寸在所述第一方向上具有渐变规律。
具体地，第二阵列结构231包括多个呈一维阵列设置的匹配单元231a，各匹配单元231a均为矩形。其中，在所述阵列方向上的尺寸可以理解为匹配单元231a在该一维阵列的延伸方向上的尺寸，也即在第二方向(X轴)上的尺寸，也就是匹配单元231a的宽度尺寸w。
在其中一个实施例中，第一阵列单元211a与匹配单元231a均为矩形。匹配层230包括两个第二阵列结构231，对应的，同一波导结构P中包括两个匹配单元231a，分别记为第一匹配单元231a和第二匹配单元231a’。其中，同一波导结构P中，第一匹配单元231a和第二匹配单元231a’的宽度尺寸(w1、w2)均小于第一阵列单元211a的宽度尺寸w，且靠近该第一阵列单元211a的第一匹配单元231a的宽度尺寸w1大于远离该第一阵列单元211a的第二匹配单元231a’的宽度尺寸w2。例如，同一波导结构P中的第一阵列单元211a、第一匹配单元231a和第二匹配单元231a’的宽度尺寸逐渐减小即w>w1>w2，同一波导结构P中的第一阵列单元211a、第一匹配单元231a和第二匹配单元231a’的长度尺寸l不变。
本实施例中，通过设置匹配层230，可以阵列透镜与自由空间之间阻抗失配的情况，可以有效减小失配导致的反射，从而提高透镜天线效率。
在其中一个实施例中，如图14c所示，当多层所述第一阵列结构211中的至少两层中的所述第一阵列单元211a的数量在所述第一方向上由所述阵列透镜中间层向所述底层和/或顶层减少时，第一阵列结构211还包括多个第二阵列单元211b，第二阵列单元211b设置在最外侧的第一阵列单元211a的周围边缘。其中，所述波导结构P还包括同轴设置的至少一所述第二阵列单元211b。同轴设置的至少一个所述第二阵列单元211b和多个所述第一阵列单元211a在阵列方向上的尺寸在所述第一方向上具有渐变规律。
举例说明，第一阵列结构211为一维阵列，且第一阵列单元211a与第二阵列单元211b均为矩形。同一波导结构P中的第一阵列单元211a、第二阵列单元211b、第二阵列单元211b’的在阵列方向上的尺寸(第一尺寸w)逐渐减小，同一波导结构P中的第一阵列单元211a、第二阵列单元211b、第二阵列单元211b’的第二尺寸l不变。第一尺寸w可以理解为该矩形的宽度，第二尺寸l可以理解为该矩形的长度。也即，第二阵列单元211b的第一尺寸w1、第二阵列单元211b’的第一尺寸w2相对于第一阵列单元211a的第一尺寸w逐渐减小，即w>w1>w2。
在其中一个实施例中，当第一阵列结构211为二维阵列时，同轴设置的至少一个所述第二阵列单元211b和多个所述第一阵列单元211a在行方向的尺寸由波导结构P的中心向两端减小。
在其中一个实施例中，当第一阵列结构211为二维阵列时，同轴设置的至少一个所述第二阵列单元211b和多个所述第一阵列单元211a在行方向和列方向的尺寸均由波导结构P的中心向两端减小。
如图15所示，增加匹配层(matched)和未增加匹配层(unmatched)的透镜的透射系数(S21)和反射系数(S11)示意图。从图中可以看出，可见加入匹配层230后阵列透镜的投射系数和反射系数显著改善。本实施例中，通过多个第二阵列单元211b，可以阵列透镜与自由空间之间阻抗失配的情况，可以有效减小失配导致的反射，从而提高透镜天线效率。
如图16a所示，本申请实施例还提供一种透镜天线，该透镜天线包括馈源阵列220，以及与馈源阵列220平行设置的上述任一实施例中的阵列透镜。
在其中一个实施例中，馈源阵列220包括多个馈源单元221，当对馈源阵列220中不同馈源单元221进行馈电时，电磁波可沿第一方向入射至阵列透镜，该透镜天线将辐射不同指向的高增益波束，即可获取不同的波束指向，从而实现波束扫描，适用于毫米波透镜天线的应用。
进一步的，该馈源阵列220可为中心对称式结构，馈源阵列220的中心可放置在阵列透镜的焦点处。
在本实施例提供的透镜天线，包括馈源阵列及阵列透镜，通过阵列透镜中多层第一阵列结构211的渐变设计，可以缩短透镜天线的焦距，尺寸小、成本低；通过馈源阵列的设置可以实现多波束出射和波束扫描。
在其中一个实施例中，透镜天线还包括平行设置的第一隔离板241和第一隔离板242，馈源阵列220和阵列透镜设置在第一隔离板241和第二隔离板242之间，用于减少馈源阵列220辐射电磁波的泄露。
进一步的，第一介质层212的第一端面贴合于第一隔离板241，第一介质层212的第二端面贴合于第二隔离板242。
在其中一个实施例中，第一隔离板241和第二隔离板242均可以为金属平板。
在本实施例中，将阵列透镜和馈源阵列220置于第一隔离板241和第二隔离板242之间，可以减少馈源辐射电磁波的泄露，从而提高天线效率，同时提高天线的结构强度。
在其中一个实施例中，透镜天线还包括保护层(图中未示)，保护层分别贴合于最远离馈源阵列的透镜一侧和贴合于最靠近馈源阵列的透镜一侧。
本申请实施例还提供一种电子设备，包括上述任其中一个实施例中的透镜天线。具有上述任一实施例的透镜天线的电子设备，可以适用于5G通信毫米波信号的收发，同时，该透镜天线的焦距短，尺寸小，易于集成于电子设备中，同时可以缩小透镜天线在电子设备内的占用空间。
该电子设备可以为包括手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、移动互联网设备(Mobile Internet Device，MID)、可穿戴设备(例如智能手表、智能手环、计步器等)或其他可设置天线的通信模块。
在其中一个实施例中，如图17所示，电子设备还包括检测模块1710、开关模块1720和控制模块1730。其中，控制模块1730分别与检测模块1710、开关模块1720连接。
在其中一个实施例中，检测模块1710可获取每个馈源单元221处于工作状态时透镜天线辐射电磁波的波束信号强度。检测模块917还可用于检测获取每个馈源单元221处于工作状态时透镜天线的接收电磁波的功率、电磁波吸收比值或比吸收率(SpecificAbsorption Rate，SAR)等参数。
在其中一个实施例中，开关模块1720与馈源阵列220连接，用于选择导通与任一馈源单元221的连接通路。在其中一个实施例中，开关模块1720可包括输入端和多个输出端，其中，输入端与控制模块1730连接，多个输出端分别与多个馈源单元221一一对应连接。开关模块1720可以用于接收控制模块1730发出的切换指令，以控制开关模块1720中各开关自身的导通与断开，控制该开关模块1720与任意一个天馈源单元221的导通连接，以使任意一个天馈源单元221处于工作(导通)状态。
在其中一个实施例中，控制模块1730可以按照预设策略控制开关模块1720分别使每一个馈电单元分别处于工作状态，进行电磁波的收发，即可获取不同的波束指向，从而实现波束扫描。当任一馈源单元221处于工作状态时，检测模块917可以对应获取当前透镜天线辐射电磁波的波束信号强度。参考图18，以5单元馈源阵列为例，仿真得到波束扫描方向图。例如，当馈源阵列220中包括五个馈源单元221时，则检测模块1710可以对应获取五个波束信号强度，并从中筛选出最强的波束信号强度，并将该最强的波束信号强度对应的馈源单元221作为目标馈源单元221。控制模块1730发出的切换指令以控制该开关模块1720与目标馈源单元221的导通连接，以使目标馈源单元221处于工作(导通)状态。
本实施例中的电子设备，可以通过切换开关以使馈源阵列220的各馈源单元221单独处于工作状态，即可可获取不同的波束指向，从而实现波束扫描，而不需要移向器和衰减器，大大降低了成本。
如图19所示，在其中一个实施例中，电子设备10包括多个透镜天线20，多个透镜天线20分布于电子设备中框的不同侧边。比如，电子设备包括多个透镜天线，中框包括相背设置的第一侧边101、第三侧边103，以及相背设置的第二侧边102和第四侧边104，第二侧边102连接第一侧边101、第三侧边103的一端，第四侧边104连接第一侧边101、第三侧边103的另一端。第一侧边、第二侧边、第三侧边和第四侧边中的至少两个分别设有毫米波模组。
在其中一个实施例中，将两个透镜天线分别设置在手机两个长边，即可覆盖手机两侧的空间，实现5G手机毫米波高效率、高增益、低成本波束扫描。
在其中一个实施例中，当透镜天线的数量为4个时，4个透镜天线分别位于第一侧边101、第二侧边102、第三侧边103和第四侧边104。用户手持电子设备10时，会存在透镜天线被遮挡而造成信号差的情况，多个透镜天线设置在不同的侧边，用户横握或竖握电子设备10时，均存在不被遮挡的透镜天线，使得电子设备10可以正常发射和接收信号。
本申请所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用可包括非易失性和/或易失性存储器。合适的非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)，它用作外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDR SDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (31)

1.一种阵列透镜，其特征在于，包括：
多层第一介质层；
多层第一阵列结构，所述第一阵列结构与所述第一介质层沿第一方向交替层叠设置，每一层所述第一阵列结构包括一个或多个呈阵列设置的第一阵列单元，多层所述第一阵列结构中位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元在所述第一方向上同轴设置，位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元及其对应的第一介质层共同构成一波导结构；
包括多个所述第一阵列单元的所述第一阵列结构中，至少两个所述第一阵列单元在其阵列方向上具有渐变的阵列单元尺寸，和多层所述第一阵列结构中的至少两层在所述第一方向上具有数量渐变的所述第一阵列单元；其中，
当电磁波沿所述第一方向入射至所述阵列透镜，每个所述波导结构产生人工表面等离激元，使得电磁波延所述波导结构边缘继续传播。
2.根据权利要求1所述的阵列透镜，其特征在于，每一层所述第一阵列结构中的多个所述第一阵列单元呈一维阵列，包括多个所述第一阵列单元的所述第一阵列结构中，至少两个所述第一阵列单元在所述一维阵列的延伸方向的阵列单元尺寸由所述一维阵列的阵列中心向阵列边缘对称减小。
3.根据权利要求1所述的阵列透镜，其特征在于，每一层所述第一阵列结构中的多个所述第一阵列单元呈二维阵列，所述二维阵列包括行方向和列方向，包括多个所述第一阵列单元的所述第一阵列结构中，至少两个所述第一阵列单元在所述行方向上具有渐变的阵列单元尺寸。
4.根据权利要求3所述的阵列透镜，其特征在于，包括多个所述第一阵列单元的所述第一阵列结构中，至少两个所述第一阵列单元在所述行方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第一中心线向阵列边缘对称减小，且所述在所述列方向的阵列单元尺寸不变。
5.根据权利要求3所述的阵列透镜，其特征在于，包括多个所述第一阵列单元的所述第一阵列结构中，至少两个所述第一阵列单元在所述列方向上具有渐变的阵列单元尺寸。
6.根据权利要求5所述的阵列透镜，其特征在于，包括多个所述第一阵列单元的所述第一阵列结构中，至少两个所述第一阵列单元在所述行方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第一中心线向阵列边缘对称减小，在所述列方向的阵列单元尺寸由所述二维阵列的第二中心线向阵列边缘对称减小。
7.根据权利要求1所述的阵列透镜，其特征在于，至少一个所述波导结构在所述第一方向上具有渐变的所述阵列单元尺寸。
8.根据权利要求1所述的阵列透镜，其特征在于，所述阵列透镜包括相背设置的顶层和底层，多层所述第一阵列结构中的至少两层中的所述第一阵列单元的数量在所述第一方向上由所述阵列透镜中间层向所述顶层或/和底层减少；其中，所述中间层为具有最多所述第一阵列单元的第一阵列结构。
9.根据权利要求8所述的阵列透镜，其特征在于，每一层所述第一阵列结构中的多个所述第一阵列单元呈一维阵列设置，且在至少两个所述波导结构上的所述第一阵列单元的数量由所述一维阵列的阵列中心向阵列边缘对称减小。
10.根据权利要求8所述的阵列透镜，其特征在于，每一层所述第一阵列结构中的多个所述第一阵列单元呈二维阵列设置；且在至少两个所述波导结构上的所述第一阵列单元的数量由所述二维阵列的阵第二中心线向阵列边缘对称减小，多个所述第一阵列单元关于所述阵第二中心线对称设置。
11.根据权利要求10所述的阵列透镜，其特征在于，每行所述波导结构中的所述第一阵列单元的数量由第一中心线向阵列边缘对称减小，每列所述波导结构中的所述第一阵列单元的数量相等，其中，所述第一中心线与所述二维阵列的列方向相同。
12.根据权利要求10所述的阵列透镜，其特征在于，每行所述波导结构中的所述第一阵列单元的数量由第一中心线向阵列边缘对称减小，每列所述波导结构中的所述第一阵列单元的数量由第二中心线向阵列边缘对称减小，其中，所述第一中心线与所述二维阵列的列方向相同，所述第二中心线与所述二维阵列的行方向相同。
13.根据权利要求1所述的阵列透镜，其特征在于，所述阵列透镜还包括匹配层，所述匹配层贴合于最外侧的第一介质层或第一阵列结构；其中，所述匹配层包括：
至少一第二介质层；
至少一第二阵列结构，所述第二介质层与所述第二阵列结构沿所述第一方向交替堆叠设置，其中，所述第二阵列结构包括呈阵列设置的多个匹配单元，位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元与位于所述同一相对位置的至少一所述匹配单元在所述第一方向上同轴设置，其中，
同轴设置的至少一所述匹配单元和多个所述第一阵列单元在所述阵列方向上的尺寸在所述第一方向上具有渐变规律。
14.根据权利要求8所述的阵列透镜，其特征在于，所述第一阵列结构还包括多个第二阵列单元，所述第二阵列单元设置在最外侧的所述第一阵列单元的周围边缘；
同轴设置的至少一个所述第二阵列单元和多个所述第一阵列单元在所述阵列方向上的尺寸在所述第一方向上具有渐变规律。
15.根据权利要求1所述的阵列透镜，其特征在于，同一所述第一阵列结构中多个所述第一阵列单元彼此独立设置，且在所述阵列方向上的相邻两个所述第一阵列单元的中心距离相等。
16.根据权利要求1所述的阵列透镜，其特征在于，所述第一阵列单元为矩形导电片或椭圆导电片。
17.一种阵列透镜，其特征在于，包括：
多层第一介质层；
多层第一阵列结构，所述第一阵列结构与所述第一介质层沿第一方向交替层叠设置，每一层所述第一阵列结构包括一个或多个呈阵列设置的第一阵列单元，多层所述第一阵列结构中位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元在所述第一方向上同轴设置，位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元及其对应的第一介质层共同构成一波导结构；其中，
多层所述第一阵列结构中的至少两层在所述第一方向上具有数量渐变的所述第一阵列单元；其中，当电磁波沿所述第一方向入射至所述阵列透镜，每个所述波导结构产生人工表面等离激元，使得电磁波延所述波导结构边缘继续传播。
18.根据权利要求17所述的阵列透镜，其特征在于，所述阵列透镜包括相背设置的顶层和底层，多层所述第一阵列结构中的至少两层中的所述第一阵列单元的数量在所述第一方向上由所述阵列透镜中间层向所述顶层或/和底层减少；其中，所述中间层为具有最多所述第一阵列单元的第一阵列结构。
19.根据权利要求18所述的阵列透镜，其特征在于，每一层所述第一阵列结构中的多个所述第一阵列单元呈一维阵列设置，且在至少两个所述波导结构上的所述第一阵列单元的数量由所述一维阵列的阵列中心向阵列边缘对称减小。
20.根据权利要求18所述的阵列透镜，其特征在于，每一层所述第一阵列结构中的多个所述第一阵列单元呈二维阵列设置；且在至少两个所述波导结构上的所述第一阵列单元的数量由所述二维阵列的阵第二中心线向阵列边缘对称减小，多个所述第一阵列单元关于所述阵第二中心线对称设置。
21.根据权利要求20所述的阵列透镜，其特征在于，每行所述波导结构中的所述第一阵列单元的数量由第一中心线向阵列边缘对称减小，每列所述波导结构中的所述第一阵列单元的数量相等，其中，所述第一中心线与所述二维阵列的列方向相同。
22.根据权利要求20所述的阵列透镜，其特征在于，每行所述波导结构中的所述第一阵列单元的数量由第一中心线向阵列边缘对称减小，每列所述波导结构中的所述第一阵列单元的数量由第二中心线向阵列边缘对称减小，其中，所述第一中心线与所述二维阵列的列方向相同，所述第二中心线与所述二维阵列的行方向相同。
23.根据权利要求17所述的阵列透镜，其特征在于，所述阵列透镜还包括匹配层，所述匹配层贴合于最外侧的第一介质层；其中，所述匹配层包括：
至少一第二介质层；
至少一第二阵列结构，所述第二介质层与所述第二阵列结构沿所述第一方向交替堆叠设置，其中，所述第二阵列结构包括呈阵列设置的多个匹配单元，位于同一相对位置的多个所述第一阵列单元与位于所述同一相对位置的至少一所述匹配单元在所述第一方向上同轴设置，其中，
同轴设置的至少一所述匹配单元和多个所述第一阵列单元在所述阵列方向上的尺寸在所述第一方向上具有渐变规律。
24.根据权利要求18所述的阵列透镜，其特征在于，所述第一阵列结构还包括多个第二阵列单元，所述第二阵列单元设置在最外侧的所述第一阵列单元的周围边缘；
同轴设置的至少一个所述第二阵列单元和多个所述第一阵列单元在所述阵列方向上的尺寸在所述第一方向上具有渐变规律。
25.根据权利要求17所述的阵列透镜，其特征在于，同一所述第一阵列结构中多个所述第一阵列单元彼此独立设置，且在所述阵列方向上的相邻两个所述第一阵列单元的中心距离相等。
26.根据权利要求17所述的阵列透镜，其特征在于，所述第一阵列单元为矩形导电片或椭圆导电片。
27.一种透镜天线，其特征在于，包括：
馈源阵列，包括多个馈源单元；
与所述馈源阵列平行设置的如权利要求1-26任一所述的阵列透镜。
28.根据权利要求27所述的透镜天线，所述透镜天线还包括平行设置的第一隔离板和第二隔离板。
29.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求27～28任一项所述的透镜天线。
30.根据权利要求29所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括：
检测模块，用于获取每个所述馈源单元处于工作状态时所述透镜天线的波束信号强度；
开关模块，与所述馈源阵列连接，用于选择导通与任一所述馈源单元的连接通路；
控制模块，分别与所述检测模块、所述开关模块连接，用于根据所述波束信号强度控制所述开关模块，使最强波束信号强度对应的所述馈源单元处于工作状态。
31.根据权利要求29所述的电子设备，其特征在于，所述透镜天线的数量为多个。
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