CN112531115A - 一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法 - Google Patents
一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112531115A CN112531115A CN202011470124.8A CN202011470124A CN112531115A CN 112531115 A CN112531115 A CN 112531115A CN 202011470124 A CN202011470124 A CN 202011470124A CN 112531115 A CN112531115 A CN 112531115A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nitrogen dioxide
- organic semiconductor
- effect transistor
- field effect
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 67
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 67
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 13
- 238000002353 field-effect transistor method Methods 0.000 title description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- IMOYOUMVYICGCA-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-hydroxyanisole Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1C(C)(C)C IMOYOUMVYICGCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- DXDRHHKMWQZJHT-FPYGCLRLSA-N isoliquiritigenin Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1\C=C\C(=O)C1=CC=C(O)C=C1O DXDRHHKMWQZJHT-FPYGCLRLSA-N 0.000 claims abstract description 19
- JBQATDIMBVLPRB-UHFFFAOYSA-N isoliquiritigenin Natural products OC1=CC(O)=CC=C1C1OC2=CC(O)=CC=C2C(=O)C1 JBQATDIMBVLPRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 235000008718 isoliquiritigenin Nutrition 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 16
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 14
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 13
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)-[2-[13-[2-tri(propan-2-yl)silylethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl]silane Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)=C(C=C4C(C=CC=C4)=C4)C4=C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)C3=CC2=C1 FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 claims description 7
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 6
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L Zinc carbonate Chemical compound [Zn+2].[O-]C([O-])=O FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 2
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 3
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 3
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 3
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 3
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical group [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- TYMIFCXSAJCWTA-UHFFFAOYSA-N 2-pentacen-6-ylethynyl-tri(propan-2-yl)silane Chemical compound C(C)(C)[Si](C#CC=1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=C2C=C3C=CC=CC3=CC12)(C(C)C)C(C)C TYMIFCXSAJCWTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000003916 acid precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N cobalt phthalocyanine Chemical compound [Co+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical group C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical group C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920000120 polyethyl acrylate Polymers 0.000 description 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005556 thienylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
- H10K10/488—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising a layer of composite material having interpenetrating or embedded materials, e.g. a mixture of donor and acceptor moieties, that form a bulk heterojunction
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4141—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for gases
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4148—Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法，属于二氧化氮传感器领域，包括从下到上依次设置的衬底、栅电极、栅极绝缘层和有机半导体层，所述有机半导体层上设置有源电极和漏电极，所述有机半导体层为可溶性的有机半导体材料，在有机半导体层加入质量分数为分数为5％～10％的异甘草素以及12％～17％的叔丁基‑4‑羟基茴香醚；利用异甘草素和叔丁基‑4‑羟基茴香醚的抗氧化性，增强了晶体管器件在空气中的稳定性，同时，异甘草素和叔丁基‑4‑羟基茴香醚的引入，增加了待测二氧化氮分子与有机半导体的电荷交换，使半导体层中载流子浓度对二氧化氮浓度的变化更加敏感，实现有机场效应晶体管二氧化氮传感器对二氧化氮精确监测。
Description
技术领域
本发明属于二氧化氮传感器领域，涉及一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法。
背景技术
二氧化氮是造成大气污染的重要污染物，其主要来源于汽车尾气的排放，化石燃料的燃烧，同时，在造成酸雨、酸雾的同时，二氧化氮还会对人体健康造成不可逆的损伤，监控大气环境中二氧化氮的浓度对于人类的健康生活生产有着十分重要的意义。
二氧化氮传感器的种类繁多，主要包括电阻式二氧化氮传感器、电容式二氧化氮传感器、电解质离子型二氧化氮传感器和重量型二氧化氮传感器等。当前，国内外的研究热点主要是电阻式二氧化氮传感器和电容式二氧化氮传感器。然而，传统电阻式与电容式二氧化氮传感器存在灵敏度低、工作温度高、设备复杂、检测参数单一的缺点；与之相对，基于有机半导体的有机场效应晶体管(Organic Field-Effect Transistor，OFET)的二氧化氮传感器，作为一种新型的二氧化氮传感器，与传统电阻式二氧化氮传感器及电容式二氧化氮传感器相比，除了具有材料来源广泛、工艺简单、使用寿命长和柔性衬底的可实现性等特点外，更具有响应快、集成度高及多参数检测等优点。同时，OFET二氧化氮传感器与市场化传感器的高智能度、高灵敏度的要求相契合，成为近年来新型二氧化氮传感器研究领域的一个热点。
发明内容
本发明的目的在于：提供了一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法，解决了解决现有二氧化氮传感器存在的敏感性低、特征参数少、集成度低的问题。
本发明采用的技术方案如下：
一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器，包括从下到上依次设置的衬底、栅电极、栅极绝缘层和有机半导体层，所述有机半导体层上设置有源电极和漏电极，所述有机半导体层为可溶性的有机半导体材料，在有机半导体层加入质量分数为分数为5％～10％的异甘草素以及12％～17％的叔丁基-4-羟基茴香醚。
进一步地，所述衬底由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金属箔制成。
进一步地，所述栅极绝缘层无机绝缘材料或有机聚合物绝缘材料制备而成，所述无机绝缘材料为二氧化硅、三氧化二铝、氮化硅、二氧化钛的一种或多种，所述有机聚合物绝缘材料为聚乙烯醇、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯的一种或多种，所述栅极绝缘层厚度为20～520nm。
进一步地，所述有机半导体层为聚3-己基噻吩、Tips-并五苯的一种或多种可溶性有机半导体材料，厚度为25～400nm。
进一步地，所述栅电极、源电极和漏电极均为金、银、铜的一种或多种，厚度为10～100nm。
进一步地，所述栅电极、源电极和漏电极均为氧化铟锡、氧化锌透明导电薄膜的一种或多种，厚度为10～100nm。
一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器的制备方法，包括以下步骤：
S1：先利用洗涤剂、丙酮溶液、去离子水和异丙醇溶液对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；
S2：在衬底的表面制备栅电极，形成栅电极的图形；
S3：在镀有栅电极的基板的上制备栅极绝缘层；
S4：将异甘草素以及叔丁基-4-羟基茴香醚与有机半导体溶液进行的混溶，在已形成栅电极，以及己覆盖栅极绝缘层的基板上制备有机半导体层，70℃热退火20分钟；
S5：在有机半导体层上制备源电极和漏电级；；
S6：将步骤S5制得后的有机场效应晶体管进行封装。
进一步地，所述栅电极、源电极、漏电极是通过真空热蒸镀、磁控溅射、等离子体增强的化学气相沉积、丝网印刷、打印或旋涂中的任意一种方法制备。
进一步地，所述栅极绝缘层是通过等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂或者真空蒸镀中的任意一种方法制备。
进一步地，所述有机半导体层是通过等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂、真空蒸镀、辊涂、滴膜、压印、印刷或气喷中的任意一种方法制备。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
1、本发明利用异甘草素和叔丁基-4-羟基茴香醚的抗氧化性，增强了晶体管器件在空气中的稳定性，使得二氧化氮传感器免受空气中的水氧成分对晶体管器件的侵蚀，寿命更长；
2、酚羟基、不饱和双键、还原性杂原子等存在于异甘草素和叔丁基-4-羟基茴香醚的基团，在半导体薄膜中除了起到和二氧化氮气体分子结合的作用，互相之间还会产生协同作用，从而使组合后的还原性更强，更加易于吸收二氧化氮气体分子，从而增加半导体器件对二氧化氮的敏感性；
3、在制备薄膜的过程中，异甘草素和叔丁基-4-羟基茴香醚的引入，有效的改变了有机半导体层薄膜的形貌，减少了半导体薄膜中的缺陷态密度，增加了待测二氧化氮分子与有机半导体的电荷交换，使半导体层中载流子浓度对二氧化氮浓度的变化更加敏感，实现有机场效应晶体管二氧化氮传感器对二氧化氮精确监测；
4、异甘草素和叔丁基-4-羟基茴香醚来源广泛、环境友好，且成本低廉，制备工艺简单，易于工业化大规模生产。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图，其中：
图1是本发明的一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器的结构示意图；
图中标记：1-衬底，2-栅电极，3-栅极绝缘层，4-有机半导体层，5-源电极，6-漏电极。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明，即所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，术语“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
下面结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
如图1所示，本发明提供的一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器，包括从下到上依次设置的衬底1、栅电极2、栅极绝缘层3和有机半导体层4，所述有机半导体层4上设置有源电极5和漏电极6，所述有机半导体层4为可溶性的有机半导体材料，在有机半导体层4加入质量分数为分数为5％～10％的异甘草素以及12％～17％的叔丁基-4-羟基茴香醚。
优选地，所述衬底1由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金属箔制成。实施时，有一定的防水汽和氧气渗透的能力，有较好的表面平整度。
优选地，所述栅极绝缘层3无机绝缘材料或有机聚合物绝缘材料制备而成，所述无机绝缘材料为二氧化硅、三氧化二铝、氮化硅、二氧化钛的一种或多种，所述有机聚合物绝缘材料为聚乙烯醇、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯的一种或多种，所述栅极绝缘层厚度为20～520nm。需要说明的是，无机绝缘材料不局限于二氧化硅、三氧化二铝、氮化硅、二氧化钛，还可以为氟化锂、二氧化铪、五氧化二坦。需要说明的是，有机聚合物绝缘材料不局限于聚乙烯醇、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯，还可以为聚氯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙基丙烯酸酯、聚四氟乙烯等。
优选地，所述有机半导体层4为聚3-己基噻吩、Tips-并五苯的一种或多种可溶性有机半导体材料，厚度为25～400nm。实施时，有机半导体层4不局限于聚3-己基噻吩、Tips-并五苯，例如可以为并四苯、并五苯，及其具有取代基的衍生物、6，13-二三异丙酯硅基乙炔并五苯、低聚噻吩，其包含连接在噻吩环的第2及5位置的四至八个噻吩、茈四甲酸二酐、萘四甲酸二酐、酞菁铜、酞菁锌、酞菁钴、金属化酞菁及其卤代衍生物fluorinated copperphthalocyanine、酞菁铜、亚噻吩基和1，2-亚乙烯基的低共聚物和共聚物、富勒烯C60及其衍生物、苝Perylene及其衍生物、Alpha-六噻吩、红荧烯、聚噻吩Polythiophene或聚3-己基拿吩poly等。
优选地，所述栅电极2、源电极5和漏电极6均为金、银、铜的一种或多种，厚度为10～100nm。实施时，栅电极2、源电极5和漏电极6不局限于金、银、铜，例如还可以采用镁、铝、钙、钡、镍等金属及其合金材料。
优选地，所述栅电极2、源电极5和漏电极6均为氧化铟锡、氧化锌透明导电薄膜的一种或多种，厚度为10～100nm。实施时，栅电极2、源电极5和漏电极6不局限于氧化铟锡、氧化锌透明导电薄膜，可以采用导电复合材料，如金胶、银胶、碳胶等。
实施例1
制备方法如下：
S1：对溅射好栅电极ITO的玻璃衬底进行彻底的清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
S2：采用旋涂法在ITO上制备PS薄膜形成栅极绝缘层100nm；
S3：对旋涂好的PS薄膜经行加热烘烤；
S4：在栅极绝缘层上旋涂质量分数比为78％：5％：17％的P3HT、异甘草素和叔丁基-4-羟基茴香醚的有机半导体层100nm；
S5：采用真空蒸镀制备铜源电极和漏电极100nm。
对器件的二氧化氮响应特性进行测试，室温下对二氧化氮响应好。
实施例2
制备方法如下：
S1：对溅射好栅电极ITO的玻璃衬底1进行彻底的清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
S2：采用旋涂法在ITO上制备PMMA薄膜形成栅极绝缘层520nm；
S3：对旋涂好的PMMA薄膜经行加热烘烤；
S4：在栅极绝缘层上旋涂质量分数比为73％：10％：17％的Tips-pentacene、异甘草素和叔丁基-4-羟基茴香醚的有机半导体层150nm；
S5：采用真空蒸镀制备银源电极和漏电极10nm。
对器件的二氧化氮响应特性进行测试，室温下对二氧化氮响应差。
实施例3
制备方法如下：
S1：对溅射好栅电极ITO的玻璃衬底1进行彻底的清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
S2：采用旋涂法在ITO上制备PVA薄膜形成栅极绝缘层20nm；
S3：对旋涂好的PVA薄膜经行加热烘烤；
S4：在栅极绝缘层上旋涂质量分数比为80％：8％：12％的Tips-pentacene、异甘草素和叔丁基-4-羟基茴香醚的有机半导体层200nm；
S5：采用真空蒸镀制备金源电极和漏电极40nm。
对器件的二氧化氮响应特性进行测试，室温下对二氧化氮响应好。
实施例4
制备方法如下：
S1：对硅为栅电极的衬底进行彻底的清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
S2：采用热氧化或者气相沉积的方法生成一层20nmSiO2作为栅极绝缘层；
S3：在栅极绝缘层上旋涂质量分数比为75％：10％：15％的Tips-pentacene、异甘草素和叔丁基-4-羟基茴香醚的有机半导体层25nm；
S4：采用真空蒸镀制备金源电极和漏电极60nm。
对器件的二氧化氮响应特性进行测试，室温下对二氧化氮响应最好。
实施例5
其制备方法如下：
S1：对硅为栅电极的衬底进行彻底的清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
S2：采用旋涂法在ITO上制备300nm聚乙烯吡咯烷酮薄膜形成栅极绝缘层；
S3：对旋涂好的聚乙烯吡咯烷酮薄膜经行加热烘烤；
S4：在栅极绝缘层上旋涂质量分数比为82％：6％：12％的P3HT、异甘草素和叔丁基-4-羟基茴香醚的有机半导体层300nm；
S5：采用真空蒸镀制备银源电极和漏电极70nm。
对器件的二氧化氮响应特性进行测试，室温下对二氧化氮响应中等。
实施例6：对照组
制备方法如下：
S1：对溅射好栅电极ITO的玻璃衬底进行彻底的清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
S2：采用反应磁控溅射在ITO上制备50nm三氧化二铝薄膜形成栅极绝缘层；
S3：栅极绝缘层上旋涂制备质量分数比为75％：8％：17％的Tips-pentacene、异甘草素和叔丁基-4-羟基茴香醚的有机半导体层350nm；
S4：采用真空蒸镀制备铜源电极和漏电极80nm。
对器件的二氧化氮响应特性进行测试，室温下对二氧化氮响应好。
表1：实施例1-6器件性能参数表
| 实施例 | 室温下对二氧化氮的响应 |
| 实施例1 | 好 |
| 实施例2 | 差 |
| 实施例3 | 好 |
| 实施例4 | 最好 |
| 实施例5 | 中等 |
| 实施例6 | 好 |
由表1可知，在栅极绝缘层上旋涂质量分数比为75％：10％：15％的Tips-pentacene、异甘草素和叔丁基-4-羟基茴香醚的有机半导体层25nm，对室温下对二氧化氮的响应进行测试，室温下对二氧化氮的响应最好。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明的保护范围，任何熟悉本领域的技术人员在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器，包括从下到上依次设置的衬底、栅电极、栅极绝缘层和有机半导体层，所述有机半导体层上设置有源电极和漏电极，其特征在于，所述有机半导体层为可溶性的有机半导体材料，在有机半导体层加入质量分数为分数为5％～10％的异甘草素以及12％～17％的叔丁基-4-羟基茴香醚。
2.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器，其特征在于，所述衬底由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金属箔制成。
3.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器，其特征在于，所述栅极绝缘层无机绝缘材料或有机聚合物绝缘材料制备而成，所述无机绝缘材料为二氧化硅、三氧化二铝、氮化硅、二氧化钛的一种或多种，所述有机聚合物绝缘材料为聚乙烯醇、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯的一种或多种，所述栅极绝缘层厚度为20～520nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器，其特征在于，所述有机半导体层为聚3-己基噻吩、Tips-并五苯的一种或多种可溶性有机半导体材料，厚度为25～400nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器，其特征在于，所述栅电极、源电极和漏电极均为金、银、铜的一种或多种，厚度为10～100nm。
6.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器，其特征在于，所述栅电极、源电极和漏电极均为氧化铟锡、氧化锌透明导电薄膜的一种或多种，厚度为10～100nm。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：先利用洗涤剂、丙酮溶液、去离子水和异丙醇溶液对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；
S2：在衬底的表面制备栅电极，形成栅电极的图形；
S3：在镀有栅电极的基板的上制备栅极绝缘层；
S4：将异甘草素以及叔丁基-4-羟基茴香醚与有机半导体溶液进行的混溶，在已形成栅电极，以及己覆盖栅极绝缘层的基板上制备有机半导体层，70℃热退火20分钟；
S5：在有机半导体层上制备源电极和漏电级；；
S6：将步骤S5制得后的有机场效应晶体管进行封装。
8.根据权利要求7所述的一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器的制备方法，其特征在于，所述栅电极、源电极、漏电极是通过真空热蒸镀、磁控溅射、等离子体增强的化学气相沉积、丝网印刷、打印或旋涂中的任意一种方法制备。
9.根据权利要求7所述的一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层是通过等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂或者真空蒸镀中的任意一种方法制备。
10.根据权利要求7所述的一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器的制备方法，其特征在于，所述有机半导体层是通过等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂、真空蒸镀、辊涂、滴膜、压印、印刷或气喷中的任意一种方法制备。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011470124.8A CN112531115B (zh) | 2020-12-14 | 2020-12-14 | 一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011470124.8A CN112531115B (zh) | 2020-12-14 | 2020-12-14 | 一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112531115A true CN112531115A (zh) | 2021-03-19 |
| CN112531115B CN112531115B (zh) | 2022-08-02 |
Family
ID=74999705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011470124.8A Active CN112531115B (zh) | 2020-12-14 | 2020-12-14 | 一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112531115B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103594624A (zh) * | 2013-11-07 | 2014-02-19 | 电子科技大学 | 一种有机场效应晶体管及其制备方法 |
| CN107565019A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-09 | 电子科技大学 | 一种基于有机场效应管氨气传感器及其制备方法 |
| CN108802152A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-11-13 | 长春工业大学 | 一种聚合物/氧化物复合有机纳晶场效应晶体管气体传感器制备方法 |
| WO2020152449A1 (en) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | The University Of Manchester | Organic field-effect transistors |
-
2020
- 2020-12-14 CN CN202011470124.8A patent/CN112531115B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103594624A (zh) * | 2013-11-07 | 2014-02-19 | 电子科技大学 | 一种有机场效应晶体管及其制备方法 |
| CN107565019A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-09 | 电子科技大学 | 一种基于有机场效应管氨气传感器及其制备方法 |
| CN108802152A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-11-13 | 长春工业大学 | 一种聚合物/氧化物复合有机纳晶场效应晶体管气体传感器制备方法 |
| WO2020152449A1 (en) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | The University Of Manchester | Organic field-effect transistors |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 张霖，钟建，陈玉成: "喷雾工艺制备的高性能有机光敏薄膜晶体管", 《强激光与粒子束》 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112531115B (zh) | 2022-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Elbohy et al. | Tuning hole transport layer using urea for high‐performance perovskite solar cells | |
| Kumar et al. | Electrical and ammonia gas sensing properties of poly (3, 3‴-dialkylquaterthiophene) based organic thin film transistors fabricated by floating-film transfer method | |
| CN103630576A (zh) | 一种基于有机薄膜晶体管二氧化氮气体传感器的制备方法 | |
| CN105510389A (zh) | 一种基于有机场效应晶体管的湿度传感器及其制备方法 | |
| Zheng et al. | A cytop insulating tunneling layer for efficient perovskite solar cells | |
| CN106198635A (zh) | 一种基于有机场效应晶体管的湿度传感器及其制备方法 | |
| Rajeev et al. | Ammonia gas detection using field-effect transistor based on a solution-processable organic semiconductor | |
| CN109900763B (zh) | 基于有机晶体管的二氧化氮传感器芯片及其制备方法 | |
| Ziadan | Conducting polymers application | |
| CN108225621B (zh) | 一种基于有机场效应管压力传感器及其制备方法 | |
| CN103604835A (zh) | 一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法 | |
| CN101101967A (zh) | 低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法 | |
| CN107565020B (zh) | 一种基于有机场效应管的甲醛传感器及其制备方法 | |
| Shimada et al. | Viscous conductive glue layer in semitransparent polymer-based solar cells fabricated by a lamination process | |
| CN111505089B (zh) | 一种基于有机场效应晶体管的二氧化硫传感器及其制备方法 | |
| CN112051316A (zh) | 一种基于有机薄膜晶体管的氨气传感器及其制备方法 | |
| CN105334257A (zh) | 一种含有功能绝缘层的有机场效应管氨气传感器 | |
| CN108287189A (zh) | 一种基于协同效应的有机场效应管湿度传感器及其制备方法 | |
| US20200225186A1 (en) | Ofet-based ethylene gas sensor | |
| CN112531115B (zh) | 一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法 | |
| CN103630577A (zh) | 一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的制备方法 | |
| CN102435634A (zh) | 一种otft集成传感器阵列及其制作方法 | |
| Fiorido et al. | All solution processed flexible ammonia gas and light sensors based on α, ω-hexyl-distyrylbithiophene films | |
| CN112531113B (zh) | 一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法 | |
| CN112531114A (zh) | 一种基于有机场效应晶体管的二氧化硫传感器及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |