CN112510330A - 一种具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器 - Google Patents
一种具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器,包括三层介质基板、SIW谐振腔、微带‑共面波导馈电结构和微带‑探针馈电结构。中间层介质基板的上下表面均印刷有金属层,其内部设有方形通孔阵列和两个金属化微扰通孔;方形通孔阵列设有开口,位于开口正上方的上金属层上蚀刻有两条相平行的条状金属缝隙,从而形成微带‑共面波导馈电结构;微带‑探针馈电结构用于向SIW谐振腔差分馈电。本发明的差模通带的中心频率通过调整谐振腔尺寸参数大小来获得;差模通带的带宽可以通过调整两个金属化微扰通孔的位置来改变。本发明利用基片集成波导的固有平衡特性实现宽频带内高共模抑制的特性,能实现微波电路系统的集成小型化。
Description
技术领域
本发明涉及巴伦滤波器技术领域,特别是一种具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器。
背景技术
随着通信领域传统技术快速发展,频率低于6GHz的传统领域频谱使用日趋饱和。因此有必要进一步开发微波高频段、毫米波领域的频谱资源。
基片集成波导技术(SIW)得益于其高品质因数Q e,其低损耗、低串扰、低成本、易于制造、良好的平面集成等特点与现代通信技术完美结合。同时,由于新兴通信技术的应用,相应地,用于频率选择和衰减噪声的微波滤波器也应适应新型技术的要求:高性能、小尺寸、低成本。
另一方面,考虑到目前电磁环境的日益恶化,对环境噪声和电磁噪声的抗干扰性成为不可忽视的设计重点。采用有共模(CM)抑制功能的差分电路可以达到以上效果。平衡输入电路,其因为自身的高共模抑制比,可以有效抵抗环境噪音与电磁干扰。
随着科技发展,集成封装技术可以实现器件尺寸微型化、功能集成化。巴伦作为平衡非平衡转换器,其可以用来实现单端输入信号到同幅反相差分信号的转换。巴伦滤波器就是可以同时实现巴伦与滤波器的功能,并且减小干扰,实现了微波元器件的微型化与高集成度。将巴伦与滤波器相结合,同时实现了信号的选择与信号单端到差分的转化特性。最终,SIW巴伦滤波器不仅可以减小电路的尺寸,而且简化了系统架构的设计。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,而提供一种具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器,该具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器采用微带-共面波导馈电与微带-探针结构馈电相结合的馈电方式,构成巴伦,在差模信号的激励下,可以得到良好的滤波特性。利用基片集成波导矩形腔中的双模之间的耦合和在源与负载之间引入非谐振结点(NRN),产生可控传输零点和带有宽频带内高共模抑制的高性能平衡滤波器,有效地提高了平衡滤波器的选择性和共模抑制性能。同时将巴伦与滤波器功能集成,极大程度上减小了电路尺寸,满足了差分通信系统的实际需求。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
一种具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器,包括三层介质基板、SIW谐振腔、微带-共面波导馈电结构和微带-探针馈电结构。
三层介质基板从上至下依次为第一介质基板、第二介质基板和第三介质基板。第二介质基板为方形板。第一介质基板和第三介质基板均为大小相等的长方形板。第一介质基板和第三介质基板的其中一条长边与第二介质基板的一条边长相等且重合放置,并形成叠置端。
第二介质基板的上表面印刷有上金属层,第二介质基板的下表面印刷有下金属层。
第二介质基板中设置有方形通孔阵列和两个金属化微扰通孔。其中,方形通孔阵列与上金属层和下金属层共同构成SIW谐振腔。
背离叠置端的方形通孔阵列设置有开口,位于开口正上方的上金属层上蚀刻有两条相平行的条状金属缝隙,从而形成微带-共面波导馈电结构。
两个金属化微扰通孔对称布设在SIW谐振腔内,且分别邻近方形通孔阵列的开口侧和叠置端。
微带-探针馈电结构设置在叠置端,用于向SIW谐振腔差分馈电。
条状金属缝隙与方形通孔阵列的开口侧边相垂直。
微带-探针馈电结构包括上微带馈电平衡端口、下微带馈电平衡端口和探针。上微带馈电平衡端口印刷在第一介质基板的叠置端的上表面,下微带馈电平衡端口印刷在第三介质基板的叠置端的下表面。上微带馈电平衡端口和下微带馈电平衡端通过探针相连接。探针竖直贯穿三层介质基板,且穿过SIW谐振腔。
上微带馈电平衡端口和下微带馈电平衡端口均包括条状馈电微带线、弧形微带线和弧形通孔阵列。弧形微带线同心布设在条状馈电微带线的内侧端。弧形通孔阵列布设在第一介质基板或第三介质基板中,且与对应弧形微带线位置相对应。
上金属层和下金属层上均蚀刻有圆形金属缝隙,探针分别从圆形金属缝隙中穿过,且圆形金属缝隙的内径大于探针的外径。
方形通孔阵列包括依次首位连接的第一阵列、第二阵列、第三阵列和第四阵列。通过调整条状金属缝隙的长度l 3、条状金属缝隙的宽度g和条状馈电微带线的馈电长度l 4来获得期望的品质因数Q e。
通过调整SIW谐振腔的边长l来获得所需要的差模通带的中心频率,通过调整两个金属化微扰通孔的位置,进而获得所需要的差模通带的带宽。
SIW谐振腔的边长l=23.0mm。条状金属缝隙的长度l 3=5.4mm,条状金属缝隙的宽度g=0.3mm,条状馈电微带线的馈电长度l 4=4.2mm,条状馈电微带线至第二阵列的距离l 1=5.8mm,金属化微扰通孔的直径d=0.8mm, 金属化微扰通孔的间距p=1.2mm,金属化微扰通孔至第二阵列的距离l 2=9.1mm,金属化微扰通孔至第一阵列的距离l 5=1.4mm。弧形微带线的半径为2.3mm。
三层介质基板均采用R05880型号,相对介电常数为2.2,厚度为0.508mm。
本发明具有如下有益效果:
1、本发明利用基片集成波导的固有平衡特性实现宽频带内高共模抑制的特性。微带-探针结构可以有效激励起通带内的模式,并且易于调整外部品质因数来获得更好的通带性能。集成的巴伦在不需要前置电路的情况下将单端信号转换成差模信号。在差模信号激励下,通带的带宽可以通过调整两个金属化微扰通孔的位置来改变,同时在通带两侧引入两个传输零点以提高滤波器的选择性。
2、本发明利用基片集成波导简并双模模式构建差模通带,减小了滤波器平面尺寸,实现了结构紧凑和小型化。在微波高频段,SIW具有微带和波导的双重优势,具有低损耗、低串扰、低成本、易于制造、良好的平面集成、功率容量大等优点。
3、本发明利用基片集成波导矩形腔中的双模之间的耦合和在源与负载之间引入非谐振结点(NRN),在差模通带两侧产生可控传输零点,提高滤波器的选择性。
4、本发明利用微带-共面波导馈电与微带-探针馈电相结合的方式,将巴伦与滤波器两者集成结合,大幅减小电路尺寸。另外,本发明在微波高频段和高功率的平衡转单端电路具有明显优势。
附图说明
图1显示了本发明所采用印刷电路板的示意图。
图2显示了本发明一种具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器的三维结构图。
图3显示了本发明种具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器的俯视图。
图4显示了本发明双模基片集成波导巴伦滤波器的仿真及测试图。
其中有:
10.第一介质基板;
20.上金属层;21.条状金属缝隙;22.圆形金属缝隙;
30.第二介质基板;31.第一阵列;32.第二阵列;33.第三阵列;34.第四阵列;35.开口;36.金属化微扰通孔;
40.下金属层;50.第三介质基板;
61.上条状馈电微带线;62.弧形通孔阵列;63.弧形微带线;64.下馈电微带线;65.探针。
具体实施方式
下面结合附图和具体较佳实施方式对本发明作进一步详细的说明。
本发明的描述中,需要理解的是,术语“左侧”、“右侧”、“上部”、“下部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,“第一”、“第二”等并不表示零部件的重要程度,因此不能理解为对本发明的限制。本实施例中采用的具体尺寸只是为了举例说明技术方案,并不限制本发明的保护范围。
如图1、图2和图3所示,一种具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器,包括三层介质基板、SIW谐振腔、微带-共面波导馈电结构和微带-探针馈电结构。
三层介质基板均优选采用R05880型号,相对介电常数为2.2,厚度为0.508mm。
三层介质基板从上至下依次为第一介质基板10、第二介质基板30和第三介质基板50。
第二介质基板为方形板,第一介质基板和第三介质基板均为大小相等的长方形板。第一介质基板和第三介质基板的其中一条长边与第二介质基板的一条边长相等且重合放置,并形成叠置端。
第二介质基板的上表面印刷有上金属层20,第二介质基板的下表面印刷有下金属层40。
第二介质基板中设置有方形通孔阵列和两个金属化微扰通孔36。其中,方形通孔阵列与上金属层和下金属层共同构成SIW谐振腔。
如图3所示,方形通孔阵列包括依次首位连接的第一阵列31、第二阵列32、第三阵列33和第四阵列34。
背离叠置端的方形通孔阵列(也即第一阵列)设置有开口35,位于开口正上方的上金属层上蚀刻有两条相平行的条状金属缝隙21,从而形成微带-共面波导馈电结构。
本实施例中,条状金属缝隙与方形通孔阵列的开口侧边优选相垂直。
两个金属化微扰通孔对称布设在SIW谐振腔内,且分别邻近方形通孔阵列的开口侧(也即第一阵列)和叠置端(第三阵列)。
微带-探针馈电结构设置在叠置端,用于向SIW谐振腔差分馈电。
微带-探针馈电结构优选包括上微带馈电平衡端口、下微带馈电平衡端口和探针65。
上微带馈电平衡端口印刷在第一介质基板的叠置端的上表面,下微带馈电平衡端口印刷在第三介质基板的叠置端的下表面。
上微带馈电平衡端口和下微带馈电平衡端通过探针相连接。探针竖直贯穿三层介质基板,且穿过SIW谐振腔。
进一步,上金属层和下金属层上均优选蚀刻有圆形金属缝隙22,探针分别从圆形金属缝隙中穿过,且圆形金属缝隙的内径大于探针的外径。
上微带馈电平衡端口和下微带馈电平衡端口均包括条状馈电微带线、弧形微带线63和弧形通孔阵列62。其中,印刷在第一介质基板上表面的条状馈电微带线为上条状馈电微带线61,印刷在第三介质基板下表面上的条状馈电微带线为下条状馈电微带线64。
弧形微带线同心布设在条状馈电微带线的内侧端。弧形通孔阵列布设在第一介质基板或第三介质基板中,且与对应弧形微带线位置相对应。
通过调整条状金属缝隙的长度l 3、条状金属缝隙的宽度g和条状馈电微带线的馈电长度l 4来获得期望的品质因数Q e。
通过调整SIW谐振腔的边长l来获得所需要的差模通带的中心频率,通过调整两个金属化微扰通孔的位置,进而获得所需要的差模通带的带宽。
本实施例中,双模基片集成波导巴伦滤波器的优选尺寸参数为:SIW谐振腔的边长l=23.0mm。条状金属缝隙的长度l 3=5.4mm,条状金属缝隙的宽度g=0.3mm,条状馈电微带线的馈电长度l 4=4.2mm,条状馈电微带线至第二阵列的距离l 1=5.8mm,金属化微扰通孔的直径d=0.8mm, 金属化微扰通孔的间距p=1.2mm,金属化微扰通孔至第二阵列的距离l 2=9.1mm,金属化微扰通孔至第一阵列的距离l 5=1.4mm。弧形微带线的半径为2.3mm。
本发明使用SIW的固有共模抑制,实现了宽频带高共模抑制。将基片集成波导技术引入巴伦带通滤波器的设计,并利用简并双模TE120和TE210设计的巴伦双模带通滤波器,减小了滤波器平面尺寸和腔体数目,实现了巴伦与滤波功能集成,具有小型化和结构紧凑的优点。将微带-共面波导结构与微带-探针馈电结构结合,易于集成。
如图2和图3所示,为根据图1实施方式实现微带-共面波导馈电与微带-探针结构馈电相结合的双模SIW巴伦带通滤波器的一个带尺寸表示的结构示例,其中:SIW谐振腔的长度和宽度均为l,通过调整腔体的尺寸,从而选择合适的频率的谐振模式。
如图2和图3所示,在上金属层和下金属层上蚀刻的圆形金属缝隙22,在共模信号激励下能量全反射,实现宽频带共模抑制,长度S l =5.4mm,宽度S w =1.0mm。在共模信号激励下,可以改变缝隙的大小调整滤波器的外部品质因数,实现理想差模带宽。
如图2和图3所示,在上金属层上蚀刻的条状金属缝隙21,构成微带-共面波导结构,可以通过分别简单地调整大小l 3,g和l 4来获得期望的Q e。
本实施例中,结合图2和图3的结构尺寸示意图,为实现基于双层基片集成波导结构,具有宽频带高共模抑制的双模平衡滤波器,最优化尺寸参数为:l=23.0mm, l 1=5.8mm,l 2=9.1mm, l 3=5.4mm, l 4=4.2mm, l 4=1.6mm, g=0.3mm。
图4给出了滤波器仿真和测试图。双模式SIW巴伦带通滤波器的中心频率为10.3GHz时的-3dB相对带宽为3.5%。测得的中心频率为10.28 GHz差模通带可实现3.0%(3.3%)的-3dB相对带宽,最小插入损耗为2.88 dB。在差模通带两侧的两个传输零点TZ1和TZ2可以清楚地观察到,优于44dB,分别位于9.6GHz和10.8GHz,提高滤波器的选择性。在测得的频率范围内,测得的共模抑制比优于47 dB。
由上可知,本发明将基片集成波导技术引入巴伦带通滤波器的设计中,并设计叠层结构利用基片集成波导高次模式构建通带,减小了滤波器平面尺寸,实现了小型化。
本发明利用基片集成波导的固有平衡特性,大大简化了设计方法,实现了宽频带共模抑制;将双层基片集成波导技术引入巴伦带通滤波器的设计,并利用简并双模TE120和TE210设计的巴伦双模带通滤波器,减小了滤波器平面尺寸和腔体数目,简化了系统架构的设计;同时具有平衡-不平衡电路转换功能和滤波器功能,实现了微波电路系统的集成小型化。
以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种等同变换,这些等同变换均属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器,其特征在于:包括三层介质基板、SIW谐振腔、微带-共面波导馈电结构和微带-探针馈电结构;
三层介质基板从上至下依次为第一介质基板、第二介质基板和第三介质基板;第二介质基板为方形板;第一介质基板和第三介质基板均为大小相等的长方形板;第一介质基板和第三介质基板的其中一条长边与第二介质基板的一条边长相等且重合放置,并形成叠置端;
第二介质基板的上表面印刷有上金属层,第二介质基板的下表面印刷有下金属层;
第二介质基板中设置有方形通孔阵列和两个金属化微扰通孔;其中,方形通孔阵列与上金属层和下金属层共同构成SIW谐振腔;
背离叠置端的方形通孔阵列设置有开口,位于开口正上方的上金属层上蚀刻有两条相平行的条状金属缝隙,从而形成微带-共面波导馈电结构;
两个金属化微扰通孔对称布设在SIW谐振腔内,且分别邻近方形通孔阵列的开口侧和叠置端;
微带-探针馈电结构设置在叠置端,用于向SIW谐振腔差分馈电。
2.根据权利要求1所述的具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器,其特征在于:条状金属缝隙与方形通孔阵列的开口侧边相垂直。
3.根据权利要求1所述的具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器,其特征在于:微带-探针馈电结构包括上微带馈电平衡端口、下微带馈电平衡端口和探针;上微带馈电平衡端口印刷在第一介质基板的叠置端的上表面,下微带馈电平衡端口印刷在第三介质基板的叠置端的下表面;上微带馈电平衡端口和下微带馈电平衡端通过探针相连接;探针竖直贯穿三层介质基板,且穿过SIW谐振腔。
4.根据权利要求3所述的具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器,其特征在于:上微带馈电平衡端口和下微带馈电平衡端口均包括条状馈电微带线、弧形微带线和弧形通孔阵列;弧形微带线同心布设在条状馈电微带线的内侧端;弧形通孔阵列布设在第一介质基板或第三介质基板中,且与对应弧形微带线位置相对应。
5.根据权利要求4所述的具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器,其特征在于:上金属层和下金属层上均蚀刻有圆形金属缝隙,探针分别从圆形金属缝隙中穿过,且圆形金属缝隙的内径大于探针的外径。
6.根据权利要求5所述的具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器,其特征在于:方形通孔阵列包括依次首位连接的第一阵列、第二阵列、第三阵列和第四阵列;通过调整条状金属缝隙的长度l 3、条状金属缝隙的宽度g和条状馈电微带线的馈电长度l 4来获得期望的品质因数Q e。
7.根据权利要求6所述的具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器,其特征在于:通过调整SIW谐振腔的边长l来获得所需要的差模通带的中心频率,通过调整两个金属化微扰通孔的位置,进而获得所需要的差模通带的带宽。
8.根据权利要求7所述的具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器,其特征在于:SIW谐振腔的边长l=23.0mm;条状金属缝隙的长度l 3=5.4mm,条状金属缝隙的宽度g=0.3mm,条状馈电微带线的馈电长度l 4=4.2mm,条状馈电微带线至第二阵列的距离l 1=5.8mm,金属化微扰通孔的直径d=0.8mm, 金属化微扰通孔的间距p=1.2mm,金属化微扰通孔至第二阵列的距离l 2=9.1mm,金属化微扰通孔至第一阵列的距离l 5=1.4mm;弧形微带线的半径为2.3mm。
9.根据权利要求1所述的具有固有共模抑制的双模基片集成波导巴伦滤波器,其特征在于:三层介质基板均采用R05880型号,相对介电常数为2.2,厚度为0.508mm。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115036659A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-09-09 | 南通先进通信技术研究院有限公司 | 一种基片集成的易馈电圆柱形介质谐振器滤波器 |
CN115295984A (zh) * | 2022-07-05 | 2022-11-04 | 中科芯(苏州)微电子科技有限公司 | 一种适合全通差分电路的共模滤波器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110212274A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-06 | 南京航空航天大学 | 基于双层基片集成波导的平衡双模带通滤波器 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110212274A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-06 | 南京航空航天大学 | 基于双层基片集成波导的平衡双模带通滤波器 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
HONG-WEI DENG等: ""Differential SIW slot antenna array with intrinsic common-mode rejection"", 《IET MICROWAVES, ANTENNAS & PROPAGATION》 * |
HUI-YANG LI等: ""Novel Compact Substrate Integrated Waveguide Balun Filter and Balanced Filter"", 《2018 INTERNATIONAL APPLIED COMPUTATIONAL ELECTROMAGNETICS SOCIETY SYMPOSIUM - CHINA (ACES)》 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115036659A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-09-09 | 南通先进通信技术研究院有限公司 | 一种基片集成的易馈电圆柱形介质谐振器滤波器 |
CN115036659B (zh) * | 2022-06-24 | 2023-07-14 | 南通先进通信技术研究院有限公司 | 一种基片集成的易馈电圆柱形介质谐振器滤波器 |
CN115295984A (zh) * | 2022-07-05 | 2022-11-04 | 中科芯(苏州)微电子科技有限公司 | 一种适合全通差分电路的共模滤波器 |
CN115295984B (zh) * | 2022-07-05 | 2024-03-15 | 中科芯(苏州)微电子科技有限公司 | 一种适合全通差分电路的共模滤波器 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20210316 |