CN112504482A - 在线后脉冲概率测量系统 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的是一种在线后脉冲概率测量系统，由单光子雪崩光电二极管(1)、淬灭电阻(2)、整形电路(3)、测量电路(4)、数控电位器(51)数控电容器(52)、第一计数器(6)、第二计数器(7)和数据处理模块(8)组成。本发明可用于单光子探测器实时的后脉冲概率测量和优化，可广泛用于单光子计数，激光雷达，荧光寿命探测和量子通信等极微弱光探测领域。
Description
(一)技术领域
本发明涉及的是一种在线后脉冲概率测量系统，本发明可用于对单光子探测器实时的后脉冲概率测量和优化，可广泛用于单光子计数、激光雷达，荧光寿命探测和量子通信等极微弱光探测领域。
(二)背景技术
通过利用光电倍增管的卓越性能，光子计数和与时间相关的光子计数技术已经发展了很多年。近年来，已开发出特殊的半导体探测器，称为单光子雪崩光电二极管(SPAD)，以探测单个光子。在文献中，它们也被称为盖革模式雪崩光电二极管。该技术已在各个领域获得了重要的实验结果：基本量子力学；密码学；天文学；单分子检测；物理，化学，生物学和材料科学中的荧光衰减和发光；光纤通信；太空应用和遥测中的激光测距。
如今，单光子雪崩光电二极管由于其暗计数率低和检测效率高而被公认为探测超低功率光信号的最佳解决方案之一。它们的性能主要受后脉冲效应的限制，这是由于载流子在雪崩期间被困在陷阱中，然后在一定延迟后释放，从而触发了随后的雪崩脉冲。为了限制这种有害作用，必须在每个雪崩脉冲后的一定时间内将SPAD关闭。后脉冲受工作温度的强烈影响，因为在高温下，被陷阱捕获的载流子更容易释放。但是，暗计数速率对温度的依赖性是相反的，暗计数会随着温度的增加而增加，权衡这两个趋势是十分有必要的。高的后脉冲率会降低单光子探测系统的信噪比，降低探测敏感度，阻碍了需要精度测量的应用。因此，对单光子探测系统中后脉冲概率的实时监测是至关重要的，现有后脉冲概率测量方法如文献“G.Humer,M.Peev,C.Schaeff,S.Ramelow,M.
and R.Ursin,"A Simpleand Robust Method for Estimating Afterpulsing in Single Photon Detectors,"inJournal of Lightwave Technology,vol.33,no.14,pp.3098-3107,15July15,2015”和文献“T.Ferreira da Silva,G.B.Xavier and J.P.von der Weid,"Real-TimeCharacterization of Gated-Mode Single-Photon Detectors,"in IEEE Journal ofQuantum Electronics,vol.47,no.9,pp.1251-1256,Sept.2011”都是经过时间数字转换模块统计脉冲之间的时间间隔数据，再利用大量统计好的时间间隔数据进行后期的直方图处理得到后脉冲概率。但是，上述方法不能实现对单光子探测系统后脉冲概率的实时测量，同时不能根据测量的后脉冲概率反馈至探测系统对其输出进行优化。
为了解决上述问题，本发明公开了一种在线后脉冲概率测量系统，可用于单光子计数，激光雷达，荧光寿命探测和量子通信等领域。该系统通过一个可以校正后脉冲效应的测量电路和两个计数器实时得到某个时间间隔内的后脉冲计数，再通过扫描的方式得到不同时间间隔内的后脉冲计数，将测得的数据建立直方图并拟合得到后脉冲概率，并根据实时的后脉冲概率反馈到测量电路对系统输出进行实时的优化。
(三)发明内容
本发明的目的在于提供一种在线后脉冲概率测量系统，可以用于飞行时间成像，光时域反射，激光雷达，荧光寿命探测和量子通信等领域。
在线后脉冲概率测量系统由单光子雪崩光电二极管(1)、淬灭电阻(2)、整形电路(3)、测量电路(4)、数控电位器(51)数控电容器(52)、第一计数器(6)、第二计数器(7)和数据处理模块(8)组成。
本发明是这样实现的：所述系统中单光子雪崩光电二极管(1)反向偏置在击穿电压以上，工作于单光子探测模式，光子入射引发雪崩效应在阳极输出雪崩事件脉冲。整形电路(3)将雪崩事件脉冲整形为标准晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平信号，信号分为两路一路输出到测量电路(4)，另外一路输出到第二计数器(7)。测量电路(4)中设置一个可调整的时间间隔阈值，判断是否发生后脉冲，如果两个相邻雪崩脉冲之间的时间间隔小于时间间隔阈值，则测量电路(4)将自动将两个脉冲合并为一个脉冲以此消除该后脉冲效应，通过控制数字电位器(51)输出阻抗和数字电容器(52)输出电容可以对测量电路(4)的时间间隔阈值进行调整。第一计数器(6)对经后脉冲效应校正的雪崩事件脉冲进行计数，第二计数器(7)对未经后脉冲效应校正的雪崩事件脉冲进行计数。数据处理模块(8)将第二计数器(7)的计数减去第一计数器(6)的计数可以得到发生在所设置时间间隔阈值范围内的脉冲计数，不断调整测量电路(4)的时间间隔阈值，得到不同时间间隔内的脉冲计数，将数据绘制成分布直方图，拟合得到后脉冲概率分布。此外，对后脉冲概率分布进行分析，得到测量电路(4)最佳的时间间隔阈值，反馈到数控电位器(51)和数控电位器(52)，使得系统一直工作在最优状态。
所述系统中单光子雪崩光电二极管(1)可以是基于硅(Silicon)，锗(Germanium)，铟镓砷(InGaAs)和铟镓砷/磷化铟(InGaAs/InP)材质的任何一种。淬灭电阻(2)连接单光子雪崩光电二极管(1)的阳极，单光子雪崩光电二极管(1)工作在单光子探测模式，光子入射引起二极管发生雪崩时，淬灭电阻(2)对二极管进行淬灭和复位，二极管的阳极产生雪崩事件脉冲。基于高速电压比较器的整形电路(3)将二极管输出的雪崩事件脉冲转换为TTL电平信号以方便后端电路进行信号处理。
所述系统中测量电路(4)基于可重复单稳态触发器，其作用是判断整形电路(3)输出中两个相邻的雪崩事件脉冲是否具有后脉冲效应，并将后脉冲进行校正。整形电路(3)将单光子雪崩光电二极管(1)输出的雪崩事件脉冲转换为TTL电平信号并输出至测量电路(4)，测量电路(4)接收到上升沿信号会输出一个tω(时间间隔阈值)的电压脉冲信号，tω取决于数控电容器(52)的充电和放电时间，tω＝k·R·C(R为数控电阻器(51)的输出阻抗，C为数控电容器的输出电容，k为相关比例系数)。其中数控电位器(51)由n个数控开关(511)和n个电阻(512)组成，其中n个电阻的阻值分别为1R、2R、4R、2n-2·R和2n-1·R。n位电位器的输出端口为A和B，输出阻抗的范围为1R到(2n-1)·R。数控电容器(52)由m个数控开关(521)和m个电容(522)组成，其中m个电容的容值分别为1C、2C、4C、2m-2·C和2m-1·C。m位电容器的输出端口为E和F，输出容值的范围为1C到(2m-1)·C。这样tω的可调节范围为k·1R·1C到k·(2n-1)·R·(2m-1)·C。若tω内有新的上升沿，与前上升沿间隔为ta(ta＜tω)，则触发器输出脉冲的宽度会增加tω，输出脉冲的宽度为ta+tω。这样测量电路(4)设置一个时间间隔阈值便可以分辨两个相邻的雪崩事件脉冲是否具有后脉冲效应，当两个相邻雪崩事件脉冲之间的时间间隔小于时间间隔阈值时，则判断有后脉冲效应，两个相邻的雪崩时间脉冲自动合并成一个脉冲。
所述系统中第一计数器(6)和第二计数器(7)为相同结构的计数器，分别对测量电路(4)和整形电路(3)进行读出和计数处理，两个计数器将记录的数据输出至数据处理模块(8)进行处理。
所述系统中数据处理模块(8)可以是基于微控制器、现场现场可编程逻辑门阵列或者上位机的任意一种，其作用是通过将前端电路收集的数据进行直方图处理得到后脉冲概率同时对数控电位器(51)和数控电容器(52)进行合理设置，使得系统输出的后脉冲概率维持在较低水平。测量过程是将测量电路(4)的时间间隔阈值设置为t1(t1＝k·1R·1C)，数据处理模块(8)将第二计数器(7)的计数减去第一计数器(6)的计数可以得到发生在时间间隔t1内的计数(包括后脉冲和暗计数)。接着，将测量电路(4)的时间间隔阈值设置为t2(t2＝k·2R·1C)，数据处理模块(8)将第二计数器(7)的计数减去发生在时间间隔t1内的计数可以得到发生在时间间隔t2-t1内的计数(包括后脉冲和暗计数)。之后，将测量电路(4)的时间间隔阈值设置为t3(t3＝k·3R·1C)，数据处理模块(8)将第二计数器(7)的计数减去发生在时间间隔t2内的计数可以得到发生在时间间隔t3-t2内的计数(包括后脉冲和暗计数)。重复上次过程通过扫描的方式得到一定数量的时间间隔数据(时间间隔的采样精度由数控电位器(51)和数控电容器(52)决定可以根据使用场景进行调整，时间间隔最大可达(2n-1)·R·(2m-1)·C个)绘制出直方图，再对其进行拟合处理得到后脉冲概率，根据后脉冲概率数据合理设置数控电位器(51)和数控电容器(52)的输出来优化整个系统光子计数输出。
(四)附图说明
图1是在线后脉冲概率测量系统示意图。它由单光子雪崩光电二极管(1)、淬灭电阻(2)、整形电路(3)、测量电路(4)、数控电位器(51)数控电容器(52)、第一计数器(6)、第二计数器(7)和数据处理模块(8)组成。
图2是在线后脉冲概率测量系统实施例示意图。它由单光子雪崩光电二极管(1)、淬灭电阻(2)、整形电路(3)、测量电路(4)、8位数控电位器(51)、6位数控电容器(52)、第一计数器(6)、第二计数器(7)和数据处理模块(8)组成。
图3是实施例中8位数控电位器(51)和6位数控电容器(52)的结构示意图。8位数控电位器由8个数控开关(501)和8个电阻(502)组成，其中8个电阻的阻值分别为1R、2R、4R、8R、16R、32R、64R和128R，8位数控电位器的输出端口为A和B。6位数控电位器(51)由6个数控开关(503)和8个电阻(504)组成，其中6个电容的容值分别为1C、2C、4C、8C、16C和32C，6位数控电容器(52)的输出端口为E和F。数据处理模块(8)输出控制字对8位数控电位器(51)和6位数控电容器(52)进行控制，当控制字为“1”时，数控开关呈打开状态；当控制字为“0”时，数控开关呈关闭状态。
图4是根据统计数据建立直方图分析的示意图。
(五)具体实施方式
下面结合具体的实施例来进一步阐述本发明。
图2给出在线后脉冲概率测量系统的实施例。它由单光子雪崩光电二极管(1)、淬灭电阻(2)、整形电路(3)、测量电路(4)、数控电位器(51)、数控电容器(52)、第一计数器(6)、第二计数器(7)和数据处理模块(8)组成。
实施例中单光子雪崩光电二极管(1)反向偏置在击穿电压以上，工作于单光子探测模式，光子入射引发雪崩效应在阳极输出雪崩事件脉冲。整形电路(3)将雪崩事件脉冲整形为标准晶体管-晶体管逻辑电平信号，信号分为两路一路输出到测量电路(4)，另外一路输出到第二计数器(7)。测量电路(4)中设置一个可调整的时间间隔阈值，判断是或发生后脉冲，如果两个相邻雪崩脉冲之间的时间间隔小于时间间隔阈值，则测量电路(4)将自动将两个脉冲合并为一个脉冲以此消除该后脉冲，通过控制数字电位器(51)和数控电容器的输出可以对测量电路(4)的时间间隔阈值进行调整。
后脉冲概率的实时测量具体过程如下：数据处理模块(8)输出控制字“0000 0001”和“0000 0001”至数控电位器(51)和数控电容器(52)，数控电位器(51)输出1R且数控电容器(52)输出1C，此时测量电路(4)的时间间隔阈值设置为t1(t1＝k·1R·1C)，数据处理模块(8)将第二计数器(7)的计数减去第一计数器(6)的计数可以得到发生在时间间隔t1内的计数(包括后脉冲和暗计数)。接着，数据处理模块(8)输出控制字“0000 0010”和“0000 0001”至数控电位器(51)和数控电容器(52)，数控电位器(51)输出2R且数控电容器输出1C，将测量电路(4)的时间间隔阈值设置为t2(t2＝k·2R·1C)，数据处理模块(8)将第二计数器(7)的计数减去发生在时间间隔t1内的计数可以得到发生在时间间隔t2-t1内的计数(包括后脉冲和暗计数)。之后，数据处理模块(8)输出控制字“0000 0011”和“0000 0001”至数控电位器(51)和数控电容器(52)，数控电位器(51)输出3R且数控电容器输出1C，将测量电路(4)的时间间隔阈值设置为t3(t3＝k·3R·1C)，数据处理模块(8)将第二计数器(7)的计数减去发生在时间间隔t2内的计数可以得到发生在时间间隔t3-t2内的计数(包括后脉冲和暗计数)。重复上述过程，将所有统计的数据建立如图4所示的直方图，时间间隔的采样精度(8位电位器和6位电容器决定时间间隔最大可达16384个)可以根据使用场景进行调整。由于暗计数具有随机性所以对直方图中的暗计数进行线性拟合可以得到后脉冲概率。此外，对后脉冲概率分布进行分析，得到测量电路最佳的时间间隔阈值，反馈到数控电位器(5)，使得系统一直工作在最优状态。
Claims (5)
1.一种在线后脉冲概率测量系统，由单光子雪崩光电二极管(1)、淬灭电阻(2)、整形电路(3)、测量电路(4)、数控电位器(51)、数控电容器(52)、第一计数器(6)、第二计数器(7)和数据处理模块(8)组成。所述系统中单光子雪崩光电二极管(1)反向偏置在击穿电压以上，工作于单光子探测模式，光子入射引发雪崩效应在阳极输出雪崩事件脉冲。整形电路(3)将雪崩事件脉冲整形为标准晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平信号，信号分为两路一路输出到测量电路(4)，另外一路输出到第二计数器(7)。测量电路(4)中设置一个可调整的时间间隔阈值，判断是否发生后脉冲，如果两个相邻雪崩脉冲之间的时间间隔小于时间间隔阈值，则测量电路(4)将自动将两个脉冲合并为一个脉冲以此消除该后脉冲效应，通过控制数字电位器(51)输出阻抗和数字电容器(52)输出电容可以对测量电路(4)的时间间隔阈值进行调整。第一计数器(6)对经后脉冲效应校正的雪崩事件脉冲进行计数，第二计数器(7)对未经后脉冲效应校正的雪崩事件脉冲进行计数。数据处理模块(8)将第二计数器(7)的计数减去第一计数器(6)的计数可以得到发生在所设置时间间隔阈值范围内的脉冲计数，不断调整测量电路(4)的时间间隔阈值，得到不同时间间隔内的脉冲计数，将数据绘制成分布直方图，拟合得到后脉冲概率分布。此外，对后脉冲概率分布进行分析，得到测量电路(4)最佳的时间间隔阈值，反馈到数控电位器(51)和数控电位器(52)，使得系统一直工作在最优状态。
2.根据权利要求1所述的一种在线后脉冲概率测量系统，其特征是：单光子雪崩光电二极管(1)可以是基于硅(Silicon)，锗(Germanium)，铟镓砷(InGaAs)和铟镓砷/磷化铟(InGaAs/InP)材质的任何一种。淬灭电阻(2)连接单光子雪崩光电二极管(1)的阳极，单光子雪崩光电二极管(1)工作在单光子探测模式，光子入射引起二极管发生雪崩时，淬灭电阻(2)对二极管进行淬灭和复位，二极管的阳极产生雪崩事件脉冲。基于高速电压比较器的整形电路(3)将二极管输出的雪崩事件脉冲转换为TTL电平信号以方便后端电路进行信号处理。
3.根据权利要求1所述的一种在线后脉冲概率测量系统，其特征是：测量电路(4)基于可重复单稳态触发器，其作用是判断整形电路(3)输出中两个相邻的雪崩事件脉冲是否具有后脉冲效应，并将后脉冲进行校正。整形电路(3)将单光子雪崩光电二极管(1)输出的雪崩事件脉冲转换为TTL电平信号并输出至测量电路(4)，测量电路(4)接收到上升沿信号会输出一个tω(时间间隔阈值)的电压脉冲信号，tω取决于数控电容器(52)的充电和放电时间，tω＝k·R·C(R为数控电阻器(51)的输出阻抗，C为数控电容器的输出电容，k为相关比例系数)。其中数控电位器(51)由n个数控开关(511)和n个电阻(512)组成，其中n个电阻的阻值分别为1R、2R、4R、2n-2·R和2n-1·R。n位电位器的输出端口为A和B，输出阻抗的范围为1R到(2n-1)·R。数控电容器(52)由m个数控开关(521)和m个电容(522)组成，其中m个电容的容值分别为1C、2C、4C、2m-2·C和2m-1·C。m位电容器的输出端口为E和F，输出容值的范围为1C到(2m-1)·C。这样tω的可调节范围为k·1R·1C到k·(2n-1)·R·(2m-1)·C。若tω内有新的上升沿，与前上升沿间隔为ta(ta＜tω)，则触发器输出脉冲的宽度会增加tω，输出脉冲的宽度为ta+tω。这样测量电路(4)设置一个时间间隔阈值便可以分辨两个相邻的雪崩事件脉冲是否具有后脉冲效应，当两个相邻雪崩事件脉冲之间的时间间隔小于时间间隔阈值时，则判断有后脉冲效应，两个相邻的雪崩时间脉冲自动合并成一个脉冲。
4.根据权利要求1所述的一种在线后脉冲概率测量系统，其特征是：第一计数器(6)和第二计数器(7)为相同结构的计数器，分别对测量电路(4)和整形电路(3)进行读出和计数处理，两个计数器将记录的数据输出至数据处理模块(8)进行处理。
5.根据权利要求1所述的一种在线后脉冲概率测量系统，其特征是：数据处理模块(8)可以是基于微控制器、现场现场可编程逻辑门阵列或者上位机的任意一种，其作用是通过将前端电路收集的数据进行直方图处理得到后脉冲概率同时对数控电位器(51)和数控电容器(52)进行合理设置，使得系统输出的后脉冲概率维持在较低水平。测量过程是将测量电路(4)的时间间隔阈值设置为t1(t1＝k·1R·1C)，数据处理模块(8)将第二计数器(7)的计数减去第一计数器(6)的计数可以得到发生在时间间隔t1内的计数(包括后脉冲和暗计数)。接着，将测量电路(4)的时间间隔阈值设置为t2(t2＝k·2R·1C)，数据处理模块(8)将第二计数器(7)的计数减去发生在时间间隔t1内的计数可以得到发生在时间间隔t2-t1内的计数(包括后脉冲和暗计数)。之后，将测量电路(4)的时间间隔阈值设置为t3(t3＝k·3R·1C)，数据处理模块(8)将第二计数器(7)的计数减去发生在时间间隔t2内的计数可以得到发生在时间间隔t3-t2内的计数(包括后脉冲和暗计数)。重复上次过程通过扫描的方式得到一定数量的时间间隔数据(时间间隔的采样精度由数控电位器(51)和数控电容器(52)决定可以根据使用场景进行调整，时间间隔最大可达(2n-1)·R·(2m-1)·C个)绘制出直方图，再对其进行拟合处理得到后脉冲概率，根据后脉冲概率数据合理设置数控电位器(51)和数控电容器(52)的输出来优化整个系统光子计数输出。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9068881B2 (en) * | 2010-07-13 | 2015-06-30 | At&T Intelletual Property I, L.P. | Characterization of single-photon detectors using a continuous wave laser source |
| CN209069421U (zh) * | 2019-05-22 | 2019-07-05 | 北京中创为南京量子通信技术有限公司 | 一种单光子探测器的测试装置 |
| CN110779683A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-02-11 | 成都成电光信科技股份有限公司 | 一种基于otdr的门控光探测的spad及控制方法 |
| CN111121986A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-08 | 桂林电子科技大学 | 一种具有后脉冲校正功能的单光子探测系统 |
| CN111679290A (zh) * | 2020-06-04 | 2020-09-18 | 上海禾赛光电科技有限公司 | 光子计数校正方法、激光雷达以及计算机可读介质 |
-
2020
- 2020-11-24 CN CN202011328573.9A patent/CN112504482B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9068881B2 (en) * | 2010-07-13 | 2015-06-30 | At&T Intelletual Property I, L.P. | Characterization of single-photon detectors using a continuous wave laser source |
| CN209069421U (zh) * | 2019-05-22 | 2019-07-05 | 北京中创为南京量子通信技术有限公司 | 一种单光子探测器的测试装置 |
| CN110779683A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-02-11 | 成都成电光信科技股份有限公司 | 一种基于otdr的门控光探测的spad及控制方法 |
| CN111121986A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-08 | 桂林电子科技大学 | 一种具有后脉冲校正功能的单光子探测系统 |
| CN111679290A (zh) * | 2020-06-04 | 2020-09-18 | 上海禾赛光电科技有限公司 | 光子计数校正方法、激光雷达以及计算机可读介质 |
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