CN112468123A - 用于电力监测的直流供电开关装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的一种用于电力监测的直流供电开关装置,包括NMOS管M1、电阻R1、电阻R2、可控硅Q1、电阻R3、电阻R7、可控硅触发电路和关断控制电路;所述NMOS管M1的漏极与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端作为供电开关装置的输入端,NMOS管M1的源极为供电开关装置的输出端;NMOS管M1的漏极通过电阻R2与可控硅Q1的正极连接,可控硅K1的负极通过电阻R3和电阻R7串联后连接于NMOS管M1的栅极;在开通过程中能够有效避免对用电器件造成冲击,从而形成保护,在断电过程中能够快速进行关断,从而有效对用电器件进行准确控制,而且整个电路结构简单,可靠性高。

Description

用于电力监测的直流供电开关装置
技术领域
本发明涉及一种开关装置,尤其涉及一种用于电力监测的直流供电开关装置。
背景技术
在电力系统中,具有各种直流用电器件,在这些直流用电器件工作过程中,往往会对其电源进行导通和关断控制,现有技术中,往往采用直流接触器、继电器等电控器件进行控制,但是,这种控制方式容易对用电器件造成冲击,当然,现有技术中也有采用MOS管作为开关器件进行控制,但是,现有的MOS管控制电路不能将MOS管进行快速的关断。
因此,为了解决上述技术问题,继续提出一种新的技术手段。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是提供一种用于电力监测的直流供电开关装置,在开通过程中能够有效避免对用电器件造成冲击,从而形成保护,在断电过程中能够快速进行关断,从而有效对用电器件进行准确控制,而且整个电路结构简单,可靠性高。
本发明提供的一种用于电力监测的直流供电开关装置,包括NMOS管M1、电阻R1、电阻R2、可控硅Q1、电阻R3、电阻R7、可控硅触发电路和关断控制电路;
所述NMOS管M1的漏极与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端作为供电开关装置的输入端,NMOS管M1的源极为供电开关装置的输出端;
NMOS管M1的漏极通过电阻R2与可控硅Q1的正极连接,可控硅K1的负极通过电阻R3和电阻R7串联后连接于NMOS管M1的栅极;
所述可控硅触发电路的电源端连接于开关装置的输入端,可控硅触发电路的输出端与可控硅Q1的控制极连接,可控硅触发电路的控制端接外部控制电路;
关断控制电路的电源端连接于NMOS管M1的源极,关断控制电路的控制端接外部控制电路,关断控制电路的第一控制端连接于可控硅Q1的负极,关断控制电路的第二控制端连接于电阻R3和电阻R7的公共连接点,关断控制电路的第三控制端连接于NMOS管M1的栅极。
进一步,所述关断控制电路包括二极管D1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电阻R9、电阻R8,其中,三极管Q4为P型三极管;
三极管Q2的集电极作为关断控制电路的电源端连接于NMOS管Q1的源极,三极管Q2的基极与电阻R9的一端连接,电阻R9的另一端为关断控制电路的控制端,三极管Q3的发射极连接于委机关D1的正极,二极管D1的负极连接于可控硅Q1的负极,二极管D1的正极通过电阻R8连接于三极管Q3的基极,三极管Q3的发射极接地,三极管Q3的集电极作为关断控制电路的第二控制端,三极管Q3的集电极与三极管Q4的基极连接,三极管Q4的集电极接地,三极管Q4的发射极作为关断控制电路的第三控制端。
进一步,所述可控硅触发电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R4以及三极管Q5;
电阻R5的一端连接于供电开关装置的输入端,电阻R5的另一端通过电阻R6接地,三极管Q5的集电极连接于电阻R5和电阻R6之间的公共连接点,三极管Q5的发射极连接于可控硅Q1的控制极,三极管Q5的基极与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端为可控硅触发电路的控制端。
进一步,还包括电容C1,所述电容C1的一端连接于NMOS管M1的漏极,电容C1的另一端连接于电阻R3和电阻R7之间的公共连接点。
本发明的有益效果:通过本发明,在开通过程中能够有效避免对用电器件造成冲击,从而形成保护,在断电过程中能够快速进行关断,从而有效对用电器件进行准确控制,而且整个电路结构简单,可靠性高。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述:
图1为本发明的电路原理图。
具体实施方式
以下结合说明书附图对本发明作出进一步详细说明:
本发明提供的一种用于电力监测的直流供电开关装置,包括NMOS管M1、电阻R1、电阻R2、可控硅Q1、电阻R3、电阻R7、可控硅触发电路和关断控制电路;
所述NMOS管M1的漏极与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端作为供电开关装置的输入端,NMOS管M1的源极为供电开关装置的输出端;
NMOS管M1的漏极通过电阻R2与可控硅Q1的正极连接,可控硅K1的负极通过电阻R3和电阻R7串联后连接于NMOS管M1的栅极;
所述可控硅触发电路的电源端连接于开关装置的输入端,可控硅触发电路的输出端与可控硅Q1的控制极连接,可控硅触发电路的控制端接外部控制电路;
关断控制电路的电源端连接于NMOS管M1的源极,关断控制电路的控制端接外部控制电路,关断控制电路的第一控制端连接于可控硅Q1的负极,关断控制电路的第二控制端连接于电阻R3和电阻R7的公共连接点,关断控制电路的第三控制端连接于NMOS管M1的栅极,在上述结构中,通过可控硅Q1来对NMOS管M1的栅极提供开通电压,利用可控硅Q1的触发特性,从而确保工作的稳定性,防止误动作,而且,利用NMOS管的米勒效应,使得NMOS管在开通过程中缓慢开通,从而能够避免对用电器件进行冲击,而在关断过程中利用关断控制电路对NMOS管进行快速关断,方便控制,而且,上述结构中关断和导通控制不在同一控制点,进一步有效提高整个电路的可靠性,能够有效避免误动作而带来不良后果。
本实施例中,所述关断控制电路包括二极管D1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电阻R9、电阻R8,其中,三极管Q4为P型三极管;
三极管Q2的集电极作为关断控制电路的电源端连接于NMOS管Q1的源极,三极管Q2的基极与电阻R9的一端连接,电阻R9的另一端为关断控制电路的控制端,三极管Q3的发射极连接于委机关D1的正极,二极管D1的负极连接于可控硅Q1的负极,二极管D1的正极通过电阻R8连接于三极管Q3的基极,三极管Q3的发射极接地,三极管Q3的集电极作为关断控制电路的第二控制端,三极管Q3的集电极与三极管Q4的基极连接,三极管Q4的集电极接地,三极管Q4的发射极作为关断控制电路的第三控制端,当需要对用电器件进行断电时,则控制三极管Q2导通,此时,电压通过二极管D1加载到可控硅Q1的负极,可控硅Q1反向偏置而截止,三极管Q3在三极管Q2导通的同时导通,进而拉低三极管Q4的基极电压,三极管Q4的使得NMOS管M1的栅极电压快速泄放,降低NMOS管M1的栅极电容的影响,从而实现快速关断的目的。
本实施例中,所述可控硅触发电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R4以及三极管Q5;
电阻R5的一端连接于供电开关装置的输入端,电阻R5的另一端通过电阻R6接地,三极管Q5的集电极连接于电阻R5和电阻R6之间的公共连接点,三极管Q5的发射极连接于可控硅Q1的控制极,三极管Q5的基极与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端为可控硅触发电路的控制端,通过上述结构,能够有效控制可控硅Q1触发导通。
上述中的外部控制电路可以是控制器,也可以手动触发开关等。
本实施例中,还包括电容C1,所述电容C1的一端连接于NMOS管M1的漏极,电容C1的另一端连接于电阻R3和电阻R7之间的公共连接点,在整个电路上电时,会对NMOS管M1进行冲击,而通过电容C1,能够对NMOS管M1进行有效的保护,而且,如果整个开关装置在输入端断电时,能够为NMOS管Q1的栅极电容进行电压释放,确保NMOS管M1的使用寿命。
最后说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (4)

1.一种用于电力监测的直流供电开关装置,其特征在于:包括NMOS管M1、电阻R1、电阻R2、可控硅Q1、电阻R3、电阻R7、可控硅触发电路和关断控制电路;
所述NMOS管M1的漏极与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端作为供电开关装置的输入端,NMOS管M1的源极为供电开关装置的输出端;
NMOS管M1的漏极通过电阻R2与可控硅Q1的正极连接,可控硅K1的负极通过电阻R3和电阻R7串联后连接于NMOS管M1的栅极;
所述可控硅触发电路的电源端连接于开关装置的输入端,可控硅触发电路的输出端与可控硅Q1的控制极连接,可控硅触发电路的控制端接外部控制电路;
关断控制电路的电源端连接于NMOS管M1的源极,关断控制电路的控制端接外部控制电路,关断控制电路的第一控制端连接于可控硅Q1的负极,关断控制电路的第二控制端连接于电阻R3和电阻R7的公共连接点,关断控制电路的第三控制端连接于NMOS管M1的栅极。
2.根据权利要求1所述用于电力监测的直流供电开关装置,其特征在于:所述关断控制电路包括二极管D1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电阻R9、电阻R8,其中,三极管Q4为P型三极管;
三极管Q2的集电极作为关断控制电路的电源端连接于NMOS管Q1的源极,三极管Q2的基极与电阻R9的一端连接,电阻R9的另一端为关断控制电路的控制端,三极管Q3的发射极连接于委机关D1的正极,二极管D1的负极连接于可控硅Q1的负极,二极管D1的正极通过电阻R8连接于三极管Q3的基极,三极管Q3的发射极接地,三极管Q3的集电极作为关断控制电路的第二控制端,三极管Q3的集电极与三极管Q4的基极连接,三极管Q4的集电极接地,三极管Q4的发射极作为关断控制电路的第三控制端。
3.根据权利要求1所述用于电力监测的直流供电开关装置,其特征在于:所述可控硅触发电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R4以及三极管Q5;
电阻R5的一端连接于供电开关装置的输入端,电阻R5的另一端通过电阻R6接地,三极管Q5的集电极连接于电阻R5和电阻R6之间的公共连接点,三极管Q5的发射极连接于可控硅Q1的控制极,三极管Q5的基极与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端为可控硅触发电路的控制端。
4.根据权利要求1所述用于电力监测的直流供电开关装置,其特征在于:还包括电容C1,所述电容C1的一端连接于NMOS管M1的漏极,电容C1的另一端连接于电阻R3和电阻R7之间的公共连接点。
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