CN112466917A - 一种硅基oled器件的结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅基OLED器件的结构，所述硅基OLED器件的结构包括：配置有EML‑R发光层、EML‑G发光层以及EML‑B‑1发光层的基层、靠近阴极的一侧或阳极的一侧的EML‑B‑2发光层以及根据所述EML‑B‑2发光层的位置确定自身位置的ITL材料层；其中：在所述EML‑B‑2发光层位于靠近阴极的一侧时，所述ITL材料层置于所述EML‑B‑2发光层与所述EML‑R发光层之间；在所述EML‑B‑2发光层位于靠近阳极的一侧时，所述ITL材料层置于所述EML‑B‑2发光层与所述EML‑G发光层之间。本发明可以在不增加电压和B像素开口率的情况下提升WOLED的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及硅基OLED微显示领域，具体地，涉及一种硅基OLED器件的结构。
背景技术
与传统的AMOLED显示技术相比，硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在消费电子领域，硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。
受限于金属掩膜板的制作技术，现有的高ppi硅基OLED全彩产品大多数采用WOLED(白光OLED)+CF(彩色滤光片)技术，采用的器件结构一般为二叠层如图1所示器件结构。该器件结构由于发光层EML-B采用荧光发光材料，而发光层EML-R、发光层EML-G采用磷光发光材料，导致W发光中蓝光成分偏少，W的白场色度与标准值(0.33，0.33)相差较大，在硅基微显示中需要增加B像素的电流来调节其白平衡，这样就会导致整个产品的寿命下降1倍以上。
当前解决WOLED中蓝光效率偏低的问题，在TV显示通过三叠层的WOLED器件来提高蓝光成分，但是三叠层的电压在11V以上，受电压的限制，该三叠层的器件结构不适合应用到硅基微显示中。另外可以通过增大B像素的开口率来提升蓝光成分，但该方案会降低产品的开口率。
发明内容
本发明的目的是提供一种硅基OLED器件的结构，该硅基OLED器件的结构可以在不增加电压和B像素开口率的情况下提升WOLED的发光效率。
为了实现上述目的，本发明提供了一种硅基OLED器件的结构，所述硅基OLED器件的结构包括：配置有EML-R发光层、EML-G发光层以及EML-B-1发光层的基层、靠近阴极的一侧或阳极的一侧的EML-B-2发光层以及根据所述EML-B-2发光层的位置确定自身位置的ITL材料层；其中：在所述EML-B-2发光层位于靠近阴极的一侧时，所述ITL材料层置于所述EML-B-2发光层与所述EML-R发光层之间；在所述EML-B-2发光层位于靠近阳极的一侧时，所述ITL材料层置于所述EML-B-2发光层与所述EML-G发光层之间。
优选地，靠近所述阴极的一侧的所述EML-B-2发光层的材料被配置为偏电子的主体材料；或者靠近所述阳极的一侧的所述EML-B-2发光层的材料被配置为偏空穴的主体材料。
优选地，所述ITL材料层被配置为EML-R发光层或EML-G发光层的主材料或BH层。
优选地，所述EML-B-2发光层的厚度被配置为10-20nm，且BD的掺杂浓度为1-5％。
优选地，所述G-dopant的掺杂浓度为2-3％。
优选地，所述ITL材料层的厚度被配置为1-10nm。
优选地，所述ITL材料层的厚度被配置为3-6nm。
根据上述技术方案，本发明使用高性能的硅基OLED器件结构搭配color filter得到彩色硅基OLED，不增加电压的条件下，提升WOLED的发光效率，有利于白场色度的调节，易于白平衡调整；增加蓝光成分有利于改善硅基产品的寿命。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是现有技术中常规两叠层WOLED结构图；
图2是实施例1中的一种WOLED器件结构图；以及
图3是实施例2中的一种WOLED器件结构图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
在本发明中，在未作相反说明的情况下，“上下左右”等包含在术语中的方位词仅代表该术语在常规使用状态下的方位，或为本领域技术人员理解的俗称，而不应视为对该术语的限制。
图1现有技术中的硅基OLED器件的结构图，本发明在现有技术出现两层WOLED中蓝光成分偏低导致产品寿命偏低的问题后设计了本发明的结构，其中，图2、3是本发明提供一种硅基OLED器件的结构，如图2、3所示，所述硅基OLED器件的结构包括：配置有EML-R发光层、EML-G发光层以及EML-B-1发光层的基层、靠近阴极的一侧或阳极的一侧的EML-B-2发光层以及根据所述EML-B-2发光层的位置确定自身位置的ITL材料层；其中：在所述EML-B-2发光层位于靠近阴极的一侧时，所述ITL材料层置于所述EML-B-2发光层与所述EML-R发光层之间；在所述EML-B-2发光层位于靠近阳极的一侧时，所述ITL材料层置于所述EML-B-2发光层与所述EML-G发光层之间。其中，所述基层选用常规的材料体系，其中各材料的特性和能级搭配均符合OLED能级匹配。下面结合两个实施例，来说明本发明的两种EML-B-2发光层和ITL材料层的位置关系。其中，Anode是阳极、HIL是空穴注入层、HTL是空穴传输层、CGL是电荷产生层、EIL是电子注入层、Cathode是阴极，CPL是光耦合取出层。
实施例1
实施例1中的新型WOLED结构如图2所示，其中EML-B2靠近阴极边，该层BH采用偏电子的材料(即靠近所述阴极的一侧的所述EML-B-2发光层的材料被配置为偏电子的主体材料)，厚度范围在10-20nm，BD的掺杂浓度控制在1-5％，优选浓度为2-3％，而ITL材料可以选择为EML-G/R的host的材料作为连接层，来降低其与BH的注入势垒，或者选择为BH作为ITL材料层，其中ITL材料层的厚度范围控制在1-10nm，优选为3-6nnm。
实施例2
实施例2中的新型WOLED结构如图3所示，其中，新型WOLED结构中各膜层材料(除了ITL材料层和EML-B2发光层)选用常规的材料体系，其中各材料的特性和能级搭配均符合OLED能级匹配。
其中，EML-B2靠近阳极边，该层BH采用偏空穴的材料(即靠近所述阳极的一侧的所述EML-B-2发光层的材料被配置为偏空穴的主体材料)，厚度范围在10-20nm，BD的掺杂浓度控制在1-5％，优选浓度为2-3％，而ITL材料可以选择为EML-G/R的host的材料作为连接层，来降低其与BH的注入势垒，或者选择为BH作为ITL材料层，其中ITL材料层的厚度范围控制在1-10nm，优选为3-6nnm。
其中，本发明保护一种新型WOLED器件结构，采用ITL和CGL电荷产生层相结合的方案达到提升蓝光成分的目的，进而提升整个器件的电流效率。本发明保护使用新型WOLED结构搭配彩色滤光片获得较高产品寿命
以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。
Claims (7)
1.一种硅基OLED器件的结构，其特征在于，所述硅基OLED器件的结构包括：配置有EML-R发光层、EML-G发光层以及EML-B-1发光层的基层、靠近阴极的一侧或阳极的一侧的EML-B-2发光层以及根据所述EML-B-2发光层的位置确定自身位置的ITL材料层；其中：
在所述EML-B-2发光层位于靠近阴极的一侧时，所述ITL材料层置于所述EML-B-2发光层与所述EML-R发光层之间；
在所述EML-B-2发光层位于靠近阳极的一侧时，所述ITL材料层置于所述EML-B-2发光层与所述EML-G发光层之间。
2.根据权利要求1所述的硅基OLED器件的结构，其特征在于，
靠近所述阴极的一侧的所述EML-B-2发光层的材料被配置为偏电子的主体材料；或者
靠近所述阳极的一侧的所述EML-B-2发光层的材料被配置为偏空穴的主体材料。
3.根据权利要求1所述的硅基OLED器件的结构，其特征在于，所述ITL材料层被配置为EML-R发光层或EML-G发光层的主材料或BH层。
4.根据权利要求1所述的硅基OLED器件的结构，其特征在于，所述EML-B-2发光层的厚度被配置为10-20nm，且BD的掺杂浓度为1-5％。
5.根据权利要求4所述的硅基OLED器件的结构，其特征在于，所述G-dopant的掺杂浓度为2-3％。
6.根据权利要求1所述的硅基OLED器件的结构，其特征在于，所述ITL材料层的厚度被配置为1-10nm。
7.根据权利要求6所述的硅基OLED器件的结构，其特征在于，所述ITL材料层的厚度被配置为3-6nm。
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