CN112448617A - 多点式悬浮装置及控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种多点式悬浮装置及控制方法，包括基座、悬浮体和控制电路，所述基座设有至少两个悬浮区，每个悬浮区均设有电磁组件和悬浮体传感器，所述悬浮体设有悬浮体磁组件，所述控制电路分别与所述电磁组件和悬浮体传感器连接，所述悬浮体传感器能够根据悬浮体磁组件产生使能信号，所述控制电路可根据所述使能信号对对应悬浮区的电磁组件进行使能控制，使悬浮体悬浮于对应悬浮区。本发明的有益效果在于：提供了一种多点式悬浮装置及控制方法，悬浮体可以在该悬浮装置覆盖范围内的多个点实现悬浮，通过悬浮装置的控制电路，可以实时检测悬浮体的位置并对悬浮体的前后左右偏移进行校正调整，有效防止悬浮体侧翻，保证了悬浮体悬浮的稳定性。

Description

多点式悬浮装置及控制方法

技术领域

本发明涉及磁悬浮技术领域，尤其是指一种多点式悬浮装置及控制方法。

背景技术

现有技术中，磁悬浮装置主要存在以下几种问题：

1、采用传统方法制作出来的电磁铁能产生的磁场是有限的其能产生的磁场是有限的，工作范围小，磁场推动力不够，导致这种结构的磁悬浮装置对于某些磁性较弱的悬浮体产生不了足够的作用力，或是作用力很小，支撑悬浮高度不理想，且不够稳定，悬浮体很容易被一些很轻微的外力所倾斜，进而不稳定导致摇晃掉落；

2、在环形磁铁中央布设反向磁性的柱形磁铁，这种结构的磁悬浮装置虽然顾及了悬浮高度，但却给水平控制机构例如电磁铁的布置造成了空间障碍。也对其他靠近的金属电器产生很大的磁性干扰；

另外这种结构的磁悬浮装置在工作时电子元件热量温度很高，导致电磁铁无法发挥最大的性能，很大程度影响到本机底座的稳定性工作；

3、采用环形磁铁以形成水平双轴控制磁场，这种结构的磁悬浮装置容易受温度影响，无法形成足够的防侧翻能力，同时，虽然结构简单且悬浮稳定，但悬浮高度又不够理想。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：针对现有技术中的问题，提出一种悬浮效果好、工作稳定的多点式悬浮装置及控制方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种多点式悬浮装置，包括基座、悬浮体和控制电路，所述基座设有至少两个悬浮区，每个悬浮区均设有电磁组件和悬浮体传感器，所述悬浮体设有悬浮体磁组件，所述控制电路分别与所述电磁组件和悬浮体传感器连接，所述悬浮体传感器能够根据悬浮体磁组件产生使能信号，所述控制电路可根据所述使能信号对对应悬浮区的电磁组件进行使能控制，使悬浮体悬浮于对应悬浮区。

进一步的，所述电磁组件包括至少四个电磁铁，四个电磁铁沿圆周方向均匀分布，所述电磁铁远离所述悬浮体的一侧设有基座导磁体。

进一步的，所述电磁铁的上端设有聚磁片，所述电磁组件的底部设有垫片，所述垫片为非磁性材质，所述电磁铁的外侧围绕有永磁铁。

进一步的，还包括倾斜侦测传感器组，所述倾斜侦测传感器组设置于悬浮区中，所述倾斜侦测传感器组用于检测悬浮体的悬浮姿态。

进一步的，每个倾斜侦测传感器组包括至少四个倾斜侦测传感器，四个倾斜侦测传感器围绕所述悬浮体传感器均匀分布，每个倾斜侦测传感器均与所述控制电路连接。

进一步的，还包括温度传感器，所述温度传感器与所述控制电路连接。

进一步的，所述悬浮体磁组件包括永磁铁和导磁体，所述导磁体设置于所述永磁铁远离基座的一侧，所述永磁磁环面向所述永磁铁一侧的磁极与所述永磁铁面向所述永磁磁环一侧的磁极相同。

进一步的，所述悬浮体传感器为霍尔传感器，所述悬浮体传感器通过传感器支架与所述基座连接。

本发明还涉及一种多点式悬浮装置的控制方法，包括：悬浮体检测流程和悬浮体姿态检测流程，

所述悬浮体检测流程包括步骤：

对多个悬浮区进行循环侦测，若检测到悬浮体，则启动对应悬浮区的电磁组件；

所述悬浮体姿态检测流程包括步骤：

对悬浮区的悬浮体进行姿态检测，若检测到悬浮体姿态变化，则输出调整信号。

进一步的，在启动对应悬浮区的电磁组件的步骤之后，还包括悬浮体稳定控制流程，所述悬浮体稳定控制流程包括步骤：

输出增加功率强度的信号；

判断悬浮体姿态是否有变化，当悬浮体姿态没有变化时，输出降低功率强度的信号；

进入悬浮体姿态检测流程。

本发明的有益效果在于：提供了一种多点式悬浮装置，悬浮体可以在该悬浮装置覆盖范围内的多个点实现悬浮，通过悬浮装置的控制电路，可以实时检测悬浮体的位置并对悬浮体的前后左右偏移进行校正调整，有效防止悬浮体侧翻，保证了悬浮体悬浮的稳定性。

附图说明

下面结合附图详述本发明的具体结构及流程：

图1为本发明的多点式悬浮装置的剖面结构示意图；

图2为本发明的悬浮区布局结构示意图；

图3为本发明的控制电路结构示意图；

1-基座；11-电磁铁；12-基座导磁体；13-聚磁片；14-传感器支架；15-悬浮体传感器；16-垫片；

2-悬浮体；21-永磁铁；22-悬浮导磁体；23-悬浮体聚磁片。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

实施例1

请参阅图1至图3，一种多点式悬浮装置，包括基座1、悬浮体2和控制电路，所述基座1设有至少两个悬浮区，每个悬浮区均设有电磁组件和悬浮体传感器，所述悬浮体设有悬浮体磁组件，所述控制电路分别与所述电磁组件和悬浮体传感器连接，所述悬浮体传感器能够根据悬浮体磁组件产生使能信号，所述控制电路可根据所述使能信号对对应悬浮区的电磁组件进行使能控制，使悬浮体悬浮于对应悬浮区。

本实施例中，基座设有9个悬浮区，每个悬浮区均设有悬浮体传感器15，每个悬浮体传感器15均设置于对应悬浮区的中心位置。将悬浮体2放置在基座1的任意一个悬浮区上方时，对应悬浮区的悬浮体传感器15可通过悬浮体磁组件的磁场感应到悬浮体的存在，并向控制电路发送使能信号，控制电路包括MCU单片机、MOS驱动单元和9个电磁组件，MCU单片机与MOS驱动单元连接，MOS驱动单元分别与9个电磁组件连接，悬浮体传感器15与MCU单片机连接。

MCU单片机接收到悬浮体传感器15的使能信号后，控制MOS驱动单元驱动对应悬浮区的电磁组件开始工作，使电磁组件产生磁力，该磁力与悬浮体2的悬浮体磁组件产生磁斥力，从而平衡悬浮体的重力，使悬浮体2可悬浮在基座1对应的悬浮区。同时，基座1的其余悬浮区由于没感应到有悬浮体的存在，控制电路的MCU单片机对其余悬浮区的电磁组件进行断电处理，可以有效降低电能的消耗。

同时，MCU单片机可通过MOS驱动单元控制电磁组件的工作电流，实现对悬浮体高度的调节，也可以通过MOS驱动单元控制电磁组件的工作电流，实现将基座倒吊或竖直放置时，让悬浮物可在基座的悬浮区悬停。

从上述描述可知，本发明的有益效果在于：提供了一种多点式悬浮装置及控制方法，悬浮体可以在该悬浮装置覆盖范围内的多个点实现悬浮，通过悬浮装置的控制电路，可以实时检测悬浮体的位置并对悬浮体的前后左右偏移进行校正调整，有效防止悬浮体侧翻，保证了悬浮体悬浮的稳定性。

实施例2

在实施例1的基础上，所述电磁组件包括至少四个电磁铁，四个电磁铁沿圆周方向均匀分布，所述电磁铁远离所述悬浮体的一侧设有基座导磁体。

本实施例中，每个电磁组件包括4个电磁铁，9个悬浮区一共有16个电磁铁，16个电磁铁呈4X4的阵列设置，每4个电磁铁为一个电磁组件，每个电磁组件中间设置1个悬浮体传感器，即可在有限面积中实现设置更多的悬浮区。

在电磁铁远离所述悬浮体的一侧设置基座导磁体，可以进一步加强电磁铁靠近悬浮体一侧的磁场强度。

MOS驱动单元可对每个电磁铁进行单独驱动，使得多点式悬浮装置可对每个悬浮区的每个电磁铁进行单独微调，保证悬浮体的悬浮效果。

实施例3

在实施例2的基础上，所述电磁铁的上端设有聚磁片，所述电磁组件的底部设有垫片，所述垫片为非磁性材质，所述电磁铁的外侧围绕有永磁铁。

本实施例中，所述电磁铁11包括基材和线圈，所述线圈绕接于所述基材，所述线圈为铝基线、铜基线或超导线中的一种。所述基材可以采用铁氧体、钐钴合金、钕铁硼合金、铝镍钴或硅镍合金等磁铁材料，所述线圈的材质包括并不限于铝基线、铜基线以及超导线等。为了保证控制电路能够根据悬浮体传感器的使能信号对悬浮体进行精准控制，线圈的材质优选为超导线。

在电磁铁的上端设置聚磁片，可以稳定电磁铁上方的磁场分布，让磁场线更为集中，磁场强度更高。

电磁组件的底部的垫片可以方便电磁组件的安装，且避免电磁组件受到额外的磁场干扰，为了避免电磁组件受到额外的磁场干扰，垫片采用非磁性材质，垫片的材质包括并不限于铝材、碳钢、铜材、电木等非磁性材质，优选的，垫片为电木。

实施例4

在实施例3的基础上，还包括倾斜侦测传感器组，所述倾斜侦测传感器组设置于悬浮区中，所述倾斜侦测传感器组用于检测悬浮体的悬浮姿态。

本实施例中，外在因素有时会使悬浮体发生前后或左右的倾斜，导致悬浮可靠性降低，为了及时获取悬浮体的姿态状况，需要设置倾斜侦测传感器组对悬浮体的姿态进行实时监控。

实施例5

在实施例4的基础上，每个倾斜侦测传感器组包括至少四个倾斜侦测传感器，四个倾斜侦测传感器围绕所述悬浮体传感器均匀分布，每个倾斜侦测传感器均与所述控制电路连接。

本实施例中，采用四个倾斜侦测传感器，设置在悬浮体传感器前、后、左、右四个方向，可以有效对悬浮体的姿态进行检测，及时发现悬浮体是否偏离预设位置，以及确定悬浮体的偏离方向。

实施例6

在实施例5的基础上，还包括温度传感器，所述温度传感器与所述控制电路连接。

本实施例中，通过温度传感器，控制电路可以及时获取每个悬浮区的电子元器件的温度，并根据电子元器件的温度调节对应悬浮区的电磁铁的工作电流，让悬浮体能够一直处于最佳平衡状态。

实施例7

在实施例6的基础上，所述悬浮体磁组件包括永磁铁和导磁体，所述导磁体设置于所述永磁铁远离基座的一侧，所述永磁磁环面向所述永磁铁一侧的磁极与所述永磁铁面向所述永磁磁环一侧的磁极相同。

本实施例中，为了保证悬浮体可以在基座上方稳定悬停，在悬浮体的永磁铁远离基座的一侧设置悬浮导磁体，可以有效增加悬浮体靠近基座一侧的磁场强度。

另外在在悬浮体的永磁铁靠近基座的一侧设置悬浮体聚磁片，可以进一步稳定悬浮体的永磁铁下方的磁场分布，让磁场线更为集中，磁场强度更高。

实施例8

在实施例7的基础上，所述悬浮体传感器为霍尔传感器，所述悬浮体传感器通过传感器支架与所述基座连接。

本实施例中，在基座的每个悬浮区的中心设置传感器支架，传感器支架包括第一支架片和第二支架片，第一支架片和第二支架片相垂直，将悬浮体传感器设置于传感器支架的顶端，可以让悬浮体传感器更为接近悬浮体，对悬浮体的检测更为准确。优选的，每个悬浮体传感器的设置方向一致。

所述悬浮体传感器为霍尔传感器或电磁感应器。

本实施例以霍尔传感器为例进行说明，霍尔传感器可以将磁场的微小变化转化为微小的电压变化，当悬浮体的位置发生变化时，悬浮体传感器即可产生微小的变化电压，控制电路可根据该微小的变化电压驱动对应电路，使对应电路的电流流过电磁铁，使电磁铁产生变化的电磁场，保证悬浮体处于悬浮体传感器正上方的平衡位置。

具体的，控制电路还包括比较单元、运算放大单元和电流采样单元，其中MCU单片机分别与运算放大单元和电流采样单元连接，运算放大单元与比较单元连接，霍尔传感器分别与比较单元和电流采样单元连接，电流采样单元与电磁铁连接。

当悬浮体的位置发生变化时，磁场也会发生微小变化，霍尔传感器将磁场的微小变化转化为电压变化，同时电流采样单元也会检测到电流变化，比较单元包括比较器A和比较器B，当比较器A的比较结果高于比较器B的比较结果时，MCU单片机根据预设程序控制MOS驱动单元驱动对应的电磁铁，在电磁铁中产生从A至B方向的电流，电磁铁由此会产生一个由N到S的翻转磁场。同理，当比较器A的比较结果低于比较器B的比较结果时，MCU单片机根据预设程序控制MOS驱动单元驱动对应的电磁铁，在电磁铁中产生从B至A方向的电流，电磁铁由此会产生一个由N到S的翻转磁场，从而使电磁组件控制所述悬浮体处于稳定悬浮状态。

实施例9

本发明还涉及一种多点式悬浮装置的控制方法，包括：悬浮体检测流程和悬浮体姿态检测流程，

所述悬浮体检测流程包括步骤：

对多个悬浮区进行循环侦测，若检测到悬浮体，则启动对应悬浮区的电磁组件；

所述悬浮体姿态检测流程包括步骤：

对悬浮区的悬浮体进行姿态检测，若检测到悬浮体姿态变化，则输出调整信号，使悬浮体回到正常姿态。

本实施例中，多点式悬浮装置上电，系统初始化完成后进入待机状态，此时MCU单片机自第一悬浮体传感器到第九悬浮体传感器循环进行扫描，将获取到的电平信号与基准信号进行比较并放大，当某个悬浮体传感器的上方有悬浮体存在时，对应区域的悬浮体传感器让对应悬浮区的比较放大器输出高电平，此时MCU单片机经过与其他悬浮区的比较放大器输出的电平做比较，确定悬浮体存在的悬浮区，并启动该区域的电磁组件，使悬浮体能够悬浮于对应的悬浮区。

尔后系统进入悬浮体姿态检测流程。

悬浮体在悬浮区稳定悬停后，MCU单片机对悬停区域中的悬浮体传感器循环进行扫描，优选0.08us为一个循环周期进行扫描。

当其他外在的因素或人为的碰撞引起悬浮体的震动时，悬浮体下方的悬浮体传感器会产生相应的电平信号变化，该变化电平信号经过运算放大器放大，整形，滤波后输送给MCU单片机，MCU单片机根据该变化电平信号产生对应的控制信号，并通过MOS驱动单元控制电磁组件的驱动电流进行悬浮稳定或角度调整。

具体的，在某一时刻，悬浮体的悬浮位置高度大于系统内部设置的悬浮基准高度，此时悬浮体传感器输出的高度值大于高度基准值，MCU单片机将悬浮高度调整信号输出至MOS驱动单元，MOS驱动单元根据悬浮高度调整信号降低驱动电流，电磁组件得到的驱动电流减少后磁力减弱，悬浮体继而下降至与悬浮基准高度一致的高度，从而完成悬浮体姿态的高度调整流程。

同时，可配合倾斜传感器对悬浮体的偏移位置进行侦测，在悬浮体传感器前、后、左、右四个方向各设置一个倾斜传感器，倾斜传感器可检测到悬浮体偏移方向。

例如在某一时刻，由于外在因素使悬浮体发生前后或左右的倾斜，倾斜传感器产生相应的偏移电平信号，该偏移电平信号经过运算放大器放大，整形，滤波后输送给MCU单片机，MCU单片机将该偏移电平信号与系统内置的水平基准值比较，产生对应的倾斜纠正控制信号，将倾斜纠正控制信号输出至MOS驱动单元，MOS驱动单元根据倾斜纠正控制信号调整电磁组件的驱动电流，从而调整悬浮体的水平位置。

假设在T1时刻悬浮体向左边倾斜，左边的倾斜传感器输出电平信号，MCU单片机收到电平信号后与系统预设的水平基准值做比较，并产生对应的倾斜纠正控制信号，MCU单片机将倾斜纠正控制信号输出至MOS驱动单元，MOS驱动单元根据倾斜纠正控制信号调整驱动电流，以及微调电磁组件中每个电磁铁的工作电流，如提升左边电磁铁的工作电流以增强左边电磁铁的磁力强度，使悬浮体回归与水平基准值一致的水平位置，从而完成悬浮体的左侧倾斜纠正。同理，也可以降低右边电磁铁、前方电磁铁和后方电磁铁的工作电流，以降低三个电磁铁的磁力强度，使悬浮体回归与水平基准值一致的水平位置。

假设在T2时刻悬浮体向右边倾斜，右边的倾斜传感器输出的电平信号，MCU单片机收到电平信号后与系统预设的水平基准值做比较，并产生对应的倾斜纠正控制信号，MCU单片机将倾斜纠正控制信号输出至MOS驱动单元，MOS驱动单元根据倾斜纠正控制信号调整驱动电流，以及微调电磁组件中每个电磁铁的工作电流，如提升右边电磁铁的工作电流以增强右边电磁铁的磁力强度，使悬浮体回归与水平基准值一致的水平位置，从而完成悬浮体的右侧倾斜纠正。

假设在T3时刻悬浮体向前方倾斜，前方的倾斜传感器输出的电平信号，MCU单片机收到电平信号后与系统预设的水平基准值做比较，并产生对应的倾斜纠正控制信号，MCU单片机将倾斜纠正控制信号输出至MOS驱动单元，MOS驱动单元根据倾斜纠正控制信号调整驱动电流，以及微调电磁组件中每个电磁铁的工作电流，如提升前方电磁铁的工作电流以增强前方电磁铁的磁力强度，使悬浮体回归与水平基准值一致的水平位置，从而完成悬浮体的前方倾斜纠正。

假设在T4时刻悬浮体向后方倾斜，后方的倾斜传感器输出的电平信号，MCU单片机收到电平信号后与系统预设的水平基准值做比较，并产生对应的倾斜纠正控制信号，MCU单片机将倾斜纠正控制信号输出至MOS驱动单元，MOS驱动单元根据倾斜纠正控制信号调整驱动电流，以及微调电磁组件中每个电磁铁的工作电流，如提升后方电磁铁的工作电流以增强后方电磁铁的磁力强度，使悬浮体回归与水平基准值一致的水平位置，从而完成悬浮体的后方倾斜纠正。

实施例10

在实施例9的基础上，在启动对应悬浮区的电磁组件的步骤之后，还包括悬浮体稳定控制流程，所述悬浮体稳定控制流程包括步骤：

输出增加功率强度的信号；

判断悬浮体姿态是否有变化，当悬浮体姿态没有变化时，输出降低功率强度的信号；

进入悬浮体姿态检测流程。

本实施例中，由于悬浮体在刚放置在悬浮装置的上方时，由于操作者放置手法不稳定，会造成悬浮体处于倾斜、抖动等不稳定状态，此时悬浮体传感器输出的电平信号以及MCU单片机根据此时悬浮体传感器输出的电平信号运算出来的控制电平信号都不稳定，为了避免控制信号紊乱导致加剧悬浮体的不稳定，MCU单片机控制MOS驱动单元在基准高度驱动电流的基础上增加200ma的加载驱动电流，使悬浮体悬浮的高度比基准高度更高。

随后悬浮传感器输出的电平信号经过运算放大器放大，整形，滤波后输送给MCU单片机，MCU单片机将将该电平信号与系统内置的高度基准值及水平基准值相比较，等悬浮体稳定后，MCU单片机发出电流缓降指令信号，并输出至MOS驱动单元，MOS驱动单元根据电流缓降指令信号逐步降低电磁组件的驱动电流，电磁组件得到的驱动电流减少后磁力逐渐减弱，悬浮体继而下降至与悬浮基准高度一致的高度，至此完成悬浮体稳定控制流程，进入悬浮体姿态检测流程。

本发明还涉及一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任意一项所述方法的步骤。

示例性的，所述计算机程序可以被分割成一个或多个模块/单元，所述一个或者多个模块/单元被存储在所述存储器中，并由所述处理器执行，以完成本发明。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述所述计算机程序在所述上位机中的执行过程。

所称处理器可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，所述处理器是所述计算机设备的控制中心，利用各种接口和线路连接整个计算机设备的各个部分。

本发明还涉及一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任意一项所述的方法的步骤。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种多点式悬浮装置，其特征在于：包括基座、悬浮体和控制电路，所述基座设有至少两个悬浮区，每个悬浮区均设有电磁组件和悬浮体传感器，所述悬浮体设有悬浮体磁组件，所述控制电路分别与所述电磁组件和悬浮体传感器连接，所述悬浮体传感器能够根据悬浮体磁组件产生使能信号，所述控制电路可根据所述使能信号对对应悬浮区的电磁组件进行使能控制，使悬浮体悬浮于对应悬浮区。

2.如权利要求1所述的多点式悬浮装置，其特征在于：所述电磁组件包括至少四个电磁铁，四个电磁铁沿圆周方向均匀分布，所述电磁铁远离所述悬浮体的一侧设有基座导磁体。

3.如权利要求2所述的多点式悬浮装置，其特征在于：所述电磁铁的上端设有聚磁片，所述电磁组件的底部设有垫片，所述垫片为非磁性材质，所述电磁铁的外侧围绕有永磁铁。

4.如权利要求3所述的多点式悬浮装置，其特征在于：还包括倾斜侦测传感器组，所述倾斜侦测传感器组设置于悬浮区中，所述倾斜侦测传感器组用于检测悬浮体的悬浮姿态。

5.如权利要求4所述的多点式悬浮装置，其特征在于：每个倾斜侦测传感器组包括至少四个倾斜侦测传感器，四个倾斜侦测传感器围绕所述悬浮体传感器均匀分布，每个倾斜侦测传感器均与所述控制电路连接。

6.如权利要求5所述的多点式悬浮装置，其特征在于：还包括温度传感器，所述温度传感器与所述控制电路连接。

7.如权利要求6所述的多点式悬浮装置，其特征在于：所述悬浮体磁组件包括永磁铁和导磁体，所述导磁体设置于所述永磁铁远离基座的一侧，所述永磁磁环面向所述永磁铁一侧的磁极与所述永磁铁面向所述永磁磁环一侧的磁极相同。

8.如权利要求7所述的多点式悬浮装置，其特征在于：所述悬浮体传感器为霍尔传感器，所述悬浮体传感器通过传感器支架与所述基座连接。

9.一种多点式悬浮装置的控制方法，包括：悬浮体检测流程和悬浮体姿态所述悬浮体姿态检测流程包括步骤：

对悬浮区的悬浮体进行姿态检测，若检测到悬浮体姿态变化，则输出调整信号。

10.如权利要求9所述的多点式悬浮装置的控制方法，其特征在于：在启动对应悬浮区的电磁组件的步骤之后，还包括悬浮体稳定控制流程，所述悬浮体稳定控制流程包括步骤：

输出增加功率强度的信号；

判断悬浮体姿态是否有变化，当悬浮体姿态没有变化时，输出降低功率强度的信号；

进入悬浮体姿态检测流程。

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