CN112448127A - 片式天线 - Google Patents

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CN112448127A CN202010228018.2A CN202010228018A CN112448127A CN 112448127 A CN112448127 A CN 112448127A CN 202010228018 A CN202010228018 A CN 202010228018A CN 112448127 A CN112448127 A CN 112448127A
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赵诚男
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Abstract

本公开提供一种片式天线，所述片式天线包括：第一基板；第二基板，设置为与所述第一基板相对；第一贴片，设置在所述第一基板上，被配置为操作为馈电贴片；第二贴片，设置在所述第二基板上，被配置为操作为辐射贴片；插入构件，设置在所述第一基板和所述第二基板之间；以及屏蔽层，设置在所述插入构件的侧表面上。

Description

片式天线
本申请要求于2019年8月30日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0107437号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种片式天线。
背景技术
第五代(5G)通信系统可在高频带(mmWave)(例如，10GHz与100GHz之间)中实现以获得高数据传输速率。为了减少无线电波的损耗并且增加传输距离，已经在5G通信系统中考虑诸如波束形成、大规模的多输入多输出(MIMO)、全维度的多输入多输出(FD-MIMO)、阵列天线的实施、模拟波束形成和其它大规模天线技术的技术。
已经将移动通信终端(诸如支持无线通信的移动电话、个人数字助理(PDA)、导航装置、膝上型电脑等)设计为具有诸如码分多址(CDMA)、无线局域网(LAN)、数字多媒体广播(DMB)和近场通信(NFC)等的功能。实现这样的功能的主要组件之一是天线。
然而，由于在GHz频带中波长小至数毫米，因此可能难以在应用于5G通信系统的GHz频带中使用通用天线。因此，可期望能安装在移动通信装置上并且能在GHz频带中使用的小尺寸片式天线模块。
以上信息作为背景技术信息呈现以仅帮助理解本公开。至于以上内容中的任何内容是否可用作关于本公开的现有技术，没有做出确定，并且没有做出断言。
发明内容
提供本发明内容是为了以简化的形式介绍以下在具体实施方式中进一步描述的所选择的构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面中，一种片式天线包括：第一基板；第二基板，设置为与所述第一基板相对；第一贴片，设置在所述第一基板上，被配置为操作为馈电贴片；第二贴片，设置在所述第二基板上，被配置为操作为辐射贴片；插入构件，设置在所述第一基板和所述第二基板之间；以及屏蔽层，设置在所述插入构件的侧表面上。
所述屏蔽层可设置在所述插入构件的整个侧表面上。
所述屏蔽层可在所述插入构件的所述侧表面上沿所述插入构件的周向延伸。
所述插入构件的所述侧表面的一部分可暴露在所述屏蔽层的外部。
所述屏蔽层可在所述插入构件的所述侧表面上沿所述插入构件的厚度方向延伸。
所述第一贴片可设置在所述第一基板的与所述第二基板相对的一个表面上，并且所述第二贴片可设置在所述第二基板的与所述第一基板相对的一个表面上。
所述插入构件可包括设置在所述第一基板的所述一个表面和所述第二基板的所述一个表面上的间隔件和结合层中的一个或更多个。
所述屏蔽层可连接到地电位。
所述屏蔽层可与地电位绝缘以悬浮。
所述屏蔽层可包括以下项中的一个或更多个：从Cu、Ni、Ag、Sn和Au中选择的一种、包括Cu、Ni、Ag、Sn和Au中的两种或更多种的合金以及具有导电性的聚合物。
在另一总体方面中，一种片式天线包括：第一基板；第二基板，设置为与所述第一基板相对；第一贴片，设置在所述第一基板上，被配置为接收馈电信号；第二贴片，设置在所述第二基板上并耦合到所述第一贴片；第一屏蔽层，设置在所述第一基板的侧表面上；以及第二屏蔽层，设置在所述第二基板的侧表面上，其中，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层中的一个屏蔽层连接到地电位，并且另一屏蔽层与所述地电位绝缘以悬浮。
所述第一屏蔽层可设置在所述第一基板的整个侧表面上，并且所述第二屏蔽层可设置在所述第二基板的整个侧表面上。
所述第一屏蔽层可在所述第一基板的所述侧表面上沿所述第一基板的周向延伸，并且所述第二屏蔽层可在所述第二基板的所述侧表面上沿所述第二基板的周向延伸。
所述第一屏蔽层可在所述第一基板的所述侧表面上沿所述第一基板的厚度方向延伸，并且所述第二屏蔽层可在所述第二基板的所述侧表面上沿所述第二基板的厚度方向延伸。
所述第一屏蔽层可连接到所述地电位，并且所述第二屏蔽层可悬浮。
所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层中的每个可包括以下项中的一个或更多个：从Cu、Ni、Ag、Sn和Au中选择的一种、包括Cu、Ni、Ag、Sn和Au中的两种或更多种的合金以及具有导电性的聚合物。
间隔件和结合层中的一个或更多个可设置在所述第一基板和所述第二基板之间。
一种移动终端可包括设置为邻近于所述移动终端的边缘的片式天线。
在另一总体方面中，一种片式天线包括：第一基板；第二基板，设置为与所述第一基板相对并且通过插入构件与所述第一基板间隔开；第一贴片，设置在所述第一基板上，被配置为操作为馈电贴片；第二贴片，设置在所述第二基板上，被配置为电磁耦合到所述第一贴片；以及一个或更多个屏蔽层，设置在所述第一基板、所述第二基板和所述插入构件中的一个或更多个的相应侧表面上。
通过下面的具体实施方式、附图和权利要求，其它特征和方面将是显而易见的。
附图说明
图1是根据示例的片式天线模块的透视图。
图2A是图1中的片式天线模块的一部分的截面图。
图2B和图2C示出了图2A中的片式天线模块的变型示例。
图3A是图1中的片式天线模块的平面图。
图3B示出了图3A中的片式天线模块的变型示例。
图4A是根据第一示例的片式天线的透视图。
图4B是示出根据第一示例的片式天线的变型示例的透视图。
图4C是图4A中的片式天线的侧视图。
图4D是图4A中的片式天线的截面图。
图4E是图4A中的片式天线的仰视图。
图5A是根据第二示例的片式天线的透视图。
图5B是图5A中的片式天线的侧视图。
图5C是图5A中的片式天线的截面图。
图6、图7、图8和图9示出了根据各个示例的均包括屏蔽层的片式天线。
图10A和图10B示出了根据各个示例的屏蔽层的变型示例。
图11是示出其上安装有根据示例的片式天线模块的移动终端的示意性透视图。
在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供下面的具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本公开之后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改和等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本公开之后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对本领域中已知的特征的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例仅为示出在理解本公开之后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些。在下文中，尽管将参照附图详细描述本公开的实施例，但应注意的是示例不限于此。
在整个说明书中，当元件(诸如层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其它元件。如在此使用的，元件的“部分”可包括整个元件或少于整个元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一项和任意两项或更多项的任意组合；同样地，“……中的至少一个”包括相关所列项中的任意一项和任意两项或更多项的任意组合。
尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了便于描述，在此可使用诸如“在……上方”、“上面”、“在……下方”和“下面”的空间相关术语，以描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相关术语除了包含附图中描绘的方位之外还意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为相对于另一元件位于“上方”或“上面”的元件于是将相对于另一元件位于“下方”或“下面”。因此，术语“在……上方”根据装置的空间方位包括上方和下方两种方位。装置也可按照其它方式(例如，旋转90度或处于其它方位)定位，并且在此使用的空间相关术语将被相应地解释。
在此使用的术语仅用于描述各种示例，并不用于限制本公开。除非上下文另有明确说明，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包括”、“包含”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，附图中所示的形状可发生变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的具体形状，而是包括制造期间发生的形状的改变。
在此描述的示例的特征可按照在理解本公开后将是显而易见的各种方式进行组合。此外，尽管在此描述的示例具有各种构造，但是在理解本公开后将是显而易见的其它构造也是可行的。
在此，应注意的是，关于示例的术语“可”的使用(例如，关于示例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例，而所有示例不限于此。
本公开的一方面在于提供一种可减少以阵列形式布置的片式天线之间的干扰的片式天线。
根据在此公开的一个或更多个示例的片式天线模块在射频范围中操作。作为示例，片式天线模块可在3GHz或更高的频带中操作。此外，根据在此公开的一个或更多个示例的片式天线模块可安装在被构造为发送和接收射频(RF)信号的电子装置上。作为示例，片式天线可安装在移动电话、便携式膝上型电脑、车辆、无人机等或固定结构等上。
图1是根据示例的片式天线模块的透视图，图2A是图1中的片式天线模块的一部分的截面图，图2B和图2C示出了图2A中的片式天线模块的变型示例，图3A是图1中的片式天线模块的平面图，并且图3B示出了图3A中的片式天线模块的变型示例。
参照图1、图2A和图3A，根据示例的片式天线模块1包括基板10、电子器件50和片式天线100，并且还可包括端射天线200。一个或更多个电子器件50、多个片式天线100和多个端射天线200可设置在基板10上。
基板10可以是其上安装有片式天线100所需的电路或电子组件的电路基板。例如，基板10可以是表面上安装有一个或更多个电子组件的印刷电路板(PCB)。因此，基板10可包括使电子组件电连接的电路布线。基板10可实现为柔性基板、陶瓷基板、玻璃基板等。特别地，基板10可以是通过交替地层叠至少一个绝缘层17和至少一个布线层16形成的多层基板。至少一个布线层16可包括分别设置在基板10的一个表面和相对的表面上的两个外层以及设置在两个外层之间的至少一个内层。作为示例，绝缘层17可利用诸如半固化片、ABF(Ajinomoto Build-up Film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)等的绝缘材料形成。绝缘材料可以是诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性树脂、其中热固性树脂或热塑性树脂与无机填料一起浸渍在诸如玻璃纤维(玻璃布或玻璃织物)的芯材料中的树脂。在一些示例中，绝缘层17可利用感光绝缘树脂形成。
布线层16可使电子器件50、多个片式天线100和多个端射天线200彼此电连接。此外，布线层16可将多个电子器件50、多个片式天线100和多个端射天线200电连接到外部实体。
布线层16可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成。
一个或更多个布线过孔18可设置在绝缘层中，以使布线层16彼此连接。
片式天线100可安装在基板10的一个表面上，例如，在基板10的上表面上。片式天线100可具有在Y方向上延伸的宽度、在与Y方向相交(例如，垂直)的X方向上延伸的长度以及在Z方向上延伸的高度。如图1中所示，片式天线100可以以n×1的结构布置。多个片式天线100在X方向上布置，使得多个片式天线100中的在X方向上彼此相邻的两个片式天线100的宽度可彼此相对。
根据示例，片式天线100可以以n×m的结构布置。多个片式天线100可在X方向和Y方向上布置。在这种情况下，多个片式天线100中的彼此相邻的两个片式天线的长度可在Y方向上彼此相对，而多个片式天线100中的彼此相邻的两个片式天线的宽度可在X方向上彼此相对。
在X方向和Y方向中的至少一个方向上彼此相邻的片式天线100的中心可彼此间隔开λ/2(λ是由片式天线100发送和接收的RF信号的波长)。
当根据示例的片式天线模块1发送和接收20GHz至40GHz频带中的RF信号时，彼此相邻的片式天线100的中心可彼此间隔开3.75mm至7.5mm。当片式天线模块1发送和接收28GHz频带中的RF信号时，片式天线的中心可彼此间隔开5.36mm。
与第三代(3G)和/或第四代(4G)通信系统中使用的RF信号相比，就特性而言，5G通信系统中使用的RF信号具有更短的波长和更大的能量。因此，片式天线100需要具有足够的间隔距离以显著减少由片式天线100中的相应的片式天线发送和接收的RF信号之间的干扰。
根据示例，片式天线100的中心可以以λ/2被充分地彼此间隔开，以显著减少由片式天线100发送和接收的RF信号的干扰。因此，片式天线100可在5G通信系统中使用。
根据示例，彼此相邻的片式天线100的中心之间的间隔距离可小于λ/2。如稍后将描述的，片式天线100中的每个被构造为设置在陶瓷基板和陶瓷基板的一部分中的至少一个贴片。在这种情况下，陶瓷基板彼此隔开预定距离，或者在陶瓷基板之间设置介电常数比陶瓷基板的介电常数低的材料，使得片式天线100的总介电常数可降低。因此，可增大由片式天线100发送和接收的RF信号的波长以改善辐射效率和增益。因此，即使当相邻的片式天线100被布置为允许彼此相邻的片式天线100的中心之间的间隔距离小于RF信号的λ/2时，RF信号之间的干扰也可显著减少。当根据示例的片式天线模块1发送和接收28GHz频带中的RF信号时，彼此相邻的片式天线100的中心之间的间隔距离可小于5.36mm。
馈电焊盘16a可设置在基板10的上表面上以向片式天线100提供馈电信号。接地层16b设置在基板10的多个层中的任意一个内层中。作为示例，设置在最接近基板10的上表面的上层中的布线层16用作接地层16b。接地层16b操作为片式天线100的反射器。因此，接地层16b可在与定向方向相对应的Z方向上反射由片式天线100输出的RF信号以集中RF信号。
在图2A中，接地层16b示出为设置在最接近基板10的上表面的上层中。然而，根据示例，接地层16b可设置在基板10的上表面上并且可设置在其它层上。
此外，结合到片式天线100的顶焊盘16c设置在基板10的上表面上。电子器件50可安装在基板10的相对表面上，例如，下表面上。电连接到电子器件50的底焊盘16d设置在基板10的下表面上。
绝缘保护层19可设置在基板10的下表面上。绝缘保护层19以在基板10的下表面上覆盖绝缘层17和布线层16的形式设置，并且保护设置在绝缘层17的下表面上的布线层16。作为示例，绝缘保护层19可包括绝缘树脂和无机填料。绝缘保护层19可具有使布线层16的至少一部分暴露的开口。电子器件50可通过设置在开口中的焊球安装在底焊盘16d上。
图2B和图2C示出了图2A中的片式天线模块的变型示例。
根据图2B和图2C中的示例的片式天线模块与图2A中的片式天线模块相似，因此可省略重复的描述并且将主要描述差异。
参照图2B，基板10包括：至少一个布线层1210b；至少一个绝缘层1220b；布线过孔1230b，连接到至少一个布线层1210b；连接焊盘1240b，连接到布线过孔1230b；以及阻焊层1250b。基板10可具有与铜重新分布层(RDL)的结构相似的结构。片式天线100可设置在基板10的上表面上。
集成电路芯片(IC)1301b、电源管理集成芯片(PMIC)1302b和多个无源组件1351b、1352b和1353b可通过焊球1260b安装在基板的下表面上。IC 1301b对应于用于操作片式天线模块1的IC。PMIC 1302b产生电力并且产生的电力可通过基板10的至少一个布线层1210b发送到IC 1301b。
多个无源组件1351b、1352b和1353b可为IC 1301b和/或PMIC 1302b提供阻抗。例如，多个无源组件1351b、1352b和1353b可包括诸如多层陶瓷电容器(MLCC)的电容器、电感器和片式电阻器中的至少一部分。
参照图2C，基板10可包括至少一个布线层1210a、至少一个绝缘层1220a、布线过孔1230a、连接焊盘1240a以及阻焊层1250a。
电子组件封装件安装在基板10的下表面上。电子组件封装件可包括：IC 1300a；包封剂1305a，密封IC 1300a的至少一部分；支撑构件1355a，具有与IC 1300a相对的第一侧表面；至少一个布线层1310a，电连接到IC 1300a和支撑构件1355a；以及连接构件，包括绝缘层1280a。
由IC 1300a产生的RF信号可通过至少一个布线层1310a发送到基板10，以在片式天线模块1的上表面的方向上发送。由片式天线模块1接收的RF信号可通过至少一个布线层1310a发送到IC 1300a。
电子组件封装件还可包括连接焊盘1330a，连接焊盘1330a设置在IC 1300a的一个表面和/或另一表面(例如，与一个表面相对的另一表面)上。设置在IC 1300a的一个表面上的连接焊盘1330a可电连接到至少一个布线层1310a，而设置在IC 1300a的另一表面上的连接焊盘1330a可通过底布线层1320a电连接到支撑构件1355a或芯镀覆构件1365a。芯镀覆构件1365a可为IC 1300a提供接地。
支撑构件1355a可包括芯介电层1356a和贯穿芯介电层1356a并且电连接到底布线层1320a的至少一个芯过孔1360a。至少一个芯过孔1360a可电连接到电连接结构1340a(诸如，焊球、引脚和焊盘)。因此，支撑构件1355a从基板10的下表面接收基础信号或电力以通过至少一个布线层1310a将基础信号或电力发送到IC 1300a。
IC 1300a可使用基础信号和/或电力来产生毫米波(mmWave)频带中的RF信号。例如，IC 1300a接收具有低频的基础信号，并且执行基础信号的频率转换、放大、滤波相位控制和电力生成。IC 1300a可形成为化合物半导体(例如，GaAs)和硅半导体中的一种，以实现高频特性。电子组件封装件还可包括电连接到至少一个布线层1310a的无源组件1350a。无源组件1350a可设置在通过支撑构件1355a提供的容纳空间1306a中。无源组件1350a可包括陶瓷电容器(例如，多层陶瓷电容器(MLCC))、电感器和片式电阻器中的至少一部分。
电子组件封装件可包括设置在支撑构件1355a的侧表面上的芯镀覆构件1365a和1370a。芯镀覆构件1365a和1370a可为IC 1300a提供接地，并且可使IC 1300a的热量散发到其外部或去除流入IC 1300a中的噪声。
电子组件封装件的除了连接构件之外的构造中的每个和连接构件可独立制造并然后彼此组合，但可根据设计一起制造。在图2C中，电子组件封装件示出为通过电连接结构1290a和阻焊层1285a与基板10组合。然而，根据示例，可省略电连接结构1290a和阻焊层1285a。
参照图3A，片式天线模块1还可包括至少一个端射天线200。每个端射天线200可包括端射天线图案210、导向器图案215和端射馈线220。
端射天线图案210可在侧表面的方向上发送或接收RF信号。端射天线图案210可设置在基板10的侧表面中，并且可以以偶极形式或以折叠偶极(folded dipole)形式提供。导向器图案215可电磁耦合到端射天线图案210，以改善多个端射天线图案210的增益或带宽。端射馈线220可将从端射天线图案210接收的RF信号发送到电子器件或IC，并且可将从电子器件或IC接收的RF信号发送到端射天线图案210。
如图3B中所示，利用图3A的布线图案形成的端射天线200可实现为芯片形式的端射天线200。
参照图3B，每个端射天线200包括主体部230、辐射单元240和接地单元250。
主体部230可具有六面体形状，并且利用介电物质形成。例如，主体部230可利用具有预定介电常数的聚合物或陶瓷烧结材料形成。
辐射单元240结合到主体部230的第一表面，并且接地单元250结合到主体部230的与第一表面相对的第二表面。辐射单元240和接地单元250可利用相同的材料形成。辐射单元240和接地单元250可利用从Ag、Au、Cu、Al、Pt、Ti、Mo、Ni和W中选择的一种或者利用两种或更多种形成的合金形成。辐射单元240和接地单元250可形成为具有相同的形状或相同的结构。辐射单元240和接地单元250可根据当安装在基板10上时要结合的焊盘的类型划分。作为示例，结合到馈电焊盘的部分可用作辐射单元240，结合到接地焊盘的部分可用作接地单元250。
由于芯片形式的端射天线200因辐射单元240与接地单元250之间的介电物质而具有电容，因此可使用电容设计耦合天线或者可使用电容调谐谐振频率。
通常，在基板中需要多个层使得以图案形式实现在多层板内的贴片天线确保足够的天线特性。然而，这引起贴片天线的体积显著增大，这可通过在多层板内部设置具有高介电常数的绝缘体、绝缘体的厚度减小并且天线图案的尺寸和厚度减小的方法来解决。
然而，当绝缘体的介电常数增大时，RF信号的波长可缩短以使RF信号被具有高介电常数的绝缘体阻隔。因此，RF信号的辐射效率和增益可显著下降。
根据示例，通常以图案的形式在多层板中实现的贴片天线可以以芯片形式实现，以使其上安装有片式天线的基板的层数显著减少。作为结果，可减小根据示例的片式天线模块1的制造成本和体积。
此外，根据示例，设置在片式天线100中的陶瓷基板的介电常数可形成为高于设置在基板10中的绝缘层的介电常数，以实现片式天线100的小型化。
此外，可将片式天线100的陶瓷基板彼此间隔开预定距离，或者可在陶瓷基板之间设置介电常数比陶瓷基板的介电常数低的材料。因此，片式天线100的总介电常数可降低以增加RF信号的波长，同时使片式天线100小型化。作为结果，可改善辐射效率和增益。“片式天线100的总介电常数”指的是由片式天线100的陶瓷基板和陶瓷基板之间的间隙形成的介电常数，或者是由片式天线100的陶瓷基板和设置在陶瓷基板之间的材料形成的介电常数。因此，当片式天线100的陶瓷基板彼此间隔开预定距离或者在陶瓷基板之间设置介电常数比陶瓷基板的介电常数低的材料时，片式天线100的总介电常数可低于陶瓷基板的介电常数。
图4A是根据第一示例的片式天线的透视图，图4B是示出根据第一示例的片式天线的变型示例的透视图，图4C是图4A中的片式天线的侧视图，图4D是图4A中的片式天线的截面图，并且图4E是图4A中的片式天线的仰视图。
参照图4A、图4B、图4C和图4D，根据第一示例的片式天线100包括第一陶瓷基板110a、第二陶瓷基板110b和第一贴片120a，并且可包括第二贴片120b和第三贴片120c中的至少一个。例如，片式天线100可包括第一贴片120a和第二贴片120b、第一贴片120a和第三贴片120c、或第一贴片120a、第二贴片120b和第三贴片120c。
第一贴片120a可利用平板形式的具有恒定面积的金属形成。作为示例，第一贴片120a可具有四边形形状。然而，根据示例，第一贴片可具有各种形状，诸如，多边形形状、圆形形状等。第一贴片120a可连接到馈电过孔131，以运行和操作为馈电贴片。
第二贴片120b和第三贴片120c与第一贴片120a间隔开预定距离，并且可利用平板形式的具有恒定面积的金属形成。第二贴片120b和第三贴片120c可具有与第一贴片120a的面积相同或不同的面积。作为示例，第二贴片120b和第三贴片120c可形成为具有比第一贴片120a的面积小的面积，并且可设置在第一贴片120a的上方的上部中。作为示例，第二贴片120b和第三贴片120c可形成为比第一贴片120a小5％至8％。作为示例，第一贴片120a、第二贴片120b和第三贴片120c中的每个贴片可具有20μm(微米)的厚度。
第二贴片120b和第三贴片120c可电磁耦合到第一贴片120a，以运行和操作为辐射贴片。第二贴片120b和第三贴片120c可使RF信号在与片式天线100的安装方向相对应的Z方向上进一步集中，以改善第一贴片120a的增益或带宽。片式天线100可包括用作辐射贴片的第二贴片120b和第三贴片120c中的至少一个。
第一贴片120a、第二贴片120b和第三贴片120c可利用从Ag、Au、Cu、Al、Pt、Ti、Mo、Ni、W中选择的一种或者两种或更多种形成的合金形成。此外，第一贴片120a、第二贴片120b和第三贴片120c可利用导电膏或导电环氧树脂形成。
根据示例，镀层可沿着第一贴片120a、第二贴片120b和第三贴片120c中的每个的表面另外形成以具有杆形状。镀层可通过镀覆工艺形成在第一贴片120a、第二贴片120b和第三贴片120c中的每个的表面上。镀层可通过顺序地层叠镍(Ni)层和锡(Sn)层或者通过顺序地层叠锌(Zn)层和锡(Sn)层而形成。根据示例，镀层可利用从铜(Cu)、镍(Ni)和锡(Sn)中选择的一种或者其两种或更多种形成的合金形成。
镀层可形成在第一贴片120a、第二贴片120b和第三贴片120c中的每个上，以防止第一贴片120a、第二贴片120b和第三贴片120c的氧化。此外，镀层可沿着稍后将描述的馈电焊盘130、结合焊盘140和间隔件150的表面形成。
第一陶瓷基板110a可利用具有预定介电常数的介电物质形成。作为示例，第一陶瓷基板110a可利用具有立方体形状的陶瓷烧结材料形成。第一陶瓷基板110a可包括镁(Mg)、硅(Si)、铝(Al)、钙(Ca)和钛(Ti)。作为示例，第一陶瓷基板110a可包括Mg2SiO4、MgAl2O4和CaTiO3。作为另一示例，第一陶瓷基板110a除了Mg2SiO4、MgAl2O4和CaTiO3之外还可包括MgTiO3。根据示例，由MgTiO3代替CaTiO3，并且因此，第一陶瓷基板110a可包括Mg2SiO4、MgAl2O4和MgTiO3。
当片式天线模块1的接地层16b与片式天线100的第一贴片120a之间的距离对应于λ/10至λ/20时，接地层16b可将由片式天线100输出的RF信号在定向方向上有效地反射。
当接地层16b设置在基板10的上表面上时，片式天线模块1的接地层16b与片式天线100的第一贴片120a之间的距离基本上等于第一陶瓷基板110a的厚度和结合焊盘140的厚度的总和。
因此，第一陶瓷基板110a的厚度可根据接地层16b与第一贴片120a之间的设计距离(λ/10至λ/20)来确定。作为示例，第一陶瓷基板110a的厚度可对应于λ/10至λ/20的90％至95％。作为示例，当第一陶瓷基板110a在28GHz下的介电常数为5至12时，第一陶瓷基板110a的厚度可以是150μm至500μm。
第一贴片120a设置在第一陶瓷基板110a的一个表面上，并且馈电焊盘130设置在第一陶瓷基板110a的另一表面(例如，与一个表面相对的另一表面)上。至少一个馈电焊盘130可设置在第一陶瓷基板110a的另一表面上。馈电焊盘130可具有20μm的厚度。
设置在第一陶瓷基板110a的另一表面上的馈电焊盘130可电连接到设置在基板10的一个表面上的馈电焊盘16a。馈电焊盘130可电连接到在厚度方向上贯穿第一陶瓷基板110a的馈电过孔131，并且馈电过孔131可向设置在第一陶瓷基板110a的一个表面上的第一贴片120a提供馈电信号。可设置至少一个馈电过孔131。作为示例，可设置两个馈电过孔131以对应于两个馈电焊盘130。两个馈电过孔131中的一个馈电过孔131可对应于用于产生竖直极化的馈电线，另一馈电过孔131可对应于用于产生水平极化的馈电线。馈电过孔131可具有150μm的直径。结合焊盘140设置在第一陶瓷基板110a的另一表面上。设置在第一陶瓷基板110a的另一表面上的结合焊盘140可结合到设置在基板10的一个表面上的顶焊盘16c。作为示例，片式天线100的结合焊盘140可通过焊膏结合到基板10的顶焊盘16c。结合焊盘140可具有20μm的厚度。
参照图4E的A，可设置多个结合焊盘140，并且多个结合焊盘140可设置在第一陶瓷基板110a的另一表面上的四边形形状的各个角上。
参照图4E的B，多个结合焊盘140可在第一陶瓷基板110a的另一表面上沿着四边形形状的一边和与一边相对的另一边设置，以彼此间隔开预定距离。
参照图4E的C，多个结合焊盘140可在第一陶瓷基板110a的另一表面上沿着四边形形状的四条单独的边设置，以彼此间隔开。
参照图4E的D，结合焊盘140可在第一陶瓷基板110a的另一表面上设置在四边形形状的一边和与一边相对的另一边中的每个上，以分别具有与一边和另一边相对应的长度。
参照图4E的E，结合焊盘140可在第一陶瓷基板110a的另一表面上沿着四边形形状的四条单独的边设置，以具有沿着每个边的与四条单独的边相对应的长度。
在图4E的A、B和C中，结合焊盘140中的每个示出为具有四边形形状。然而，根据示例，结合焊盘140中的每个可具有各种形状，诸如，圆形。在图4E的A、B、C、D和E中，结合焊盘140示出为与四边形形状的四条边相邻地设置。然而，根据示例，结合焊盘140可被设置为与四条边间隔开预定距离。
第二陶瓷基板110b可利用具有预定介电常数的介电物质形成。作为示例，第二陶瓷基板110b可利用具有与第一陶瓷基板110a的形状类似的六面体形状的陶瓷烧结材料形成。第二陶瓷基板110b的介电常数可等于第一陶瓷基板110a的介电常数。然而，根据示例，第二陶瓷基板110b的介电常数可与第一陶瓷基板110a的介电常数不同。作为示例，第二陶瓷基板110b的介电常数可高于第一陶瓷基板110a的介电常数。根据示例，当第二陶瓷基板110b的介电常数高于第一陶瓷基板110a的介电常数时，RF信号可朝向具有高介电常数的第二陶瓷基板110b辐射，以改善RF信号的增益。
第二陶瓷基板110b的厚度可小于第一陶瓷基板110a的厚度。例如，第一陶瓷基板110a的厚度可对应于第二陶瓷基板110b的厚度的1至5倍，并且例如可以是第二陶瓷基板110b的厚度的2至3倍。作为示例，第一陶瓷基板110a的厚度可以是150μm至500μm，并且第二陶瓷基板110b的厚度可以是100μm至200μm。例如，第二陶瓷基板110b的厚度可以是50μm至200μm。根据示例，第二陶瓷基板110b的厚度可等于第一陶瓷基板110a的厚度。
根据示例，根据第二陶瓷基板110b的厚度，第二贴片120b和第三贴片120c之间的适当距离以及第一贴片120a和第三贴片120c之间的适当距离被保持以改善RF信号的辐射效率。
第一陶瓷基板110a的介电常数和第二陶瓷基板110b的介电常数可高于基板10的介电常数(例如，设置在基板10中的绝缘层17的介电常数)。作为示例，第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b的介电常数在28GHz下可以是5至12，而基板10的介电常数在28GHz下可以是3至4。因此，可减小片式天线的体积，以实现整个片式天线模块的小型化。作为示例，根据示例的片式天线100可以以具有3.4mm的长度、3.4mm的宽度和0.64mm的高度的小芯片的形式来制造。当片式天线以4×1的阵列的形式布置时，根据示例的片式天线模块1可被制造为具有19mm的长度、4.0mm的宽度和1.04mm的高度的小尺寸模块。第二贴片120b设置在第二陶瓷基板110b的另一表面上，并且第三贴片120c设置在第二陶瓷基板110b的一个表面上。
第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b可通过间隔件150彼此间隔开。例如，间隔件150可在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b之间设置在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b的每个角上。根据示例，间隔件150可在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b之间设置在包括第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b的一边和面对一边的另一边的两边上。参照图4B，间隔件150可设置在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b的四条边上。例如，间隔件150中的每个可具有四边形形状。在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b之间的间隔件150中的每个可设置有形成在其中的中空部分，以在其中央容纳第一贴片120a和第二贴片120b。设置在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b的四条边中的一些边上的间隔件150可将第二陶瓷基板110b稳定地支撑在第一陶瓷基板110a上。通过间隔件，设置在第一陶瓷基板110a的一个表面上的第一贴片120a与设置在第二陶瓷基板110b的另一表面上的第二贴片120b之间可形成间隙。当介电常数为1的空气填充通过间隙形成的空间时，片式天线100的总介电常数可降低。
根据示例，第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b可利用介电常数高于基板10的介电常数的材料形成，以使片式天线模块小型化。另外，可在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b之间形成间隙以减小片式天线100的总介电常数，并且因此，可改善辐射效率和增益。
图5A是根据第二示例的片式天线的透视图，图5B是图5A中的片式天线的侧视图，并且图5C是图5A中的片式天线的截面图。由于根据第二示例的片式天线类似于根据第一示例的片式天线，因此可省略进一步重复的描述并且将主要描述差异。
根据第一示例的片式天线100的第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b通过间隔件150彼此间隔开，然而根据第二示例的片式天线100的第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b通过结合层155彼此结合。根据第二示例的结合层155可设置在由根据第一示例的第一陶瓷基板110a与第二陶瓷基板110b之间的间隙形成的空间中。
结合层155可形成为覆盖第一陶瓷基板110a的一个表面和第二陶瓷基板110b的另一表面，并且因此，可将第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b整体地彼此结合。作为示例，结合层155可利用聚合物形成。作为示例，聚合物可包括聚合物片。结合层155的介电常数可比第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b的介电常数低。作为示例，结合层155的介电常数在28GHz下可以是2至3。结合层155可具有50μm至200μm的厚度。
根据示例，第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b可利用介电常数高于基板10的介电常数的材料形成，以使片式天线模块小型化。可在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b之间设置介电常数低于第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b的介电常数的材料，以降低片式天线100的总介电常数。作为结果，可改善辐射效率和增益。
图6、图7、图8和图9示出了根据各个示例的均包括屏蔽层的片式天线。由于根据图6、图7、图8和图9的示例的片式天线类似于根据图4A中示出的第一示例的片式天线和根据图5A中示出的第二示例的片式天线，因此将省略重复的描述并且将主要描述差异。
参照图6和图7，片式天线100可包括第一屏蔽层SH1和第二屏蔽层SH2。参照图8，片式天线100可包括第三屏蔽层SH3。参照图9，片式天线100可包括第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3。
当片式天线100以诸如n×1的结构的阵列布置时，第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3可减少片式天线100之间的干扰。
第一屏蔽层SH1可形成在第一陶瓷基板110a的侧表面上，第二屏蔽层SH2可形成在第二陶瓷基板110b的侧表面上，并且第三屏蔽层SH3可形成在设置在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b之间的插入构件110c的侧表面上。
插入构件110c可以是设置在图4B中示出的示例的均具有四边形形状的第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b的四条边上的间隔件150和/或图5A中示出的示例的结合层155。
第一陶瓷基板110a、第二陶瓷基板110b和插入构件110c的侧表面对应于第一陶瓷基板110a、第二陶瓷基板110b和插入构件110c的在Z方向上延伸的表面。
第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3可利用导电材料形成。例如，导电材料可包括金属或具有导电性的聚合物。导电材料的金属可包括从Cu、Ni、Ag、Sn、Au中选择的一种或者利用两种或更多种形成的合金。
导电材料可通过浸渍工艺、涂覆工艺、镀覆工艺或溅射工艺设置在第一陶瓷基板110a、第二陶瓷基板110b和插入构件110c的侧表面的整体或一部分上，以形成第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3。第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3中的每个可具有0.1μm至20μm的厚度。
第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3可连接到地电位。当第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3连接到地电位时，在除对应于定向方向的Z方向之外的X方向或Y方向上辐射的RF信号可被有效地屏蔽，以有效地减少片式天线100之间的干扰。例如，第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3可从基板10的接地层16b接收地电位。
另外，第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3可与地电位绝缘以悬浮。当第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3悬浮时，可引导RF信号在Z方向上的辐射路径。
在图6和图7的示例中，第一屏蔽层SH1和第二屏蔽层SH2中的一个可连接到地电位，并且另一屏蔽层可从地电位悬浮。
作为示例，第一屏蔽层SH1可连接到地电位，并且第二屏蔽层SH2可悬浮。第一屏蔽层SH1可连接到地电位，以在与X方向或Y方向相对应的水平方向上有效地辐射通过操作为馈电贴片的第一贴片120a发送和接收的RF信号。第二屏蔽层SH2可悬浮以引导通过操作为辐射贴片的第二贴片120b发送和接收的RF信号的辐射路径。
由于第一屏蔽层SH1设置为比第二屏蔽层SH2更靠近基板10的提供地电位的接地层16b，因此将第一屏蔽层SH1连接到地电位并且使第二屏蔽层SH2悬浮对于片式天线100的制造是有利的。
然而，图6和图7的示例不限于第一屏蔽层SH1连接到地电位并且第二屏蔽层SH2悬浮。根据示例，第一屏蔽层SH1可悬浮并且第二屏蔽层SH2可连接到地电位。另外，第一屏蔽层SH1和第二屏蔽层SH2二者都可悬浮，或者第一屏蔽层SH1和第二屏蔽层SH2二者都可连接到地电位。
在图6和图7中，片式天线100示出为包括第一屏蔽层SH1和第二屏蔽层SH2两者。然而，根据示例，片式天线100可选择性地包括第一屏蔽层SH1或第二屏蔽层SH2。
在图8的示例中，第三屏蔽层SH3可连接到地电位或者可与地电位绝缘以悬浮。
根据此示例，第三屏蔽层SH3形成在设置在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b之间的插入构件110c的侧表面上。因此，第三屏蔽层SH3可改善通过设置在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b之间的第一贴片120a和第二贴片120b发送和接收的RF信号的辐射效率。
在图9的示例中，第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3可彼此连接。因此，第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3可全部悬浮，或者第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3可全部连接到地电位。
在图9中，片式天线100示出为包括第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3的全部。然而，根据示例，片式天线100可包括第一屏蔽层SH1和第三屏蔽层SH3而不包括第二屏蔽层SH2，或者片式天线100可包括第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3而不包括第一屏蔽层SH1。
参照图6、图7、图8和图9，第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3中的每个可形成在第一陶瓷基板110a、第二陶瓷基板110b和插入构件110c中的每个的整个侧表面上。根据示例，第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3中的每个可分别形成在第一陶瓷基板110a、第二陶瓷基板110b和插入构件110c中的每个的侧表面的一部分上。
提供图10A和图10B以描述根据各个示例的屏蔽层的变型示例。
在图10A和图10B中，第一屏蔽层SH1、第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3的结构彼此相似。因此，为了便于描述，现在将集中于第一屏蔽层SH1来描述本公开的屏蔽层的变型示例。然而，将理解的是，稍后将描述的第一屏蔽层SH1的描述可应用于第二屏蔽层SH2和第三屏蔽层SH3。
在示例中，第一屏蔽层SH1可形成在第一陶瓷基板110a的侧表面上的在第一陶瓷基板110a的沿周向的一部分中。术语“周向”可理解为在由X和Y方向确定的平面上朝向第一陶瓷基板110a的形状的边缘的方向。参照图10A，当第一陶瓷基板110a形成为具有四边形形状时，第一屏蔽层SH1可形成在第一陶瓷基板110a的沿Y方向延伸的侧表面中的一个表面上。
在示例中，第一屏蔽层SH1可形成在第一陶瓷基板110a的在厚度方向上的一部分上。作为示例，参照图10B，第一屏蔽层SH1可形成在第一陶瓷基板110a的在Z方向上的侧表面的一部分上。
图11是示出其上安装有根据示例的片式天线模块的移动终端的示意性透视图。
参照图11，示例的片式天线模块1设置为邻近于移动终端的边缘。作为示例，片式天线模块1设置为在长度方向上的边或在宽度方向上的边上彼此相对。在此示例中，通过示例的方式描述了将片式天线模块设置在移动终端的在长度方向上的两边和在宽度方向上的一边上的情况，但示例不限于此。当移动终端的内部空间不足时，可仅在移动终端的对角线方向上设置两个片式天线模块。如上所述，可根据需要以各种形式修改片式天线模块的布置结构。通过片式天线模块1的片式天线辐射的RF信号可在移动终端的厚度方向上辐射。通过片式天线模块1的端射天线辐射的RF信号可在垂直于移动电话的在长度方向上的边或垂直于移动电话的在宽度方向上的边的方向上辐射。
如上所述，根据示例，可减少以阵列形式布置的片式天线之间的干扰以改善辐射效率。
尽管上面已经示出和描述了具体示例，但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式和细节上的各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性的含义，而不是出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其它示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或电路中的组件和/或由其它组件或它们的等同物替换或补充描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物来限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的所有变化将被解释为包括在本公开中。

Claims (20)

1.一种片式天线，包括：
第一基板；
第二基板，设置为与所述第一基板相对；
第一贴片，设置在所述第一基板上，被配置为操作为馈电贴片；
第二贴片，设置在所述第二基板上，被配置为操作为辐射贴片；
插入构件，设置在所述第一基板和所述第二基板之间；以及
屏蔽层，设置在所述插入构件的侧表面上。
2.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述屏蔽层设置在所述插入构件的整个侧表面上。
3.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述屏蔽层在所述插入构件的所述侧表面上沿所述插入构件的周向延伸。
4.根据权利要求3所述的片式天线，其中，所述插入构件的所述侧表面的一部分暴露在所述屏蔽层的外部。
5.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述屏蔽层在所述插入构件的所述侧表面上沿所述插入构件的厚度方向延伸。
6.根据权利要求5所述的片式天线，其中，所述插入构件的所述侧表面的一部分暴露在所述屏蔽层的外部。
7.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述第一贴片设置在所述第一基板的与所述第二基板相对的一个表面上，并且所述第二贴片设置在所述第二基板的与所述第一基板相对的一个表面上。
8.根据权利要求7所述的片式天线，其中，所述插入构件包括设置在所述第一基板的所述一个表面和所述第二基板的所述一个表面上的间隔件和结合层中的一个或更多个。
9.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述屏蔽层连接到地电位。
10.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述屏蔽层与地电位绝缘以悬浮。
11.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述屏蔽层包括以下项中的一个或更多个：从Cu、Ni、Ag、Sn和Au中选择的一种、包括Cu、Ni、Ag、Sn和Au中的两种或更多种的合金以及具有导电性的聚合物。
12.一种片式天线，包括：
第一基板；
第二基板，设置为与所述第一基板相对；
第一贴片，设置在所述第一基板上，被配置为接收馈电信号；
第二贴片，设置在所述第二基板上并耦合到所述第一贴片；
第一屏蔽层，设置在所述第一基板的侧表面上；以及
第二屏蔽层，设置在所述第二基板的侧表面上，
其中，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层中的一个屏蔽层连接到地电位，并且另一屏蔽层与所述地电位绝缘以悬浮。
13.根据权利要求12所述的片式天线，其中，所述第一屏蔽层设置在所述第一基板的整个侧表面上，并且所述第二屏蔽层设置在所述第二基板的整个侧表面上。
14.根据权利要求12所述的片式天线，其中，所述第一屏蔽层在所述第一基板的所述侧表面上沿所述第一基板的周向延伸，并且
所述第二屏蔽层在所述第二基板的所述侧表面上沿所述第二基板的周向延伸。
15.根据权利要求12所述的片式天线，其中，所述第一屏蔽层在所述第一基板的所述侧表面上沿所述第一基板的厚度方向延伸，并且
所述第二屏蔽层在所述第二基板的所述侧表面上沿所述第二基板的厚度方向延伸。
16.根据权利要求12所述的片式天线，其中，所述第一屏蔽层连接到所述地电位，并且所述第二屏蔽层悬浮。
17.根据权利要求12所述的片式天线，其中，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层中的每个包括以下项中一个或更多个：从Cu、Ni、Ag、Sn和Au中选择的一种、包括Cu、Ni、Ag、Sn和Au中的两种或更多种的合金以及具有导电性的聚合物。
18.根据权利要求12所述的片式天线，所述片式天线还包括设置在所述第一基板和所述第二基板之间的间隔件和结合层中的一个或更多个。
19.一种移动终端，包括根据权利要求1至18中的任一项所述的片式天线，其中，所述片式天线设置为邻近于所述移动终端的边缘。
20.一种片式天线，包括：
第一基板；
第二基板，设置为与所述第一基板相对并且通过插入构件与所述第一基板间隔开；
第一贴片，设置在所述第一基板上，被配置为操作为馈电贴片；
第二贴片，设置在所述第二基板上，被配置为电磁耦合到所述第一贴片；以及
一个或更多个屏蔽层，设置在所述第一基板、所述第二基板和所述插入构件中的一个或更多个的相应侧表面上。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11018418B2 (en) * 2018-01-31 2021-05-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Chip antenna and chip antenna module including the same
KR102257930B1 (ko) * 2019-08-13 2021-05-28 삼성전기주식회사 칩 안테나
KR102211746B1 (ko) * 2019-08-30 2021-02-03 삼성전기주식회사 칩 안테나
KR102603106B1 (ko) * 2019-09-04 2023-11-15 삼성전기주식회사 어레이 안테나
KR20210105513A (ko) * 2020-02-19 2021-08-27 삼성전기주식회사 고주파 모듈
KR20220006784A (ko) * 2020-07-09 2022-01-18 삼성전기주식회사 안테나 모듈
WO2022019351A1 (ko) * 2020-07-22 2022-01-27 엘지전자 주식회사 안테나 모듈을 구비하는 전자 기기
US11870156B2 (en) * 2020-11-26 2024-01-09 Analog Devices International Unlimited Company Printed phased array antennas with extended scan range
CN113410638B (zh) * 2021-05-19 2023-02-14 华南理工大学 基于超表面的双极化宽带毫米波滤波天线及通信设备
US20230066814A1 (en) * 2021-09-02 2023-03-02 Apple Inc. System packaging for millimeter wave antennas

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003283239A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Mitsubishi Electric Corp アンテナ装置
US20160049723A1 (en) * 2014-08-13 2016-02-18 International Business Machines Corporation Wireless communications package with integrated antennas and air cavity
CN108879114A (zh) * 2017-05-16 2018-11-23 华为技术有限公司 集成天线封装结构和终端
US20180342470A1 (en) * 2017-05-23 2018-11-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6154176A (en) * 1998-08-07 2000-11-28 Sarnoff Corporation Antennas formed using multilayer ceramic substrates
DE102008048289B3 (de) 2008-09-22 2010-03-11 Kathrein-Werke Kg Mehrschichtige Antennenanordnung
KR101163419B1 (ko) 2009-10-16 2012-07-12 (주)파트론 하이브리드 패치 안테나
US10454174B2 (en) * 2016-05-10 2019-10-22 Novatel Inc. Stacked patch antennas using dielectric substrates with patterned cavities
US10763566B2 (en) * 2017-07-20 2020-09-01 Apple Inc. Millimeter wave transmission line structures
US11233336B2 (en) * 2019-02-08 2022-01-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Chip antenna and chip antenna module including the same
US11223100B2 (en) * 2019-03-25 2022-01-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Chip antenna
KR102211746B1 (ko) * 2019-08-30 2021-02-03 삼성전기주식회사 칩 안테나

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003283239A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Mitsubishi Electric Corp アンテナ装置
US20160049723A1 (en) * 2014-08-13 2016-02-18 International Business Machines Corporation Wireless communications package with integrated antennas and air cavity
CN108879114A (zh) * 2017-05-16 2018-11-23 华为技术有限公司 集成天线封装结构和终端
US20180342470A1 (en) * 2017-05-23 2018-11-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same

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