CN112259431A - 一种基于位置补偿的靶台工位控制方法 - Google Patents

一种基于位置补偿的靶台工位控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112259431A
CN112259431A CN202011106230.8A CN202011106230A CN112259431A CN 112259431 A CN112259431 A CN 112259431A CN 202011106230 A CN202011106230 A CN 202011106230A CN 112259431 A CN112259431 A CN 112259431A
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
control method
station
station control
motor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011106230.8A
Other languages
English (en)
Inventor
刘海财
李晨冉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Scintillation Section Zhongkexin Electronic Equipment Co ltd
Original Assignee
Beijing Scintillation Section Zhongkexin Electronic Equipment Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Scintillation Section Zhongkexin Electronic Equipment Co ltd filed Critical Beijing Scintillation Section Zhongkexin Electronic Equipment Co ltd
Priority to CN202011106230.8A priority Critical patent/CN112259431A/zh
Publication of CN112259431A publication Critical patent/CN112259431A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及用于离子注入机的靶台工位控制方法。本发明提供了一种基于位置补偿的靶台工位控制方法，该靶台工位控制方法具有控制精度高、成本低的优点。当该靶台工位控制方法应用于离子注入机时，可精确控制靶台工位，属于半导体领域。

Description

一种基于位置补偿的靶台工位控制方法
技术领域
本发明涉及一种基于位置补偿的靶台工位控制方法，应用在离子注入机。
背景技术
离子注入是一种为了获得某种期望的特性而对基体材料进行掺杂的技术。在源腔体中对某种元素比如硼、磷、砷等原子进行电离，这些粒子表现出一定的电性。引出电极系统将这些带电粒子从源腔体中引出，形成离子束，根据工艺需求，，离子束经过质量分析器进行筛选粒子，筛选后的离子束经过加速管，使这些带电粒子具有一定的速度和能量。具有一定速度和能量的带电粒子进入靶室，射入靶台上夹持的工件。
特殊地，本特种离子注入机的靶台具有多个功能，包括装载工件、检测束流强度、束流注入、实验功能。靶台的这些功能与靶台的工位相关的，靶台的靶盘用来夹持工件，当工件面向束流时，是注入位。靶台的靶盘面向靶室腔室门时，是装载位。靶台的一侧石墨盖板面向束流时，是法拉第位，用于检测束流强度。靶台另一侧面石墨盖板面向束流时，是实验位。
发明内容
本发明设计了一种基于位置补偿的靶台工位控制方法，可精确地控制靶台工位切换，应用在离子注入机。
本发明的一种基于位置补偿的靶台工位控制方法，包括工控机、运动控制器、驱动器、电机、电机编码器、减速器、同步带、靶台。
本发明具有如下显著优点：
1.应用了位置补偿器402，本发明靶台工位控制方法精度高。
2.节省了负载侧位置传感器，本发明靶台工位控制方法成本低。
3.靶台工位控制方法简单、可靠。
附图说明
图1为应用本发明的离子注入机系统结构图
图2a为根据本发明的一个实施方式的靶台装载工位图
图2b为根据本发明的一个实施方式的靶台实验工位图
图2c为根据本发明的一个实施方式的靶台注入工位图
图2d为根据本发明的一个实施方式的靶台法拉第工位图
图3为根据本发明的一个实施方式的靶台工位控制结构图
图4为根据本发明的一个实施方式的靶台工位控制原理图
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本发明，本发明的较佳实施例图示在附图中。提供实施例是为了使揭示的内容更加透彻和完整。但不作为对本发明的限定。
图1为应用本发明的离子注入机系统结构图，离子源101产生工艺所需的带电粒子，引出电极102将带电粒子从源腔体中引出，形成离子束，离子束经过质量分析器103，筛选出所需粒子，粒子经过加速管104进行加速，获得一定的速度和能量。离子束进入靶室105，射入靶台107靶盘108上的工件109。工件109的装载和卸载通过靶室腔室门106。
图2a为本发明实施例的靶台装载工位图，靶盘108面向靶室腔室门106，靶室腔室门106打开，工件109通过靶室腔室门106装载在靶盘108上。
图2b为本发明实施例的靶台实验工位图，此时靶台107的一侧石墨盖板201面向束流203来向。
图2c为本发明实施例的靶台注入工位图，此时工件109面向束流203来向。
图2d为本发明实施例的靶台法拉第工位图，此时石墨盖板202面向束流203来向。
图3为本发明实施例的靶台工位控制结构图，电机301输出轴联接减速器303，在减速器303上通过键联接主动轮304，主动轮304通过同步带307驱动从动轮305，从动轮305与靶台工位轴306刚性联接。
图4为本发明实施例的靶台工位控制原理图，根据工艺需要在工控机401下发工位指令，位置补偿器402通过对当前的302编码器位置进行位置补偿，将补偿后的位置下发给运动控制器403，运动控制器403将指令发给驱动器404，驱动器404驱动电机301运动到补偿后的位置。通过验证，应用位置补偿器的靶台工位控制方法对工位的控制具有较高的位置精度。
本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本发明专利的侵犯，将承担相应的法律责任。

Claims (7)

1.一种基于位置补偿的靶台工位控制方法，可高精度切换靶台工位。该靶台工位控制方法包括：工控机，用于工位指令的输入，位置补偿器，用于补偿实际靶台位置，将补偿后的位置下发给运动控制器，运动控制器，将补偿位置路径规划，向驱动器下发指令，驱动器，用于驱动电机运动，电机，用于驱动靶台工位切换，光电编码器，用于检测工位电机当前位置。
2.如权利要求1所述的一种基于位置补偿的靶台工位控制方法，其所述工控机具有一定的抗振动、抗干扰能力，并且支持以太网硬件连接。
3.如权利要求1所述的一种基于位置补偿的靶台工位控制方法，其所述位置补偿器具有与靶台相关的参数，在靶台安装完成后需要一次校准以确定位置补偿器的相关参数。
4.如权利要求1所述的一种基于位置补偿的靶台工位控制方法，其所述运动控制器具有一定的性能特征，具有较高的控制环路更新频率，与驱动器之间的通信速率较快。
5.如权利要求1所述的一种基于位置补偿的靶台工位控制方法，其所述驱动器具有一定的性能特征，具有光电编码器硬件接口，较高的控制环路更新频率，与运动控制器之间的通信速率较快。
6.如权利要求1所述的一种基于位置补偿的靶台工位控制方法，其所述电机为有刷电机，也可以是其他伺服电机。
7.如权利要求1所述的一种基于位置补偿的靶台工位控制方法，其所述光电编码器具有较高的分辨率，且具有一定的抗干扰、抗潮湿能力。
CN202011106230.8A 2020-10-14 2020-10-14 一种基于位置补偿的靶台工位控制方法 Pending CN112259431A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011106230.8A CN112259431A (zh) 2020-10-14 2020-10-14 一种基于位置补偿的靶台工位控制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011106230.8A CN112259431A (zh) 2020-10-14 2020-10-14 一种基于位置补偿的靶台工位控制方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112259431A true CN112259431A (zh) 2021-01-22

Family

ID=74243710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011106230.8A Pending CN112259431A (zh) 2020-10-14 2020-10-14 一种基于位置补偿的靶台工位控制方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112259431A (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5432352A (en) * 1993-09-20 1995-07-11 Eaton Corporation Ion beam scan control
CN1208245A (zh) * 1997-01-17 1999-02-17 易通公司 离子注入机的剂量控制
EP1046881A1 (en) * 1999-04-19 2000-10-25 Applied Materials, Inc. Alignment and handover calibration with hole shadows and ion implanter with e-chuck and gripper
CN2788352Y (zh) * 2005-04-22 2006-06-14 北京中科信电子装备有限公司 晶片定位装置
CN1851867A (zh) * 2005-04-22 2006-10-25 北京中科信电子装备有限公司 一种离子注入均匀性控制系统及控制方法
CN2891271Y (zh) * 2006-03-17 2007-04-18 北京中科信电子装备有限公司 离子注入机晶圆定位控制系统
CN101000870A (zh) * 2006-01-13 2007-07-18 北京中科信电子装备有限公司 控制离子注入的方法和装置
US20080073576A1 (en) * 2006-08-18 2008-03-27 Axcelis Technologies Inc. Deposition reduction system for an ion implanter
JP2010126803A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Eiko Engineering Co Ltd スパッタリング用マルチターゲット装置
CN104298219A (zh) * 2013-07-18 2015-01-21 北京中科信电子装备有限公司 一种监测电机电机控制终端是否到位的方法与装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5432352A (en) * 1993-09-20 1995-07-11 Eaton Corporation Ion beam scan control
CN1208245A (zh) * 1997-01-17 1999-02-17 易通公司 离子注入机的剂量控制
EP1046881A1 (en) * 1999-04-19 2000-10-25 Applied Materials, Inc. Alignment and handover calibration with hole shadows and ion implanter with e-chuck and gripper
CN2788352Y (zh) * 2005-04-22 2006-06-14 北京中科信电子装备有限公司 晶片定位装置
CN1851867A (zh) * 2005-04-22 2006-10-25 北京中科信电子装备有限公司 一种离子注入均匀性控制系统及控制方法
CN101000870A (zh) * 2006-01-13 2007-07-18 北京中科信电子装备有限公司 控制离子注入的方法和装置
CN2891271Y (zh) * 2006-03-17 2007-04-18 北京中科信电子装备有限公司 离子注入机晶圆定位控制系统
US20080073576A1 (en) * 2006-08-18 2008-03-27 Axcelis Technologies Inc. Deposition reduction system for an ion implanter
JP2010126803A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Eiko Engineering Co Ltd スパッタリング用マルチターゲット装置
CN104298219A (zh) * 2013-07-18 2015-01-21 北京中科信电子装备有限公司 一种监测电机电机控制终端是否到位的方法与装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7601619B2 (en) Method and apparatus for plasma processing
CN101061563B (zh) 经改进的扫描离子注入期间的离子束利用
KR100485534B1 (ko) 고-에너지 이온 주입기용 연속 가변 개구
CN100456427C (zh) 控制离子注入的方法和装置
CN1322538C (zh) 具有包括可调传动限制缝隙的分隔墙的靶腔的离子注入机
CN108372355B (zh) 一种实现梯度材料制备的电子束熔丝增材制造装置及方法
CN101015034A (zh) 基于等离子体的离子注入的法拉第剂量和均匀度监测器
CN109997210B (zh) 快动遮蔽运动式双轴可变宽度的质量解析孔径
KR20070084347A (ko) 주사된 이온 주입 중 선량 균일도의 개선
KR100479375B1 (ko) 이온 주입기에서 가변 개구를 작동하기 위한 방법 및 시스템
CN112259431A (zh) 一种基于位置补偿的靶台工位控制方法
CN1997260A (zh) 一种电子直线加速器及其使用方法
KR101819972B1 (ko) 입자 가속기의 빔 전하량 극대화 장치 및 이를 이용한 입자 가속기의 빔 전하량 극대화 방법
CN104871101A (zh) 用于材料切除地加工工件的方法
US20190311876A1 (en) Charged Particle Radiation Device
CN110726894A (zh) 一种用于多按键电子设备的自动测试装置及方法
CN108971312B (zh) 一种柔性板料电磁成形系统
TWI404107B (zh) 使用折射方法決定離子束平行度
CN113571402B (zh) 离子注入装置及离子注入方法
CN112259430A (zh) 一种高精度引出电极位置控制装置及方法
KR100691404B1 (ko) 비선형 이온 후가속 장치 및 이를 이용한 질량분석 시스템
Cho et al. System identification method based on a disturbance observer using symmetric reference trajectories in PMLSM-based motion systems
CN115036244A (zh) 基底处理设备
CN109013820B (zh) 柔性板料电磁成形系统
Emery et al. A low fluctuation control strategy for PMSM direct drive system targeting Particle Beam Instrumentation Application

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination