CN112151927A - 一种双脊波导4路功率合成放大器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种双脊波导4路功率合成放大器，包括壳体，以及功率放大模块，配置有用于信号传输的微带传输线；输入信号功分组件，通过该微带传输线与该功率放大模块输入端连接；输出信号合成组件，通过该微带传输线与该功率放大模块输出端连接；该输入信号功分组件和该输出信号合成组件均包括信号分合结构；所述信号分合结构包括第一脊波导和第二脊波导，该第一脊波导的端部与该第二脊波导中部信号连接，该第二脊波导的端部通过该微带传输线与该功率放大模块信号连接。本发明在6‑18GHz频率范围内，能够解决现有微带合成与同轴径向合成方案合成链路损耗大，整机布局难度大的问题，实现功率合成放大器的小型化，便于整机外围电路的设计。

Description

一种双脊波导4路功率合成放大器

技术领域

本发明涉及功率合成放大器技术领域，具体而言，涉及一种双脊波导4路功率合成放大器。

背景技术

目前业内对于6-18GHz这个频段的功率放大器的处理方式通常都是采用平面微带的功分器或者合成器对多个放大器芯片进行功率合成，这种合成方式在单个功放模块单元中芯片的数量通常不会超过2片，主要是6-18GHz频率范围的工作带宽太宽，单个功放模块内集成的微带功分器和合成器在宽带良好匹配的条件下，微带传输线的长度都较长，从而导致合成链路损耗较大，影响合成效率；并且当系统输出功率要求进一步提高，需要多个功放模块单元再次进行合成时，常规的办法是采用同轴径向合成器对单个功放模块再次进行功率合成，该单个功放模块内部含微带功分器、微带合成器以及多个MMIC，这种情况下，单个功放模块与同轴径向合成器的互联方式通常是通过同轴电缆互联，这种条件下使用的同轴电缆有幅相一致性的要求，换言之多路合成所采用的电缆长度必须一致，并且对于输出端采用的同轴电缆通常还有功率容量的要求；而大功率容量的同轴电缆通常直径都在5mm以上，以16路芯片合成为例，其具体方案是先2个芯片用微带合成作为一个功放模块单元，再以8路同轴径向的方式进行总的功率合成，则8个功放模块单元的整机布局将直接影响到最终电缆的长度以及走线布局，最终在合成链路中的损耗一般都高达2dB以上，并且整机设计难度较大。

发明内容

本发明的目的包括提供一种双脊波导4路功率合成放大器，其针对双脊波导4路功率合成放大器而设计，在6-18GHz频率范围内，能够解决现有微带合成与同轴径向合成方案合成链路损耗大，整机布局难度大的问题，实现功率合成放大器的小型化，便于整机外围电路的设计。

本发明的实施例通过以下技术方案实现：

一种双脊波导4路功率合成放大器，包括壳体，以及功率放大模块，配置有用于信号传输的微带传输线；输入信号功分组件，通过该微带传输线与该功率放大模块输入端连接；输出信号合成组件，通过该微带传输线与该功率放大模块输出端连接；该输入信号功分组件和该输出信号合成组件均包括信号分合结构；所述信号分合结构包括第一脊波导和第二脊波导，该第一脊波导的端部与该第二脊波导中部信号连接，该第二脊波导的端部通过该微带传输线与该功率放大模块信号连接。

在本发明的一实施例中，还包括同轴线传输件，连接该第一脊波导与该第二脊波导，用于射频信号在该第一脊波导与该第二脊波导之间的同轴传输。

在本发明的一实施例中，所述第二脊波导包括第一中间层腔块，配置有第一脊棱；第二中间层腔块，配置有第二脊棱，该第一脊棱与该第二脊棱相对设置，该第一脊棱与该第二脊棱构成该第二脊波导的导体脊；U形槽，包括上U形槽和下U形槽，该上U形槽配置于所述壳体一内壁，该下U形槽配置于该壳体另一内壁；该上U形槽和该下U形槽关于该导体脊镜面对称，该上U形槽和该下U形槽构成该第二脊波导的空气腔体。

在本发明的一实施例中，所述第二中间层腔块配置为一对第二中间层腔子块，该对第二中间层腔子块关于所述第一脊棱中部对称设置。

在本发明的一实施例中，所述同轴线传输件配置为同轴探针。

在本发明的一实施例中，所述第二脊波导包括第一中间层腔块，配置有第一脊棱；第二中间层腔块，配置有第二脊棱，该第一脊棱与该第二脊棱相对设置，该第一脊棱与该第二脊棱构成该第二脊波导的导体脊；U形槽，包括上U形槽和下U形槽，该上U形槽配置于所述壳体一内壁，该下U形槽配置于该壳体另一内壁；该上U形槽和该下U形槽关于该导体脊镜面对称，该上U形槽和该下U形槽构成该第二脊波导的空气腔体；所述同轴探针，一端与该第一脊棱中部连接，另一端与该第一脊波导端部连接。

在本发明的一实施例中，所述微带传输线的自由端固定于所述第二脊棱。

在本发明的一实施例中，所述第一脊棱配置有阶梯阻抗变换结构。

在本发明的一实施例中，所述阶梯阻抗变换结构配置有若干级阶梯，相邻两级阶梯之间配置有过渡圆角。

在本发明的一实施例中，所述第一中间层腔块，表面配置有凸起部；所述壳体包括上腔体和下腔体，该上腔体内壁与该下腔体内壁配置有凹陷部，该凹陷部用于容置该凸起部。

在本发明的一实施例中，所述第二中间层腔块配置为一对第二中间层腔子块，该对第二中间层腔子块关于所述同轴探针对称设置。

本发明实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果：

本发明实施例通过在第一脊波导与功率放大模块之间设置第二脊波导，对于输入信号功分组件，该第一脊波导与壳体的信号输入端口连通，该第一脊波导为双脊波导结构，该第二脊波导也配置为双脊波导结构，功率放大模块的输入端、输出端配置有微带传输线，该微带传输线的自由端与该第二脊波导的输出端信号连接。当射频输入信号经过该第一脊波导的双脊波导传输后，该射频输入信号传输至该第二脊波导，利用该第二脊波导实现射频输入信号的功率分配，即实现射频输入信号的一分二，经过第二双脊波导传输的后，该射频输入信号传输至该微带传输线，经过微带线传输至功率放大模块。同理，对于输出信号合成组件，功率放大模块放大后的射频输出信号经微带传输线传输至第二脊波导，利用该第二脊波导实现射频输出信号的功率合成，即实现射频信号的二分一，功率合成后的射频输出信号从第二脊波导传输至第一脊波导，经过第一脊波导的双脊波导传输至壳体的信号输出端口。本发明通过第二脊波导实现第一脊波导与功率放大模块之间的信号连接，与现有技术相比，本技术方案省去了同轴径向合成器与功率放大模块之间同轴电缆连接，对于功率合成放大器整机设计言，能避免对电缆严苛的使用要求的考虑，解决现有微带合成与同轴径向合成方案合成链路损耗大，整机布局难度大的问题，而且也保留了双脊波导的体积优势，保留了双脊波导可与标准端口互联的优势，有利于实现功率合成放大器的小型化，便于整机外围电路的设计。本技术方案通过双脊波导-双脊波导的变换结构，利用不同传输线间的差异性，提高功放模块内部功分端四端口间的隔离度，提高功放模块内部合成端四端口的端口隔离度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明的结构示意图；

图2为本发明省略上腔体时的结构示意图；

图3为本发明省略上腔体时的俯视图；

图4为本发明中下腔体时的结构示意图；

图5为本发明中第一中间层腔块时的结构示意图；

图6为本发明中上腔体的结构示意图；

图7为本发明HFSS仿真的S11回波损耗曲线图；

图8为本发明HFSS仿真的背靠背插入损耗S21图；

图9为本发明HFSS仿真的驻波参数VSWR图。

图标：1-上腔体，11-VC均热板安装槽，12-凹陷部，2-下腔体，3-功率放大模块，31-微带传输线，4-第一脊波导，41-第一上脊，42-第一下脊，51-第一中间层腔块，511-第一脊棱，512-凸起部，52-第二中间层腔块，521-第二脊棱，522-凹陷部，531-上U形槽，532-下U形槽，6-同轴探针。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“设置”、“安装”、“配置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

目前业内对于6-18GHz这个频段的功率放大器的处理方式通常都是采用平面微带的功分器或者合成器对多个放大器芯片进行功率合成，这种合成方式在单个功放模块单元中芯片的数量通常不会超过2片，主要是6-18GHz频率范围的工作带宽太宽，单个功放模块内集成的微带功分器和合成器在宽带良好匹配的条件下，微带传输线的长度都较长，从而导致合成链路损耗较大，影响合成效率；并且当系统输出功率要求进一步提高，需要多个功放模块单元再次进行合成时，常规的办法是采用同轴径向合成器对单个功放模块再次进行功率合成，该单个功放模块内部含微带功分器、微带合成器以及多个MMIC，这种情况下，单个功放模块与同轴径向合成器的互联方式通常是通过同轴电缆互联，这种条件下使用的同轴电缆有幅相一致性的要求，换言之多路合成所采用的电缆长度必须一致，并且对于输出端采用的同轴电缆通常还有功率容量的要求；而大功率容量的同轴电缆通常直径都在5mm以上，以16路芯片合成为例，其具体方案是先2个芯片用微带合成作为一个功放模块单元，再以8路同轴径向的方式进行总的功率合成，则8个功放模块单元的整机布局将直接影响到最终电缆的长度以及走线布局，最终在合成链路中的损耗一般都高达2dB以上，并且整机设计难度较大。

请参照图1至图6，一种双脊波导4路功率合成放大器，包括壳体，以及功率放大模块3，配置有用于信号传输的微带传输线31；输入信号功分组件，通过该微带传输线31与该功率放大模块3输入端连接；输出信号合成组件，通过该微带传输线31与该功率放大模块3输出端连接；该输入信号功分组件和该输出信号合成组件均包括信号分合结构；所述信号分合结构包括第一脊波导4和第二脊波导，该第一脊波导4的端部与该第二脊波导中部信号连接，该第二脊波导的端部通过该微带传输线31与该功率放大模块3信号连接。

为了实现6-18GHz频率范围内的宽带多路功率合成放大器的小型化，便于整机外围电路的设计，本技术方案中的双脊波导4路功率合成放大器包括壳体、功率放大模块3、输入信号功分组件和输出信号合成组件，壳体包括上腔体1和下腔体2，该上腔体1扣合于该下腔体2，壳体包括信号输入端口和信号输出端口。功率放大模块3配置有2组，每组功率放大模块3中配置有若干用于射频信号功率放大的芯片，每组功率放大模块3中的芯片利用微带传输线31连接，每组功率放大模块3的微带传输线31汇总后延伸出2个自由端，即信号输入端和信号输出端。输入信号功分组件和输出信号合成组件为镜像对称结构，输入信号功分组件与单组功率放大模块3的输入端信号连接，输出信号合成组件与单组功率放大模块3的输出端信号连接。输入信号功分组件与输出信号合成组件均包括信号分合结构；所述信号分合结构包括第一脊波导4和第二脊波导，该第一脊波导4的端部与该第二脊波导中部信号连接，该第二脊波导的端部通过该微带传输线31与该功率放大模块3信号连接，该第一脊波导4配置为双脊波导，包括第一上脊41和第一下脊42，为了实现对信号输入端口的输入信号进行阻抗匹配，本技术方案在第一脊棱511配置有阶梯阻抗变换结构，该阶梯阻抗变换结构配置有若干级阶梯，为了使第一下脊42中相邻两级阶梯间的信号过渡更加平稳，相邻两级阶梯之间配置有过渡圆角。所述第二脊波导包括第一中间层腔块51、第二中间层腔块52和U形槽，第一中间层腔块51、第二中间层腔块52均配置于上腔体1与下腔体2之间。第一中间层腔块51，配置有第一脊棱511，本实施例中，该第一中间层腔块51为方形板件，该方形板件中相对的一对侧边配置为第一脊棱511，该方形板件中相对的另一对侧边分别安装1组功率放大模块3；第二中间层腔块52，配置有第二脊棱521，该第一脊棱511与该第二脊棱521相对设置，该第一脊棱511与该第二脊棱521构成该第二脊波导的导体脊。为了便于第一脊棱511上阻抗变换阶梯的加工，本技术方案中第一中间层腔块51与第二中间层腔块52采用分体式结构，二者采用螺栓连接实现拼接，通过将第一中间层腔块51与第二中间层腔块52分别加工，便于第一脊棱511上阻抗变换阶梯的加工；U形槽，包括上U形槽531和下U形槽532，该上U形槽531配置于所述壳体一内壁，该下U形槽532配置于该壳体另一内壁；该上U形槽531和该下U形槽532关于该导体脊镜面对称，该上U形槽531和该下U形槽532构成该第二脊波导的空气腔体。由于壳体包括上腔体1和下腔体2，该上U形槽531配置于上腔体1内壁时，该下U形槽532配置于下腔体2内壁。

需要说明的是，第一脊波导4部与第二脊波导部采用空气波导腔实现信号连接，即在第一脊波导4部与第二脊波导之间设置一个波导结构，为了给该波导结构的设置让位，本技术方案将第二中间层腔块52配置为一对第二中间层腔子块，该对第二中间层腔子块关于所述第一脊棱511中部对称设置，该对第二中间层腔子块中间的间隙即为第一脊波导4部与第二脊波导之间的波导结构。

与现有技术相比，本技术方案通过在第一脊波导4与功率放大模块3之间设置第二脊波导，对于输入信号功分组件，该第一脊波导4与壳体的信号输入端口连通，该第一脊波导4为双脊波导结构，该第二脊波导也配置为双脊波导结构，功率放大模块3的输入端、输出端配置有微带传输线31，该微带传输线31的自由端与该第二脊波导的输出端信号连接。当射频输入信号经过该第一脊波导4的双脊波导传输后，该射频输入信号传输至该第二脊波导，利用该第二脊波导实现射频输入信号的功率分配，即实现射频输入信号的一分二，经过第二双脊波导传输的后，该射频输入信号传输至该微带传输线31，经过微带线传输至功率放大模块3。同理，对于输出信号合成组件，功率放大模块3放大后的射频输出信号经微带传输线31传输至第二脊波导，利用该第二脊波导实现射频输出信号的功率合成，即实现射频信号的二分一，功率合成后的射频输出信号从第二脊波导传输至第一脊波导4，经过第一脊波导4的双脊波导传输至壳体的信号输出端口。本发明通过第二脊波导实现第一脊波导4与功率放大模块3之间的信号连接，与现有技术相比，本技术方案省去了同轴径向合成器与功率放大模块之间同轴电缆连接，对于功率合成放大器整机设计言，能避免对电缆严苛的使用要求的考虑，解决现有微带合成与同轴径向合成方案合成链路损耗大，整机布局难度大的问题，而且也保留了双脊波导的体积优势，保留了双脊波导可与标准端口互联的优势，有利于实现功率合成放大器的小型化，便于整机外围电路的设计。本技术方案通过双脊波导-双脊波导的变换结构，利用不同传输线间的差异性，提高功放模块内部功分端四端口间的隔离度，提高功放模块内部合成端四端口的端口隔离度。

需要说明的是，在同层芯片间，为了避免因腔体平面缝隙的信号泄露而引发自激震荡现象，所述第一中间层腔块51，表面配置有凸起部512；所述壳体包括上腔体1和下腔体2，该上腔体1内壁与该下腔体2内壁配置有凹陷部52212，该凹陷部52212用于容置该凸起部512。本实施例中，该第一中间层腔块51的两个大面积端面各配置有一个凸起部512，以分别对应上腔体1的凹陷部52212和下腔体2的凹陷部52212。在装配上腔体1、第一中间层腔块51和下腔体2时，将第一中间层腔块51的一个凸起部512放至下腔体2内壁的凹陷部52212，使第一中间层腔块51的一大面积端面与下腔体2内壁贴合，再将上腔体1扣合与下腔体2，使上腔体1内壁的凹陷部52212与第一中间层腔块51的一个凸起部512配合，且第一中间层腔块51的另一大面积端面与上腔体1内壁贴合。通过第一中间层腔块51分别于上腔体1、下腔体2采用凹凸式配合结构，使得上腔体1内壁、下腔体2内壁均能贴合于第一中间层腔块51表面，避免腔体平面缝隙的信号泄露。

在某些实施例中，还包括同轴线传输件，连接该第一脊波导4与该第二脊波导，用于射频信号在该第一脊波导4与该第二脊波导之间的同轴传输。所述同轴线传输件配置为同轴探针6。如果第一脊波导4与第二脊波导之间采用波导信号连接，输出信号合成组件中的第一脊波导4的信号出口朝向不利于后期与双脊波导功分器、双脊波导合成器互联。为了使本功率合成放大器便于与双脊波导功分器、双脊波导合成器互联，本技术方案在第一脊波导4与第二脊波导之间采用同轴线信号连接，即在第一脊波导4与第二脊波导之间设置同轴探针6，该同轴探针6可以是与第一中间层腔块51一体成型的结构，且该同轴探针6设置于第一脊波导4的中部，所述微带传输线31的自由端固定于所述第二脊棱521，该同轴探针6的自由端与第二脊波导的信号输出端连接。所述第二中间层腔块52配置为一对第二中间层腔子块，该对第二中间层腔子块关于所述同轴探针6对称设置。

在某些实施例中，所述第二脊波导包括第一中间层腔块51，配置有第一脊棱511；第二中间层腔块52，配置有第二脊棱521，该第一脊棱511与该第二脊棱521相对设置，该第一脊棱511与该第二脊棱521构成该第二脊波导的导体脊；U形槽，包括上U形槽531和下U形槽532，该上U形槽531配置于所述壳体一内壁，该下U形槽532配置于该壳体另一内壁；该上U形槽531和该下U形槽532关于该导体脊镜面对称，该上U形槽531和该下U形槽532构成该第二脊波导的空气腔体；所述同轴探针6，一端与该第一脊棱511中部连接，另一端与该第一脊波导4端部连接。本技术方案中，通过第二脊波导实现第一脊波导4与功率放大模块3之间的信号连接，通过同轴线实现第一脊波导4与第二脊波导之间的信号连接，与现有技术相比，本技术方案省去了同轴径向合成器与功率放大模块之间同轴电缆连接，对于功率合成放大器整机设计言，能避免对电缆严苛的使用要求的考虑，解决现有微带合成与同轴径向合成方案合成链路损耗大，整机布局难度大的问题，而且也保留了双脊波导的体积优势，保留了双脊波导可与标准端口互联的优势，有利于实现功率合成放大器的小型化，便于整机外围电路的设计。本技术方案通过双脊波导-同轴线-双脊波导的变换结构，利用不同传输线间的差异性，提高功放模块内部功分端四端口间的隔离度，提高功放模块内部合成端四端口的端口隔离度。

需要说明的是，本技术方案在上腔体1、下腔体2均可安装散热器，上腔体1设置了VC均热板安装槽11，提高了散热效果，解决了双探针功放模块上腔散热难处理的问题；腔体两侧的安装孔可用于安装外围分压或测控的电路板，外围电路板可分置于壳体两侧。传统的微带功放模块采用同轴径向合成方式高度难控制，传统的微带功放模块采用同轴径向合成时，同轴径向合成器的尺寸主要根据同轴径向合成器路数变化而变化，合成路数越多，同轴径向合成器尺寸越大，使得同轴径向合成器的尺寸通常会超过微带合成模块的高度，导致电缆走线布局难设计的问题，本技术方案中功率合成放大器的信号输入端口、信号输出端口均为双脊波导口，便于该功率合成放大器进一步做双脊波导二进制功率合成，解决了多路径同轴径向合成器尺寸大、电缆走线布局难设计的问题。

本发明HFSS仿真结果如下：

功放模块空气模型仿真的S11回波损耗曲线如图7所示，最大值在9GHz处，为-13.2280dB，最小值在15.4GHz处，为-75.9106dB.

背靠背插入损耗S21如图8所示，最大值在9GHz处，为-0.279dB，最小值在6.1GHz处，为-0.0544dB。

驻波参数VSWR如图9所示，最大值在9GHz处，为1.5578，最小值在15.4GHz处，为1.0003。

代入插入损耗最大值点的相关数据可得双脊波导4路功率合成放大器的合成效率高达93.7％。

以上仅为本发明的选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种双脊波导4路功率合成放大器，包括壳体，以及

功率放大模块，配置有用于信号传输的微带传输线；

输入信号功分组件，通过该微带传输线与该功率放大模块输入端连接；

输出信号合成组件，通过该微带传输线与该功率放大模块输出端连接；

该输入信号功分组件和该输出信号合成组件均包括信号分合结构；

其特征在于，所述信号分合结构包括

第一脊波导和第二脊波导，该第一脊波导的端部与该第二脊波导中部信号连接，该第二脊波导的端部通过该微带传输线与该功率放大模块信号连接。

2.根据权利要求1所述的双脊波导4路功率合成放大器，其特征在于，还包括

同轴线传输件，连接该第一脊波导与该第二脊波导，用于射频信号在该第一脊波导与该第二脊波导之间的同轴传输。

3.根据权利要求1所述的双脊波导4路功率合成放大器，其特征在于，所述第二脊波导包括

第一中间层腔块，该第一中间层腔块配置有第一脊棱；

第二中间层腔块，该第二中间层腔块配置有第二脊棱，该第一脊棱与该第二脊棱相对设置，该第一脊棱与该第二脊棱构成该第二脊波导的导体脊；

U形槽，包括上U形槽和下U形槽，该上U形槽配置于所述壳体一内壁，该下U形槽配置于该壳体另一内壁；该上U形槽和该下U形槽关于该导体脊镜面对称，该上U形槽和该下U形槽构成该第二脊波导的空气腔体。

4.根据权利要求3所述的双脊波导4路功率合成放大器，其特征在于，所述第二中间层腔块配置为一对第二中间层腔子块，该对第二中间层腔子块关于所述第一脊棱中部对称设置。

5.根据权利要求2所述的双脊波导4路功率合成放大器，其特征在于，所述同轴线传输件配置为同轴探针。

6.根据权利要求5所述的双脊波导4路功率合成放大器，其特征在于，所述第二脊波导包括

第一中间层腔块，配置有第一脊棱；

第二中间层腔块，配置有第二脊棱，该第一脊棱与该第二脊棱相对设置，该第一脊棱与该第二脊棱构成该第二脊波导的导体脊；

U形槽，包括上U形槽和下U形槽，该上U形槽配置于所述壳体一内壁，该下U形槽配置于该壳体另一内壁；该上U形槽和该下U形槽关于该导体脊镜面对称，该上U形槽和该下U形槽构成该第二脊波导的空气腔体；

所述同轴探针，一端与该第一脊棱中部连接，另一端与该第一脊波导端部连接。

7.根据权利要求3或6所述的双脊波导4路功率合成放大器，其特征在于，所述微带传输线的自由端固定于所述第二脊棱。

8.根据权利要求3或6所述的双脊波导4路功率合成放大器，其特征在于，所述第一脊棱配置有阶梯阻抗变换结构。

9.根据权利要求8所述的双脊波导4路功率合成放大器，其特征在于，所述阶梯阻抗变换结构配置有若干级阶梯，相邻两级阶梯之间配置有过渡圆角。

10.根据权利要求3或6所述的双脊波导4路功率合成放大器，其特征在于，

所述第一中间层腔块，表面配置有凸起部；

所述壳体包括上腔体和下腔体，该上腔体内壁与该下腔体内壁配置有凹陷部，该凹陷部用于容置该凸起部。

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