CN112133732B - 像素结构及其制备方法 - Google Patents

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CN112133732B CN202011039667.4A CN202011039667A CN112133732B CN 112133732 B CN112133732 B CN 112133732B CN 202011039667 A CN202011039667 A CN 202011039667A CN 112133732 B CN112133732 B CN 112133732B
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Abstract

本发明提供了一种像素结构,包括:呈阵列排布的多个像素单元,每个所述像素单元包括:沿阵列排布的对角线方向排列的第一子像素、第二子像素和第三子像素;其中,同一行的两个相邻的所述像素单元对称设置,同一列的两个相邻的所述像素单元对称设置,每个所述第一子像素和每个所述第三子像素为四个所述像素单元共用;其中,所述第二子像素的形状与所述对角线方向上相邻的所述第一子像素和所述第三子像素之间的间隙区域的形状相适配。由于第二子像素的形状与对角线方向上相邻的第一子像素和第三子像素之间的间隙区域的形状相适配,与现有技术中的相同PPI像素排布方式相比,使得相同PPI提高开口率,提高出光效率越高,降低单位点电流越大,延长寿命。

Description

像素结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种像素结构及其制备方法。
背景技术
随着显示技术的发展,用户对显示面板的显示清晰度和使用寿命要求越来越高。固定屏幕尺寸,相同的PPI要求值,相同光通量要求,开口率越小,出光效率越低,单位点电流越大,有机材料寿命越短,因此,亟需一种像素排布结构提高既能满足高PPI需求又能在满足相同PPI前提下提高开口率延长使用寿命。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种像素排布结构,与现有技术中的像素排布结构相比,在相同PPI情况下提高开口率,保证显示清晰度,延长使用寿命。
根据本发明的一个方面,本发明一实施例提供的一种像素结构,包括:呈阵列排布的多个像素单元,每个所述像素单元包括:沿阵列排布的对角线方向排列的第一子像素、第二子像素和第三子像素;其中,同一行的两个相邻的所述像素单元对称设置,同一列的两个相邻的所述像素单元对称设置,每个所述第一子像素和每个所述第三子像素为四个所述像素单元共用;其中,所述第二子像素的形状与所述对角线方向上相邻的所述第一子像素和所述第三子像素之间的间隙区域的形状相适配。
在一个实施例中,所述第二子像素的与所述第一子像素和所述第三子像素相邻的两条边的中点连线的第一中点位于所述第一子像素和所述第三子像素的与所述第二子像素相邻的边的中点连线的第一中垂线上。
在一个实施例中,所述第一中点在所述正方形轮廓内的第一中垂线段的中点上。
在一个实施例中,位于两行两列上的相邻的四个所述像素单元构成一个像素组,所述像素组中的两个所述第一子像素的中心点和两个第三子像素的中心点构成一个菱形轮廓,在所述第一中垂线上,所述第一中点位于所述第一中垂线段的中点向所述菱形轮廓的几何中心一侧移第一位移的偏移点处。
在一个实施例中,所述第一子像素和所述第三子像素的形状为正方形,在每个所述像素单元中,所述第一子像素的两条对角线延长线与所述第三子像素的两条对角线构成一个正方形轮廓,所述第一子像素在所述正方形轮廓形成第一等腰三角形,所述第三子像素在所述正方形轮廓形成第二等腰三角形,所述第一等腰三角形的腰长与所述第二子像素靠近所述第一子像素一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第一参考线段;所述第二等腰三角形的腰长与所述第二子像素靠近所述第二子像素一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第二参考线段;所述第一参考线段和所述第二参考线段均小于所述正方形轮廓的边长,所述第二子像素的形状为平行六边形。
在一个实施例中,所述第一子像素和所述第三子像素的形状为正方形,在每个所述像素单元中,所述第一子像素的两条对角线延长线与所述第三子像素的两条对角线构成一个正方形轮廓,所述第一子像素在所述正方形轮廓形成第一等腰三角形,所述第三子像素在所述正方形轮廓形成第二等腰三角形,所述第一等腰三角形的腰长与所述第二子像素靠近所述第一子像素一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第一参考线段;所述第二等腰三角形的腰长与所述第三子像素靠近所述第二子像素一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第二参考线段;所述第一参考线段或所述第二参考线段大于等于所述正方形轮廓的边长,所述第二子像素的形状为等腰梯形。
根据本发明的另一个方面,本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法的制备方法,所述像素结构中的每个子像素被划分为发光区与非发光区,所述制备方法,包括:提供基板;在所述基板的一侧制备第一电极,所述第一电极的图案在所述基板的投影覆盖所述像素结构中发光区在所述基板的投影;在所述第一电极上制备像素定义层;在所述像素定义层上制备像素开口区,所述像素开口区包括呈阵列排布的多个像素单元开口区,每个所述像素单元开口区包括:沿阵列排布的对角线方向排列的第一子像素开口区、第二子像素开口区和第三子像素开口区;同一行的两个相邻的所述像素单元开口区对称设置,同一列的两个相邻的所述像素单元开口区对称设置,每个所述第一子像素开口区和每个所述第三子像素开口区为四个所述像素单元共用;所述第二子像素开口区的形状与所述对角线方向上相邻的所述第一子像素开口区和所述第三子像素开口区之间的间隙区域的形状相适配;利用第一掩膜版,在所述像素定义层的所述第一子像素开口区内蒸镀第一颜色的像素发光材料形成第一子像素;利用第二掩膜版,在所述像素定义层的所述第二子像素开口区内蒸镀第二颜色的像素发光材料形成二子像素;以及利用第三掩膜版,在所述像素定义层的所述第三子像素开口区内蒸镀第三颜色的像素发光材料形成第三子像素。
在一个实施例中,所述第一子像素开口区和所述第三子像素开口区的形状为正方形,在每个所述像素单元开口区中,所述第一子像素开口区的两条对角线延长线与所述第三子像素开口区的两条对角线构成一个正方形轮廓,所述第一子像素开口区在所述正方形轮廓形成第一等腰三角形,所述第三子像素开口区在所述正方形轮廓形成第二等腰三角形,所述第一等腰三角形的腰长和所述第一子像素开口区与所述第二开口像素开口区之间的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第一参考线段;所述第二等腰三角形的腰长和所述第三子像素开口区与所述第二开口像素开口区之间的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第二参考线段;所述第一参考线段和所述第二参考线段小于所述正方形轮廓的边长,所述第二子像素开口区的形状为平行六边形;或所述第一参考线段或所述第二参考线段大于等于所述正方形轮廓的边长,所述第二子像素开口区的形状为等腰梯形。
在一个可选的实施例中,所述利用第二掩膜版,在所述像素定义层的所述第二子像素开口区内蒸镀第二颜色的像素发光材料形成第二子像素包括:利用第一局部掩膜版,所述第一局部掩膜版上的开口区对应于位于奇数行奇数列的所述像素单元开口区中的所述第二子像素开口区,蒸镀第二颜色的像素发光材料形成位于奇数行奇数列的像素单元中的第二子像素;利用第二局部掩膜版,所述第二局部掩膜版上的开口区对应于位于奇数行偶数列的所述像素单元开口区中的所述第二子像素开口区,蒸镀第二颜色的像素发光材料形成位于奇数行偶数列的像素单元中的第二子像素;利用第三局部掩膜版,所述第三局部掩膜版上的开口区对应于位于偶数行奇数列的所述像素单元开口区中的所述第二子像素开口区,蒸镀第二颜色的像素发光材料形成位于偶数行奇数列的像素单元中的第二子像素;以及利用第四局部掩膜版,所述第四局部掩膜版上的开口区对应于位于偶数行偶数的所述像素单元开口区中的第二子像素开口区,蒸镀第二颜色的像素发光材料形成位于偶数行偶数列的所述像素单元中的第二子像素。
在一个可选的实施例中,所述利用第二掩膜版,在所述像素定义层的所述第二子像素开口区内蒸镀第二颜色的像素发光材料形成第二子像素包括:利用第五局部掩膜版,所述第五局部掩膜版上的开口区对应于位于奇数行或奇数列的所述像素单元开口区中的所述第二子像素开口区,蒸镀第二颜色的像素发光材料形成位于奇数行或奇数列的像素单元中的第二子像素;以及利用第六局部掩膜版,所述第六局部掩膜版上的开口区对应于位于与所述数行或奇数列分别对应的偶数行或偶数列的所述像素单元开口区中的所述第二子像素开口区,蒸镀第二颜色的像素发光材料形成位于与所述数行或奇数列分别对应的偶数行或偶数列的像素单元中的第二子像素;或
在一个可选的实施例中,所述利用第二掩膜版,在所述像素定义层的所述第二子像素开口区内蒸镀第二颜色的像素发光材料形成第二子像素包括:利用第七局部掩膜版,所述第七局部掩膜版上的开口区对应于位于每个所述正方形轮廓的第一对角线上的所述第二子像素开口区,蒸镀第一颜色的像素发光材料形成在每个像素单元中位于所述第一对角线上的第二子像素;以及利用第八局部掩膜版,所述第八局部掩膜版上的开口区对应于位于每个所述正方形轮廓的第二对角线上的所述第二子像素开口区,蒸镀第一颜色的像素发光材料形成在每个像素单元中位于所述第二对角线上的第二子像素。
在一个实施例中,所述第二子像素开口区的与所述第一子像素开口区和所述第三子像素开口区相邻的两条边的中点连线的第一中点位于所述第一子像素开口区和所述第三子像素开口区的与所述第二子像素开口区相邻的边的中点连线的第一中垂线上;位于两行两列上的相邻的四个所述像素单元开口区构成一个像素组开口区,所述像素组开口区中的两个所述第一子像素开口区的中心点和两个第三子像素开口区的中心点构成一个菱形轮廓,在所述第一中垂线上,所述第一中点位于所述第一中心线的中点向所述菱形轮廓的几何中心一侧移第一位移的偏移点处;其中,所述利用第二掩膜版,在所述像素定义层的所述第二子像素开口区内蒸镀第一颜色的像素发光材料形成第二子像素包括:利用图案化掩膜版,所述图案化掩膜版上的开口区对应于每个所述像素组开口区中四个所述像素单元开口区中四个所述第二子像素开口区,一次蒸镀第二颜色的像素发光材料形成第二子像素。
本发明实施例提供的一种通过设计一种像素结构,与现有技术中的像素排布结构相比,在相同PPI情况下提高开口率,保证显示清晰度,延长使用寿命。具体地,该像素结构包括:呈阵列排布的多个像素单元,每个所述像素单元包括:沿阵列排布的对角线方向排列的第一子像素、第二子像素和第三子像素,同一行的两个相邻的像素单元对称设置,同一列的两个相邻的像素单元对称设置,每个第一子像素和每个第三子像素为四个像素单元共用;第二子像素的形状与对角线方向上相邻的第一子像素和第三子像素之间的间隙区域的形状相适配。由于第二子像素的形状与对角线方向上相邻的第一子像素和第三子像素之间的间隙区域的形状相适配,减少每一个像素单元中的留白(留白为每一个像素单元对应的轮廓中的非子像素区域),与现有技术中的相同PPI像素排布方式相比,在每一像素单元中三个子像素占比最大,使得即使具有像素设计余量(子像素中非发光区域)的存在,由于每一像素单元中像素三个子像素的发光区与占比最大,使得相同PPI提高开口率,提高单位点出光效果,降低单位点电流越大,延长有机材料寿命。
附图说明
图1所示为现有技术中提供的一种Diamond像素结构的示意图。
图2所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的示意图。
图3所示为图2所示像素结构中的一个像素单元的结构示意图。
图4所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的示意图。
图5所示为图4所示像素结构中的一个像素单元的结构示意图。
图6所示为本发明一实施例提供的像素结构中的一个像素单元的结构示意图。
图7所示为本发明一实施例提供的像素结构中的一个像素单元的结构示意图。
图8所示为本发明一实施例提供的像素结构中的一个像素单元的结构示意图。
图9所示为本发明一实施例提供的像素结构中的一个像素单元的结构示意图。
图10所示为本发明一实施例提供的像素结构中的一个像素单元的结构示意图。
图11所示为本发明一实施例提供的像素结构中像素组的结构示意图。
图12所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法的流程图。
图13所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中掩膜版的结构示意图。
图14所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中掩膜版的结构示意图。
图15A所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中掩膜版的结构示意图。
图15B所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中掩膜版的结构示意图。
图16所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中掩膜版的结构示意图。
图17所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中蒸镀第二子像素流程示意图。
图18所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中蒸镀第二子像素流程示意图。
图19所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中蒸镀第二子像素流程示意图。
图20所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中蒸镀第二子像素流程示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述,用户对显示面板的显示清晰度和使用寿命要求越来越高。图1所示为现有技术中提供的一种Diamond像素结构的示意图。如图1所示,每个子像素单元中存在发光区域(图中11、21、31)与非发光区域(图中12、22、32),其中非发光区域(图中12、22、32)是由像素制备工艺中预留的设计余量。由于设计余量的存在,固定屏幕尺寸,像素开口率与PPI为负相关的关系,PPI越大,开口率越小,而PPI越小,开口率越大。PPI越大,清晰度越高,开口率越大的话,出光效率越高。固定屏幕尺寸,相同的PPI要求值,相同光通量要求,开口率越小,出光效率越低,单位点电流越大,有机材料寿命越短。
为了解决上述问题,发明人研究发现,通过设计一种像素结构,与现有技术中的像素排布结构相比,在相同PPI情况下提高开口率,保证显示清晰度,延长使用寿命。具体地,该像素结构包括:呈阵列排布的多个像素单元,每个所述像素单元包括:沿阵列排布的对角线方向排列的第一子像素、第二子像素和第三子像素,同一行的两个相邻的像素单元对称设置,同一列的两个相邻的像素单元对称设置,每个第一子像素和每个第三子像素为四个像素单元共用;第二子像素的形状与对角线方向上相邻的第一子像素和第三子像素之间的间隙区域的形状相适配。由于第二子像素的形状与对角线方向上相邻的第一子像素和第三子像素之间的间隙区域的形状相适配,减少每一个像素单元中的留白(留白为每一个像素单元对应的轮廓中的非子像素区域),与现有技术中的相同PPI像素排布方式相比,在每一像素单元中三个子像素占比最大,使得即使具有像素设计余量(子像素中非发光区域)的存在,由于每一像素单元中像素三个子像素占比最大,使得相同PPI提高开口率,提高单位点出光效率越高,提高单位点出光效果,降低单位点电流越大,延长有机材料寿命。
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图2所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的示意图。图3所示为图2所示像素结构中的一个像素单元的结构示意图。图4所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的示意图。图5所示为图4所示像素结构中的一个像素单元的结构示意图。结合图2至图5所示,该像素结构包括:呈阵列排布的多个像素单元11,每个像素单元11包括:沿阵列排布的对角线OP方向排列的第一子像素1、第二子像素2和第三子像素3;同一行的两个相邻的像素单元11对称设置,同一列的两个相邻的像素单元11对称设置,每个第一子像素1和每个第三子像素3为四个像素单元11共用;第二子像素2的形状与对角线OP方向上相邻的第一子像素1和第三子像素3之间的间隙区域的形状相适配。
本发明实施例中,第二子像素2的形状与对角线OP方向上相邻的第一子像素1和第三子像素3之间的间隙区域的形状相适配,减少每一个像素单元11中的留白,与现有技术中的相同PPI像素排布方式相比,在每一像素单元11中三个子像素占比最大,使得即使具有像素设计余量的存在,由于每一像素单元11中像素三个子像素占比最大,使得相同PPI提高开口率,提高单位点出光效率越高,提高单位点出光效果,降低单位点电流越大,延长有机材料寿命。表1所示图2和图4提供的一种像素结构与图1提供的现有技术中的一种像素结构中开率对比表格。如表1所示,相同屏幕尺寸,相同PPI,相同设计余量,图2所示像素排布方式,与现有技术中的一种像素结构中开率相比,提高了45.9%。
Figure BDA0002706260960000091
Figure BDA0002706260960000101
应当理解,每个子像素包括发光区域与非发光区域,在每个子像素的发光区域中,包括一次层叠的阳极、有机材料层和阴极。在附图1-10中,每个子像素的内侧轮廓图对应于子像素的发光区,每个子像素的外侧轮廓图对应于整个子像素。
应当理解,第一子像素可以是蓝色子像素、第二子像素可以是绿色子像素,第三子像素可以是红色子像素;第一子像素也可以是绿色子像素或红色子像素,第二子像素与第三子像素为其余两个颜色像素中的一个,第一子像素、第二子像素与第三子像素的具体颜色根据具体情况设定,本发明实施例对第一子像素、第二子像素与第三子像素的颜色不做限定。子像素的颜色由有机材料层中的有机材料的发光颜色决定。
应当理解,每个子像素具体结构可以是例如依次叠加的可选的空穴注入层(HIL)、可选的空穴传输层(HTL)、有机材料发光层(EML)、可选的电子传输层(ETL)以及可选的电子注入层(EIL)。
图6所示为本发明一实施例提供的像素结构中的一个像素单元的结构示意图。如图6所示,第一子像素1和第三子像素3的形状为正方形,在每个像素单元11中,第一子像素1的两条对角线延长线与第三子像素3的两条对角线构成一个正方形轮廓ABCD,第一子像素1在正方形轮廓ABCD形成第一等腰三角形,第三子像素3在正方形轮廓ABCD形成第二等腰三角形,第一等腰三角形的腰长AE与所第二子像素2靠近第一子像素1一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第一参考线段AV;第二等腰三角形的腰长CF与第二子像素2靠近第三子像素3一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第二参考线段CU;第一参考线段AV和第二参考线段CU均小于正方形轮廓ABCD的边长AB,第二子像素2的形状为平行六边形。
在一个实施例中,平行六边形的内角角度包括135°、90°和45°。
本发明实施例中,由于第二子像素2的形状与对角线OP方向上相邻的第一子像素1和第三子像素3之间的间隙区域的形状相适配,当第一子像素1与第三子像素3为正方形,且第一等腰三角形的腰长AE和第二等腰三角形的腰长CF均小于正方形轮廓ABCD的边长AB,第二子像素2为平行六边形与第一子像素1与第三子像素3的形状最适配,每一像素单元11中像素三个子像素占比最大,使得相同PPI提高开口率。
应当理解,由于受工艺限制第一子像素1和第三子像素3的形状可能不是严格的正方形,也可以是具有圆倒角或者切角的正方形,但其中心位置不变。第二子像素2可能不是严格的平行六边形或者等腰梯形,也可以是具有圆倒角或者切角的正方形,只要第二子像素2与第一子像素1和第三子像素3之间的间隙区域的形状适配即可。
图7所示为本发明一实施例提供的像素结构中的一个像素单元的结构示意图。如图7所示,第一子像素1和第三子像素3的形状为正方形,在每个像素单元中,第一子像素1的两条对角线延长线与第三子像素3的两条对角线构成一个正方形轮廓ABCD,第一子像素1在正方形轮廓ABCD形成第一等腰三角形,第三子像素3在正方形轮廓ABCD形成第二等腰三角形,第一等腰三角形的腰长AE和第二等腰三角形的腰长CF中的一个腰长AE大于等于正方形轮廓ABCD的边长AB,第二子像素2的形状为等腰梯形。
在一个实施例中,等腰梯形的内角角度为135°和45°。
本发明实施例中,由于第二子像素2的形状与对角线OP方向上相邻的第一子像素1和第三子像素3之间的间隙区域的形状相适配,当第一子像素1与第三子像素3为正方形,且第一等腰三角形的腰长AE和第二等腰三角形的腰长CF中的一个腰长AE大于等于正方形轮廓ABCD的边长AB,第二子像素2为等腰梯形与第一子像素1与第三子像素3的形状最适配,每一像素单元11中像素三个子像素占比最大,使得相同PPI提高开口率。
图8所示为本发明一实施例提供的像素结构中的一个像素单元的结构示意图。图9所示为本发明一实施例提供的像素结构中的一个像素单元的结构示意图。结合图8与图9所示,第二子像素2的与第一子像素1和第三子像素3相邻的两条边的中点连线的第一中点K位于第一子像素1和第三子像素3的与第二子像素2相邻的边的中点连线的第一中垂线n上。
本发明实施例中,通过使第一中点K位于第一中垂线n上,使第二子像素2与第一子像素1与第三子像素3之间的设计余量相同,为在蒸镀第二子像素2时有机材料的流动预留空间,提高第二子像素2的良品率。
图10所示为本发明一实施例提供的像素结构中的一个像素单元的结构示意图。如图10所示,第一中点K位于第一中垂线n在正方形轮廓ABCD内的第一中垂线段的中点Q。
本发明实施例中,当第一中点K位于第一中垂线n在正方形轮廓ABCD内的第一中垂线段的中点Q时,第一子像素1、第二子像素2和第三子像素3的几个中心位于同一条线,且由于第二子像素2的形状与第一子像素1和第三子像素3之间的缝隙适配,使得整个像素结构更对称,在提高开口率的前提上,提高显示均匀性。
图11所示为本发明一实施例提供的像素结构中像素组的结构示意图。如图11所示,位于两行两列上的相邻的四个像素单元11构成一个像素组,像素组中的两个第一子像素1的中心点和两个第三子像素3的中心点构成一个菱形轮廓,在第一中垂线n上,第一中点K位于第一中垂线段的中点Q向菱形轮廓的几何中心一侧移第一位移D1的偏移点处Y。
本发明实施例中,每个像素组中包含四个像素单元11,每个像素单元11对应一个正方形区域,每个像素组对应四个正方形区域,第一中点K位于第一中垂线段的中点Q向菱形轮廓的几何中心一侧移第一位移D1的偏移点处Y,使得每个像素组中的四个第二子像素2向菱形轮廓的几何中心靠拢,在四个正方形区域中构成的大正方形的角的位置都存在留白,在制备子像素时,四个第二子像素2在掩膜版上的开口可以构成一个类似“X”的形状,与留白对应的区域连接掩膜版,使得第二子像素2可以一次蒸镀完成,提高制备效率。
图12所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法的流程图。图13所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中掩膜版的结构示意图。
如图13所示,像素结构中的每个子像素被划分为发光区与非发光区,图13中掩膜版中虚线内区域对应的是每个子像素的发光区,对应于像素定义层上的子像素开口区,实线与虚线之间的区域对应的是每个子像素的非发光区,实线内所有区域对应的是子像素的轮廓,图13中掩膜版的开口与实线形状对应。如图12所示,该方法具体包括:
步骤1201:提供基板;
步骤1202:在基板的一侧制备第一电极,第一电极的图案在基板的投影覆盖像素结构中发光区在基板的投影;
步骤1203:在第一电极上制备像素定义层;
步骤1204:在像素定义层上制备像素开口区,像素开口区包括呈阵列排布的多个像素单元开口区,每个像素单元开口区包括:沿阵列排布的对角线方向排列的第一子像素开口区、第二子像素开口区和第三子像素开口区;同一行的两个相邻的像素单元开口区对称设置,同一列的两个相邻的像素单元开口区对称设置,每个第一子像素开口区和每个第三子像素开口区为四个像素单元共用;第二子像素开口区的形状与对角线方向上相邻的第一子像素开口区和第三子像素开口区之间的间隙区域的形状相适配;
步骤1205:利用第一掩膜版,在像素定义层的第一子像素开口区内蒸镀第一颜色的像素发光材料形成第一子像素;
步骤1206:利用第二掩膜版,在像素定义层的第二子像素开口区内蒸镀第二颜色的像素发光材料形成第二子像素;以及
步骤1207:利用第三掩膜版,在像素定义层的第三子像素开口区内蒸镀第三颜色的像素发光材料形成第三子像素。
本发明实施例中,通过上述步骤制备的像素结构,使第二子像素与对角线方向上相邻的第一子像素和第三子像素之间的间隙区域的形状相适配,与现有技术中的相同PPI像素排布方式相比,使得相同PPI提高开口率,提高出光效率越高,降低单位点电流越大,延长寿命。
在一个实施例中,第一子像素开口区和第三子像素开口区的形状为正方形,在每个像素单元开口区中,第一子像素开口区的两条对角线延长线与第三子像素开口区的两条对角线构成一个正方形轮廓,第一子像素开口区在正方形轮廓形成第一等腰三角形,第三子像素开口区在正方形轮廓形成第二等腰三角形,第一等腰三角形的腰长和第一子像素开口区与第二开口像素开口区之间的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第一参考线段;第二等腰三角形的腰长和第三子像素开口区与第二开口像素开口区之间的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第二参考线段;第一参考线段和第二参考线段均小于所述正方形轮廓的边长,第二子像素开口区的形状为平行六边形;或第一参考线段或第二参考线段大于等于所述正方形轮廓的边长,所述第二子像素开口区的形状为等腰梯形。
应当理解,步骤1205、步骤1206和步骤1207虽然以上述顺序被执行,但步骤1205、步骤1206和步骤1207的执行顺序并不限定于上述顺序。
像素开口区中像素单元开口区采用上述形式,制备的像素结构中的像素单元的排布方式如图2或图4所示。以制备的像素结构中的像素单元的排布方式如图2为例,第二子像素可以利用图13所示掩膜版采用图17所示方法制备。图17所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中蒸镀第二子像素流程示意图。如图17所示,利用第二掩膜版,像素定义层的第二子像素开口区内蒸镀第二颜色的像素发光材料形成第二子像素包括:
步骤17061:利用第一局部掩膜版,第一局部掩膜版上的开口区对应于位于奇数行奇数列的所述像素单元开口区中的第二子像素开口区,蒸镀第二颜色的像素发光材料形成位于奇数行奇数列的像素单元中的第二子像素;
步骤17062:利用第二局部掩膜版,第二局部掩膜版上的开口区对应于位于奇数行偶数列的所述像素单元开口区中的所述第二子像素开口区,蒸镀第二颜色的像素发光材料形成位于奇数行偶数列的所述像素单元中的第二子像素;
步骤17063:利用第三局部掩膜版,第三局部掩膜版上的开口区对应于位于偶数行奇数列的所述像素单元开口区中的第二子像素开口区,蒸镀第二颜色的像素发光材料形成位于偶数行奇数列的所述像素单元中的第二子像素;以及
步骤17064:利用第四局部掩膜版,第四局部掩膜版上的开口区对应于位于偶数行偶数列的所述像素单元开口区中的第二子像素开口区,蒸镀第二颜色的像素发光材料形成位于偶数行偶数列的像素单元中的第二子像素。
结合图13所示的掩膜版,第一局部掩膜版13a,第二局部掩膜版13b,第三局部掩膜版13c,第四局部掩膜版13d,结合图17所示的步骤,蒸镀完成第二子像素,使第二子像素与对角线方向上相邻的第一子像素和第三子像素之间的间隙区域的形状相适配,与现有技术中的相同PPI像素排布方式相比,使得相同PPI提高开口率,提高出光效率越高,降低单位点电流越大,延长寿命。
像素开口区中像素单元开口区采用上述形式,制备的像素结构中的像素单元的排布方式如图2或图4所示。以制备的像素结构中的像素单元的排布方式如图2为例,第二子像素可以利用图14所示掩膜版采用图18所示方法制备。图18所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中蒸镀第二子像素流程示意图。如图18所示,利用第二掩膜版,像素定义层的第二子像素开口区内蒸镀第二颜色的像素发光材料形成第二子像素包括:
步骤18061:利用第五局部掩膜版,第五局部掩膜版上的开口区对应于位于奇数行或奇数列的像素单元开口区中的第二子像素开口区,蒸镀第二颜色的像素发光材料形成位于奇数行或奇数列的像素单元中的第二子像素;
步骤18062:利用第六局部掩膜版,第六局部掩膜版上的开口区对应于位于与数行或奇数列分别对应的偶数行或偶数列的像素单元开口区中的第二子像素开口区,蒸镀第二颜色的像素发光材料形成位于与数行或奇数列分别对应的偶数行或偶数列像素单元中的第二子像素。
结合图14所示的掩膜版,第五局部掩膜版14a和第六局部掩膜版14b两步蒸镀完成第二子像素,利用图18所示方法,使第二子像素与对角线方向上相邻的第一子像素和第三子像素之间的间隙区域的形状相适配,蒸镀像素的效率提高一倍。
像素开口区中像素单元开口区采用上述形式,制备的像素结构中的像素单元的排布方式如图2或图4所示。以制备的像素结构中的像素单元的排布方式如图2为例,第二子像素可以利用图15所示掩膜版采用图19所示方法制备。图19所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中蒸镀第二子像素流程示意图。如图19所示,利用第二掩膜版,像素定义层的第二子像素开口区内蒸镀第二颜色的像素发光材料形成第二子像素包括:
步骤19061:利用第七局部掩膜版,第七局部掩膜版上的开口区对应于位于每个正方形轮廓的第一对角线上的第二子像素开口区,蒸镀第一颜色的像素发光材料形成在每个像素单元中位于第一对角线上的第二子像素;
步骤19062:利用第八局部掩膜版,第八局部掩膜版上的开口区对应于位于每个正方形轮廓的第二对角线上的第二子像素开口区,蒸镀第一颜色的像素发光材料形成在每个像素单元中位于第二对角线上的第二子像素。
结合图15A与图15B中所示的掩膜版,第七局部掩膜版15a和15c和第七局部掩膜版15b和15d两步蒸镀完成第二子像素,利用图19所示方法,使第二子像素与对角线方向上相邻的第一子像素和第三子像素之间的间隙区域的形状相适配,蒸镀像素的效率提高一倍。
在一个实施例中,第二子像素开口区的与第一子像素开口区和第三子像素开口区相邻的两条边的中点连线的第一中点位于第一子像素开口区和所述第三子像素开口区的与第二子像素开口区相邻的边的中点连线的第一中垂线上;位于两行两列上的相邻的四个像素单元开口区构成一个像素组开口区,像素组开口区中的两个第一子像素开口区的中心点和两个第三子像素开口区的中心点构成一个菱形轮廓,在第一中垂线上第一中点位于第一中垂线在正方形轮廓内的第一中垂线段的中点向菱形轮廓的几何中心一侧移第一位移的偏移点处。
像素开口区中像素单元开口区采用上述形式,制备的像素结构中的像素单元的排布方式如图11所示。该种像素单元开口方式,第二子像素可以利用图16所示掩膜版采用图20所示方法制备。图20所示为本发明一实施例提供的一种像素结构的制备方法中蒸镀第二子像素流程示意图。如图20所示,该方法包括:
步骤20061:利用图案化掩膜版,图案化掩膜版上的开口区对应于每个像素组开口区中四个像素单元开口区中四个第二子像素开口区,一次蒸镀第二颜色的像素发光材料形成第二子像素。
结合图16所示的掩膜版,掩膜版上的开口可以构成一个类似“X”的形状,再利用图20所示方法,使得第二子像素可以一次蒸镀完成,四个第二子像素提高制备效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种像素结构,其特征在于,包括:呈阵列排布的多个像素单元,每个所述像素单元包括:沿阵列排布的对角线方向排列的第一子像素、第二子像素和第三子像素;
其中,同一行的两个相邻的所述像素单元对称设置,同一列的两个相邻的所述像素单元对称设置,每个所述第一子像素和每个所述第三子像素为四个所述像素单元共用;
其中,所述第二子像素的形状与所述对角线方向上相邻的所述第一子像素和所述第三子像素之间的间隙区域的形状相适配;
其中,所述第二子像素的与所述第一子像素和所述第三子像素相邻的两条边的中点连线的第一中点位于所述第一子像素和所述第三子像素的与所述第二子像素相邻的边的中点连线的第一中垂线上;在每个所述像素单元中,所述第一子像素的两条对角线延长线与所述第三子像素的两条对角线构成一个正方形轮廓,所述第一中垂线在所述正方形轮廓的部分形成第一中垂线段;其中,位于两行两列上的相邻的四个所述像素单元构成一个像素组,所述像素组中的两个所述第一子像素的中心点和两个第三子像素的中心点构成一个菱形轮廓,在所述第一中垂线上,所述第一中点位于所述第一中垂线段的中点向所述菱形轮廓的几何中心一侧移第一位移的偏移点处。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一子像素和所述第三子像素的形状为正方形,所述第一子像素在所述正方形轮廓形成第一等腰三角形,所述第三子像素在所述正方形轮廓形成第二等腰三角形,所述第一等腰三角形的腰长与所述第二子像素靠近所述第一子像素一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第一参考线段;所述第二等腰三角形的腰长与所述第二子像素靠近所述第三子像素一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第二参考线段;所述第一参考线段和所述第二参考线段均小于所述正方形轮廓的边长,所述第二子像素的形状为平行六边形;
所述第一子像素的边长与所述第三子像素的边长均小于所述正方形轮廓的对角线长度,所述第二子像素的形状为平行六边形。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一子像素和所述第三子像素的形状为正方形,所述第一子像素在所述正方形轮廓形成第一等腰三角形,所述第三子像素在所述正方形轮廓形成第二等腰三角形,所述第一等腰三角形的腰长与所述第二子像素靠近所述第一子像素一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第一参考线段;所述第二等腰三角形的腰长与所述第三子像素靠近所述第二子像素一侧的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第二参考线段;所述第一参考线段或所述第二参考线段大于等于所述正方形轮廓的边长,所述第二子像素的形状为等腰梯形。
4.一种像素结构的制备方法,其特征在于,所述像素结构中的每个子像素被划分为发光区与非发光区,所述制备方法,包括:
提供基板;
在所述基板的一侧制备第一电极,所述第一电极的图案在所述基板的投影覆盖所述像素结构中发光区在所述基板的投影;
在所述第一电极上制备像素定义层;
在所述像素定义层上制备像素开口区,所述像素开口区包括呈阵列排布的多个像素单元开口区,每个所述像素单元开口区包括:沿阵列排布的对角线方向排列的第一子像素开口区、第二子像素开口区和第三子像素开口区;同一行的两个相邻的所述像素单元开口区对称设置,同一列的两个相邻的所述像素单元开口区对称设置,每个所述第一子像素开口区和每个所述第三子像素开口区为四个所述像素单元共用;所述第二子像素开口区的形状与所述对角线方向上相邻的所述第一子像素开口区和所述第三子像素开口区之间的间隙区域的形状相适配;其中,所述第二子像素开口区的与所述第一子像素开口区和所述第三子像素开口区相邻的两条边的中点连线的第一中点位于所述第一子像素开口区和所述第三子像素开口区的与所述第二子像素开口区相邻的边的中点连线的第一中垂线上;在每个所述像素单元开口区中,所述第一子像素开口区的两条对角线延长线与所述第三子像素开口区的两条对角线构成一个正方形轮廓;
位于两行两列上的相邻的四个所述像素单元开口区构成一个像素组开口区,所述像素组开口区中的两个所述第一子像素开口区的中心点和两个第三子像素开口区的中心点构成一个菱形轮廓,在所述第一中垂线上,所述第一中点位于所述第一中垂线在所述正方形轮廓内的第一中垂线段的中点向所述菱形轮廓的几何中心一侧移第一位移的偏移点处;
利用第一掩膜版,在所述像素定义层的所述第一子像素开口区内蒸镀第一颜色的像素发光材料形成第一子像素;
利用第二掩膜版,在所述像素定义层的所述第二子像素开口区内蒸镀第二颜色的像素发光材料形成二子像素;以及
利用第三掩膜版,在所述像素定义层的所述第三子像素开口区内蒸镀第三颜色的像素发光材料形成第三子像素。
5.根据权利要求4所述的像素结构的制备方法,其特征在于,所述第一子像素开口区和所述第三子像素开口区的形状为正方形,所述第一子像素开口区在所述正方形轮廓形成第一等腰三角形,所述第三子像素开口区在所述正方形轮廓形成第二等腰三角形,所述第一等腰三角形的腰长和所述第一子像素开口区与所述第二子像素开口区之间的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第一参考线段;所述第二等腰三角形的腰长和所述第三子像素开口区与所述第二子像素开口区之间的非发光区的宽度的一半宽度的根号2倍的长度构成第二参考线段;所述第一参考线段和所述第二参考线段均小于所述正方形轮廓的边长,所述第二子像素开口区的形状为平行六边形;或所述第一参考线段或所述第二参考线段大于等于所述正方形轮廓的边长,所述第二子像素开口区的形状为等腰梯形。
6.根据权利要求4或5所述的像素结构的制备方法,其特征在于,所述利用第二掩膜版,在所述像素定义层的所述第二子像素开口区内蒸镀第二颜色的像素发光材料形成第二子像素包括:
利用图案化掩膜版,所述图案化掩膜版上的开口区对应于每个所述像素组开口区中四个所述像素单元开口区中四个所述第二子像素开口区,一次蒸镀第二颜色的像素发光材料形成第二子像素。
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