CN112133664B - 静电卡盘装置及半导体工艺设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种静电卡盘装置及半导体工艺设备，所述静电卡盘装置包括基部、覆盖体和至少一个绝缘单体，所述基部具有承载面，所述覆盖体具有相背设置的第一表面和第二表面，所述覆盖体通过所述第一表面覆设于所述承载面，所述覆盖体开设有至少一个贯通所述第一表面和所述第二表面的安装空间；每个所述绝缘单体均设置于一个所述安装空间内，每个所述绝缘单体用于单独支撑待加工件；每个所述绝缘单体均内置有电极部，所述电极部用于与供电电源电连接。上述方案能够解决目前的静电卡盘装置存在的陶瓷板损耗率高、更换成本高的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种静电卡盘装置及半导体工艺设备。
背景技术
目前，在半导体晶圆的加工领域中，等离子体设备是利用等离子体实现对晶圆的工艺处理(例如刻蚀、沉积等)，在处理过程中，晶圆通常被固定在静电卡盘装置上。在现有技术中，静电卡盘装置中用于承载晶圆的陶瓷板在表面设有多个支撑单元(例如凸台等)，晶圆可放置于支撑单元上；但是，现有的陶瓷板为整体结构，如果有支撑单元损坏，则不能对晶圆进行固定，进而需要更换整个陶瓷板，因此现有的静电卡盘装置会存在陶瓷板损耗率高、更换成本高的问题。
发明内容
本发明公开一种静电卡盘装置及半导体工艺设备，以解决目前的静电卡盘装置存在的陶瓷板损耗率高、更换成本高的问题。
为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：
第一方面，本发明提供一种静电卡盘装置，其包括基部、覆盖体和至少一个绝缘单体，所述基部具有承载面，所述覆盖体具有相背设置的第一表面和第二表面，所述覆盖体通过所述第一表面覆设于所述承载面，所述覆盖体开设有至少一个贯通所述第一表面和所述第二表面的安装空间；
每个所述绝缘单体均单独设置于一个所述安装空间内，且每个所述绝缘单体用于单独支撑待加工件；每个所述绝缘单体均内置有电极部，所述电极部用于与供电电源电连接。
第二方面，本发明提供一种半导体工艺设备，其包括供电电源、射频电源以及前述的静电卡盘装置，所述静电卡盘装置设置于所述半导体工艺腔室内，所述供电电源和所述射频电源均与所述静电卡盘装置的电极部电连接。
本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：
在本发明公开的静电卡盘装置中，每个绝缘单体均内置有电极部，在对电极部施加电压时，电极部和绝缘单体上的待加工件之间会产生静电力，因此就能够将待加工件吸附在绝缘单体上，进而实现了对待加工件的固定；同时，由于每个绝缘单体均设置于一个安装空间内，也即绝缘单体作为单独的个体设置于安装空间中，当其损坏后，可直接更换掉该损坏的绝缘单体，就能够确保静电卡盘装置的正常使用。
相较于现有技术，本发明公开的静电卡盘装置在绝缘单体受损后，不需要如现有技术更换整个陶瓷板，无疑能够降低陶瓷板的损耗率，进而达到节约成本的目的。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例公开的静电卡盘装置的部分结构示意图；
图2为关于图1的分解结构示意图；
图3为本发明实施例公开的静电卡盘装置的部分结构轴测剖视图；
图4为本发明实施例公开的绝缘单体的剖视图；
图5为本发明实施例公开的静电卡盘装置的部分结构剖视图；
图6为本发明实施例公开的静电卡盘装置的结构示意图；
图7为本发明实施例公开的馈电模组的结构示意图；
附图标记说明：
100-基部、110-屏蔽通道、120-冷媒通道、
200-覆盖体、210-安装空间、
300-绝缘单体、310-电极部、320-第一外延部、
410-馈电支线、420-馈电模组、421-馈电棒、421a-导向空间、422-转接件、422a-第二外延部、423-弹性件、424-支撑元件、425-限位部、
510-第一馈线、511-电感器件、512-滤波器件、520-第二馈线、521-隔直电容器件、
600-压环、700-待加工件、800-密封圈。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下结合附图，详细说明本发明各个实施例公开的技术方案。
请参考图1～图7，本发明实施例公开一种静电卡盘装置，其包括基部100、覆盖体200和至少一个绝缘单体300。
其中，基部100是静电卡盘装置的基础构件，其可为覆盖体200和绝缘单体300提供安装支撑基础。具体地，基部100具有承载面，覆盖体200具有相背设置的第一表面和第二表面，覆盖体200通过第一表面覆设于承载面，覆盖体200具有保护基部100和绝缘单体300的作用。通常，覆盖体200呈盖板状。
为了覆盖体200能够稳定可靠地覆设于承载面上，静电卡盘装置通常还包括压环600，压环600沿周向抵压在覆盖体200的边缘，进而将覆盖体200压紧固定在基部100上。
在传统的静电卡盘装置中，用于支撑晶圆的陶瓷板通常为整体构件，陶瓷板与镂空设置有多个通孔的盖板组合形成多个容纳晶圆的容纳槽，在容纳槽内，陶瓷板可以形成有凸台，晶圆可放置凸台上起到支撑作用，当然，陶瓷板也可以不设置凸台，其可以一个整体的平面板。陶瓷板属于消耗件，其在长时间的刻蚀加工使用后，与晶圆接触的部位(如凸台)容易被损坏，由于陶瓷板是整体结构，因此需要对陶瓷板进行整体更换。
为了降低现有技术中陶瓷板的更换成本，本实施例的覆盖体200开设有至少一个贯通第一表面和第二表面的安装空间210，每个绝缘单体300均单独设置于一个安装空间210内，且每个绝缘单体300用于支撑待加工件700。通常，待加工件700为晶圆。
在本实施例中，绝缘单体300和安装空间210的具体数量不受限制，它们均可以设置一个，也可以设置为多个；通常，绝缘单体300与安装空间210的数量对应匹配。
本实施例的每个绝缘单体300均内置有电极部310，电极部310用于与供电电源电连接。在供电电源向电极部310通电后，电极部310周围会产生电场，待加工件700内部的分子会在电场作用下发生极化，并产生极化电荷，极化电荷与对应的电场之间会产生静电力，静电力会将待加工件700有效地吸附固定在绝缘单体300上。
在本实施例中，每个绝缘单体300用于单独支撑待加工件700，也即，一个绝缘单体300不会支撑多个待加工件700，如此情况下，能够避免多个待加工件700在极化后互相产生影响，而弱化了该静电卡盘装置对待加工件700的固定效果。
在绝缘单体300受损的情况下，可直接单独更换受损的绝缘单体300，相较于现有技术需要更换整个陶瓷板，本实施例的绝缘单体300体积均较小，烧结加工难度小，因此，在更换时无疑具备更换方便、更换成本较低的优势。
通常，基部100可以采用质地较硬，而熔点较高的材料制成，例如基部100可选用金属铝制成，如此能够使得基部100具有较高的导热性能，以提升静电卡盘装置对待加工件700的温度调节能力和调节精度，在本实施例中，即指的对绝缘单体300表面的温度调节能力和调节精度。
为了进一步地优化静电卡盘装置的温度调节能力，本实施例的基部100还可在其内部设置冷媒通道120，冷媒通道120中设置有冷却流体，冷却流体具体可包括冷却水、冷空气等，冷媒通道120通常串行设置在基部100中，在冷却流体流动时就可以调节基部100的温度，基于热力学第二定律，覆盖体200和绝缘单体300的热量会传导至基部100，从而调整覆盖体200和绝缘单体300的温度，进而优化静电卡盘装置对待加工件700的温度调节能力和调节精度。
由于待加工件700和绝缘单体300的表面通常为粗糙面，因而二者在接触时会在之间形成较多的间隙，而这些间隙将会影响二者之间的热传导效果，进而对静电卡盘装置调控待加工件700的温度产生不良效果，基于此，本实施例的每个绝缘单体300可以设有贯穿其顶面和底面的通气道，基部100对应每个绝缘单体300均设置有充气道；每个绝缘单体300和基部100之间均设有密封圈800，且每个绝缘单体300的通气道的进气口和与其对应的基部100对应的充气道的出气口均位于密封圈800围绕的区域内。
应理解的是，在工艺过程中，向基部100内的充气道通入导热气体，导热气体会从充气道进入不同绝缘单体300所设置的进气道内，进而导热气体可进入待加工件700和绝缘单体300的间隙中，并填补间隙以进行热传递，如此便可以提升对待加工件700的温度控制效果。其中，密封圈800可避免导热气体流出静电卡盘装置，起到密封效果，防止导热气体外泄。导热气体可选为部分无害的稀有气体，通常，导热气体可选为氦气，其既具有较优的导热性，且活性较低；当然，本实施例未限制导热气体的具体类型。
进一步地，通气道纵向贯穿绝缘单体300设置，且电极部310对应通气道设置避让孔，且避让孔的直径大于通气道直径，避免电极部310在通气道中裸露，导致电极部310与导热气体发生反应，进而可确保电极部310具备较长的使用寿命。
静电卡盘装置在使用之后，基部100与覆盖体200之间容易残留有杂质，为了便于能够对这些杂质进行清理，本实施例的覆盖体200与基部100可以为可拆卸连接关系，如此，在将覆盖体200与基部100拆卸分离的情况下，就能够较为方便地对基部100的承载面进行清理，同时也能够对覆盖体200的第一表面进行清理。
由上述说明可知，在本发明实施例公开的静电卡盘装置中，每个绝缘单体300均内置有电极部310，在对电极部310施加电压时，电极部310和绝缘单体300上的待加工件700之间会产生静电力，因此就能够将待加工件700吸附在绝缘单体300上，进而实现了对待加工件700的固定；同时，由于每个绝缘单体300均设置于一个安装空间210内，也即绝缘单体300作为单独的个体设置于安装空间210中，当其损坏后，可直接更换掉该损坏的绝缘单体300，就能够确保静电卡盘装置的正常使用。
相较于现有技术，本发明实施例公开的静电卡盘装置在绝缘单体300受损后，不需要如现有技术更换整个陶瓷板，无疑能够降低陶瓷板的损耗率，进而达到节约成本的目的。
为了使得绝缘单体稳定置放于安装空间210内，以能够避免在移动覆盖体200时，绝缘单体300从安装空间210中掉落而损坏，本实施例的绝缘单体300可以可拆卸地设置于安装空间210。如此，当绝缘单体300设置于安装空间210内时，绝缘单体300可与覆盖体200的内壁相连接，进而将绝缘单体300固定在覆盖体200上，在移动覆盖体200时绝缘单元300就不会掉落；反之，某个绝缘单体300受损后，就将该绝缘单体300从覆盖体200拆卸下来，就可将其从安装空间210中顺利取出并进行更换。
通常，绝缘单体300可以在安装空间210内与覆盖体200螺纹配合，在使用时通过旋扭绝缘单体300就可以实现其在安装空间210内的安装和拆卸。具体而言，绝缘单体300的外周面可设置有外螺纹，覆盖体200在安装空间210的内侧壁相应设置有内螺纹，且外螺纹和内螺纹可适配。
当然，在本实施例中，绝缘单体300与覆盖体200还可以通过其他的连接方式实现可拆卸配合，例如在绝缘单体300的外周面设置有导向斜面，绝缘单体300通过导向斜面可插接配合于安装空间210，且导向斜面与覆盖体200的内壁过盈配合；或者，在绝缘单体300和覆盖体200中，一者设置有卡块，另一者设置有限位槽，卡块可与限位槽限位卡合；或者，绝缘单体300与覆盖体200磁吸配合。
为了避免绝缘单体300的边缘的吸附效果受到影响，当然，结合后文所述的该静电卡盘装置具备刻蚀功能时，也为了避免绝缘单体300的边缘的刻蚀效果受到影响，在本实施例中，在静电卡盘装置的高度方向上，第二表面的位置可以不高于待加工件700的上表面。
具体而言，第二表面的位置可以等于或者低于待加工件700的上表面，而不能高于待加工件700的上表面。以第二表面的位置高于待加工件700的上表面为例，覆盖体200高于待加工件700的上表面的部分会影响待加工件700周围的电场、气体流场等的分布，会导致待加工件700边缘的静电吸附效果变差，以及待加工件700边缘的刻蚀效率变低，最终会导致待加工件700的整体刻蚀均匀性变差，而影响良品率。
在传统的静电卡盘装置中，供电电源通常单线馈入到陶瓷板中，而如此会导致馈入点电流过大，而馈线过流面积显得相对较小，存在安全风险。
如图3～7所示，为了避免静电卡盘装置在使用时出现安全问题，在本实施例中，供电电源可以通过馈电组件与电极部310电连接；馈电组件嵌设于基部100，每个电极部310上均设置有第一外延部320，第一外延部320的一端与电极部310电连接，第一外延部320的另一端延伸至绝缘单体300之外，并与馈电组件电连接。
如此设置下，在供电电源通过馈电组件将电流馈入到每个绝缘单体300中，而具体通过第一外延部320馈入到绝缘单体300中，相当于通过多个第一外延部320均分总电流，无疑会使得馈入到绝缘单体300中的电流减小，并与第一外延部320的过流面积相适配，进而避免出现使用安全问题；在安全馈电的情况下，就能够对待加工件700进行正常的静电吸附。
在传统的静电卡盘装置中，为了将其应用于刻蚀工艺中，通常还需要设置射频电源与基部100连接，但是基部100与电极部310之间存在诸多电容，如此会影响到射频耦合效率，进而影响到刻蚀质量，降低待加工件700的加工良品率。
为了使得本实施例的静电卡盘装置能够应用于刻蚀工艺中，在本实施例中，供电电源通过第一馈线510与馈电组件电连接，且馈电组件还通过第二馈线520与射频电源电连接。如此，在确保了待加工件700被静电吸附的前提下，射频电源可对待加工件700施加负偏压，并通过负偏压在待加工件700进行刻蚀。通常，负偏压为直流偏压。
同时，射频电源通过馈电组件直接馈入到电极部310，使得射频电源与待加工件700之间的距离变小，进而使得电容变小，如此就提升了射频耦合效率。
在本实施例中，第一馈线510和第二馈线520通常并联后与馈电组件电连接；且第一馈线510上设置有电感器件511和滤波器件512，第二馈线520上设置有隔直电容器件521。应理解的是，电感器件511能够阻止第二馈线520上的电流通过，以避免射频电源的电流泄漏，同时，滤波器件512能够对特定频率的电源信号进行滤除，进而能够进一步地阻断射频电源的电流泄漏；隔直电容器件521具有隔直通交的作用，能够避免第一馈线510的直流电流通过，以避免供电电源的部分电流通过。
在本实施例中，馈电组件有多种类型，例如馈电组件为一个整体馈电结构，全部第一外延部320均与该整体馈电结构电连接。在另一种具体的实施方式中，馈电组件可以包括多条馈电支线410，每条馈电支线410均设置有一个馈电模组420，馈电模组420均嵌设于基部100，每个馈电模组420与至少一个第一外延部320电连接。如图6所示，一个馈电模组420仅与一个第一外延部320电连接，当然，一个馈电模组420也可以与多个第一外延部320电连接。
馈电模组420的类型也有多种，例如馈电模组420包括馈电棒和弹性导电件，弹性导电件的两端分别与馈电棒和第一外延部320电连接，在预设情况下，弹性导电件以合适的作用力与第一外延部320相抵。
如图7所示，本实施例的馈电模组420可以包括馈电棒421、转接件422、弹性件423和支撑导电元件424，馈电棒421朝向绝缘单体300的端部设置有导向空间421a，转接件422可伸缩地设置于导向空间421a内，弹性件423的一端与馈电棒421相连，弹性件423的另一端与转接件422相连；转接件422具有第二外延部422a，第二外延部422a通过支撑导电元件424与导向空间421a的内侧壁相配合，且支撑导电元件424的电阻小于弹性件423的电阻。
应理解的是，弹性件423在被压缩时处于变形状态，其直接与第一外延部320相抵接，可能会存在歪斜、连接关系不稳定的问题，而本实施例的弹性件423在转接件422和馈电棒421之间被压缩，其能够施加转接件422预设的弹力，使得转接件422与第一外延部320相抵，而转接件422作为一个稳定的构件，其不会歪斜，进而可与第一外延部320保持稳定的连接关系，以确保电流馈入到电极部310。
通常，弹性件423可选用压缩弹簧，当然弹性件423还可以选用其他的弹性导电件，例如导电泡棉。
在本实施例中，转接件422、弹性件423和第二外延部426均设置于导向空间421a中，馈电棒421可约束它们在弹性件423的伸缩方向移动，如此能够使得馈电模组420内部的配合关系更为稳固。
为了避免转接件422过度顶升绝缘单体300，本实施例的馈电模组420还可以包括限位部425，限位部425用于对转接件422在其移动方向上进行限位；如图7所示，由于转接件422与第二外延部426相连，限位部425可限位配合于第二外延部426，进而间接对转接件422进行限位；当然，限位部425也可以直接限位配合于转接件422。
由于供电电源的电流较小，通常在微安级，而射频电源的电流较大，通常在几安培到十几安培，以常用的压缩弹簧为例，其丝径过小而不能耐受，丝径较大，则压缩弹簧的弹力会增大，并会顶坏绝缘单体300。为了解决上述的问题，本实施例限定支撑导电元件424的电阻小于弹性件423的电阻。
如此设置下，支撑导电元件424的电阻较小，电流会依次从支撑导电元件424馈入到第二外延部426，并再由第二外延部426馈入到转接件422中；同时，基于弹性件423的存在，其施加转接件422的作用力能够确保转接件422与第一外延部320相抵，如此就能够使得电流正常馈入到电极部310。当然，在该实施方式中，压缩弹簧可选择适合的丝径，以保证具有预设的压缩弹力即可。
本实施例的支撑导电元件424可以为沿馈电棒421的轴向间隔布设的多个滚珠，此时，导向空间421a的内侧壁可以对应每个滚珠单独设有球形凹槽。应理解的是，在多个滚珠具备相较于弹性件423更小的电阻的情况下，第二外延部426还可以通过滚珠与馈电棒421滑动配合，如此就能够确保在弹性件423产生形变时第二外延部426可与馈电棒421顺利产生相对位移。
当然，在本实施例中，支撑导电元件424的类型有多种，例如支撑导电元件424为设置于馈电棒421上的滑块，第二外延部426滑动配合于该滑块。
为了避免电流在馈入过程中存在功率损耗，本实施例的基部100内可以开设有与馈电模组420数量相同的屏蔽通道110，每个馈电模组420和与其相连的馈电支线410均嵌设于屏蔽通道110内。应理解的是，当馈电模组420和与其相连的馈电支线410嵌设于屏蔽通道110内时，既可以确保射频电流在馈入过程中无功率损耗，也能够确保供电电源的电流无泄漏风险。
具体地，该静电卡盘装置可以包括筒状屏蔽件，筒状屏蔽件可以插接在基部100中，并基于筒状屏蔽件内腔而形成屏蔽通道。本实施例不限制筒状屏蔽件的具体材质和形状，其可以由屏蔽纤维布、屏蔽橡胶等制成，截面可呈三角形、方形等均可。
在本实施例中，屏蔽通道110通常可选为陶瓷隔离筒，且为了便于加工，其截面通常为圆形。
基于前述的静电卡盘装置，本发明实施例还公开一种半导体工艺设备，其包括供电电源、射频电源以及前述的静电卡盘装置，静电卡盘装置设置于半导体工艺腔室内，供电电源和射频电源均与静电卡盘装置的电极部电连接。在本实施例中，半导体工艺设备的类型有多种，例如半导体刻蚀设备、半导体沉积设备等，本实施例对其不做限制。
本发明上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。
Claims (14)
1.一种静电卡盘装置，其特征在于，包括基部(100)、覆盖体(200)和至少一个绝缘单体(300)，所述基部(100)具有承载面，所述覆盖体(200)具有相背设置的第一表面和第二表面，所述覆盖体(200)通过所述第一表面覆设于所述承载面，所述覆盖体(200)开设有至少一个贯通所述第一表面和所述第二表面的安装空间(210)；
每个所述绝缘单体(300)均单独设置于一个所述安装空间(210)内，且每个所述绝缘单体(300)用于单独支撑待加工件(700)；每个所述绝缘单体(300)均内置有电极部(310)，所述电极部(310)用于与供电电源电连接；
所述供电电源通过馈电组件与所述电极部(310)电连接；
所述馈电组件包括多条馈电支线(410)，每条所述馈电支线(410)均设置有一个馈电模组(420)；
所述馈电模组(420)包括馈电棒(421)、转接件(422)和弹性件(423)，所述馈电棒(421)朝向所述绝缘单体(300)的端部设置有导向空间(421a)，所述转接件(422)可伸缩地设置于所述导向空间(421a)内，所述弹性件(423)的一端与所述馈电棒(421)相连，所述弹性件(423)的另一端与所述转接件(422)相连。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述绝缘单体(300)可拆卸地设置于所述安装空间(210)。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述绝缘单体(300)在所述安装空间(210)内与所述覆盖体(200)螺纹配合。
4.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，在所述静电卡盘装置的高度方向上，所述第二表面的位置不高于所述待加工件(700)的上表面。
5.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，每个所述绝缘单体(300)设有其贯穿顶面和底面的通气道，所述基部(100)对应每个所述绝缘单体(300)均设置有充气道；
每个所述绝缘单体(300)和所述基部(100)之间均设有密封圈(800)，且每个所述绝缘单体(300)的通气道的进气口和与其对应的所述基部(100)的充气道的出气口均位于所述密封圈(800)围绕的区域内。
6.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述馈电组件嵌设于所述基部(100)，每个所述电极部(310)上均设置有第一外延部(320)，所述第一外延部(320)的一端与所述电极部(310)电连接，所述第一外延部(320)的另一端延伸至所述绝缘单体(300)之外，并与所述馈电组件电连接。
7.根据权利要求6所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述供电电源通过第一馈线(510)与所述馈电组件电连接，且所述馈电组件还通过第二馈线(520)与射频电源电连接。
8.根据权利要求7所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述第一馈线(510)和所述第二馈线(520)并联后与所述馈电组件电连接；且所述第一馈线(510)上设置有电感器件(511)和滤波器件(512)，所述第二馈线(520)上设置有隔直电容器件(521)。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述馈电模组(420)均嵌设于所述基部(100)，每个所述馈电模组(420)与至少一个所述第一外延部(320)电连接。
10.根据权利要求9所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述馈电模组(420)还包括支撑导电元件(424)；
所述转接件(422)具有第二外延部(422a)，所述第二外延部(422a)通过所述支撑导电元件(424)与所述导向空间(421a)的内侧壁相配合，且所述支撑导电元件(424)的电阻小于所述弹性件(423)的电阻。
11.根据权利要求10所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述支撑导电元件(424)为沿所述馈电棒(421)的轴向间隔布设的多个滚珠，所述导向空间(421a)的内侧壁对应每个所述滚珠单独设有球形凹槽，所述滚珠部分位于所述球形凹槽内。
12.根据权利要求9所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述基部(100)内开设有与所述馈电模组(420)数量相同的屏蔽通道(110)，每个所述馈电模组(420)和与其相连的所述馈电支线(410)均嵌设于所述屏蔽通道(110)内。
13.根据权利要求12所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述屏蔽通道(110)为陶瓷隔离筒。
14.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括供电电源、射频电源以及权利要求1至13中任一项所述的静电卡盘装置，所述静电卡盘装置设置于所述半导体工艺腔室内，所述供电电源和所述射频电源均与所述静电卡盘装置的电极部电连接。
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