CN112130352A - 一种光开关 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种光开关，包括第一无源波导结构、第二无源波导结构和有源波导结构，有源波导结构设于第一无源波导结构和第二无源波导结构之间；第一无源波导结构和第二无源波导结构均采用氮化硅材料制备形成，有源波导结构采用铌酸锂薄膜材料制备形成；本申请提出的光开关将氮化硅的较低传输损耗的优势与铌酸锂薄膜的优异的电光特性的优势结合，使得两种材料混合集成的光开关具有低损耗、快开关速度与低功耗等优势。
Description
技术领域
本申请涉及通讯器件技术领域，特别涉及一种光开关。
背景技术
随着近些年来光通信领域的急速发展，尤其是光纤到户的推进、大数据、物联网的兴起，人们对通讯带宽、通讯量以及通讯速率的需求也急剧增加。光开关作为通讯网络里的基础器件，起着重要作用，尤其是波分复用与交叉互联中起着不可替代的作用。
传统光开关主要分为机械光开关、热光开关、声光开光、电光开光和全光开光几大类。相较于其他类型光开关，电光开关具有响应时间短开关速度快等优势。光开关现有技术现在最为常用的光开关为铌酸锂体材料光开关，由于铌酸锂具有较高的电光系数，因此具有响应时间短、开关速度快等优势。但由于体材料折射率差小，因此体积大，不易集成，一般作为单独器件使用。随着制备工艺的发展，具有较好光学特性的铌酸锂薄膜材料的制备工艺与加工工艺日益成熟，基于铌酸锂薄膜的集成光波导调制器件越来越受到重视。其铌酸锂薄膜材料仍然存在不能与半导体常规工艺互补金属氧化物半导体（CMOS，ComplementaryMetal Oxide Semiconductor）相兼容、制备成本高、传输损耗较高、不宜制备无源光波导器件的技术问题。因此，现有的基于铌酸锂薄膜或其他单一材料的集成光波导调制器件已经无法满足现今光通讯对开关速度、功耗、集成度与损耗各个方面的要求。
发明内容
本申请要解决是现有技术中单一材料制成的光开关损耗高，开关速度慢的技术问题。
为解决上述技术问题，本申请公开了一种光开关，所述光开关包括第一无源波导结构、第二无源波导结构和有源波导结构，所述有源波导结构设于所述第一无源波导结构和所述第二无源波导结构之间；
所述第一无源波导结构和所述第二无源波导结构均采用氮化硅材料制备形成，所述有源波导结构采用铌酸锂薄膜材料制备形成。
进一步地，所述第一无源波导结构与所述有源波导结构之间通过第一渐变波导结构对接，所述第二无源波导结构与所述有源波导结构之间通过第二渐变波导结构对接。
本申请无源波导结构采用氮化硅材料，能够降低光开关的损耗；有源波导结构采用电光系数较高的铌酸锂薄膜，其采用铌酸锂薄膜材料平台制备，具有较高的光电系数，使光开关具有较快的开关速度。
本申请在有源波导结构和无源波导结构的波导对接处设计渐变波导结构，能够使得两个模场相互匹配，降低耦合损耗，并降低对接难度。
进一步地，所述第一无源波导结构包括输入耦合器，所述第二无源波导结构包括输出耦合器，所述输入耦合器和所述输出耦合器均与光纤对接。
进一步地，所述输入耦合器为光栅离面耦合器或倒锥形光纤波导耦合器；
所述输出耦合器为光栅离面耦合器或倒锥形光纤波导耦合器。
进一步地，所述第一无源波导结构还包括第一3dB耦合器，所述第二无源波导结构包括第二3dB耦合器；
所述第一3dB耦合器的一端与所述输入耦合器连接，所述第一3dB
耦合器的另一端与所述第一渐变波导结构连接；
所述第二3dB耦合器的一端与所述输出耦合器连接，所述第二3dB
耦合器的另一端与所述第二渐变波导结构连接。
进一步地，所述第一3dB耦合器基于多模干涉耦合器(Multi-Mode InterferenceCoupler,MMlCoupler,MMI)结构、Y分支结构或定向耦合器结构；
所述第二3dB耦合器基于MMI结构、Y分支结构或定向耦合器结构。
进一步地，所述有源波导结构包括平行双波导结构和电极结构。
进一步地，所述电极结构中电极采用行波电极；所述电极结构的调制方式为单臂调制或推挽式调制。
进一步地，所述第一渐变波导结构和所述第二渐变波导结构均为渐变波导模式转换器。
进一步地，所述渐变波导模式转换器为锥形模斑转换器。
采用上述技术方案，本申请具有如下有益效果：
本申请提出的光开关采用氮化硅材料制备无源波导结构，采用铌酸锂薄膜材料制备有源波导结构，将氮化硅的较低传输损耗的优势与铌酸锂薄膜的优异的电光特性的优势结合，使得两种材料混合集成的光开关具有低损耗、快开关速度与低功耗等优势。且本申请提供的光开关采用两种材料芯片直接耦合的结构，铌酸锂波导采用多模波导结构，氮化硅对接区域设计渐变波导结构，能够扩大模场范围，降低对准损耗与对准难度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例一种光开关的结构示意图。
图2为本申请实施例一种光开关的第一无源波导结构与有源波导结构对接的示意图。
以下对附图作补充说明：
1-第一无源波导结构；11-第一3dB耦合器；2-第二无源波导结构；21-第二3dB耦合器；3-有源波导结构；31-电极结构；4-第一渐变波导结构。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本申请至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本申请实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含的包括一个或者更多个该特征。而且，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
请参见图1并结合图2，图1为本申请实施例一种光开关的结构示意图，图1中的光开关包括第一无源波导结构1、第二无源波导结构2和有源波导结构3，有源波导结构3设于第一无源波导结构1和第二无源波导结构2之间；
图2为本申请实施例第一无源波导结构1与有源波导结构3对接的示意图；第一无源波导结构1与有源波导结构3之间通过第一渐变波导结构4对接，第二无源波导结构2与有源波导结构3之间通过第二渐变波导结构对接；本申请实施例中，第一渐变波导结构4和第二渐变波导结构可以为相同结构或起相同作用的相似结构；本申请实施例中，第一渐变波导结构4和第二渐变波导结构可以均为渐变波导模式转换器。一种可实施的方案中，渐变波导模式转换器可以为锥形模斑转换器。本申请实施例在有源波导结构3和无源波导结构的波导对接处设计渐变波导结构，能够使得两个模场相互匹配，降低耦合损耗，并降低对接难度。
第一无源波导结构1和第二无源波导结构2均采用氮化硅材料制备形成，有源波导结构3采用铌酸锂薄膜材料制备形成；
本申请实施例，可实施的，第一无源波导结构1和第二无源波导结构2中氮化硅波导的尺寸可以为宽1μm，高300nm；有源波导结构3中铌酸锂薄膜波导的尺寸可以为宽3.6μm，高500nm；锥形模斑转换器的尺寸可以为长50μm。
有源波导结构3包括平行双波导结构和电极结构。
本申请实施例提供的光开关基于电光调制的马赫曾德尔结构光开关，主要包括输入波导与输出波导、两个3dB耦合器与两条平行波导。其主要分为两部分：无源波导结构（包括第一无源波导结构1和第二无源波导结构2）与有源波导结构3。无源波导结构采用损耗低集成度高的氮化硅材料，实现光开关无源部分的制备。有源波导结构3采用电光系数较高的铌酸锂薄膜，其采用铌酸锂薄膜材料平台制备，具有较高的光电系数，使光开关具有较快的开关速度。
本申请实施例中，有源波导结构3主要包括用于调制的上下平行波导与电极结构构成。其中，该波导结构可以包括沉底、上下包层与波导。
本申请实施例通过电控的方式实现光开关的开关控制。
本申请实施例提供基于铌酸锂薄膜与氮化硅两种材料混合集成的光开关能够弥补市场现存集成光波导光开关的不足，满足现今光通讯对开关速度、功耗、集成度与 损耗各个方面的要求。铌酸锂薄膜材料作为光开关常用的材料，具有较高的电光系数，因此具有响应时间短、开关速度快等优势。但由于体材料折射率差小，因此难以集成；氮化硅作为集成光波导器件制备的常用材料，具有与CMOS工艺兼容，集成度高，损耗低等优势，其损耗一般低至0.1dB/cm。但是由于其材料特性，很难实现电光调制，而常用的热光调制，调制效率低且功耗大。本申请实施例提供的光开关将两种材料结合，其中采用氮化硅材料制备无源波导结构，采用铌酸锂薄膜材料制备有源波导结构3，将氮化硅的较低传输损耗的优势与铌酸锂薄膜的优异的电光特性的优势结合，使得两种材料混合集成的光开关具有低损耗、快开关速度与低功耗等优势。且本申请提供的光开关采用两种材料芯片直接耦合的结构，铌酸锂波导采用多模波导结构，氮化硅与铌酸锂对接区域设计渐变波导结构，扩大模场范围，降低对准损耗与对准难度。
本申请提出的混合集成光开关，能够充分利用两种材料体系的优势，相对于氮化硅材料常用的温控光开关，具有快开关速度、低功耗等优势，相对于近些年新兴的铌酸锂薄膜材料的光开关，具有低损耗易与其他器件集成等优势。相对于其他传统集成光波导具有低损耗，快开关速度等优势。
本申请提供的光开关可完全替代传统光波导光开关结构，并且能根据需求与传统集成光波导器件相集成完成更为复杂的功能。
本申请实施例中，第一无源波导结构1包括输入耦合器，第二无源波导结构2包括输出耦合器，输入耦合器和输出耦合器均与光纤对接。
本申请实施例中，输入耦合器可以为光栅离面耦合器，可实施的，输入耦合器也可以为倒锥形光纤波导耦合器；输出耦合器可以为光栅离面耦合器，可实施的，输出耦合器也可以为倒锥形光纤波导耦合器；能够有效保证耦合效率。
本申请实施例中，第一无源波导结构1还包括第一3dB耦合器，第二无源波导结构2包括第二3dB耦合器；第一3dB耦合器11的一端与输入耦合器连接，第一3dB耦合器的另一端与第一渐变波导结构4连接；第二3dB耦合器21的一端与输出耦合器连接，第二3dB耦合器21的另一端与第二渐变波导结构连接。
本申请实施例中，第一3dB耦合器可以基于MMI结构，也可以基于Y分支结构或定向耦合器结构；第二3dB耦合器21可以基于MMI结构，也可以基于Y分支结构或定向耦合器结构；即第一3dB耦合器和第二3dB耦合器21均可以为MMI型耦合器、Y分支结构耦合器或为定向耦合器。
本申请实施例中，电极结构31中电极可以采用行波电极也可以采用常规电极。其中，常规电极可以为金属电极；电极结构31的调制方式为单臂调制或推挽式调制。
以上仅为本申请的较佳实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种光开关，其特征在于：所述光开关包括第一无源波导结构（1）、第二无源波导结构（2）和有源波导结构（3），所述有源波导结构（3）设于所述第一无源波导结构（1）和所述第二无源波导结构（2）之间；
所述第一无源波导结构（1）和所述第二无源波导结构（2）均采用氮化硅材料制备形成，所述有源波导结构（3）采用铌酸锂薄膜材料制备形成。
2.根据权利要求1所述的光开关，其特征在于，所述第一无源波导结构（1）和所述有源波导结构（3）之间通过第一渐变波导结构（4）对接，所述第二无源波导结构（2）与所述有源波导结构（3）之间通过第二渐变波导结构对接。
3.根据权利要求2所述的光开关，其特征在于，所述第一无源波导结构（1）包括输入耦合器，所述第二无源波导结构（2）包括输出耦合器，所述输入耦合器和所述输出耦合器均与光纤对接。
4.根据权利要求3所述的光开关，其特征在于，所述输入耦合器为光栅离面耦合器或倒锥形光纤波导耦合器；
所述输出耦合器为光栅离面耦合器或倒锥形光纤波导耦合器。
5. 根据权利要求3所述的光开关，其特征在于，所述第一无源波导结构（1）还包括第一3dB耦合器（11），所述第二无源波导结构（2）包括第二3dB耦合器（21）；
所述第一3dB耦合器（11）的一端与所述输入耦合器连接，所述第一
3dB耦合器（11）的另一端与所述第一渐变波导结构（4）连接；
所述第二3dB耦合器（21）的一端与所述输出耦合器连接，所述第
二3dB耦合器（21）的另一端与所述第二渐变波导结构连接。
6.根据权利要求5所述的光开关，其特征在于，所述第一3dB耦合器（11）基于MMI结构、Y分支结构或定向耦合器结构；
所述第二3dB耦合器（21）基于MMI结构、Y分支结构或定向耦合器结
构。
7.根据权利要求1所述的光开关，其特征在于，所述有源波导结构（3）包括平行双波导结构和电极结构（31）。
8.根据权利要求7所述的光开关，其特征在于，所述电极结构（31）中电极采用行波电极；
所述电极结构（31）的调制方式为单臂调制或推挽式调制。
9.根据权利要求2所述的光开关，其特征在于，所述第一渐变波导结构（4）和所述第二渐变波导结构均为渐变波导模式转换器。
10.根据权利要求9所述的光开关，其特征在于，所述渐变波导模式转换器为锥形模斑转换器。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113820801A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-21 | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 | 一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器 |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5408566A (en) * | 1992-04-21 | 1995-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical guided-wave device and manufacturing method |
| US20030118279A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-06-26 | Lynx Photonic Networks Inc | High-tolerance broadband-optical switch in planar lightwave circuits |
| CN101620296A (zh) * | 2008-06-30 | 2010-01-06 | Jds尤尼弗思公司 | 一种光电衬底上的高约束波导 |
| US20120039565A1 (en) * | 2010-08-12 | 2012-02-16 | Octrolix Bv | Beam Combiner |
| US20130028557A1 (en) * | 2011-07-27 | 2013-01-31 | National Tsing Hua University | Practical silicon photonic multi-function integrated-optic chip for fiber sensor applications |
| US8855449B1 (en) * | 2013-08-13 | 2014-10-07 | Aurrion, Inc. | Adiabatic waveguide polarization converter |
| CN105589222A (zh) * | 2016-03-10 | 2016-05-18 | 哈尔滨工程大学 | 一种具有调制功能的双芯光纤光开关 |
| CN107843957A (zh) * | 2017-11-13 | 2018-03-27 | 上海理工大学 | 氮化硅‑铌酸锂异质集成波导器件结构及制备方法 |
| US20190293865A1 (en) * | 2018-03-23 | 2019-09-26 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide element |
| CN110286540A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-27 | 北京工业大学 | 一种基于马赫增德尔干涉结构的1×4铌酸锂波导光开关 |
| KR102070349B1 (ko) * | 2019-04-17 | 2020-01-28 | 광운대학교 산학협력단 | 리튬나이오베이트-실리콘나이트라이드 기반의 광 위상변조기 및 이를 이용한 광위상 배열안테나 |
| CN111175889A (zh) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 国科光芯(海宁)科技股份有限公司 | 一种集成光学分束器 |
| CN111175999A (zh) * | 2020-02-24 | 2020-05-19 | 上海交通大学 | 基于铌酸锂-硅晶圆的高速低电压电光调制器 |
| CN111290191A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-06-16 | 联合微电子中心有限责任公司 | 定向耦合器及基于氮化硅平台的光开关 |
| CN111474745A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-07-31 | 上海交通大学 | 一种基于多材料体系的光电单片集成系统 |
| CN211506095U (zh) * | 2020-03-13 | 2020-09-15 | 天津领芯科技发展有限公司 | 一种铌酸锂薄膜电光调制器 |
-
2020
- 2020-09-28 CN CN202011039770.9A patent/CN112130352A/zh active Pending
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5408566A (en) * | 1992-04-21 | 1995-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical guided-wave device and manufacturing method |
| US20030118279A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-06-26 | Lynx Photonic Networks Inc | High-tolerance broadband-optical switch in planar lightwave circuits |
| CN101620296A (zh) * | 2008-06-30 | 2010-01-06 | Jds尤尼弗思公司 | 一种光电衬底上的高约束波导 |
| US20120039565A1 (en) * | 2010-08-12 | 2012-02-16 | Octrolix Bv | Beam Combiner |
| US20130028557A1 (en) * | 2011-07-27 | 2013-01-31 | National Tsing Hua University | Practical silicon photonic multi-function integrated-optic chip for fiber sensor applications |
| US8855449B1 (en) * | 2013-08-13 | 2014-10-07 | Aurrion, Inc. | Adiabatic waveguide polarization converter |
| CN105589222A (zh) * | 2016-03-10 | 2016-05-18 | 哈尔滨工程大学 | 一种具有调制功能的双芯光纤光开关 |
| CN107843957A (zh) * | 2017-11-13 | 2018-03-27 | 上海理工大学 | 氮化硅‑铌酸锂异质集成波导器件结构及制备方法 |
| US20190293865A1 (en) * | 2018-03-23 | 2019-09-26 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide element |
| CN111175889A (zh) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 国科光芯(海宁)科技股份有限公司 | 一种集成光学分束器 |
| KR102070349B1 (ko) * | 2019-04-17 | 2020-01-28 | 광운대학교 산학협력단 | 리튬나이오베이트-실리콘나이트라이드 기반의 광 위상변조기 및 이를 이용한 광위상 배열안테나 |
| CN110286540A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-27 | 北京工业大学 | 一种基于马赫增德尔干涉结构的1×4铌酸锂波导光开关 |
| CN111290191A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-06-16 | 联合微电子中心有限责任公司 | 定向耦合器及基于氮化硅平台的光开关 |
| CN111175999A (zh) * | 2020-02-24 | 2020-05-19 | 上海交通大学 | 基于铌酸锂-硅晶圆的高速低电压电光调制器 |
| CN211506095U (zh) * | 2020-03-13 | 2020-09-15 | 天津领芯科技发展有限公司 | 一种铌酸锂薄膜电光调制器 |
| CN111474745A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-07-31 | 上海交通大学 | 一种基于多材料体系的光电单片集成系统 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113820801A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-21 | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 | 一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器 |
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