CN112119840A - 一种吉祥草的种植方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种吉祥草的种植方法,包括以下步骤:选择环境幽静、无工业污染、沙质土壤、空气清新的地块为种植地;在种植地上搭建大棚,大棚内设置温控系统、喷洒系统、光照系统、二氧化碳供给系统、湿度控制系统;对大棚内的耙细整平的种植地做畦;选取叶色浓绿、生长旺盛、无病虫害的吉祥草幼苗植株进行移栽;移栽后前5~7天保持大棚内温度为21~23℃;吉祥草幼苗成活后,将大棚内温度为23~26℃;每半年对吉祥草进行追肥;每隔1个月通过喷洒系统喷洒酒精进行消毒;吉祥草成熟时视时进行采摘。该吉祥草的种植方法提供适宜吉祥草生长所需环境条件,确保了吉祥草良好生长,种植的吉祥草长势旺盛、生长较快、产出较高。
Description
技术领域
本发明涉及吉祥草种植技术领域,具体涉及一种吉祥草的种植方法。
背景技术
随着经济的快速发展,人们生活水平的不断提高,近年来,绿色生活逐渐受到人们的认可。中药材因其副作用小,具有绿色作物特点,也逐渐得到人们的认同。吉祥草是重要的中药材之一,其使用逐渐得到推广。吉祥草又名紫衣草,是百合科,吉祥草属多年生常绿草本植物。吉祥草是多年生常绿草本花卉,地下根茎匍匐,节处生根,叶呈带状披针形,端渐尖,花葶抽于叶丛,花内白色外紫红色,稍有芳香;吉祥草叶绿,丛生,宽线形,中脉下凹,尾端渐尖;吉祥草茎呈匍匐根状,节端生根;吉祥草花淡紫色,直立,顶生穗状花序;吉祥草果鲜红色,球形;吉祥草花芳香,粉红色;吉祥草裂片矩圆形,长5-7毫米,先端钝,稍肉质;吉祥草雄蕊短于花柱,花丝丝状,花药近矩圆形,两端微凹;吉祥草浆果熟时鲜红色。吉祥草株形优美,叶色青翠,是非常好的家庭装饰花卉。吉祥草味苦、性平,有润肺止咳、固肾、接骨之功效。吉祥草入药具有祛风等作用。吉祥草具有良好的清热解毒效果,另外还有接骨的作用,以及帮助治疗哮喘、肺结核、吐血等疾病。总之吉祥草优点数不胜数,吉祥草的需求量越来越大,吉祥草种植技术也得到了快速发展。目前,常规的吉祥草种植只是简单的室外种植,没有提供吉祥草生长所需环境条件,使得吉祥草长势不好、生长缓慢、产出不高,达不到种植吉祥草的目的。并且,也没有合理处理吉祥草生长过程出现的虫害,使得吉祥草经常出现坏死情况,影响了吉祥草的正常种植。另外,也没有提供吉祥草生长所需养分,使得种植的吉祥草质量品质不高,影响了吉祥草的经济效益。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种合理的提供吉祥草生长所需环境条件,较好的保障了吉祥草茁壮生长,提高吉祥草种植经济效益的吉祥草的种植方法。
一种吉祥草的种植方法,包括以下步骤:(1)选择环境幽静、无工业污染、沙质土壤、空气清新的地块为种植地,对种植地进行翻耕,翻耕后按每亩施加腐熟农家肥3000~3200公斤、复合肥200~300公斤、过磷酸钙60~80公斤、尿素40~60公斤,将施肥后的种植地耙细整平;(2)在种植地上搭建大棚,大棚内设置温控系统、喷洒系统、光照系统、二氧化碳供给系统、湿度控制系统;(3)对大棚内的耙细整平的种植地做畦,畦高为5~15厘米,畦宽为10~15厘米,畦之间的距离为10~20厘米;(4)选取叶色浓绿、生长旺盛、无病虫害的吉祥草幼苗植株进行移栽,吉祥草幼苗植株根部留有自带泥土,将吉祥草幼苗植株在大棚内种植地的畦上种植,种植株距为5~10厘米,吉祥草幼苗植株根部覆土严实,浇水至根部湿透;(5)移栽后前5~7天保持大棚内温度为21~23℃,每晚8:00~9:00通过光照系统给大棚内的吉祥草幼苗提供光照,光照度为2~3千勒克斯,并通过喷洒系统洒水保持吉祥草根部土壤湿润;(6)吉祥草幼苗成活后,将大棚内温度为23~26℃,通过喷洒系统向吉祥草喷洒磷酸二氢钾和水,对大棚内的种植地进行松土除草确保种植地内无杂草,并在吉祥草植株空地间分撒生石灰;(7)每半年对吉祥草进行追肥,每亩追施腐熟农家肥2000~3000公斤、复合肥80~100公斤、尿素40~50公斤,通过二氧化碳供给系统向大棚内增加二氧化碳,并喷洒系统喷洒叶面肥,确保吉祥草长势旺盛;(8)每隔1个月通过喷洒系统喷洒酒精进行消毒,当出现病害病灶时,通过喷洒系统喷洒炭特灵可湿性粉剂杀虫除害,以后每间隔12~14天喷洒1次;(9)吉祥草成熟时视时进行采摘。
进一步,该吉祥草的种植方法的步骤(1)选择环境幽静、无工业污染、沙质土壤、空气清新的地块为种植地,对种植地进行翻耕,翻耕后按每亩施加腐熟农家肥3100~3150公斤、复合肥260~280公斤、过磷酸钙65~75公斤、尿素45~55公斤,将施肥后的种植地耙细整平。
进一步,该吉祥草的种植方法的步骤(1)选择环境幽静、无工业污染、沙质土壤、空气清新的地块为种植地,对种植地进行翻耕,翻耕后按每亩施加腐熟农家肥3120公斤、复合肥270公斤、过磷酸钙70公斤、尿素50公斤,将施肥后的种植地耙细整平。
进一步,该吉祥草的种植方法的步骤(3)对大棚内的耙细整平的种植地做畦,畦高为10厘米,畦宽为10厘米,畦之间的距离为10厘米。
进一步,该吉祥草的种植方法的步骤(5)移栽后前6天保持大棚内温度为22℃,每晚8:00~9:00通过光照系统给大棚内的吉祥草幼苗提供光照,光照度为2千勒克斯,并通过喷洒系统洒水保持吉祥草根部土壤湿润。
进一步,该吉祥草的种植方法的步骤(6)吉祥草幼苗成活后,将大棚内温度为25℃,通过喷洒系统向吉祥草喷洒磷酸二氢钾和水,对大棚内的种植地进行松土除草确保种植地内无杂草,并在吉祥草植株空地间分撒生石灰。
进一步,该吉祥草的种植方法的步骤(7)每半年对吉祥草进行追肥,每亩追施腐熟农家肥2800公斤、复合肥90公斤、尿素45公斤,通过二氧化碳供给系统向大棚内增加二氧化碳,并喷洒系统喷洒叶面肥,确保吉祥草长势旺盛。
进一步,该吉祥草的种植方法的步骤(8)每隔1个月通过喷洒系统喷洒酒精进行消毒,当出现病害病灶时,通过喷洒系统喷洒炭特灵可湿性粉剂杀虫除害,以后每间隔12天喷洒1次。
通过该技术手段本发明取得的有益效果为,该吉祥草的种植方法科学结合吉祥草生长习性,合理提供适宜吉祥草生长所需环境条件,确保了吉祥草良好生长,种植的吉祥草长势旺盛、生长较快、产出较高,较好的到达了大规模种植吉祥草的目的,适合推广种植,提高了农户种植经济收益。并且,较好的处理吉祥草生长过程出现的虫害,确保了吉祥草良好生长,避免了吉祥草种植过程出现的坏死情况,保障了吉祥草的正常种植。另外,也能提供吉祥草生长所需养分,种植的吉祥草质量品质高,确保了吉祥草的经济效益。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案,下面将结合本申请具体实施例,对本发明进行更加清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
一种吉祥草的种植方法,包括以下步骤:(1)选择环境幽静、无工业污染、沙质土壤、空气清新的地块为种植地,对种植地进行翻耕,翻耕后按每亩施加腐熟农家肥3000~3200公斤、复合肥200~300公斤、过磷酸钙60~80公斤、尿素40~60公斤,将施肥后的种植地耙细整平;(2)在种植地上搭建大棚,大棚内设置温控系统、喷洒系统、光照系统、二氧化碳供给系统、湿度控制系统;(3)对大棚内的耙细整平的种植地做畦,畦高为5~15厘米,畦宽为10~15厘米,畦之间的距离为10~20厘米;(4)选取叶色浓绿、生长旺盛、无病虫害的吉祥草幼苗植株进行移栽,吉祥草幼苗植株根部留有自带泥土,将吉祥草幼苗植株在大棚内种植地的畦上种植,种植株距为5~10厘米,吉祥草幼苗植株根部覆土严实,浇水至根部湿透;(5)移栽后前5~7天保持大棚内温度为21~23℃,每晚8:00~9:00通过光照系统给大棚内的吉祥草幼苗提供光照,光照度为2~3千勒克斯,并通过喷洒系统洒水保持吉祥草根部土壤湿润;(6)吉祥草幼苗成活后,将大棚内温度为23~26℃,通过喷洒系统向吉祥草喷洒磷酸二氢钾和水,对大棚内的种植地进行松土除草确保种植地内无杂草,并在吉祥草植株空地间分撒生石灰;(7)每半年对吉祥草进行追肥,每亩追施腐熟农家肥2000~3000公斤、复合肥80~100公斤、尿素40~50公斤,通过二氧化碳供给系统向大棚内增加二氧化碳,并喷洒系统喷洒叶面肥,确保吉祥草长势旺盛;(8)每隔1个月通过喷洒系统喷洒酒精进行消毒,当出现病害病灶时,通过喷洒系统喷洒炭特灵可湿性粉剂杀虫除害,以后每间隔12~14天喷洒1次;(9)吉祥草成熟时视时进行采摘。
为使吉祥草后续种植肥力充足,确保吉祥草良好生长。该吉祥草的种植方法的步骤(1)选择环境幽静、无工业污染、沙质土壤、空气清新的地块为种植地,对种植地进行翻耕,翻耕后按每亩施加腐熟农家肥3100~3150公斤、复合肥260~280公斤、过磷酸钙65~75公斤、尿素45~55公斤,将施肥后的种植地耙细整平。更优的,该吉祥草的种植方法的步骤(1)选择环境幽静、无工业污染、沙质土壤、空气清新的地块为种植地,对种植地进行翻耕,翻耕后按每亩施加腐熟农家肥3120公斤、复合肥270公斤、过磷酸钙70公斤、尿素50公斤,将施肥后的种植地耙细整平。
为提供其良好种植间隙,确保吉祥草良好生长。该吉祥草的种植方法的步骤(3)对大棚内的耙细整平的种植地做畦,畦高为10厘米,畦宽为10厘米,畦之间的距离为10厘米。
为确保吉祥草移栽成活率,提高吉祥草种植经济效益。该吉祥草的种植方法的步骤(5)移栽后前6天保持大棚内温度为22℃,每晚8:00~9:00通过光照系统给大棚内的吉祥草幼苗提供光照,光照度为2千勒克斯,并通过喷洒系统洒水保持吉祥草根部土壤湿润。
为确保吉祥草长势良好,确保吉祥草种植经济收益。该吉祥草的种植方法的步骤(6)吉祥草幼苗成活后,将大棚内温度为25℃,通过喷洒系统向吉祥草喷洒磷酸二氢钾和水,对大棚内的种植地进行松土除草确保种植地内无杂草,并在吉祥草植株空地间分撒生石灰。更优的,该吉祥草的种植方法的步骤(7)每半年对吉祥草进行追肥,每亩追施腐熟农家肥2800公斤、复合肥90公斤、尿素45公斤,通过二氧化碳供给系统向大棚内增加二氧化碳,并喷洒系统喷洒叶面肥,确保吉祥草长势旺盛。
为更好的去除吉祥草种植过程的病害虫,确保吉祥草良好生长。该吉祥草的种植方法的步骤(8)每隔1个月通过喷洒系统喷洒酒精进行消毒,当出现病害病灶时,通过喷洒系统喷洒炭特灵可湿性粉剂杀虫除害,以后每间隔12天喷洒1次。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种吉祥草的种植方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:
(1)选择环境幽静、无工业污染、沙质土壤、空气清新的地块为种植地,对种植地进行翻耕,翻耕后按每亩施加腐熟农家肥3000~3200公斤、复合肥200~300公斤、过磷酸钙60~80公斤、尿素40~60公斤,将施肥后的种植地耙细整平;
(2)在种植地上搭建大棚,大棚内设置温控系统、喷洒系统、光照系统、二氧化碳供给系统、湿度控制系统;
(3)对大棚内的耙细整平的种植地做畦,畦高为5~15厘米,畦宽为10~15厘米,畦之间的距离为10~20厘米;
(4)选取叶色浓绿、生长旺盛、无病虫害的吉祥草幼苗植株进行移栽,吉祥草幼苗植株根部留有自带泥土,将吉祥草幼苗植株在大棚内种植地的畦上种植,种植株距为5~10厘米,吉祥草幼苗植株根部覆土严实,浇水至根部湿透;(5)移栽后前5~7天保持大棚内温度为21~23℃,每晚8:00~9:00通过光照系统给大棚内的吉祥草幼苗提供光照,光照度为2~3千勒克斯,并通过喷洒系统洒水保持吉祥草根部土壤湿润;
(6)吉祥草幼苗成活后,将大棚内温度为23~26℃,通过喷洒系统向吉祥草喷洒磷酸二氢钾和水,对大棚内的种植地进行松土除草确保种植地内无杂草,并在吉祥草植株空地间分撒生石灰;
(7)每半年对吉祥草进行追肥,每亩追施腐熟农家肥2000~3000公斤、复合肥80~100公斤、尿素40~50公斤,通过二氧化碳供给系统向大棚内增加二氧化碳,并喷洒系统喷洒叶面肥,确保吉祥草长势旺盛;
(8)每隔1个月通过喷洒系统喷洒酒精进行消毒,当出现病害病灶时,通过喷洒系统喷洒炭特灵可湿性粉剂杀虫除害,以后每间隔12~14天喷洒1次;
(9)吉祥草成熟时视时进行采摘。
2.根据权利要求1所述的吉祥草的种植方法,其特征在于:所述步骤(1)选择环境幽静、无工业污染、沙质土壤、空气清新的地块为种植地,对种植地进行翻耕,翻耕后按每亩施加腐熟农家肥3100~3150公斤、复合肥260~280公斤、过磷酸钙65~75公斤、尿素45~55公斤,将施肥后的种植地耙细整平。
3.根据权利要求1或2所述的吉祥草的种植方法,其特征在于:所述步骤(1)选择环境幽静、无工业污染、沙质土壤、空气清新的地块为种植地,对种植地进行翻耕,翻耕后按每亩施加腐熟农家肥3120公斤、复合肥270公斤、过磷酸钙70公斤、尿素50公斤,将施肥后的种植地耙细整平。
4.根据权利要求3所述的吉祥草的种植方法,其特征在于:所述步骤(3)对大棚内的耙细整平的种植地做畦,畦高为10厘米,畦宽为10厘米,畦之间的距离为10厘米。
5.根据权利要求4所述的吉祥草的种植方法,其特征在于:所述步骤(5)移栽后前6天保持大棚内温度为22℃,每晚8:00~9:00通过光照系统给大棚内的吉祥草幼苗提供光照,光照度为2千勒克斯,并通过喷洒系统洒水保持吉祥草根部土壤湿润。
6.根据权利要求5所述的吉祥草的种植方法,其特征在于:所述步骤(6)吉祥草幼苗成活后,将大棚内温度为25℃,通过喷洒系统向吉祥草喷洒磷酸二氢钾和水,对大棚内的种植地进行松土除草确保种植地内无杂草,并在吉祥草植株空地间分撒生石灰。
7.根据权利要求6所述的吉祥草的种植方法,其特征在于:所述步骤(7)每半年对吉祥草进行追肥,每亩追施腐熟农家肥2800公斤、复合肥90公斤、尿素45公斤,通过二氧化碳供给系统向大棚内增加二氧化碳,并喷洒系统喷洒叶面肥,确保吉祥草长势旺盛。
8.根据权利要求7所述的吉祥草的种植方法,其特征在于:所述步骤(8)每隔1个月通过喷洒系统喷洒酒精进行消毒,当出现病害病灶时,通过喷洒系统喷洒炭特灵可湿性粉剂杀虫除害,以后每间隔12天喷洒1次。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20201225 |
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