CN112030141A - 一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺及气路系统 - Google Patents

一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺及气路系统 Download PDF

Info

Publication number
CN112030141A
CN112030141A CN202010848497.8A CN202010848497A CN112030141A CN 112030141 A CN112030141 A CN 112030141A CN 202010848497 A CN202010848497 A CN 202010848497A CN 112030141 A CN112030141 A CN 112030141A
Authority
CN
China
Prior art keywords
stage
gas
area
air
independent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN202010848497.8A
Other languages
English (en)
Inventor
叶飞
刘晓萌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuxi Aierhua Photoelectric Technology Co ltd
Original Assignee
Wuxi Aierhua Photoelectric Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuxi Aierhua Photoelectric Technology Co ltd filed Critical Wuxi Aierhua Photoelectric Technology Co ltd
Priority to CN202010848497.8A priority Critical patent/CN112030141A/zh
Publication of CN112030141A publication Critical patent/CN112030141A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45559—Diffusion of reactive gas to substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45568—Porous nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺，即便是面对大面积的基片，其也可以使基片上的镀膜效果一致，可以明显提升整体镀膜均匀性。本发明技术方案中，将整流板分割为N×S个独立气流控制区域，采用离散式的气路控制模式，结合各区域内基材、工艺气体本身的实际条件，通过独立气流控制器独立调节各个独立气流控制区域的气流通入参数；根据工艺气体本身的特征，设置1级或多级整流，对工艺气体进行多级整流、分级扩散，使各区域的镀膜效果区域一致。同时本发明也公开了实现真空镀膜设备多路入气多级整流工艺的气路系统。

Description

一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺及气路系统
技术领域
本发明涉及真空镀膜控制技术领域，具体为一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺及气路系统。
背景技术
真空气相沉积技术在工业生产与科学研究中有广范的应用。真空气相沉积技术是指在初始真空态前提下，对真空态的工艺腔室内通入工艺气体，然后对工艺气体以及镀膜基底施加反应条件，例如温度、电场、辐射、激光等，让工艺气体与沉底发生理化反应，最终在沉底上成膜。然而，如图1所示，目前的真空气相沉积技术的气路体系中，工艺气体由气流控制器件控制，通过输气管道输送到集中气孔，然后经整流板的分流气孔分流为分散气体，在位于镀膜工艺区的镀膜基底上发生工艺反应；但是，现有技术中，因为集中气口到整流板的各个分流气孔的位置距离的不同，工艺气体的浓度、气压，流速等都会存在明显的差异，这会导致发生镀膜效果不均匀的问题；尤其是有大面积镀膜需求的情况下，普遍存在镀膜均匀性差，镀膜面积内工艺一致性低等问题。
发明内容
为了在避免在大面积镀膜工序中，发生的镀膜均匀性差、镀膜面积内工艺一致性低的问题，本发明提供一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺，即便是面对大面积的基片，其也可以使基片上的镀膜效果一致，可以明显提升整体镀膜均匀性。同时本发明也公开了实现真空镀膜设备多路入气多级整流工艺的气路系统。
本发明的技术方案是这样的：一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺，其特征在于，其包括以下步骤：
S1：将镀膜区域水平划分为N×S个镀膜子区域；其中，N≥2，S≥2且S、N皆为正整数；
S2：将整流板分割为与所述镀膜子区域形状大小一一对应的独立气流控制区域；
为每一个所述独立气流控制区域设置一个分离气口，通过区域独立气流管道将工艺气体经所述分离气口导入到所述镀膜子区域；每个所述区域独立气流管道设置独立气流控制器；
S3：分别设置每一个所述独立气流控制器的气流通入参数；
S4：自上而下设置M个整流板；其中，M≥1，且M为正整数；
S5：将基材通过输送装置运输到所述整流板下方的镀膜工艺区；
S6：所述独立气流控制器根据预先设置的所述气流通入参数，将工艺气体分布经所述区域独立气流管道、所述分离气口导入设置了M个所述整流板的多级整流区域；
S7：工艺气体经M个所述整流板进行多级整流后，均匀分流到所述镀膜工艺区，与所述基材发生工艺反应。
其进一步特征在于：
所述镀膜子区域、所述独立气流控制区域的形状包括：矩形、圆型、椭圆形、三角形、平行四边形；
步骤S1中，将镀膜区域分为N×S个镀膜子区域的划分方法，包括：面积等分、面积不等分；
步骤S2中，所述独立气流控制器包括：阀门、流量计；
步骤S3中，每一个所述独立气流控制器的气流通入参数是独立设置的。
一种真空镀膜设备多路入气多级整流气路系统，其包括：整流板，其特征在于：所述整流板包括自上而下依次设置的一级整流板、二级整流板；所述整流板被划分为N×S个独立气流控制区域，所述一级整流板上设置一级分流气孔，所述二级整流板上设置二级分流气孔；其还包括分离气口，每一个所述分离气口连通其对应的所述独立气流控制区域的中的所述一级整流板。
其进一步特征在于：
所述一级整流板设置于多层电极板、电极基座下方，所述电极基座、所述一级整流板、所述二级整流板，通过固定组件固定连接；所有的所述分离气口开设在所述多层电极板上方，通过气道连通其对应区域的所述一级整流板；
所述一级分流气孔密度小于所述二级分流气孔。
本发明提供的一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺，将整流板分割为N×S个独立气流控制区域，采用离散式的气路控制模式，结合各区域内基材、工艺气体本身的实际条件，通过独立气流控制器独立调节各个独立气流控制区域的气流通入参数，提高基片上的镀膜效果的一致性；同时，根据工艺气体本身的特征，设置1级或多级整流，对工艺气体进行多级整流、分级扩散，使各区域的镀膜效果区域一致，以提升整体镀膜均匀性。
附图说明
图1为现有技术中的空气相沉积技术的气路系统结构示意图；
图2为本发明技术方案中，整流板的俯视的结构示意图；
图3为本发明中的多路入气多级整流气路系统的原理示意图；
图4为本发明中的多路入气多级整流气路系统的剖视的结构示意图；
图5为本发明中的多路入气多级整流工艺气路系统的分解后的结构示意图；
图6为本发明中的一级整流板的结构示意图。
具体实施方式
如图2、图3所示，本发明一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺，其包括以下步骤：
S1：将镀膜区域水平划分为N×S个镀膜子区域；其中，N≥2，S≥2且S、N皆为正整数；
将镀膜区域分为N×S个镀膜子区域的划分方法，包括：面积等分、面积不等分；镀膜子区域的形状包括：矩形、圆型、椭圆形、三角形、平行四边形；
S2：将整流板分割为与镀膜子区域形状大小一一对应的独立气流控制区域；
为每一个独立气流控制区域设置一个分离气口，通过区域独立气流管道将工艺气体经分离气口导入到镀膜子区域；每个区域独立气流管道设置独立气流控制器；
独立气流控制器包括：阀门、流量计；
S3：分别设置每一个独立气流控制器的气流通入参数，每一个独立气流控制器的气流通入参数是独立设置的；通过每一个独立气流控制器单独对每一个独立气流控制区域内的工艺气体的流速、流量、气体比例进行独立控制；
S4：自上而下设置M个整流板；其中，M≥1，且M为正整数；
S5：将基材通过输送装置运输到整流板下方的镀膜工艺区；
S6：独立气流控制器根据预先设置的气流通入参数，将工艺气体分布经区域独立气流管道、分离气口导入设置了M个整流板的多级整流区域；
S7：工艺气体经多级整流区域内的M个整流板进行多级整流后，均匀分流到镀膜工艺区中的每一个镀膜子区域内，与基材发生工艺反应。
根据镀膜工艺中具体的需求进行对镀膜子区域的个数和面积进行设计，包括与镀膜子区域对应的独立气流控制区域的面积、形状，以及独立气流控制器进行控制的气流通入参数，都是独立设置的，分布基于每一个镀膜子区域的区域大小、工艺气体的特性、基材的大小独立进行设置；是本发明技术方案适用于不同的工艺流程中。如图3所示，在独立气流控制器下，工艺气体经区域独立气流管道、分离气口以离散气流的方式进入到1~M级的整流板，经过经过多级整流后的工艺气体，会更加均匀的扩散到镀膜区域中，在镀膜基底上发生反应，确保了处于每一个镀膜子区域内的基材都能得到一致的镀膜效果，极大的提升了整体镀膜的均匀性。
如图4~5所示，为实现真空镀膜设备多路入气多级整流工艺的气路系统的一个实施例，其包括：整流板，整流板包括自上而下依次设置的一级整流板3、二级整流板4；整流板被划分为N×S个独立气流控制区域，一级整流板3上设置一级分流气孔3-2，二级整流板4上设置二级分流气孔4-1；其还包括分离气口2，每一个分离气口2连通其对应的独立气流控制区域的中的一级整流板3；本实施例中，N和S都取值为3，所以分离气口2共设置了9个。
整流板和电磁发生装置1设置在一起；一级整流板3设置于多层电极板1-1、电极基座1-2下方，电极基座1-2、一级整流板3、二级整流板4，通过固定组件1-3固定连接；所有的分离气口2开设在多层电极板1-1上方，通过气道5连通其对应区域的气道3-1、一级整流板3；设置在一起的整流板和电磁发生装置1，同时为处于下方的镀膜区域中的基材施加反应条件：电场、工艺气体。
如图6所示，本实施例中，一级整流板3上设置均匀分布一级分流气孔3-2，一级整流板3安装在电极基座1-2下方，一级整流板3和电极基座1-2之间设置气道3-1；二级整流板4上设置均匀分布的二级分流气孔4-1，一级分流气孔3-2的密度小于二级分流气孔4-1；分离气口2导入的工艺气体经气道3-1分散到一级分流气孔3-2，工艺气体经一级分流气孔3-2分散后，再经二级分流气孔4-1继续分散整流后，均匀的分散到镀膜区域中，确保了提升了整体镀膜的均匀性。

Claims (8)

1.一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺，其特征在于，其包括以下步骤：
S1：将镀膜区域水平划分为N×S个镀膜子区域；其中，N≥2，S≥2且S、N皆为正整数；
S2：将整流板分割为与所述镀膜子区域形状大小一一对应的独立气流控制区域；
为每一个所述独立气流控制区域设置一个分离气口，通过区域独立气流管道将工艺气体经所述分离气口导入到所述镀膜子区域；每个所述区域独立气流管道设置独立气流控制器；
S3：分别设置每一个所述独立气流控制器的气流通入参数；
S4：自上而下设置M个整流板；其中，M≥1，且M为正整数；
S5：将基材通过输送装置运输到所述整流板下方的镀膜工艺区；
S6：所述独立气流控制器根据预先设置的所述气流通入参数，将工艺气体分布经所述区域独立气流管道、所述分离气口导入设置了M个所述整流板的多级整流区域；
S7：工艺气体经M个所述整流板进行多级整流后，均匀分流到所述镀膜工艺区，与所述基材发生工艺反应。
2.根据权利要求1所述一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺，其特征在于：所述镀膜子区域、所述独立气流控制区域的形状包括：矩形、圆型、椭圆形、三角形、平行四边形。
3.根据权利要求1所述一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺，其特征在于：步骤S1中，将镀膜区域分为N×S个镀膜子区域的划分方法，包括：面积等分、面积不等分。
4.根据权利要求1所述一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺，其特征在于：步骤S2中，所述独立气流控制器包括：阀门、流量计。
5.根据权利要求1所述一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺，其特征在于：步骤S3中，每一个所述独立气流控制器的气流通入参数是独立设置的。
6.一种真空镀膜设备多路入气多级整流气路系统，其包括：整流板，其特征在于：所述整流板包括自上而下依次设置的一级整流板、二级整流板；所述整流板被划分为N×S个独立气流控制区域，所述一级整流板上设置一级分流气孔，所述二级整流板上设置二级分流气孔；其还包括分离气口，每一个所述分离气口连通其对应的所述独立气流控制区域的中的所述一级整流板。
7.根据权利要求6所述一种真空镀膜设备多路入气多级整流气路系统，其特征在于：所述一级整流板设置于多层电极板、电极基座下方，所述电极基座、所述一级整流板、所述二级整流板，通过固定组件固定连接；所有的所述分离气口开设在所述多层电极板上方，通过气道连通其对应区域的所述一级整流板。
8.根据权利要求6所述一种真空镀膜设备多路入气多级整流气路系统，其特征在于：所述一级分流气孔密度小于所述二级分流气孔。
CN202010848497.8A 2020-08-21 2020-08-21 一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺及气路系统 Withdrawn CN112030141A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010848497.8A CN112030141A (zh) 2020-08-21 2020-08-21 一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺及气路系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010848497.8A CN112030141A (zh) 2020-08-21 2020-08-21 一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺及气路系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112030141A true CN112030141A (zh) 2020-12-04

Family

ID=73581750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010848497.8A Withdrawn CN112030141A (zh) 2020-08-21 2020-08-21 一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺及气路系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112030141A (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040127067A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Dunham Scott William Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes
JP2012009752A (ja) * 2010-06-28 2012-01-12 Sharp Corp 気相成長装置、及びガス吐出装置
CN103305812A (zh) * 2013-06-08 2013-09-18 上海和辉光电有限公司 一种上电极装置
CN105331952A (zh) * 2014-07-23 2016-02-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 进气装置以及半导体加工设备
CN106011789A (zh) * 2015-03-26 2016-10-12 中晟光电设备（上海）股份有限公司 Mocvd系统及其反应气体输送装置
CN108231632A (zh) * 2018-01-08 2018-06-29 德淮半导体有限公司 喷头和气体供应系统
CN212560432U (zh) * 2020-08-21 2021-02-19 无锡爱尔华光电科技有限公司 一种真空镀膜设备多路入气多级整流气路系统

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040127067A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Dunham Scott William Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes
JP2012009752A (ja) * 2010-06-28 2012-01-12 Sharp Corp 気相成長装置、及びガス吐出装置
CN103305812A (zh) * 2013-06-08 2013-09-18 上海和辉光电有限公司 一种上电极装置
CN105331952A (zh) * 2014-07-23 2016-02-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 进气装置以及半导体加工设备
CN106011789A (zh) * 2015-03-26 2016-10-12 中晟光电设备（上海）股份有限公司 Mocvd系统及其反应气体输送装置
CN108231632A (zh) * 2018-01-08 2018-06-29 德淮半导体有限公司 喷头和气体供应系统
CN212560432U (zh) * 2020-08-21 2021-02-19 无锡爱尔华光电科技有限公司 一种真空镀膜设备多路入气多级整流气路系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6616766B2 (en) Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes
US7018940B2 (en) Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes
CN212560432U (zh) 一种真空镀膜设备多路入气多级整流气路系统
CN105331953B (zh) 进气装置以及半导体加工设备
US10253412B2 (en) Deposition apparatus including edge plenum showerhead assembly
CN105331952B (zh) 进气装置以及半导体加工设备
TWI606510B (zh) Semiconductor processing equipment and gas shower head cooling plate
US20100272892A1 (en) Film formation reactive apparatus and method for producing film-formed substrate
CN104975271B (zh) 进气装置以及半导体加工设备
CN108231620B (zh) 一种气体流量控制装置及其气体流量控制方法
WO1992015116A1 (en) Semiconductor manufacturing equipment
CN112981350A (zh) 均匀薄膜沉积的方法和设备
JP2024105428A (ja) 堆積用のデュアルガス供給シャワーヘッド
CN110400768B (zh) 反应腔室
WO2024193388A1 (zh) 基片处理设备及处理方法
CN215517614U (zh) 均匀薄膜沉积的设备
CN112030141A (zh) 一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺及气路系统
CN117418217A (zh) 一种匀气装置及化学气相沉积匀气系统
CN103074605A (zh) 喷淋头及化学气相沉积设备
CN217026076U (zh) 一种智能分流装置及一种等离子体加工设备
CN115807218A (zh) 一种化学气相沉积装置及方法
CN115110064A (zh) 一种气体输入设备和气体输入方法
CN109661716B (zh) 气相生长装置、外延晶片的制造方法及气相生长装置用附接件
CN218059173U (zh) 一种布气系统
CN216337946U (zh) 一种进气速率及分布可调的气体匀流板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20201204

WW01 Invention patent application withdrawn after publication